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文檔簡介

1、電子技術(shù)(結(jié)合TPH主要控制電路) 制作: H J : 2011年6月1培訓內(nèi)容電子技術(shù)定義模擬電路數(shù)字電路常用電子元器件知識2電子技術(shù)定義什么是電子產(chǎn)品? 電子產(chǎn)品首先必須含有電子元器件形成的電路板或架空式電路連接,包括控制電路、電源電路、保護電路等相關(guān)電子電路;部分機械產(chǎn)品由于也包含電子控制電路,也可以稱為電子產(chǎn)品。 如:普通3D眼鏡 帶無線充電功能3D眼鏡31.電子(electron) 物質(zhì)的基本構(gòu)成單位原子 是由電子、中子和質(zhì)子三者共同組成;電子是構(gòu)成原子的基本粒子之一,目前無法再分解為更小的物質(zhì)質(zhì)量極小,帶負電(電子所帶電荷為e=1.6 10的-19次方庫侖),在原子中圍繞原子核旋轉(zhuǎn)

2、。2.電流(current) 電子圍繞原子的核做高速運動,當原子互相結(jié)合成為分子時,在最外層的電子便會由一原子移至另一原子或成為彼此共享的電子。 當電子脫離原子核束縛在其它原子中自由移動時,其產(chǎn)生的凈流動現(xiàn)象稱為電流。 電子技術(shù)定義 名詞43.靜電(electrostatic) 質(zhì)子帶有與電子電荷絕對值相等的正電荷,在通常情況下,原子含有等量的電子和質(zhì)子,對外不顯電性。“靜電” 顧名思義:靜止電荷產(chǎn)生的電,是指當物體帶有的正負電荷數(shù)不相等而導致正負電量不平衡的情況;如摩擦起電。 產(chǎn)生靜電的方法:摩擦、相接觸的兩個物體發(fā)生分離、靜電感應產(chǎn)生靜電等。問題:如何預防靜電?電子技術(shù)定義 名詞5電子技術(shù)

3、定義 名詞4.電磁波(electromagnetic wave) 電荷周圍伴有電場,電場對電荷產(chǎn)生力的作用。電荷的運動產(chǎn)生電流,電流周圍又伴有磁場,磁場對磁體或電流產(chǎn)生力的作用。當電流變化時,周圍的電場和磁場也會隨之發(fā)生變化。這種變化以波的形態(tài)攜載能量以一定的速度向外傳播,這種波稱為電磁波。 電磁波在真空中的傳播速度為 299792.46公里/秒 電磁波的傳播速度與波長無關(guān)6電子技術(shù)定義 電子學 是以電子運動和電磁波及其相互作用的研究和利用為核心而發(fā)展起來的 ;它是一門以應用為主要目的的科學和技術(shù)。它主要研究電子的特性和行為,以及電子器件的物理學科;電子學涉及很多的科學門類,包括,物理、化學、

4、數(shù)學、材料科學等。 電子技術(shù)則是應用電子學的原理設計和制造電路、電子器件來解決實際問題的科學。 簡單的說就是對電子信號進行處理的技術(shù)。 電子技術(shù)包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。信息電子技術(shù)主要以Digital (數(shù)字) 電子技術(shù)為主;而電力電子技術(shù)則主要以 Analog (模擬) 電子技術(shù)為主。 7模擬(Analog)電路81.什么是半導體 所謂半導體就是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)。導體如金、銀、銅、鋁等;絕緣體如橡膠、塑料、云母、陶瓷等;典型的半導體材料則有硅、鍺、硒及某些金屬氧化物、硫化物等,其中用來制造半導體器件最多的半導體材料是硅和鍺。2.半導體的導電特征 1) 溫度特

5、性(簡稱熱敏性) 2) 光照特性(簡稱光敏性) 3) 摻雜特性:雜質(zhì)半導體是制造半導體器件的基本材料模擬(Analog)電路 半導體器件9N型半導體 因為摻入了少量五價元素(如磷或砷),使自由電子的數(shù)目大增,自由電子導電就成為該類型雜質(zhì)半導體導電的主要方式,所以又稱“電子半導體”。電子正離子P型半導體 因為摻入了少量三價元素(如硼或鋁),使空穴成為多子,而自由電子導電成為少子,其導電的主要方式為空穴導電,所以又稱“空穴半導體”。空穴負離子單一的P型或N型半導體并不能用來制造半導體器件!模擬(Analog)電路 半導體器件10PN結(jié)P區(qū)N區(qū)多子擴散少子少子P區(qū)N區(qū)內(nèi)電場方向少子漂移空間電荷區(qū)PN

