高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第3節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考綱點(diǎn)擊教學(xué)案

1、第3節(jié) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考綱點(diǎn)擊.理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。. 了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。.理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。. 了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)梳理整合/I.JJI . . . I.f.一、晶庇常識(shí)1.晶體與非晶體晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)微粒在三維空間里呈周期性序排列結(jié)構(gòu)微粒序排列性質(zhì) 特征自范性熔點(diǎn)異同表現(xiàn)1各向異性無(wú)各向異性區(qū)別 方法熔點(diǎn)法有固定熔點(diǎn)無(wú)固定熔點(diǎn)X射線對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)特別提示：具有規(guī)則幾何外形的固體不一定是晶體，如玻

2、璃。.晶胞(1)概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的 。(2)晶體中晶胞的排列一一無(wú)隙并置。無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有 ;并置：所有晶胞 排列、相同。即時(shí)訓(xùn)練1下列有關(guān)晶體的說(shuō)法中正確的是 。凡是有規(guī)則外形的固體一定是晶體晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別：是否有自范性熔融態(tài)物質(zhì)凝固就得到晶體晶體有一定的熔沸點(diǎn)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法：是否具有固定的熔沸點(diǎn)司晶胞為 上二/的示意圖：為陽(yáng)離子，為陰離子。以 M代表陽(yáng)離子，N代表陰離 子?；瘜W(xué)式為MN二、分子晶體和原子晶體.分子晶體(1)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)晶體中只含分子。分子間作用力為范德華力，也可能有氫鍵。分子密堆積：一個(gè)分子周圍通常有12個(gè)緊鄰的分子。(2)典型的分子晶體冰：水

3、分子之間的主要作用力是 ,也存在,每個(gè)水分子周圍只有 個(gè)緊鄰的水分子。干冰：CO分子之間存在 ,每個(gè)CO分子周圍有 個(gè)緊鄰的CO分子。.原子晶體(1)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)晶體中只含原子。原子間以 結(jié)合。結(jié)構(gòu)。(2)典型的原子晶體一一金剛石碳原子取 雜化軌道形成共價(jià)鍵，碳碳鍵之間夾角為 。每個(gè)碳原子與相鄰的 個(gè)碳原子結(jié)合。即時(shí)訓(xùn)練2下列說(shuō)法中正確的是。干冰(CO2)晶體中包含的作用力為分子間力和共價(jià)鍵SiO2晶體中包含的作用力只有共價(jià)鍵CQ表示一個(gè)二氧化碳分子是由一個(gè)碳原子和兩個(gè)氧原子構(gòu)成的SiO2表示一個(gè)二氧化硅分子是由一個(gè)硅原子和兩個(gè)氧原子構(gòu)成的原子晶體比分子晶體的熔沸點(diǎn)高得多冰、干冰、水晶均屬于分子晶

4、體特別提示：(1)原子晶體一定含有共價(jià)鍵，分子晶體可能不含有共價(jià)鍵，如稀有氣體；(2)分子晶體的熔沸點(diǎn)的比較要注意氫鍵的影響。三、金屬晶體“電子氣理論”要點(diǎn)(1)該理論把金屬鍵描述為金屬原子脫落下來(lái)的 形成遍布 的“電子氣”，被 所共用，從而把 維系在一起。(2)金屬晶體是由 、通過(guò) 形成的一種“巨分 子”。(3)金屬鍵白強(qiáng)度2.金屬晶體的構(gòu)成、通性及其解釋金屬晶體 結(jié)構(gòu)微粒作用力 名稱導(dǎo)電性導(dǎo)熱性延展性金屬陽(yáng)離 子、自由 電子金屬鍵自由電子在電場(chǎng)中形成電流電子氣中的自由電子在的作用卜與金屬原子而 導(dǎo)熱當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)， 金屬晶體中的各原子層就 會(huì)，但不會(huì)改變其,而彌漫在金屬原子間的電子

5、氣可以起到類似軸承中滾 珠之間的作用即時(shí)訓(xùn)練3下列說(shuō)法中正確的是。含有陽(yáng)離子的物質(zhì)一定含有陰離子含有陰離子的物質(zhì)一定含有陽(yáng)離子金屬晶體易導(dǎo)電是因?yàn)橛凶杂梢苿?dòng)的金屬陽(yáng)離子金屬晶體能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘倬w在外加電場(chǎng)作用下可失去電子金屬晶體的熔沸點(diǎn)一定比分子晶體的高四、離子晶體.離子晶體(1)概念離子鍵： 間通過(guò) (指 和 的平衡)形成的化學(xué)鍵。離子晶體：由 和 通過(guò) 結(jié)合而成的晶體。(2)決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素幾何因素：即。電荷因素：即正負(fù)離子 。鍵性因素：離子鍵的純粹程度。3) 一般物理性質(zhì)一般地說(shuō)，離子晶體具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，較大的硬度、難于壓縮。這些性質(zhì)都是 因?yàn)殡x子晶體中存在著較強(qiáng)的離子鍵。

