材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題

1、 1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A:共價(jià)鍵向離子鍵B:離子鍵向共價(jià)鍵C:金屆鍵向共價(jià)鍵D:鍵金屆向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用子配位數(shù)（）0A:增大，降低C:減小，增大通常使正負(fù)離子間的距離（B）,離B:減小，降低D:增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl單位晶胞中的分子數(shù)”為4,Na+填充在C1-所構(gòu)成的（B）空隙中。B:全部八面體A:全部四面體C:1/2四面體D:1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的分子數(shù)”為1,Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（C）空隙中。A:全部四面體B

2、:全部八面體C:全部立方體D:1/2八面體6、MgO晶體屆NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。A:2B:4C:6D:87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）oA:八面體空隙的半數(shù)B:四面體空隙的半數(shù)C:全部八面體空隙D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為&F-配位數(shù)為（B）。B:4A:2TOC o 1-5 h zC:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為&Cl-的配位數(shù)為（D）。A:2B:4C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）oA:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成

3、D:離子半徑11、皓英石ZrSiO4是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+m代，這種現(xiàn)象稱為（C）oA:同質(zhì)多晶B:有序一無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13、鎂橄欖石Mg2SiO4是（A）oA:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)14、對(duì)沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋ˋ）。A:沸石螢石MgOB:沸石MgO螢石C:螢石沸石MgOD:螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（B）。A:2B:4C:6D:816、構(gòu)

4、成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4間只能（A）連接。A:共頂四面體，兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之B:共面C:共棱A+B+CD:17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、點(diǎn)缺陷中屆于本征缺陷的光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下A:弗侖克爾缺陷C:雜質(zhì)缺陷D）。18、位錯(cuò)的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少A:攀移C:增值B:肖特基缺陷D:A+BB:攀移D:減少19、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。A:負(fù)離子空位B:間隙正離子C:間隙負(fù)離子D:A或B20、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)

5、正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（D）。A:正離子空位B:間隙負(fù)離子C:負(fù)離子空位D:A或B21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響，主要表現(xiàn)為（D）。A:穩(wěn)定晶格B:活化晶格C:固溶強(qiáng)化D:A+B+C22、變固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B）。A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。A:點(diǎn)缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:A+B+C2

6、4、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷D:A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小B:晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)C:電價(jià)因素D:A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（Burgersector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（A），其符號(hào)

7、表示為（）。A:刃位錯(cuò)；土B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeld

8、efect）時(shí)，（A）。A:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)B:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)C:正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。A:位錯(cuò)不一定是直線B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部D:位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（A）。A:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移乂可攀移B:刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移乂可滑移33、34、35、36、37、38、D:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃

9、度（數(shù)量）受（A:組成B:溫度C:時(shí)間D:A+B+C當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（A:降低；增加B:不變；降低C:增加；降低D:增加；不變當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（A:降低；增加B:不變；降低C:增加；降低D:增加；不變硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（B）,隨溫度下降而（B:降低，增大D:降低，A:增大，降低降低C:增大，增大）的氧化物容易形成玻璃。由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（AB:離子鍵A:極性共價(jià)鍵D:金屆鍵Na2OAl2共價(jià)SBO2熔體的橋氧數(shù)為（D）。B:2D:4A:139、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)C:3為

10、（BA:2.5D:4D）因素的影響。B:3C:3.540、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。A:加和效應(yīng)B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng)D:交義效應(yīng)41、對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）A:降低B:升高C:不變D:A或B42、熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。A:降低B:升高C:不變D:A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C）的過程。A:可逆與突變B:不可逆與漸變C:可逆與漸變D:不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（C）。A:突變性B:不變性C:連

11、續(xù)性D:A或B45、熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformatioi）曲線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。A:愈困難B:愈容易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對(duì)

12、應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易B:越容易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對(duì)形成玻璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于形成Y值。玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。A:增大；不變B:降低；增大C:不變；降低D:增大；降低50、對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表的質(zhì)點(diǎn)處于（A）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A:較高B:較低C:相

13、同D:A或CB)。51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正位置的上、下位移，稱為（A:表面收縮B:表面弛豫C:表面滑移D:表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)層間距）,垂直方向的與體內(nèi)（A）。B:相同；相同D:不同；不同A:不同；相同C:相同；不同54、粘附劑與被粘附體問相溶性（C）,粘附界面的強(qiáng)度（）。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率