6、結(jié)是構(gòu)成各種半導體器件的基礎!模擬(Analog)電路 半導體器件11PN結(jié)的單向?qū)щ娦?變窄內(nèi)電場外電場PNR(加正向電壓)變寬內(nèi)電場外電場PNR(加負向電壓)(PN結(jié)符號)PN模擬(Analog)電路 半導體器件12半導體二級管1) 符號:3) 伏安特性及參數(shù):+-U/VI/mA204060-20-400.20.40.2-25-50正向死區(qū)電壓反向擊穿電壓 最大整流電流IF : 一般從幾十mA至幾十安培不等。 正向?qū)妷?門檻電壓)Uth : 硅管/約為0.5V、鍺管/約為0.1V 最高反向工作電壓: 一般規(guī)定為其反向擊穿電壓的 1/2或2/3。 最大反向電流IRM : 硅管一般在零點幾

7、個微安(甚至更少)、鍺管為硅管的幾十到幾百倍。 最高工作頻率fM : 此參數(shù)主要由PN結(jié)的結(jié)電容決定。2) 封裝:+-+模擬(Analog)電路 半導體器件134) 應用: 整流、檢波,進行元件保護; ACDC整流橋 可對信號波形進行整形、限幅,對電路中的電位產(chǎn)生隔離、箝位; 在數(shù)字電路中可用作開關(guān)元件。 ABFU(+12V)R模擬(Analog)電路 半導體器件14特殊二級管 1. 變?nèi)荻壒?在PN結(jié)空間電荷區(qū)出現(xiàn)之后,這一區(qū)域?qū)⒉辉俪尸F(xiàn)電中性,由于它的一側(cè)是負電荷,一側(cè)是正電荷,就象一對帶有不同電荷的平行板電容器,并隨之會出現(xiàn)電容效應,這種電容效應產(chǎn)生的電容,稱為PN結(jié)的結(jié)電容,一般在幾

8、個皮法;此容量也會因PN結(jié)兩端外加電壓的改變而發(fā)生變化。 2. 瞬變電壓抑制二極管(TVS) 應用在TPH中,329-0035-02(P6KE6.8A-PSF) 3. 光電二級管 應用在TPH中,318-0060-02(GP2S40J0000F) 4. 發(fā)光二級管 5. 穩(wěn)壓二級管+-+-+模擬(Analog)電路 半導體器件15半導體三極管1) 結(jié)構(gòu)與符號:N P NEBC發(fā)射區(qū)基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)BECNPN管P N PEBC發(fā)射區(qū)基區(qū) 集電區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)BECPNP管 結(jié)構(gòu)特點: 基區(qū)非常薄,而且摻入雜質(zhì)少,多數(shù)載流子濃度非常低; 發(fā)射區(qū)的多子濃度遠大于基區(qū)的多子濃度,例如NPN

9、型管發(fā)射區(qū)的自由電子濃度比基區(qū)的空穴濃度大上100倍左右; 發(fā)射結(jié)的面積遠小于集電結(jié)面積。模擬(Analog)電路 半導體器件162) 電流分配與放大作用:RCECRBEB(共發(fā)射極放大電路)RCECRBEBNPN(內(nèi)部載流子的傳輸過程)IBICIEIE = IC + IB 因為IE遠大于IB,故IE IC公式:直流電流放大系數(shù): = IC / IB模擬(Analog)電路 半導體器件172) 特性曲線:UCE / V截止區(qū) 80uA 60uA 40uA 20uAUBE / VIB /u A60801004020 0 0.2 0.4 0.6 0.8UCE =0UCE =1V IB=0(輸入特性

10、曲線)IC /m A1234 0 3 6 9 12飽和區(qū)放大區(qū) (輸出特性曲線)模擬(Analog)電路 半導體器件18半導體三極管3) 開關(guān)特性: 截止區(qū)在特性曲線IB=0 以下區(qū)域為截止區(qū);此時 三極管為關(guān)閉狀態(tài),即發(fā)射極與集電極看似開路; 實現(xiàn)條件:使基極與發(fā)射極電壓偏置達到截止狀態(tài) 截止偏置:硅管 UBE 0.5V,鍺管 UBE 飽和區(qū)在特性曲線UCE 1V 以下區(qū)域為飽和區(qū);此 時三極管為開通狀態(tài),即發(fā)射極與集電極看似短路; 飽和壓降:硅管 UCE 0.3V,鍺管 UCE =1V0IC /m A0ICQUCEQECEC/RCEBRCECRB(電路) (輸入回路的直流圖解) (輸出回路

