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1、內(nèi)容目錄硅片:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的“畫布” . - 5 -硅片概況. - 5 -半導(dǎo)體硅片分類. - 6 -硅片制作工藝. - 8 -下游應(yīng)用帶動(dòng)硅片市場(chǎng)不斷增長(zhǎng). - 10 -硅片終端應(yīng)用逐漸多元化 . - 10 -芯片產(chǎn)能投放拉動(dòng)硅片需求. - 11 -大硅片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)發(fā)展 . - 11 -十二英寸硅片為主流方向 . - 13 -全球寡頭壟斷,中國(guó)逐步發(fā)力. - 18 -全球硅片寡頭壟斷 . - 18 -政策大力支持. - 19 -國(guó)內(nèi)大硅片蓄勢(shì)待發(fā). - 20 -海外巨頭各有所長(zhǎng). - 22 -信越化學(xué):全球硅片龍頭 . - 22 -勝高集團(tuán):專注半導(dǎo)體硅片龍頭. - 23 -環(huán)球晶圓:并購(gòu)

2、助力公司快速發(fā)展. - 23 -德國(guó)世創(chuàng):歐洲硅片龍頭 . - 24 -SK Siltron:韓國(guó)硅片龍頭. - 24 -國(guó)產(chǎn)企業(yè)快速發(fā)展. - 25 -滬硅產(chǎn)業(yè):國(guó)內(nèi)十二寸大硅片龍頭. - 25 -立昂微電:橫跨半導(dǎo)體分立器件和半導(dǎo)體硅材料. - 26 -中環(huán)股份:從光伏進(jìn)軍半導(dǎo)體. - 26 -有研半導(dǎo)體 . - 27 -超硅半導(dǎo)體 . - 28 -風(fēng)險(xiǎn)提示. - 29 -表目錄圖 1:半導(dǎo)體硅片 . - 5 -圖 2:硅片產(chǎn)業(yè)鏈. - 5 -圖 3:半導(dǎo)體硅片技術(shù)演進(jìn)史. - 6 -圖 4:200mm 硅片與 300mm 硅片. - 6 -圖 5:200mm 及 300mm 硅片下游應(yīng)用

3、. - 6 -圖 6:全球不同尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積 . - 7 -圖 7:全球不同尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積占比. - 7 -圖 8:拋光片、外延片、SOI 硅片制造流程. - 7 -圖 9:拋光片、外延片、SOI 硅片比較. - 8 -圖 10:硅片制作流程. - 9 -圖 11:直拉法(CZ)原理示意圖 . - 9 -圖 12:懸浮區(qū)熔法(FZ)原理示意圖. - 9 -圖 13:半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場(chǎng)概況 . - 10 -圖 14:全球與中國(guó)芯片產(chǎn)能及增速. - 11 -圖 15:全球半導(dǎo)體硅片出貨面積及增速 . - 11 -圖 16:全球半導(dǎo)體市場(chǎng)及增速. - 11 -圖 17:國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)

4、發(fā)展迅速 . - 11 -圖 18:全球各地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)占比 . - 12 -圖 19:半導(dǎo)體制造材料占比. - 12 -圖 20:全球硅片市場(chǎng)規(guī)模及增速 . - 12 -圖 21:全球半導(dǎo)體硅片出貨面積及增速 . - 12 -圖 22:全球半導(dǎo)體硅片單價(jià). - 13 -圖 23:國(guó)內(nèi)硅片市場(chǎng)規(guī)模及增速 . - 13 -圖 24:2018 年十二英寸硅片下游應(yīng)用. - 13 -圖 25:智能手機(jī)對(duì)十二英寸硅片的需求 . - 13 -圖 26:全球 DRAM 下游需求占比. - 14 -圖 27:全球 DRAM 需求預(yù)測(cè)(十億 Gb) . - 14 -圖 28:全球 DRAM 各廠商份額.

5、- 14 -圖 29:全球 DRAM 制程市占率. - 14 -圖 30:全球 NAND 下游需求占比. - 15 -圖 31:全球 NAND 需求(十億 Gb). - 15 -圖 32:全球 NAND 各廠商份額. - 15 -圖 33:全球 3D 及 2D NAND 市占率 . - 15 -圖 34:全球邏輯芯片銷售額及增速 . - 16 -圖 35:全球芯片制造產(chǎn)能分布(按制程). - 16 -圖 36:全球 12 寸硅片產(chǎn)能供需(千片/月) . - 16 -圖 37:全球 12 寸硅片客戶庫(kù)存. - 17 -圖 38:全球大硅片市場(chǎng)格局. - 18 -圖 39:全球前五大硅片供應(yīng)商.

