通信行業(yè)：從小米10看產(chǎn)業(yè)趨勢WiFi6及GaN快充

1、重點公司估值和財務分析表最新最近股票簡稱股票代碼 貨幣合理價值EPS(元)PE(x)EV/EBITDA(x)ROE(%)評級收盤價報告日期（元/股） 2019E2020E2019E2020E2019E2020E 2019E 2020E星網(wǎng)銳捷 002396.SZ RMB 38.902019-10-29 買入36.001.201.4230.0025.3518.9814.1716.015.9數(shù)據(jù)來源：Wind、 備注：表中估值指標 2 月 14 日按照最新收盤價計算。目錄索引 HYPERLINK l _TOC_250010 一、小米 10 發(fā)布，WIFI 6 和氮化鎵快充引業(yè)內(nèi)關注 5 HYPER

2、LINK l _TOC_250009 （一）WIFI 6 有望成 5G 時代主流WIFI 技術 5 HYPERLINK l _TOC_250008 （二）氮化鎵（GAN）有望成為 5G 高功率解決方案 5 HYPERLINK l _TOC_250007 二、WIFI 6 有望全面普及，助推寬帶網(wǎng)絡加速升級 5 HYPERLINK l _TOC_250006 （一）WIFI 6：更快更省電的新一代WIFI 5 HYPERLINK l _TOC_250005 （二）產(chǎn)業(yè)全力擁抱WIFI 6，相關產(chǎn)品市場空間廣闊 6 HYPERLINK l _TOC_250004 三、氮化鎵（GAN），5G 時代快

3、充領域關鍵材料 9 HYPERLINK l _TOC_250003 （一）GAN 是應用于快充領域的新一代半導體材料 9 HYPERLINK l _TOC_250002 （二）5G 引領快充領域發(fā)展，GAN 產(chǎn)業(yè)鏈市場空間廣闊 10 HYPERLINK l _TOC_250001 四、投資建議：建議關注產(chǎn)業(yè)鏈相關標的 14 HYPERLINK l _TOC_250000 五、風險提示 15圖表索引圖 1：Wifi 6 產(chǎn)業(yè)鏈示意圖 7圖 2：Wifi 芯片出貨量（單位：億顆） 8圖 3：2019-2023 采用各Wifi 標準的無線AP 出貨量占比變化（單位：百萬臺） 8圖 4：小米 65W

4、氮化鎵充電器 9圖 5：GaN 產(chǎn)業(yè)鏈梳理 11圖 6：2019 年手機總出貨量（萬部）和 5G 手機出貨量（萬部） 12表 1：六代Wifi 標準比較 6表 2：各種類型快速充電器性能對比 10表 3：GaN 襯底材料性能對比 11表 4：氮化鎵（GaN）功率芯片的應用場景、市場情況及滲透率 12表 5：Wifi 6&氮化鎵快充可比公司估值 13一、小米 10 發(fā)布，Wifi 6 和氮化鎵快充引業(yè)內(nèi)關注2020年2月13日，小米公司發(fā)布旗艦小米10系列手機。作為小米10周年旗艦，多項新技術首次應用在小米10手機上。行業(yè)視角看，小米10發(fā)布會創(chuàng)造了多個第一：第一個采用驍龍865SoC的國產(chǎn)手機

5、，同時支持SA/NSA雙模5G。第一個采用Wifi 6技術的國產(chǎn)手機。小米之前，已有三星、蘋果在自家旗艦上采用Wifi 6技術，此次發(fā)布會，則拉開了Wifi 6技術在國產(chǎn)手機全面鋪開的序幕。第一個小米生態(tài)鏈GaN（氮化鎵）充電器。小米GaN充電器65W采用了氮化鎵材料，搭配小米10 Pro可通過50W快充實現(xiàn)47分鐘充滿電。（一）Wifi 6 有望成 5G 時代主流 Wifi 技術Wifi 6與蜂窩網(wǎng)絡互為補充，網(wǎng)絡速率全場景提升。相較上一代Wi-Fi，新一代通過技術革新，將峰值速率提升37%，達到9.6Gbps。同時Wifi 6接入容量較上一代提升4倍，終端功耗降低30%以上。通信終端通過W