11、的直流圖解)IBBCEIBICUCEUBEUBEQQIBQIBUCE =1V0IC /m A0ICQUCEQECEC/RCQ直流負載線模擬(Analog)電路 放大電路基礎273.基本放大電路的圖解分析法動態(tài)分析(輸入回路的交流圖解) (輸出回路的交流圖解)UBEUBEQQIBQIBUCE =1V0IC /m A0ICQUCEQECEC/RCQQ1Q20wtuBE0wt0iBiCwtUCE0wtuCE模擬(Analog)電路 放大電路基礎28a) 工作點合適波形不失真 b) 工作點過低引起截止失真 c) 工作點過高引起飽和失真 IC0ICQQUCEIC0ICQQUCEIC0ICQQUCEUCE

12、QUCEQUCEQ非線性失真模擬(Analog)電路 放大電路基礎29模擬(Analog)電路 放大電路基礎3.微變等效模型a) 輸入、輸出回路 b) 微變等效模型 BCEBCiCUceUbeibUbeibiC ibUcercerberbe=ube/ib30 集成運算放大器又稱直流放大器,由多級直接偶合放大電路組成。1.組成:2.代表符號:輸入級中間級輸出級uoui偏置電路-+輸出端反向輸入端正向輸入端AUO模擬(Analog)電路 集成運算放大器31差動放大電路1) 零點漂移:直接偶合放大電路uiuoUouo0t(直接偶合放大電路的零點漂移)產(chǎn)生零點漂移的主要原因是三級管參數(shù)(主要是ICBO

13、、 、UBE)克服零點漂移的方法補償法 補償法就是利用元件的溫度特性補償三級管參數(shù)隨溫度的變化,使三級管靜態(tài)工作電流IC穩(wěn)定;通常方法是利用特性完全相同的兩只三級管組成對稱電路相互補償,即所謂的差動放大電路。模擬(Analog)電路 集成運算放大器322) 帶射極電阻的差動放大電路:+UCCUI1UI2-UEERBRCRCV1V2RBREEIE1IE2IEIC2IC1+-UOIB1IB2共模差模比較模擬(Analog)電路 集成運算放大器33功率放大電路IC /m A 0 (輸出特性曲線)UCE / V甲類(A類)甲乙類(AB類)乙類(B類) 甲類(A類)放大器 晶體管靜態(tài)工作點設置在截止區(qū)與

14、飽和區(qū)的中分點的放大電路,叫做甲類放大電路,適合于小功率高保真放大。 甲乙類(AB類)放大器 晶體管靜態(tài)工作點設置在截止區(qū)與飽和區(qū)之間,靠近截止點的放大電路,叫做甲乙類放大電路,適合于大功率高保真音頻放大,推挽電路通常就是甲乙類放大電路。 乙類(B類)放大器 晶體管靜態(tài)工作點設置在截止點的放大電路,叫做乙類放大電路,適合于大功率放大。 模擬(Analog)電路 集成運算放大器34 推挽式功率放大電路 由兩個晶體管,共同完成的,在正半周一 個推,另一個挽,在負半周,則兩個晶體管互換,原來推的變成挽,原 來挽的變成推。這就是推挽電路的簡單表述,推挽電路多用于功率放大。+UCC-UCCu0RLV1V

15、2uiu i0tu o0t輸出交越失真乙類(B類)放大器模擬(Analog)電路 集成運算放大器35 反饋電路AFXiXoXdXf 閉環(huán)系統(tǒng)放大倍數(shù)公式計算:(負反饋)(正反饋)Xd = Xi XfA = Xo / XdF = Xf / XoAf = Xo / Xi= Xo /(1+ AF)Xd= A /(1+ AF)Xd = Xi + XfA = Xo / XdF = Xf / XoAf = Xo / Xi= Xo /(1- AF)Xd= A /(1- AF)其中 AF = Xf / Xd 稱作環(huán)路系數(shù)模擬(Analog)電路 集成運算放大器36 集成運算放大器的非線性應用1V1V2-+8u

