高中化學(xué)選擇性必修二 第三章章末檢測卷

1、第三章章末檢測 1.晶體是一類非常重要的材料，在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國現(xiàn)已能夠拉制出直徑為300 mm、重達81 kg的大直徑硅單晶，晶體硅材料被大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列敘述正確的是( )A.形成晶體硅的速率越快越好B.晶體硅有固定的熔點，研碎后就變成了非晶體C.可用X射線衍射實驗來區(qū)分晶體硅和玻璃D.晶體硅具有自范性，但無各向異性2.下列物質(zhì)固態(tài)時，一定是分子晶體的是()A.酸性氧化物B.非金屬單質(zhì)C.堿性氧化物D.含氧酸3.三氯化硼的熔點為-107.3，沸點為12.5，三氯化硼中ClBC1鍵角為120，它可以水解，水解產(chǎn)物之一是氯化氫。下列關(guān)于三氯化硼的敘述中正確的是( )A.三氯化硼

2、是共價晶體B.熔融時，三氯化硼能導(dǎo)電C.三氯化硼是一種極性分子D.三氯化硼的水解方程式為4.下列關(guān)于晶體的說法一定正確的是( )A.分子晶體中都存在共價鍵B.在鎂晶體中，1個只與2個電子之間存在強烈的相互作用C.和SiC熔化時克服的作用力類型相同D.如圖所示，其中(1)和(4)是從NaCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)5.的分子結(jié)構(gòu)與類似，對其作出如下推斷，其中正確的是( )晶體是分子晶體 常溫常壓下不是 氣體的分子是由極性共價鍵形成的 的熔點高于A.全部B.只有C.只有D.只有 6.下列關(guān)于晶體說法正確的是( )A金屬晶體的熔沸點均高于分子晶體B含有陽離子的晶體一定是離子晶體CSiO2一定具有

3、多面體外形D金屬導(dǎo)電和熔融電解質(zhì)（或電解質(zhì)溶液）導(dǎo)電的原理不一樣7.以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如表所示。下列說法不正確的是( )xyzCd000Sn000.5As0.250.250.125A.灰色大球代表As B.一個晶胞中有4個Sn C.距離Cd（0，0，0）最近的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是（0.5，0，0.25）和（0.5，0.5，0）D.晶體中與單個Sn鍵合的As有2個8.下列關(guān)于晶體的說法中正確的是( )A.離子晶體中每個離子周圍均吸引著6個帶相反電荷的離子B.金屬晶體

4、的熔點和沸點都很高C.分子晶體中都存在范德華力，可能不存在共價鍵D.原子晶體中的相鄰原子間只存在非極性共價鍵9.實驗測得Al與氯元素形成化合物的實際組成為，其球棍模型如圖所示。已知在加熱時易升華，與過量的NaOH溶液反應(yīng)可生成。下列說法不正確的是( )A.屬于分子晶體B.中Al原子為雜化C.中存在的化學(xué)鍵有極性共價鍵、配位鍵D.屬于配合物10.金屬晶體、離子晶體、分子晶體采取密堆積方式的原因是( )A.構(gòu)成晶體的微粒均可視為圓球B.金屬鍵、離子鍵、范德華力均無飽和性和方向性C.三種晶體的構(gòu)成微粒相同D.三種晶體的構(gòu)成微粒多少及相互作用相同11.下列關(guān)于超分子和配合物的敘述不正確的是( )A.利

5、用超分子的分子識別特征，可以分離和 B.配合物中只含配位鍵C.中提供空軌道，中氧原子提供孤對電子，從而形成配位鍵D.配合物在半導(dǎo)體等尖端技術(shù)、醫(yī)學(xué)科學(xué)、催化反應(yīng)和材料化學(xué)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用12.如圖為石英晶體的平面示意圖，它實際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作晶體硅中的每個SiSi鍵中插入一個O)，其中硅、氧原子個數(shù)比是，下列有關(guān)敘述正確的是(設(shè)代表阿伏加德常數(shù)的值)( )A. = 2:1 B.6 g該晶體中含有0.1個分子C. = 1: 2 D.石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上有8 個原子13.碳和硅是自然界中大量存在的元素，硅及其化合物是工業(yè)上最重要的材料。設(shè)代表阿伏加德羅常數(shù)的值。粗硅的

6、制備方法有兩種:方法一: 方法二:（1）基態(tài)Si原子中存在_對自旋狀態(tài)相反的電子，基態(tài)Mg原子的最外層電子的電子云 輪廓圖是_。（2）上述2個反應(yīng)中，涉及的所有元素中第一電離能最小的是_ (填元素符號）。（3）C (金剛石）、晶體硅、三種晶體的熔點由高到低的順序_，其原因是_ _。（4）在配合物中可作為配體，在配合物中配位原子是_(填元素符號），1 mol該配合物中含有鍵的數(shù)目是_。（5）晶胞（如圖1)可理解成將金剛石晶胞（如圖2)中的C原子置換成Si原子，然后在SiSi鍵中間插入O原子而形成。推測晶胞中Si采取_雜化，OSiO的鍵角為_。晶胞中含有_個Si原子和_個O原子。假設(shè)金剛石晶胞的邊