6、- 18 -圖 40:全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)主要企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況 . - 19 -圖 41:全球大硅片市場(chǎng)格局. - 19 -圖 42:相關(guān)政策扶植大硅片落地 . - 19 -圖 43:國(guó)際及國(guó)內(nèi)大硅片進(jìn)展. - 20 -圖 44:中國(guó) 8/12 英尺大硅片規(guī)劃產(chǎn)能情況(千片/月). - 21 -圖 45:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 22 -圖 46:信越化學(xué)歸母凈利潤(rùn)及增速. - 22 -圖 47:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)收入占比. - 22 -圖 48:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)占比. - 22 -圖 49:勝高集團(tuán)營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 23 -圖 50:勝高集團(tuán)歸母凈利潤(rùn)及增速. - 23 -圖 51:環(huán)球晶圓

7、營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 23 -圖 52:環(huán)球晶圓歸母凈利潤(rùn)及增速. - 23 -圖 53:滬硅產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 25 -圖 54:滬硅產(chǎn)業(yè)歸母凈利潤(rùn)及增速. - 25 -圖 55:公司硅片業(yè)務(wù)發(fā)展歷程. - 25 -圖 56:立昂微電營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 26 -圖 57:立昂微電歸母凈利潤(rùn)及增速. - 26 -圖 58:中環(huán)股份營(yíng)業(yè)收入及增速 . - 27 -圖 59:中環(huán)股份歸母凈利潤(rùn)及增速. - 27 -圖 60:有研半導(dǎo)體主要產(chǎn)品. - 27 -硅片:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的“畫布”硅片概況常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體及砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)

8、等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺,硅的熔點(diǎn)為 1415,高于鍺的熔點(diǎn) 937,較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中;硅的禁帶寬度大于鍺,更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵,硅安全無(wú)毒、對(duì)環(huán)境無(wú)害,而砷元素為有毒物質(zhì);并且鍺、砷化鎵均沒(méi)有天然的氧化物,在晶圓制造時(shí)還需要在表面沉積多層絕緣體,這會(huì)導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約 27%,是除了氧元素之外第二豐富的元素,硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中,儲(chǔ)量豐富并且易于取得。通常將 95-99%純度的

9、硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過(guò)純化,可制成純度 98% 以上的硅; 高純度硅經(jīng)過(guò)進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá) 99.9999999% 至 99.999999999%(9-11 個(gè) 9)的超純多晶硅;超純多晶硅在石英坩堝中熔化,并摻入硼(P)、磷(B)等元素改變其導(dǎo)電能力,放入籽晶確定晶向,經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng),制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量,而熔體中的硼(P)、磷(B)等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,半

10、導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保持極高的平整度與表面潔凈度,以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線,使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,下游主要包括手機(jī)與平板電腦、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事太空等領(lǐng)域。圖 1:半導(dǎo)體硅片圖 2:硅片產(chǎn)業(yè)鏈資料來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察、 資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 半導(dǎo)體硅片分類根據(jù)尺寸分類,半導(dǎo)體硅片的尺寸(以直徑計(jì)算)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)與 300mm(12英寸)等規(guī)格。1965 年,戈登摩

11、爾提出摩爾定律:集成電路上所集成的晶體管數(shù)量,每隔 18 個(gè)月就提升一倍,相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍,成本隨之下降一半。對(duì)于芯片制造企業(yè)而言,這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大,在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多,單位芯片的成本隨之降低。在摩爾定律的影響下,半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。硅片的尺寸越大,相對(duì)而言硅片邊緣的損失會(huì)越小,有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如,在同樣的工藝條件下,300mm 半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過(guò) 200mm 硅片的兩倍以上,可使用率(衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo))是 200mm

12、硅片的 2.5 倍左右。圖 3:半導(dǎo)體硅片技術(shù)演進(jìn)史圖 4:200mm 硅片與 300mm 硅片資料來(lái)源:芯片制造、 資料來(lái)源:臺(tái)灣聯(lián)華電子官網(wǎng)、 圖 5:200mm 及 300mm 硅片下游應(yīng)用尺寸下游應(yīng)用終端應(yīng)用領(lǐng)域200mm 及以下功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、 MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片、高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器、高壓 MOS 等移動(dòng)通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子300mm存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能 FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)與 ASIC(專用集成電路)智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人

13、工智能、SSD(固態(tài)存儲(chǔ)硬盤)等較為高端領(lǐng)域資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 目前,全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是 300mm 和 200mm 直徑的半導(dǎo)體硅片。終端應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,300mm 主要應(yīng)用在智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、 SSD(固態(tài)存儲(chǔ)硬盤)等較為高端領(lǐng)域,目前出貨面積占比 60%以上。200mm 硅片主要應(yīng)用在移動(dòng)通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等領(lǐng)域,目前出貨面積 20%以上。圖 6:全球不同尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積圖 7:全球不同尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積占比資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 根據(jù)制造工藝分類,半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以 SO

14、I 硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)形成外延片,拋光片經(jīng)過(guò)氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成 SOI 硅片。圖 8:拋光片、外延片、SOI 硅片制造流程資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 圖 9:拋光片、外延片、SOI 硅片比較種類核心優(yōu)勢(shì)應(yīng)用拋光片硅片表面平坦化,并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對(duì)硅片平整度和表面顆粒度的要求直接用于制作半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片與功率器件等。作為外延片、SOI 硅片的襯底材料外延片含氧量、含碳量、缺陷密度更低,提高了柵氧化層的完整性,改善了溝道中的漏電現(xiàn)象,從而提升了集成電路的可靠性。