6、若要破壞這種作用需要較多的能量。2.晶格能(1)定義形成1 mol離子晶體 的能量，單位 ,通常取值。(2)大小及與其他量的關(guān)系晶格能是最能反映離子晶體 的數(shù)據(jù)。在離子晶體中，離子半徑越 ,離子所帶電荷數(shù)越 ,則晶格能越大。晶格能越大，形成的離子晶體就越,而且熔點(diǎn)越,硬度越即時(shí)訓(xùn)練4下列說(shuō)法中正確的是。NaCl表示一個(gè)氯化鈉分子是由一個(gè)鈉離子和一個(gè)氯離子構(gòu)成的離子晶體不導(dǎo)電，熔融或溶于水后能導(dǎo)電多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑，難溶于非極性溶劑離子晶體晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高NaCl的晶格能大于 NaF的晶格能91納突破- T -二1工FUPCJ一、晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算.晶體化學(xué)式的求法晶體的化學(xué)式的確定常

7、用分?jǐn)偡ǎ浜诵臑槿艟w中某位置上粒子被n個(gè)重復(fù)單元共1 一 、一，、r , 用，那該粒子有n屬于這個(gè)晶胞。如由立方晶胞中：i 一 、(1)處于頂點(diǎn)上的粒子被 8個(gè)晶胞共用，該粒子有臺(tái)屬于這個(gè)晶胞；O 1 一 、. r ,(2)處于棱上的粒子被 4個(gè)晶胞共用，該粒子有 4屬于這個(gè)晶胞；1 一(3)處于面心上的粒子被 2個(gè)晶胞共用，該粒子有2屬于這個(gè)晶胞；(4)處于晶胞內(nèi)部的粒子，該粒子完全屬于這個(gè)晶胞。.有關(guān)晶胞各物理量的關(guān)系對(duì)于立方晶胞，可簡(jiǎn)化成下面的公式進(jìn)行各物理量的計(jì)算：a3x p xN=nxM a表示晶胞的棱長(zhǎng)，p表示密度，N4I示阿伏加德羅常數(shù)，n表示1 mol晶胞中所含晶體的物質(zhì)的

8、 量，M表不相對(duì)分子質(zhì)量，a3Si-CC-C,相應(yīng)鍵能 SiSivSiCv C C,故它們的熔點(diǎn)：金剛石碳化硅 晶體硅。演練鞏固提升, . -14X (65 + 32) g - mol-3cm6.02 X 1023 mol 11 ,答案：(1) (540X 10 10 cm)3 =4.1 gT=s 或 H sin或 135 323(2)4.70 X 10N=63.6 g - mol_ -224.23 X 10.-11X 4.23 X 10 22 g4= 6.01 X 10 23 mol 1(3)b TOC o 1-5 h z -25X42,3木:4 4 ( 361.5 X 10 10) 3XN

9、a解析：因?yàn)榻饎偸瘜儆诿嫘牧⒎骄w，即碳原子處在立方體的8個(gè)頂點(diǎn)、6個(gè)面心，每11個(gè)晶胞中含有碳原子數(shù)為 嚏X8+；X6= 4,根據(jù)BN的化學(xué)式可推知一個(gè)晶胞中含有4個(gè)N82原子；因一個(gè)BN的質(zhì)量是25 g , 一個(gè)晶胞的質(zhì)量為25x4 g ,而一個(gè)晶胞的體積為 (361.5 X10 10)3 cm3,依據(jù) p =扣得。.答案：(1)BCEF E (2)A D (3)ADE (4)BCEF AD (5)G (6)12解析：(1)注意僦是單原子分子，不含化學(xué)鍵，其晶體是由原子直接構(gòu)成；(6)以立方體的一個(gè)頂點(diǎn)為研究對(duì)象，離其最近的是面中心的分子，補(bǔ)齊其他7個(gè)同樣的立方體，找出通過(guò)所研究頂點(diǎn)的 3個(gè)相互垂直的截面，每個(gè)截面上有4個(gè)，總共12個(gè)。.答案：(1)