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文檔簡(jiǎn)介

1、專(zhuān)題七之 新型直流比較儀建模方法1直流比較儀,如磁調(diào)制式直流比較儀(簡(jiǎn)稱(chēng)磁調(diào)制器)和磁放大器式直流比較儀(簡(jiǎn)稱(chēng)磁放大器)一般采用對(duì)稱(chēng)雙鐵心、四繞組結(jié)構(gòu)(即一次繞組W1、二次繞組W2、激勵(lì)繞組WS和檢測(cè)繞組WM)和“零磁通”原理的閉環(huán)控制結(jié)構(gòu),因而測(cè)量精度特別高14。它們的最大區(qū)別在于提取判斷信號(hào)的方法不一樣:磁調(diào)制器,一般用交流電壓源激勵(lì)鐵心,根據(jù)檢測(cè)繞組獲得的感應(yīng)電勢(shì)中的雙倍于交流激勵(lì)電源頻率分量作為反饋量,來(lái)進(jìn)行“零磁通”狀態(tài)判斷;磁放大器,一般利用交流電流源激勵(lì)鐵心,根據(jù)激勵(lì)電流中的奇次諧波作為反饋量,來(lái)進(jìn)行“零磁通”狀態(tài)判斷 。舉例26 2磁調(diào)制器和磁放大器比較儀的輸出特性曲線 3新型

2、自平衡式直流比較儀原理示意圖 4新型比較儀工作機(jī)理簡(jiǎn)介 在傳統(tǒng)的飽和電抗器中增加了一個(gè)檢測(cè)繞組WM和二次繞組W2,構(gòu)造一種新型自平衡式混成直流比較儀,其工作原理和構(gòu)造特點(diǎn)簡(jiǎn)述為:采用環(huán)形單鐵心(由坡莫合金材料如1J85構(gòu)成,內(nèi)、外直徑和厚度分別為150mm、110mm和20mm)、四繞組結(jié)構(gòu)(名稱(chēng)同上),利用正弦波電壓源(uS=USmsint,uS、US和USm分別為瞬時(shí)值、有效值和幅值,或者f為激勵(lì)電源頻率)作為輔助交流電源激勵(lì)鐵心,當(dāng)一次繞組中流過(guò)直流I1時(shí),鐵心中便會(huì)存在直流偏磁磁勢(shì)(即I1W10),檢測(cè)繞組WM就會(huì)獲得正負(fù)半波不對(duì)稱(chēng)的畸變電壓波形。求取該畸變波形的正負(fù)半波有效值之差UM

3、diffRMS,并將獲得的差值電壓信號(hào)預(yù)處理后經(jīng)過(guò)電壓/電流變換,即被轉(zhuǎn)換為二次電流I2送入二次繞組中,通過(guò)二次繞組產(chǎn)生與一次繞組中直流所產(chǎn)生的磁勢(shì)相反方向的直流磁勢(shì),以平衡一次繞組中直流所產(chǎn)生的偏磁磁勢(shì),形成“零磁勢(shì)”狀態(tài)(即I1W1= I2W2),從而實(shí)現(xiàn)直流電流的檢測(cè)任務(wù),其構(gòu)成原理示意圖如圖6-45所示。圖中L1和L2分別為濾波電感,RS為串聯(lián)在激勵(lì)繞組WS中的限流電阻,R2和RM分別為串聯(lián)在二次繞組W2和檢測(cè)繞組WM中的檢測(cè)電阻。 5正負(fù)半波有效值差仿真模型分析 6simulink仿真模型 7所需功能模塊 Constant模塊:用于獲得直流偏磁磁勢(shì)I1W1,直接將它的Paramete

4、rs中的Constant Values設(shè)置為直流偏磁磁勢(shì)I1W1的取值,改變Constant模塊的設(shè)置參數(shù)的正負(fù)即可獲得直流偏磁的正負(fù); Sine Wave模塊的參數(shù)為:Amplitude(幅值)為19.7V、Bias(偏置)為0、Frequency(角頻率)130.8rad/s、Phase/rad(相位)為0、Sample time為0;Sum模塊,本例選擇“rectangular”(矩形),將List of signs欄置為+;Integrator:在Simulink模塊庫(kù)中的Continuous模塊庫(kù)中調(diào)用; 8接前 Product模塊:在Simulink模塊庫(kù)中的Math Operat

5、ions模塊庫(kù)中調(diào)用,本例中需要兩種Product模塊,其一為3個(gè)輸入端,其二為5個(gè)輸入端;Trigonometric Function模塊:在Simulink模塊庫(kù)中的Math Operations模塊庫(kù)中調(diào)用,由于它的默認(rèn)函數(shù)為正弦,讀者只需雙擊該模塊,彈出它的屬性參數(shù)對(duì)話框,點(diǎn)擊它的下拉滾動(dòng)條,選取sinh函數(shù)即可;Discrete RMS value模塊(點(diǎn)擊SimPowerSystem模塊庫(kù),點(diǎn)擊Extra Library模塊庫(kù),點(diǎn)擊Discrete Measurements模塊庫(kù),即可找到該模塊);正負(fù)半波整流子系統(tǒng); 9半波整流子系統(tǒng) 10Enabled Subsystem模塊

6、11I1W1=10A(正直流偏磁時(shí))檢測(cè)繞組端電壓的正負(fù)半波波形 12I1W1=-10A(正直流偏磁時(shí))檢測(cè)繞組端電壓的正負(fù)半波波形 13I1W1=10A(正直流偏磁時(shí))檢測(cè)繞組端電壓波形和正負(fù)半波有效值差 14I1W1=-10A(正直流偏磁時(shí))檢測(cè)繞組端電壓波形和正負(fù)半波有效值差 15比較儀開(kāi)環(huán)輸出特性仿真曲線 -RS=90RS=135 16仿真獲得的開(kāi)環(huán)曲線 擬合獲得的開(kāi)環(huán)曲線新型比較儀傳感頭的開(kāi)環(huán)輸出特性曲線 17新型自平衡式直流比較儀控制原理方框圖 18simulink仿真模型 19傳感器F(s)仿真模型 20PI調(diào)節(jié)器TPI(s)仿真模型 21傳感器F(s)子系統(tǒng)屬性參數(shù)對(duì)話框 22PI調(diào)節(jié)器TPI(s)子系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置、封裝與命名 23完成子系統(tǒng)封裝之后的simulink仿真模型 24PI調(diào)節(jié)器TPI(s)的屬性參數(shù)對(duì)話框 25Powergui的屬性參數(shù)對(duì)話框 26

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