15、硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻,高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性,并減少了器件的能耗常在 CMOS 電路中使用,如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等二極管、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等功率器件的制造SOI 硅片通過(guò)絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離,這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象,并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI 硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、抗宇宙射線粒子的能力強(qiáng)耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上,如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 硅片制作流程半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)流

16、程包括拉晶滾磨線切割倒角研磨腐蝕熱處理邊緣拋光正面拋光清洗檢測(cè)外延等步驟。其中拉晶、研磨和拋光是保證半導(dǎo)體硅片質(zhì)量的關(guān)鍵。單晶生長(zhǎng)技術(shù)的重點(diǎn)在于保證拉制出的硅錠保持極高純度水平(純度至少為 99.999999999%)的同時(shí),有效控制晶體缺陷的密度。當(dāng)前制備單晶硅技術(shù)主要分為懸浮區(qū)熔法(FZ 法)和直拉法(CZ 法)兩種。直拉法該方法可以有效的控制晶體的微缺陷密度,提高晶體質(zhì)量以滿足各技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)硅片的技術(shù)要求;有效的控制晶體中的雜質(zhì)含量,特別是氧、碳含量;并最大程度降低對(duì)操作工人的依賴,保證拉制晶體質(zhì)量的重復(fù)性、穩(wěn)定性和一致性。相比懸浮區(qū)熔法,直拉法成本更低,生長(zhǎng)速率較快,更適合大尺寸(12

17、英寸)單晶硅棒的拉制,目前約 85%單晶硅片皆由直拉法制成,主要應(yīng)用在邏輯,存儲(chǔ)器芯片中。直拉法的原理是將高純度的多晶硅原料放置在石英坩堝中加熱熔化,再將單晶硅籽晶插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng),并隨著籽晶的提拉晶體逐漸生長(zhǎng)形成晶棒。圖 10:硅片制作流程資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、各公司官網(wǎng)、 懸浮區(qū)熔法該法制備的單晶硅的電阻率非常高,特別適合制作電力電子器件。懸浮區(qū)熔法制備的單晶硅占有的市場(chǎng)份額較小,目前約 15%的硅片由此法制備。懸浮區(qū)熔法的原理是將圓柱形硅棒固定于垂直方向,用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣氛中加熱,使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單

18、晶籽晶間形成熔滴,這兩個(gè)棒朝相反方向旋轉(zhuǎn)。然后將在多晶棒與籽晶間只靠表面張力形成的熔區(qū)沿棒長(zhǎng)逐步向上移動(dòng),將其轉(zhuǎn)換成單晶。圖 11:直拉法(CZ)原理示意圖圖 12:懸浮區(qū)熔法(FZ)原理示意圖資料來(lái)源:IC Insights、 資料來(lái)源:Trendforce、 下游應(yīng)用帶動(dòng)硅片市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)硅片終端應(yīng)用逐漸多元化目前手機(jī)、計(jì)算機(jī)等仍是半導(dǎo)體行業(yè)終端最大的應(yīng)用市場(chǎng)。2018 年全球手機(jī)和基站、計(jì)算機(jī)用芯片銷售額分別為 487 億美元、280 億美元,在半導(dǎo)體終端市場(chǎng)的占比分別為 36%、21%。據(jù) Gartner 預(yù)計(jì),2017-2022 年增速最快的半導(dǎo)體終端應(yīng)用領(lǐng)域是工業(yè)電子和汽車電子,將成

19、為未來(lái)幾年全球半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)最重要的驅(qū)動(dòng)力。其中,工業(yè)電子年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)可達(dá) 12%。隨著工業(yè)從規(guī)?;呦蜃詣?dòng)化、智能化,工業(yè)與信息化的深度融合、智能制造轉(zhuǎn)型升級(jí)將帶動(dòng)工業(yè)電子需求的增長(zhǎng)。汽車電子 2017-2022 年預(yù)計(jì)復(fù)合增長(zhǎng)率為 11%。汽車電子的增長(zhǎng)主要源于傳統(tǒng)車輛電子功能的擴(kuò)展、自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷成熟以及電動(dòng)汽車行業(yè)的快速成長(zhǎng)。車輛的 ABS(防抱死)系統(tǒng)、車載雷達(dá)、車載圖像傳感系統(tǒng)、電子車身穩(wěn)定程序、電控懸掛、電動(dòng)手剎、壓力傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀與流量傳感器等,均需要使用半導(dǎo)體產(chǎn)品,汽車智慧化的趨勢(shì)極大地拉動(dòng)了汽車電子產(chǎn)品的增長(zhǎng)。隨著電動(dòng)汽車的普及與車輛電壓、電池容量標(biāo)準(zhǔn)的不

20、斷提高,電源管理器與分離式功率器件的需求量也將隨之上升。通常情況下,汽車電子芯片使用 200mm 及以下拋光片與 SOI 硅片。汽車電子市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大將拉動(dòng) 200mm 及以下拋光片與 SOI 硅片的需求。圖 13:半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場(chǎng)概況資料來(lái)源:Gartner、 未來(lái)的爆發(fā)式增長(zhǎng)將會(huì)出現(xiàn)在大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用。半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟(jì)影響,亦受到具體終端市場(chǎng)的影響。例如 2010 年,全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速僅 4%,但由于 iPhone4 和 iPad 的推出,大幅拉動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)的需求,2010 年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長(zhǎng)達(dá) 32%。2017 年開(kāi)始,大數(shù)