14、小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面（C,這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。A:收縮B:弛豫C:雙電層D:B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（），斷裂強(qiáng)度A）。A:會(huì)引起界面吸附C:對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用C:越短；越低D:越長；不變57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。A:越長；越低B:越長；越高58、只要液體對(duì)固體的粘附功（B發(fā)B:界面上原子擴(kuò)散速度較快展開。A:小于D:A+B+C）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自C:小

15、于等于59、當(dāng)液體對(duì)固體的潤濕角990液B：不變體與固體之間的潤濕（A）。D:A或BA:更難時(shí)，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后,C:更易61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固B:不變（B）個(gè)-液兩相互相結(jié)合（D:A或B-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值）;相反，粘附功越小，則越易分離。A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越??；越牢固D:越大；不變62、為了提高液相對(duì)固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（B）。A:降低B:升高C:保持不變D:有時(shí)升高，有時(shí)降低63、對(duì)于附著潤濕而言，附著功表示為W”sv+Uv-聲l,根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。

16、A:盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)C:米用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng)D:前二種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。A:等于B:大亍C:小于D:A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（A）,斷裂強(qiáng)度（）。A:越長；越低C:越短；越低B:越長；越高66、吸附膜使固體表面張力（D:越長；不變A:增大B）B:減小C:不變D:A或B67、粗糙度對(duì)液固相潤濕性能的影響是：CA:固體表面越粗糙，越易被潤濕B

17、:固體表面越粗糙，越不易被潤濕C:不一定D:粗糙度對(duì)潤濕性能無影響68、卜列關(guān)于晶界的說法哪種是錯(cuò)誤的。AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D:晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相問分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是（C）。A:絕對(duì)平衡B:靜態(tài)平衡C:動(dòng)態(tài)平衡D:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為（A）。A:2B:3C:4D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相D）。變

18、化，該方法的特點(diǎn)是（A:簡(jiǎn)便C:能確定相變前后的物相72、淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，A:準(zhǔn)確度高C:適用于相變速度快的系統(tǒng)73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象A:低于B:測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)近似值D:A+B其特點(diǎn)是（D）。B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:A+B多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點(diǎn)。B:高于D:A或B9B種晶型的熔點(diǎn)。 C:等于74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。A:最高B:與介穩(wěn)相相等C:最低D:A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階

19、段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。A:轉(zhuǎn)變速度B:冷卻速度C:成型速度D:A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3B:2C:1D:0M的相分解78、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為為質(zhì)量Gi和G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（A:成正比B:成反比C:相等D:A或C三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3B:2C:1D:0固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：（D）。A:需要較高溫度79、80、B。B:各向同性D:

20、A+CC:各向異性81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為（C）。a五擴(kuò)散B:無序擴(kuò)散C:非本征擴(kuò)散D:本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。B:濃度梯度D:壓力梯度A:化學(xué)位梯度C:溫度梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。貝UH、C、Cr在丫Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋˙）。A:QHQCQCB:QcrQCQHC:QCQHQCrD:QcrQHQC85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)。和體積擴(kuò)散

21、系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。A:DsDgDbB:DbDgDsDbD:DgDs1、可隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散A:易位擴(kuò)散=1、可隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散】、可隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原C:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為（D）。A:空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（AA:本征擴(kuò)散C:正擴(kuò)散子，散機(jī)制適用于（C）的擴(kuò)散。A:各種類型固溶體B:間隙擴(kuò)散D:A和BB:非本征擴(kuò)散D:負(fù)擴(kuò)散而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)B:間隙型固溶體D:A和B94、擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（A），擴(kuò)散（A:越緊密；越困難B:越疏松；越困難C:越

22、緊密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（D）。A:難于擴(kuò)散B:擴(kuò)散活化能大C:擴(kuò)散系數(shù)小D:容易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（B）。A:擴(kuò)散活化能越大B:擴(kuò)散系數(shù)越大C:擴(kuò)散活化能不變D:擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過（D）,使得擴(kuò)散系數(shù)增大。A:增加缺陷濃度B:使晶格發(fā)生畸變C:降低缺陷濃度D:A和B98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（A）oA:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C:互擴(kuò)散D:A+B99、按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微嫡不相等，因此一級(jí)相變（B）。A:有相變潛熱，無體積改變B:有相變潛熱，并伴隨有體積改變C:無相變潛熱，并伴隨有體積改變D:無相變潛熱，無體積改變100、二級(jí)相變是指在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微嫡也相等，而二階偏微嫡不