7、長為pm，試計算該晶胞的密度為_(寫出表達式即可）14.原子序數(shù)依次增大的四種元素A、B、C、D分別處于第一至第四周期，自然界中存在多種A的化合物，B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài)，B與C可形成正四面體形分子，D的基態(tài)原子的最外能層只有一個電子，其他能層均已充滿電子。請回答下列問題：(1)這四種元素中電負(fù)性最大的元素，其基態(tài)原子的價電子排布圖為_，第一電離能最小的元素是_(填元素符號)。(2)C所在主族的前四種元素分別與A形成的化合物，沸點由高到低的順序是_(填化學(xué)式)。(3)B元素可形成多種單質(zhì)，一種晶體結(jié)構(gòu)如圖一所示，其原子的雜化類型為_；另一種的晶胞如圖二所示，該晶胞的空間利用率為_。

8、()(4)D元素形成的單質(zhì)，其晶體的堆積模型為_，D的醋酸鹽晶體局部結(jié)構(gòu)如圖三，該晶體中含有的化學(xué)鍵是_(填選項序號)。極性鍵； 非極性鍵； 配位鍵； 金屬鍵(5)向D的硫酸鹽溶液中滴加過量氨水，觀察到的現(xiàn)象是_。請寫出上述過程的離子方程式：_、_。答案以及解析1.答案：C解析：晶體的結(jié)晶速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降，A項錯誤；晶體硅有固定的熔點，研碎后仍為晶體，B項錯誤；對固體進行X射線衍射實驗是區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法，C項正確；晶體硅具有自范性和各向異性，D項錯誤。2.答案：D解析：A.二氧化硅為酸性氧化物，但它是由氧原子和硅原子構(gòu)成的晶體，且以共價鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的原子晶體，

9、不是分子晶體，故A錯誤；B.金剛石是非金屬單質(zhì)，但它是由碳原子構(gòu)成的晶體，且以共價鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的原子晶體，不是分子晶體，故B錯誤；C.氧化銅是堿性氧化物，但它是離子化合物，是離子晶體，不是分子晶體，故C錯誤；D.所有的酸都是由分子構(gòu)成，是分子晶體，如乙酸是由乙酸分子構(gòu)成，是分子晶體，故D正確；3.答案：D解析：的熔、沸點較低，為分子晶體，分子晶體熔融時不導(dǎo)電，故A、B項錯誤；ClBCl鍵角為120，則的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形，是一種非極性分子，C項錯誤；水解方程式為，D 項正確。4.答案：D解析：稀有氣體分子是單原子分子，其晶體中沒有化學(xué)鍵， A項錯誤；金屬晶體中的“自由電子”屬于整個金屬

10、，B項錯誤；為離子晶體，熔化時克服離子鍵，SiC為共價晶體，熔化時克服共價鍵，C項錯誤；NaCl晶體中，每個周圍有6個緊鄰的，毎個周圍有6個緊鄰的，分析圖(1) (4)，則從NaCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)是(1)和(4)，D項正確。5.答案：A解析：屬于分子晶體，常溫常壓下為液體，含有共價鍵。與結(jié)構(gòu)相似，則是分子晶體，正確； 與結(jié)構(gòu)相似，且的相對分子質(zhì)量較大、是 液體，則常溫常壓下不可能是氣體，正確；中Si與形成共價鍵，則是由極性共價鍵形成的分子，正確；分 子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔點越高，則的熔點高于，正確。故選A。6.答案：D7.答案：D解析：由四方晶系晶胞及部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可知

11、，黑色小球代表Cd，白色小球代表Sn，灰色大球代表As，A項正確；晶胞中有4個Sn位于棱上，6個Sn位于面上，則屬于一個晶胞的Sn的個數(shù)為41/4+61/2=4，B項正確；與Cd（0，0，0）最近的Sn原子為如圖所示的a、b兩個Sn原子，a位置的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0.5，0，0.25），b位置的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0.5，0.5，0），C項正確；晶體中，晶胞面上的Sn除與該晶胞中的2個As鍵合外，還與相鄰晶胞中的2個As鍵合，晶胞棱上的Sn除與該晶胞中的1個As鍵合外，還與相鄰晶胞中的3個As鍵合，故晶體中單個Sn與4個As鍵合，D項錯誤。8.答案：C解析：不同離子晶體的結(jié)構(gòu)不同，每個離子周圍吸