21、據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn),半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了多種新型需求同時(shí)爆發(fā)的新一輪上行周期。半導(dǎo)體硅片可應(yīng)用于多個(gè)潛在新興終端市場(chǎng),如汽車電子功率器件、5G 通信設(shè)備中的射頻芯片等,有望爆發(fā)式增長(zhǎng)。芯片產(chǎn)能投放拉動(dòng)硅片需求芯片制造產(chǎn)能情況是判斷半導(dǎo)體硅片需求量最直接的指標(biāo)。2017 至 2020 年,全球芯片制造產(chǎn)能(折合成 200mm)預(yù)計(jì)將從 1985 萬(wàn)片/月增長(zhǎng)至 2407 萬(wàn)片/月,年均復(fù)合增長(zhǎng)率 6.64%;中國(guó)芯片制造產(chǎn)能從 276 萬(wàn)片/月增長(zhǎng)至 460 萬(wàn)片/月,年均復(fù)合增長(zhǎng)率 18.50%。近年來(lái),隨著中芯國(guó)際、華力微電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹宏力等中國(guó)大

22、陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),中國(guó)大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長(zhǎng),對(duì)于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長(zhǎng)。圖 14:全球與中國(guó)芯片產(chǎn)能及增速圖 15:全球半導(dǎo)體硅片出貨面積及增速資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:Gatrner、 目前,中國(guó)大陸企業(yè)的 300mm 芯片制造產(chǎn)能低于 200mm 芯片制造產(chǎn)能。隨著中國(guó)大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實(shí)力的不斷提升,預(yù)計(jì)到 2020 年,中國(guó)大陸企業(yè) 300mm制造芯片產(chǎn)能將會(huì)超過(guò) 200mm 制造芯片制造產(chǎn)能。大硅片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)發(fā)展 圖 16:全球半導(dǎo)體市場(chǎng)及增速圖 17:國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速500040003000200010000

23、2012201320142015201620172018100%80%60%40%20%0%-20%700060005000400030002000100002012201320142015201620172018制造行業(yè)營(yíng)收(億元)封裝行業(yè)營(yíng)收(億元)30%20%10%0%全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(億美元)同比增長(zhǎng)(,右軸)設(shè)計(jì)行業(yè)營(yíng)收(億元)同比增長(zhǎng)(,右軸) 資料來(lái)源:WSTS、 資料來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模近年來(lái)增速平穩(wěn),2012-2018 年復(fù)合增速 8.23%。其中,中國(guó)大陸集成電路銷售規(guī)模從 2158 億元迅速增長(zhǎng)到 2018 年的 6531 億元,復(fù)合增速為 20.

24、27%,遠(yuǎn)超全球其他地區(qū),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向大陸轉(zhuǎn)移。集成電路一般分為設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)三個(gè)子行業(yè),在制造和封測(cè)行業(yè)中,均需要大量的半導(dǎo)體新材料支持。2018 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)產(chǎn)值為 519.4 億美元,同比增長(zhǎng) 10.68%。其中晶圓制造材料和封裝材料分別為 322 億美元和 197.4 億美元,同比+15.83%和+3.30%。2018年,在市場(chǎng)產(chǎn)值為 322 億美金的半導(dǎo)體制造材料中,大硅片、特種氣體、光掩模、CMP材料、光刻膠、光刻膠配套、濕化學(xué)品、靶材分別占比 33%、14%、13%、7%、6%、 7%、4%、3%。分地區(qū)來(lái)看,目前大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 83 億美元,全球占比

25、16%,僅次于中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó),為全球第三大半導(dǎo)體材料區(qū)域。1334733671413大硅片特種氣體光掩模1222711171516中國(guó)臺(tái)灣 韓國(guó) 中國(guó)大陸 日本 美國(guó) 歐洲 其他圖 18:全球各地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)占比圖 19:半導(dǎo)體制造材料占比CMP材料光刻膠光刻膠配套濕化學(xué)品靶材其他資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:SEMI、 隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷放量以及工藝制程不斷復(fù)雜,全球半導(dǎo)體硅片材料市場(chǎng)不斷增長(zhǎng),硅片材料在半導(dǎo)體制造材料中占比 33,為占比最大的材料。2019 年全球硅片材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 112 億美元,雖然相對(duì) 2018 年略有下滑,但整體仍維持在較高水平。出貨面積來(lái)看,2019 年半