16、IuRuOR1R2R3uOuIuRV1V20+uz-uz一般比較器電路及電壓傳輸特性模擬(Analog)電路 集成運算放大器37 集成運算放大器的非線性應用2UC/Vwt0+uT方波發(fā)生器電路及輸入/輸出電壓的關(guān)系-+8uOCR2R0V1V2R1uCRuT-uTUC/Vwt0+uZ-uZ滯回比較器模擬(Analog)電路 集成運算放大器38模擬(Analog)電路 集成運算放大器 集成運算放大器的非線性應用3三角波發(fā)生器電路及輸入/輸出電壓的關(guān)系-+8uOR2R0V1V2R1uTUO/Vwt0+uT-uTUO1/Vwt0+uZ-uZ-+8RR3R4A1A2C39正弦波振蕩電路1) 自激振蕩的條

17、件:AFufuouiubeS12+-+-+-相位平衡條件,即必須構(gòu)成正反饋;幅值平衡條件,即反饋電壓與凈輸入電壓必須相等(AF=1)。2) 自激振蕩的建立與幅度的穩(wěn)定:建立振蕩(起振)的條件:ufui ,即AF1幅值的穩(wěn)定主要是靠整個閉環(huán)回路的非線性,從而是AF1變成AF=1。模擬(Analog)電路 振蕩電路40RC正弦波振蕩電路V1uiV2ufuo+UCCR1C1C2R2C3RfR3R4R5R6C4C5C6R7R8R9RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡fo=1/2(R1R2C1C2),設R1=R2=R,C1=C2=C,則 fo=1/2RC模擬(Analog)電路 振蕩電路41變壓器反饋式LC正弦波振蕩電路

18、+UCCRECERB2RLLfN1LN3N2CRB1C1UfIbIcfo=1/2(LC)模擬(Analog)電路 振蕩電路42三點式LC正弦波振蕩電路+UCC電感三點式LC振蕩電路RB2RB1C1UfRCC2RECEL2L1Cfo=1/2(LC)其中 L=L1+L2+2M, 2M為互感+UCCRB2RB1C1UfRCC3RECEC1LC2電容三點式LC振蕩電路fo=1/2(LC)其中 C=C1C2/(C1+C2)模擬(Analog)電路 振蕩電路43直流電源電路的組成部分變壓器整 流電 路濾 波電 路穩(wěn) 壓電 路u1u1u2u3u4uOwtu2wtu3wtu4wtu4wt模擬(Analog)電

19、路 穩(wěn)壓電路44基本直流電源電路u1u2RLu0C+電容濾波L電感濾波LLC復式濾波C+LLC T型濾波+CLLC 型濾波C+C+Lu3u4模擬(Analog)電路 穩(wěn)壓電路451.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路u1u2RLu0C+穩(wěn)壓二極管u3u4RVZ2.串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路u0RLVTVZu4R模擬(Analog)電路 穩(wěn)壓電路46模擬(Analog)電路 穩(wěn)壓電路3.三端穩(wěn)壓器穩(wěn)壓電路u4C+W78XXC+u0312C+W79XXC+u4u0312(輸出正壓電路)(輸出負壓電路)47數(shù)字(Digital)電路481.數(shù)制與碼制utt25v模擬信號t14vt01000101二進制編碼信號45數(shù)制表碼制表

20、數(shù)字(Digital)電路 數(shù)字電路基礎492.邏輯代數(shù)基礎與邏輯函數(shù): F = A BUSASBHLAB0001F00AB1101F01或邏輯函數(shù): F = A + BUSAHLAB0001F01AB1101F11非邏輯函數(shù): F = ASBA10與邏輯真值表或邏輯真值表非邏輯真值表F01數(shù)字(Digital)電路 數(shù)字電路基礎503.邏輯代數(shù)的基礎公式及簡化(A + B) C = A C + B C 基本公式:A + 0 = AA + 1 = 1A A = 0A + A = 1A B = A + BA + B = A B公式簡化:例1:ABC + ABC = AC(B + B) = AC例

