YS∕T 26-2016 硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T26—2016

代替

YS/T26—1992

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers

2016-07-11發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T26—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法與相比本標(biāo)準(zhǔn)主要變動(dòng)

YS/T26—1992《》。YS/T26—1992,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語和定義干擾因素等

———、、;

增加了非破壞性檢驗(yàn)方法方法

———B、C。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽單晶硅集團(tuán)有限責(zé)任公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份

:、、

有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人田素霞李戰(zhàn)國(guó)苗利剛焦二強(qiáng)安瑞陽邵成波王文衛(wèi)

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T26—1992。

Ⅰ

YS/T26—2016

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片邊緣輪廓包含切口的檢驗(yàn)方法

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢驗(yàn)倒角硅片的邊緣輪廓包含切口砷化鎵等其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗(yàn)可參

(),

照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了方法三種測(cè)試方法其測(cè)試原理分別如下

A、B、C,:

方法沿硅片徑向劃開形成剖面借助光學(xué)比較儀或投影顯微鏡形成一個(gè)硅片邊緣區(qū)域的

a)A:,,

剖面聚焦圖形將圖形與邊緣輪廓模板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是破壞性

,,。

的限于圓周上離散點(diǎn)的檢查包括參考面常用于直徑不大于硅片參考面倒角邊緣

,,,150mm

輪廓的檢測(cè)

;

方法將硅片放置在平行光路下硅片邊緣投影到顯示屏上邊緣輪廓的圖像與邊緣輪廓模

b)B:,,

板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是非破壞性的可檢查除了參考面和切口外硅

,。,

片輪廓上所有的點(diǎn)常用于直徑不大于硅片除參考面和切口外邊緣輪廓的檢測(cè)

,200mm;

方法將硅片放置在光源下光源照在硅片邊緣相機(jī)將硅片邊緣不包括參考面或切

c)C:,,CCD()

口的輪廓形狀的圖像導(dǎo)入電腦通過專用分析軟件對(duì)檢測(cè)圖像進(jìn)行分析然后將輪廓形狀的圖

,,

像和測(cè)試結(jié)果顯示在顯示屏上測(cè)試原理如圖所示本方法是無接觸非破壞性的可以測(cè)

,1。、,

試硅片邊緣和切口的輪廓形狀并能測(cè)量出輪廓尺寸該方法操作簡(jiǎn)單便捷可以直觀的確定

,。,

硅片邊緣和切口是否合適適用于各種尺寸夾角和形狀的硅片邊緣輪廓的檢測(cè)本方法適用

,、。