26、導(dǎo)體硅片出貨面積 11810 百萬(wàn)平方英寸,較 2018 年有所下滑,主要是由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)疲軟和庫(kù)存正?;?。圖 20:全球硅片市場(chǎng)規(guī)模及增速圖 21:全球半導(dǎo)體硅片出貨面積及增速資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:SEMI、 硅片價(jià)格呈現(xiàn)出一定的周期性。2011-2016 年受行業(yè)低迷影響,硅片價(jià)格一路下行。2016 年之后,全球半導(dǎo)體硅片銷售單價(jià)從 0.67 美元/英寸上升至 0.95 美元/英寸。 需求側(cè)來(lái)看,隨著終端應(yīng)用如 5G、AI、新能源汽車的快速發(fā)展,對(duì)芯片的大量需求使 晶圓廠更有動(dòng)力去大規(guī)模擴(kuò)建工廠和生產(chǎn)線,進(jìn)而拉動(dòng)對(duì)上游硅片尤其是大硅片的需求。供給端方面,新增產(chǎn)能尚需時(shí)間落地,

27、所以中短期供需不平衡的局面仍將持續(xù),硅片價(jià) 格有望繼續(xù)走高。圖 22:全球半導(dǎo)體硅片單價(jià)圖 23:國(guó)內(nèi)硅片市場(chǎng)規(guī)模及增速資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:SEMI、 國(guó)內(nèi)硅片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。受益于全球半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)移,國(guó)內(nèi)硅片市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),2018 年國(guó)內(nèi)硅片市場(chǎng)規(guī)模超過(guò) 9 億美元。十二英寸硅片為主流方向目前,12 英寸硅片在下游產(chǎn)業(yè)中廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品大多使用于制造消費(fèi)電子芯片。其中,NAND(包括 3D NAND 和 2D NAND)占據(jù)最大的下游應(yīng)用,占比達(dá) 33。邏輯芯片和 DRAM 芯片分別占比 25和 22。CIS 等其他應(yīng)用占據(jù)了剩余的 20的市場(chǎng)份額。其中,受益于 5G 的持續(xù)

28、發(fā)展,2020-2023 年,智能手機(jī)對(duì)十二英寸硅片的復(fù)合需求增速有望達(dá)到 7.8。圖 24:2018 年十二英寸硅片下游應(yīng)用圖 25:智能手機(jī)對(duì)十二英寸硅片的需求資料來(lái)源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、 資料來(lái)源:SUMCO、 全球 DRAM 下游主要包括移動(dòng)終端(40)、服務(wù)器(22)和個(gè)人電腦(19)等業(yè)務(wù)。在5G 換機(jī)潮以及數(shù)據(jù)處理等行業(yè)的快速發(fā)展下,全球DRAM 需求有望持續(xù)快速增長(zhǎng)。據(jù) SUMCO,全球 DRAM 2019-2023 年需求復(fù)合增速有望達(dá)到 19.2。圖 26:全球 DRAM 下游需求占比圖 27:全球 DRAM 需求預(yù)測(cè)(十億 Gb)資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:SUMCO、

29、 目前全球 DRAM 主要供應(yīng)廠商包括三星(45),海力士(29),美光(21)等,全球主流 DRAM 工藝目前為 2znm、1xnm 和 1ynm,未來(lái) 1znm 和 1anm 有望逐步放量。圖 28:全球 DRAM 各廠商份額圖 29:全球 DRAM 制程市占率資料來(lái)源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、 資料來(lái)源:SUMCO、 全球 NAND 下游主要包括手機(jī)(48)、SSD(43)等業(yè)務(wù)。在 5G 換機(jī)潮、云數(shù)據(jù)處理以及移動(dòng)電源等行業(yè)的快速發(fā)展下,全球 NAND 需求有望持續(xù)快速增長(zhǎng)。據(jù) SUMCO,全球 NAND 2019-2023 年需求復(fù)合增速有望達(dá)到 39.4。 圖 30:全球 NAND 下游需

30、求占比圖 31:全球 NAND 需求(十億 Gb)資料來(lái)源:SUMCO、 資料來(lái)源:SUMCO、 目前全球 NAND 主要供應(yīng)廠商包括三星(33),鎧俠(19),西數(shù)(15),美光(11),海力士(11)和因特爾(10)等。目前,3D NAND 已經(jīng)成為 NAND 主流工藝。圖 32:全球 NAND 各廠商份額圖 33:全球 3D 及 2D NAND 市占率資料來(lái)源:DRAMeXchange、 資料來(lái)源:SUMCO、 2016 年至 2018 年,受益于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算服務(wù)器用 CPU、 GPU 出貨量的增加,邏輯芯片市場(chǎng)規(guī)模從 914.98 億美元上升至 1,093.03 億美元,年均復(fù)

31、合增長(zhǎng)率 9.30。據(jù) Gartner,2016 至 2022 年,全球芯片制造產(chǎn)能中,預(yù)計(jì) 20nm 及以下制程占比 12,32/28nm 至 90nm 占比 41,0.13m 及以上的微米級(jí)制程占比 47。目前,90nm及以下的制程主要使用 300mm 半導(dǎo)體硅片,90nm 以上的制程主要使用 200mm 或更小尺寸的硅片。 圖 34:全球邏輯芯片銷售額及增速圖 35:全球芯片制造產(chǎn)能分布(按制程)資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明、 資料來(lái)源:Gartner、 12 寸硅片需求持續(xù)擴(kuò)大。在下游云計(jì)算、區(qū)塊鏈等新興市場(chǎng)的帶動(dòng)下,12 寸硅片持續(xù)快速增長(zhǎng)。2018 年出貨面積占比達(dá)到 63,硅片出貨