21、1:ABC + ABC = AC(B + B) = AC例2:ABC + ABC(D + E) = ABC(1 + D + E) = ABC例1:ABC + ABC = AC(B + B) = ACA + A B = A + B數(shù)字(Digital)電路 數(shù)字電路基礎51分立元件門電路1) 二極管與門電路:邏輯函數(shù): F = ABCAB0000F00C01010001011000100111001111真值表ABCFRVDAVDBVDC+U實現(xiàn)電路ABCF邏輯符號數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路522) 二極管或門電路:邏輯函數(shù): F = A + B + CAB0000F01C0101

22、1001111010101111101111真值表FRVDAABCVDBVDC-U實現(xiàn)電路+ABCF邏輯符號數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路533) 三極管非門電路:AF邏輯符號邏輯函數(shù): F = AF+UCCVTARC實現(xiàn)電路R1A10真值表F01數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路544) 復合門電路:與非門: F = ABCBF邏輯符號A或非門: F = A+B+BF邏輯符號A異或門: F = A B+A B = A + B+BF邏輯符號A同或門: F = A B+A B = A BBF邏輯符號A數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路55TTL集成門電路TTL集成門電路是由

23、晶體三極管組成的集成門電路。R1R2R5R3R4VT1VT2VT3VT4VT5F+UCCABCTTL與非門典型電路數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路56組合邏輯電路分析與設計例1:如邏輯電路所示,請判斷其邏輯功能。ABF1F2F3F解:將各門的輸出逐級地寫出來,有F1=A B F2=A B A F3=A B B 輸出端的輸出F為:F=A B A A B B =A B A A B B =(A + B)(A + B) =A B + A B 數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路57得出其邏輯真值表:AB0001F01AB1101F10例2:試設計一個三人表決電路,以表決某一提案是否通 過;

24、 如多數(shù)贊成, 則提案通過。解:先根據(jù)題意得出真值表及邏輯表達式。AB0000F00AB1100F01C01C010011011111110101數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路58F=AB + AC + BC=AB + AC + BC=AB AC BCABCF+電路1:F=AB + AC + BC然后制作邏輯電路:ABCF=AB AC BC電路2:F數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路59TPH履歷控制產(chǎn)品組合邏輯功能分析60編碼器與譯碼器編碼器Q4Q3Q2Q1Y9Y8Y1Y0譯碼器Q4Q3Q2Q1Y9Y8Y1Y0二 十進制編碼器框圖二 十進制譯碼器框圖Y0 Y1 Y2 Y3 Y

25、4 Y5 Y6 Y7 Y8 Y9 Q4 Q3 Q2 Q1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1

26、 1 0 0 1 Y9 輸 入 輸 出 真值表數(shù)字(Digital)電路 組合邏輯電路61觸發(fā)器 即雙穩(wěn)觸發(fā)器, 是時序邏輯電路的基本單元, 能夠存儲一位二進制數(shù)碼。1. RS觸發(fā)器SDRDQ/Q邏輯圖SDRD/QQSR邏輯符號SDRDQ10001010101不變不變狀態(tài)表數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路62同步RS觸發(fā)器邏輯圖SRQ/QRDSDcSDRD/QQ1S1R邏輯符號C1SRQn+1001010110Qn01不變狀態(tài)表數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路632. 主從型JK觸發(fā)器邏輯符號邏輯圖主觸發(fā)器1S1R從觸發(fā)器2S2RC1C2JKCq/qQ/Q/QRDSDJKQn+

27、1001010110Qn01 /Qn狀態(tài)表SDRD/QQ1J1KC1數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路643. D觸發(fā)器邏輯符號SDRD/QQ1DC1狀態(tài)表D Qn+101 0 14. T 觸發(fā)器和T觸發(fā)器SDRD/QQ1J1KC11/QQ1DC1a) 用JK觸發(fā)器組成T觸發(fā)器 b) 用D觸發(fā)器組成T觸發(fā)器 c) T觸發(fā)器 SDRD/QQ1J1KC1T數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路65 觸發(fā)器的應用十分廣泛,下面介紹一個用D觸發(fā)器設計的4人搶答電路:Q1/Q1Q2/Q2Q3/Q3Q4/Q474LS175D1D2D3D4RDCPVD1VD2VD3VD4S1S2S3S4+5VRX4

