Vbes及Vces測試及分析_第1頁
Vbes及Vces測試及分析_第2頁
Vbes及Vces測試及分析_第3頁
Vbes及Vces測試及分析_第4頁
Vbes及Vces測試及分析_第5頁
已閱讀5頁，還剩5頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、Vbes及Vces測試及分析 主講1一、目的 介紹一種分析Vbes、Vces的方法。通過測Vbef及Vbcf，把三極管兩個互相牽連的PN結(jié)，分成兩個單獨的PN結(jié)來處理。2 二、 一般來說，Vbes大較多情況是基極引線孔有接觸電阻（底膜）造成。 1.氧化層，氧化層的作用，氧化層的顏色，底膜，開窗口后盡快擴散，蒸鋁，自然氧化層。3 2.示意圖（均以NPN管為例）43.引起Vbes大，接觸電阻大的其它原因：鋁層發(fā)黃，油污，球焊虛焊，引腳氧化引起虛焊，測試接觸不良。4.歐姆接觸，H2合金，500，10分，Vbef(300mA)1.4V（S9014）5同一只管子Vbef與Vbef的關(guān)系：1.P+N結(jié)（B

2、C結(jié)）If=Aq(Lp/p)（ni2/Nn）eqv/kt2.N+P結(jié)（EB結(jié)）If=Aq(Ln/n)（ni2/Np）eqv/kt3.PN結(jié)高阻區(qū)的雜質(zhì)濃度愈小，正向電流愈大（Vf愈?。碚撋贤恢还茏覸bcfVbef.6四、晶體管雜質(zhì)濃度的分布Nsc代表外延層含As(Sb)雜質(zhì)濃度，是均勻摻雜，雜質(zhì)濃度相等的M、N點形成發(fā)射結(jié)、集電結(jié)，兩曲線與X軸、Y軸圍成的面積代表摻雜總量。7 五、 Vces大較多情況與背面金屬化層相關(guān)，與裝片質(zhì)量關(guān)系也很大。 1.背面金氧化之前要磨片（或噴砂），減薄，去除背面氧化層 共晶，金砷 Vi / Ni / AuGe / AuGeSb / Au 0.3 0.2 0.3 0.5 0.1 總厚1.5 0.2um 2.軟焊料 Vi/Ni/Ag Ti/Ni/Ag Cr/Ni/Ag Vi / Ni / Au 1.5um 0.03 0.8 0.3 總厚1.5 0.2um 3.導(dǎo)電膠 Vbcf與Vbef比較接近，Vces要大一些。 影響Vces的其它因素，裝片質(zhì)量，焊料氧化，焊料少，e極鋁電極電阻，外延片夾層，雙段飽和，電阻率太高。8 六、則共3DD1

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論