32、量達(dá)到 470 萬(wàn)片/月。據(jù) SUMCO,未來(lái) 3-5 年全球 12 寸硅片仍然存在缺口。圖 36:全球 12 寸硅片產(chǎn)能供需(千片/月)資料來(lái)源:SUMCO、 圖 37:全球 12 寸硅片客戶庫(kù)存資料來(lái)源:SUMCO、 2018 年,全球 8 寸硅片出貨面積占比達(dá)到 26,硅片出貨量達(dá)到 430 萬(wàn)片/月。在汽車電子等需求的拉動(dòng)下,疊加 8 寸硅片基本無(wú)新增產(chǎn)能,8 寸硅片有望持續(xù)景氣。全球寡頭壟斷,中國(guó)逐步發(fā)力全球硅片寡頭壟斷全球硅片市場(chǎng)行業(yè)集中度高,前五大寶座近幾年未易主。由于半導(dǎo)體硅片行業(yè)具有技術(shù)難度高、研發(fā)周期長(zhǎng)、資金投入大、客戶認(rèn)證周期長(zhǎng)等特點(diǎn),全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)進(jìn)入壁壘較高,行業(yè)

33、集中度高。2016-2019 近四年,全球硅片市占率前五的寶座由信越化學(xué)、SUMCO、Siltronic、環(huán)球晶圓、SK Siltron 牢牢把持,合計(jì)市場(chǎng)份額均在 90左右。 2018 年五大巨頭合計(jì)銷售額 740.35 億元,占全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)銷售額比重高達(dá) 93,為近五年最高市占率。圖 38:全球大硅片市場(chǎng)格局圖 39:全球前五大硅片供應(yīng)商100%80%名稱主營(yíng)地主要硅片產(chǎn)品信越化學(xué)日本300mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)SUMCO日本100-300mm 半導(dǎo)體硅片與 SOI 硅片環(huán)球晶圓中國(guó)臺(tái)灣硅錠、50-300mm 硅片Siltronic德國(guó)125-300mm 半導(dǎo)體硅

34、片SK Siltron韓國(guó)200mm-300mm 半導(dǎo)體硅片60%40%20%0%2016201720182019Shin-EtsuGlobal WafersSUMCOSilitronicSK Siltronothers資料來(lái)源:SEMI、 資料來(lái)源:SEMI、 與國(guó)際主要半導(dǎo)體硅片供應(yīng)商相比,中國(guó)大陸半導(dǎo)體硅片企業(yè)技術(shù)較為薄弱,市場(chǎng)份額較小。多數(shù)企業(yè)以生產(chǎn) 200mm 及以下拋光片、外延片為主。目前硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)是中國(guó)大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片企業(yè)之一,2018 年占全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)份額的 2.18。同時(shí)硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)也是中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn) 300mm 半導(dǎo)體硅片規(guī)?;N售的企業(yè),并且在特殊硅基材料

35、SOI 硅片領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。圖 40:全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)主要企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況公司注冊(cè)主要半導(dǎo)體硅材料類產(chǎn)品半導(dǎo)體硅材料類產(chǎn)品銷售收入(億元)地2016 年度2017 年度2018年度信越化學(xué)日本300mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)147.32175.92220.59SUMCO日本300mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)129.37157.01194.59Siltronic德國(guó)300mm 及以下半導(dǎo)體硅片68.5289.73113.68環(huán)球晶圓中國(guó)臺(tái)灣300mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)38.26103.61130.21SK Siltron韓國(guó)300mm 及以下

36、半導(dǎo)體硅片48.2756.3381.28Soitec法國(guó)200mm、 300mm SOI 硅片17.6722.0430.90合晶科技中國(guó)臺(tái)灣200mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)11.2014.3520.33硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)(模擬合并新傲科技)中國(guó)300mm 半導(dǎo)體硅片、200mm 及以下半導(dǎo)體硅片(含 SOI 硅片)6.2112.1517.45中環(huán)股份中國(guó)200mm 及以下半導(dǎo)體硅片4.145.8410.13立昂股份中國(guó)200mm 及以下半導(dǎo)體硅片3.194.83-資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)招股說(shuō)明書、 政策大力支持行業(yè)的發(fā)展離不開(kāi)政策的支持。中國(guó)政府高度重視半導(dǎo)體行業(yè),制定了一系列政策推動(dòng)中國(guó)

37、大陸半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。 2014 年,國(guó)務(wù)院印發(fā)了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要,綱要指出:集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前和今后一段時(shí)期是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對(duì)轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國(guó)家安全、提升綜合國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義。到 2020 年,中國(guó)集成電路行業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均增速超過(guò) 20。到 2030 年,產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。圖 41:全球大硅片市場(chǎng)格局圖 42:相關(guān)政策扶植大硅片落地 資料來(lái)源:各公司官網(wǎng)、 資料來(lái)源:

38、發(fā)改委官網(wǎng)、 國(guó)內(nèi)大硅片蓄勢(shì)待發(fā)圖 43:國(guó)際及國(guó)內(nèi)大硅片進(jìn)展資料來(lái)源:各公司官網(wǎng)、 我國(guó)大硅片發(fā)展起步晚,正積極追趕國(guó)際先進(jìn)產(chǎn)品研發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)的步伐。目前國(guó)產(chǎn) 4-6 英寸的硅片基本可以滿足國(guó)內(nèi)需求,但是 8 英寸-12 英寸的大硅片國(guó)內(nèi)自供率很低,目前仍面對(duì)被國(guó)外大公司壟斷的局面,尤其是 12 英寸大硅片。2002 年,英特爾與 IBM 首先建成 12 英寸生產(chǎn)線。2005 年 12 英寸硅片的市場(chǎng)份額已占 20%,2008 年其占比上升至 30%,2018 年就已經(jīng)達(dá)到 63%。國(guó)內(nèi)首條 12 英寸半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線由杭州中芯晶圓于 2017 年 12 月建成。2018 年 11 月,上

39、海新昇成為國(guó)內(nèi)第一個(gè)實(shí)現(xiàn) 300mm硅片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)。目前已投產(chǎn)的 12 英寸晶圓產(chǎn)線已超 20 條,宣布在建的有 8 條,建成后產(chǎn)能將超 66 萬(wàn)片/月。在國(guó)產(chǎn)替代的大趨勢(shì)之下,這對(duì)于國(guó)產(chǎn) 12 英寸硅片來(lái)說(shuō)將是一個(gè)巨大的機(jī)遇。圖 44:中國(guó) 8/12 英尺大硅片規(guī)劃產(chǎn)能情況(千片/月)8英寸12 英寸滬硅產(chǎn)業(yè)3660超硅半導(dǎo)體5085中環(huán)半導(dǎo)體10552立昂微電子5240有研半導(dǎo)體2330申和熱磁8540合晶硅材料2020其他10335合計(jì)381662資料來(lái)源:中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、 海外巨頭各有所長(zhǎng)信越化學(xué):全球硅片龍頭信越化學(xué)是全球排名第一的半導(dǎo)體硅片制造商,是日本著名的化學(xué)品公司。信越

40、化學(xué)設(shè)立于 1926 年,為東京證券交易所上市公司。主營(yíng)業(yè)務(wù)包括 PVC(聚氯乙烯)、有機(jī)硅塑料、纖維素衍生物、半導(dǎo)體硅片、磷化鎵、稀土磁體、光刻膠等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。信越化學(xué)采取多元化發(fā)展戰(zhàn)略,在多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域均全球領(lǐng)先。信越化學(xué)于 2001 年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn) 300mm 半導(dǎo)體硅片,半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品類型包括 300mm 半導(dǎo)體硅片在內(nèi)的各尺寸硅片及 SOI 硅片。全球市占率第二,達(dá)到 29%。圖 45:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)收入及增速圖 46:信越化學(xué)歸母凈利潤(rùn)及增速資料來(lái)源:wind、 資料來(lái)源:wind、 2019 年4 月至2020 年3 月,信越化學(xué)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入939.5 億元,同比下滑3

41、.17%;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn) 191.1 億元,同比上升 1.59%。營(yíng)收方面,PVC/氯堿、半導(dǎo)體硅片占比較高,分別占比 31%和 25%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)方面,半導(dǎo)體硅片占比最高,達(dá)到 35%。圖 47:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)收入占比圖 48:信越化學(xué)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)占比資料來(lái)源:wind、 資料來(lái)源:wind、 勝高集團(tuán):專注半導(dǎo)體硅片龍頭勝高集團(tuán)(SUMCO)是全球排名第二的半導(dǎo)體硅片制造商,專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)。 1999 年 7 月,由住友金屬工業(yè)株式會(huì)社,三菱材料公司和三菱材料硅公司共同投資成立了一家 300mm 硅晶圓開(kāi)發(fā)制造公司Silicon United Manufacturing Co.,Ltd.。200

42、2年,硅聯(lián)合制造有限公司從住友金屬工業(yè)有限公司接管了硅業(yè)務(wù),并與三菱材料硅有限公司合并,并更名為三菱住友硅有限公司。2005 年更名為勝高集團(tuán)。圖 49:勝高集團(tuán)營(yíng)業(yè)收入及增速圖 50:勝高集團(tuán)歸母凈利潤(rùn)及增速資料來(lái)源:wind、 資料來(lái)源:wind、 2019 年,勝高集團(tuán)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 191.9 億元,同比下滑 7.88%;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn) 21.2億元,同比下滑 43.48%。公司主要產(chǎn)品包括高純單晶硅錠、超純拋光硅片,以及按照客戶要求差異化加工的 AW 高溫退火晶片、EW 外延片、JIW 結(jié)隔離硅片以及 SOI絕緣體上硅。公司可提供 100-300mm 半導(dǎo)體硅片。全球市占率第二,達(dá)到 23