28、清0CP數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路66寄存器 是用來暫時存放參與運算的一組二進制數(shù)碼的部件; 由觸發(fā)器作存儲單元, 外加由門電路構(gòu)成的控制電路。1. 數(shù)碼寄存器D0D1D2D3Q0Q1Q2Q3S RS RS RS R寄存指令 清零取數(shù)指令D0Q0S R寄存指令D1Q1S RD2Q2S RD3Q3S R四位寄存器雙端輸入數(shù)碼寄存器數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路672. 移位寄存器D01D0SDC1F0Q0D11D1SDC1F1Q1D21D2SDC1F2Q2D31D3SDC1F3Q3SD并 行 輸 出并 行 輸 入串行輸入串行輸出CP移位脈沖RD清零Q0Q0Q1Q2Q3存數(shù)

29、指令四位移位寄存器數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路68TPH產(chǎn)品邏輯功能分析移位寄存D觸發(fā)鎖存門電路控制輸出69TPH產(chǎn)品邏輯功能時序分析70數(shù)字(Digital)電路 時序邏輯電路3. 計數(shù)器四位異步二進制加法計數(shù)器1J0/Q0Q0C11K01J1/Q1Q1C11K11J2/Q2Q2C11K21J3/Q3Q3C11K31111RD清零N1J0Q0C11K01J1Q1C11K11J2Q2C11K21J3Q3C11K3RD清零N四位同步二進制加法計數(shù)器71Tt rt fUm0.9Um0.5Um0.1Umt p矩行脈沖波脈沖波參數(shù):脈沖周期T=1/f脈沖幅度Um脈沖寬度tp上升時間tr下降

30、時間tf占空比D=tp/TRRSCt0t1t2t3t4ui2uO2uAuOuOui2uO2uAuTRC環(huán)形震蕩器電路與波形圖數(shù)字(Digital)電路 脈沖波形產(chǎn)生與整形72由555定時器構(gòu)成的多諧振蕩器(產(chǎn)生脈沖波)uO+UCC-+8+-+8+UCC4(復位腳)8317265R1R2CVT5k5k5kQ/QRSuctp1tp200ucuOtt2/3Ucc1/3Ucc數(shù)字(Digital)電路 脈沖波形產(chǎn)生與整形73數(shù)字(Digital)電路 脈沖波形產(chǎn)生與整形由555定時器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器(波形整形)uO+UCC2-+8+-+8+UCC4(復位腳)8317265RVT5k5k5kQ/QRS

31、uiuO200ucuOtt2/3Ucc1/3Ucc74常用電子元器件基本知識751.電阻器型號命名方法(普通電阻器)如型號: R J 7 1序號分類材料主稱 (“R”表示電阻)字 母HIJNSTXY 電 阻 器 導 電 材 料合成膜玻璃釉膜金屬膜(箔)無機實芯碳 膜線 繞有機實芯氧化膜“材料”字母所表示意義數(shù)字12345789普 通“分類”數(shù)字或字母所表示意義功能分類GT普 通超高頻高 阻高 溫精 密高 壓特 殊字母功能分類可 調(diào)高功率精密金屬膜電阻器常用電子元器件知識 電阻器761.電阻器型號命名方法(敏感電阻器)“用途或特征”數(shù)字或字母表示意義如型號: M F 1 1序號用途或特征類別主稱

32、 (“M”表示敏感電阻)負溫度系數(shù)熱敏電阻器字 母FZGYSQLC 類別意義負溫度系數(shù)熱敏電阻器“類別”字母所表示意義正溫度系數(shù)熱敏電阻器光敏電阻器壓敏電阻器濕敏電阻器氣敏電阻器力敏電阻器磁敏電阻器負溫度系數(shù)熱敏電阻器用途特征熱敏電阻器光敏電阻器力敏電阻器壓敏電阻器濕敏電阻器氣敏電阻器磁敏電阻器012345678WGPNKLHEBCY9 特殊用 普通用 穩(wěn)壓用 微波測量 旁熱式 測溫用 控溫用 消磁用 線性型 恒溫用 特殊用 紫外光 紫外光 紫外光 可見光 可見光 可見光 紅外光 紅外光 紅外光硅應變片硅應變片 硅杯 穩(wěn)壓用 高壓保護 高頻用 高能用 旁可靠 防雷用 滅孤用 消噪用 補償型 消磁用 控濕用 可燃性 電位器 電阻器 測濕用 煙敏常用電子元器件知識 電阻器772.電阻器標志方法直標法:在電阻器表面直接標志出它的主要參數(shù)和技術(shù)性能。文字符號法

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