12、引的帶相反電荷的離子的數(shù)目不同，A項錯誤；金屬晶體的熔、沸點不一定高，如汞在常溫下為液體，B項錯誤；分子晶體中都存在范德華力，但不一定存在共價鍵，如He、Ne等，C項正確；原子晶體中可能含有極性共價鍵，如SiO2，D項錯誤。9.答案：C解析：A.的熔點較低，在加熱時易升華，為共價化合物，是分子晶體，故A正確；B.Al原子形成4個鍵，沒有孤對電子，雜化軌道數(shù)目為4，Al原子雜化方式為，故B正確；C.中鈉離子和之間存在離子鍵，Al離子和O原子之間存在配位鍵、OH原子之間存在極性鍵，配位鍵也屬于共價鍵，所以存在的化學(xué)鍵有離子鍵、極性共價鍵、配位鍵，故C錯誤；D.中鋁是缺電子結(jié)構(gòu)，能接受氫氧根離子給與

13、的孤對電子形成配位鍵，所以屬于配合物，故D正確；10.答案：B解析：所謂密堆積結(jié)構(gòu)是指在由無方向性的金屬鍵、離子鍵和分子間作用力等結(jié)合的晶體中，原子、離子或分子等微粒總是趨向于相互配位數(shù)高、能充分利用空間的堆積密度大的那些結(jié)構(gòu)。11.答案：C解析：配離子中的配體在溶液中很難電離，已知含0.1 mol氯化鉻的水溶液用過量稀硝酸銀溶液處理時，只得到0.2 mol AgCl沉淀，說明該配合物的外界有2個氯離子，則其內(nèi)界只有一個氯離子，故C項正確。12.答案：C解析：每個Si原子占有O原子個數(shù)為4=2，故硅、氧原子個數(shù)比為1:2，A項錯誤、C項正確；該晶體是共價晶體， 不存在分子，B項錯誤；在晶體中，

14、由Si、O構(gòu)成的最小環(huán)中共有12個原子，D項錯誤。13.答案：(1)6；球形 (2)Mg(3)C(金剛石)晶體硅CO；金剛石和晶體硅都是共價晶體且晶體結(jié)構(gòu)相似，C原子半徑小于硅原子半徑，所以金剛石中C一C鍵的鍵長短，鍵能大，故金剛石的熔點比晶體硅的大；CO是分子晶體，熔點比金剛石和晶體硅的都小(4)C；12 (5)sp；1092828 8；16 解析： (1)基態(tài)Si原子的核外電子排布式為，s軌道全充滿電子，故1s、2s、3s軌道共有3對自旋狀態(tài)相反的電子，2p 軌道有3對自旋狀態(tài)相反的電子，所以基態(tài)Si原子中存在6對自旋狀態(tài)相反的電子。基態(tài)Mg原子的核外電子排布式為，最外層電子占據(jù)3s軌道，

15、s電子的電子云輪廓圖是球形。(2)題述2個反應(yīng)中涉及的元素有C、O、Mg、Si，其中S、O、 Si是非金屬元素，較難失去電子，Mg元素的金屬性最強，最易失去電子，所以四種元素中第一電離能最小的是Mg。(3) C(金剛石)、 晶體硅都是共價晶體，熔點高，二者的結(jié)構(gòu)相似，但碳原子的半徑比硅原子的小，故CC鍵的鍵長短、鍵能大，所以C(金剛石)的熔點比晶體硅的高，而CO是分子晶體，熔點低，所以三種晶體的熔點從高到低的順序為C(金剛石) 晶體硅CO。(4)配體中給出孤對電子與中心離子形成配位鍵的原子叫配位原子。CO在中作配體，配位原子是C，1 mol CO中含有鍵的數(shù)目是 2，所以1 mol該配合物中含

16、有鍵的數(shù)目是12。(5)在晶體中每個硅原子與周圍的4個氧原子的成鍵情況與金剛石晶體中的碳原子與周圍4個碳原子的成鍵情況是相同的，所以晶胞中Si采取雜化，金剛石是正四面體結(jié)構(gòu)單元，其鍵角是10928，所以晶胞中OSiO的鍵角也是10928。晶胞中含有Si原子的個數(shù)為，由Si、O原子的個數(shù)比知晶胞中含有O原子數(shù)是16。一個金剛石晶胞中含有8個C原子，所以一個晶胞的質(zhì)量為，晶胞邊長為 pm，所以該晶胞的密度 = 。14.答案：(1)；Cu (2) (3)sp2；34%(4)面心立方最密堆積；(5)首先形成藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，沉淀溶解，得到深藍色的透明溶液；、解析：原子序數(shù)依次增大的四種元素A. B. C.D分別處于第一至第四周期，自然界中存在多種A的化合物，則A為氫元素；B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài)，即核外有6個電子，則B為碳元素；D的基態(tài)原子的最外能層只有一個電子，其他能層均已充滿電子，D原子外圍電子排布為3d104s1，則D為銅元素；結(jié)合原子序數(shù)可知，C只能處于第三周期，B與C可形成正四面體型分子，則C為氯元素，(1)四種元素中電負(fù)性最大的是Cl，其基態(tài)原子的價電子排布為3s23p5，其基態(tài)原