43、%。環(huán)球晶圓:并購(gòu)助力公司快速發(fā)展 圖 51:環(huán)球晶圓營(yíng)業(yè)收入及增速圖 52:環(huán)球晶圓歸母凈利潤(rùn)及增速資料來(lái)源:wind、 資料來(lái)源:wind、 環(huán)球晶圓是全球第三大半導(dǎo)體硅片制造商,主要經(jīng)營(yíng)地在中國(guó)臺(tái)灣。環(huán)球晶圓專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品有硅錠、50-300mm 硅片。環(huán)球晶圓自 2012 年至 2016年先后收購(gòu)日本廠商 Covalent Material、丹麥廠商 Topsil、美國(guó)廠商 SEMI,助力公司快速發(fā)展。2019 年,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 135.24 億元,同比增加 13.24%,實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn) 31.76 億元,同比增加 15.24%。德國(guó)世創(chuàng):歐洲硅片龍頭德國(guó)世創(chuàng)(Silt

44、ronic)是全球排名第四的半導(dǎo)體硅片制造商,主營(yíng)經(jīng)營(yíng)地在德國(guó)。 Siltronic 專注于半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),從 1953 年開(kāi)始從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)的研發(fā)工作, 1998 年實(shí)現(xiàn) 300mm 半導(dǎo)體硅片的試生產(chǎn),2004 年 300mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括 125-300mm 半導(dǎo)體硅片。2016 年至 2018 年,Siltronic 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 9.33 億歐元、11.77 億歐元、14.57 億歐元,2017 年、2018 年同比增長(zhǎng)26.15%、23.79%。SK Siltron:韓國(guó)硅片龍頭SK Siltron 是全球第五大半導(dǎo)體硅片制造商,主要經(jīng)營(yíng)地在韓國(guó)。SK S

45、iltron 設(shè)立于 1983 年,1996 年建成 200mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線,2002 年建成 300mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線。2016 年至 2018 年,SK Siltron 實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 8362.97 億韓元、9330.71 億韓元、13461.85 億韓元,2017 年、2018 年同比增長(zhǎng) 11.57%、44.27%。國(guó)產(chǎn)企業(yè)快速發(fā)展滬硅產(chǎn)業(yè):國(guó)內(nèi)十二寸大硅片龍頭滬硅產(chǎn)業(yè)主要從事半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是中國(guó)大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)之一,是中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn) 300mm 半導(dǎo)體硅片規(guī)?;N售的企業(yè)。公司目前已成為多家主流半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)商,提供的產(chǎn)品類型涵蓋 300

46、mm 拋光片及外延片、200mm 及以下拋光片、外延片及 SOI 硅片。公司客戶包括了臺(tái)積電、中芯國(guó)際、華虹宏力、華力微電子、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯、華潤(rùn)微等芯片制造企業(yè),遍布北美、歐洲、中國(guó)、亞洲其他國(guó)家或地區(qū)。公司的技術(shù)水平和科技創(chuàng)新能力國(guó)內(nèi)領(lǐng)先,公司及控股子公司擁有已獲授權(quán)的專利 300 項(xiàng),其中中國(guó)大陸 105 項(xiàng),中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)及國(guó)外 195項(xiàng);公司及控股子公司擁有已獲授權(quán)的發(fā)明專利 273 項(xiàng)。 圖 53:滬硅產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入及增速圖 54:滬硅產(chǎn)業(yè)歸母凈利潤(rùn)及增速資料來(lái)源:wind、 資料來(lái)源:wind、 公司先后收購(gòu)并控股 Okmetic、上海新昇、新傲科技,參股 soitec,板塊布局

47、日趨完善。2019 年,公司 300mm 半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能從 2018 年的 10 萬(wàn)片/月進(jìn)一步提升至 15 萬(wàn)片/月。本次 IPO 擬使用 17.5 億元募集資金提升 300mm 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)并且新增 15 萬(wàn)片/月 300mm 半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能。圖 55:公司硅片業(yè)務(wù)發(fā)展歷程資料來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)公告、 立昂微電:橫跨半導(dǎo)體分立器件和半導(dǎo)體硅材料立昂微電成立于 2002 年 3 月,專注于集成電路用半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體功率芯片設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造和銷售。立昂微電創(chuàng)辦之初即引進(jìn)美國(guó)安森美公司具有國(guó)際先進(jìn)水平的全套肖特基芯片工藝技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備及質(zhì)量管理體系,建立了 6 英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線,成為國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平的功率器件生產(chǎn)線。2009 年開(kāi)始,公司成為硅基太陽(yáng)能專用肖特基芯片市場(chǎng)的全球主要供應(yīng)商。2012 年收購(gòu)日本三洋半導(dǎo)體和日本旭化成 MOSFET 功率器件生產(chǎn)線。2015 年 6 月 15 日,立昂成功全資收購(gòu)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片制造巨頭浙江金瑞泓科技股份公司,一舉成為國(guó)內(nèi)少見(jiàn)的具有硅單晶、硅研磨片、硅拋光片、硅外延片及芯片制造能力的完整產(chǎn)業(yè)平臺(tái),橫跨半導(dǎo)體分立器件和半導(dǎo)體硅材料兩大細(xì)分行業(yè),是目前該兩大細(xì)分行業(yè)規(guī)模較大的企業(yè),也是國(guó)

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