6、ifi 6可以同時實現(xiàn)非蜂窩使用場景下的網(wǎng)絡速率提升與節(jié)能效率提高。在Wifi 6及5G的背景下，萬物互聯(lián)等高速率、高容量、高功率de 相關領域?qū)⒂休^大優(yōu)勢，有望驅(qū)動終端硬件升級的行業(yè)趨勢。（二）氮化鎵（GaN）有望成為 5G 高功率解決方案小米首次應用氮化鎵快充技術，有望成為5G高功率解決方案。氮化鎵（GaN）器件具有導通電阻小、電容小、禁帶寬度大、耐高溫、功率密度大等優(yōu)點，適合應用于高頻、高功率領域。氮化鎵還有功率密度大、耐高溫和介電常數(shù)小的特性，因此采用氮化鎵芯片的充電器體積遠小于使用傳統(tǒng)材料的充電器，具有更強的便攜性。由于5G手機高功耗弊端的存在，小米此次發(fā)布的GaN充電器得到市場的持

7、續(xù)關注。除了降低能耗外，快速充電技術可能成為行業(yè)新方向?？紤]氮化鎵GaN材料高頻高效的特性，GaN快速充電有望成為行業(yè)出路。二、Wifi 6 有望全面普及，助推寬帶網(wǎng)絡加速升級（一）Wifi 6：更快更省電的新一代 Wifi三星S10系列的發(fā)布，拉開了Wifi 6大規(guī)模滲透的大幕。2019年2月，三星發(fā)布業(yè)內(nèi)第一款Wifi 6手機Galaxy S10，第一次將Wifi 6帶入大眾視野。2019年9月，Wifi聯(lián)盟推出Wifi 6認證計劃，標志著Wifi 6標準的正式落地。同月，作為手機行業(yè)領軍者的蘋果發(fā)布iPhone11系列，成為首款支持Wifi 6的iOS設備。蘋果對Wifi 6的布 局，引

8、導了行業(yè)技術的升級趨勢。2020年2月小米公司發(fā)布小米10系列，成為第一款支持Wifi 6的國產(chǎn)手機，國產(chǎn)手機普及Wifi 6的大幕徐徐開啟。表 1：六代Wifi標準比較Wifi 6是新一代Wifi通信技術標準。Wi-Fi是無線局域網(wǎng)(WLAN) 技術的一種，通常使用2.4G UHF或5G SHF ISM 射頻頻段，主要包括802.11b、802.11a、g、802.11n、802.11ac和802.11ax等標準。自誕生20多年以來，Wifi以其布置靈活、高性價比的優(yōu)勢，逐漸成為最普及的WLAN技術。2018年，Wi-Fi聯(lián)盟為便于大眾記憶，將最新標準802.11ax命名為為Wifi 6。年

9、份199919992003200920132019標準802.11b802.11a802.11g802.11n802.11ac802.11ax頻段2.4GHz5GHz2.4GHz2.4/5GHz5GHz2.4/5GHz終端理論最大速率（2*2MIMO）11Mbps54Mbps54Mbps300Mbps866.7Mbps1.2Gbps數(shù)據(jù)來源：RF 技術社區(qū)， 相比于前代Wifi技術，Wifi 6技術優(yōu)勢可以概括為更快、更大承載、更低功耗。更快。Wifi2-5代使用OFDM（正交頻分復用）技術，只允許無線路由器在一個通信周期內(nèi)只能跟一臺設備通訊，浪費了路由器單個周期的數(shù)據(jù)傳輸能力，多設備時設備間

10、等通過排隊方式等待路由器一個個傳輸完畢，造成網(wǎng)絡擁堵和延遲。Wifi 6升級到OFDMA（正交頻分多址）技術，在一個通信周期內(nèi)能跟多個不同設備通信，最大程度利用數(shù)據(jù)傳輸總量。更大承載。Wifi4/5只支持SU-MIMO單用戶多輸入多輸出，根據(jù)設備距離決定通信次序來依次與設備通信，浪費路由器性能。設備越多，每臺設備吞吐量越小，等待時間也越長。Wifi 6支持多達88 MU-MIMO上下行多用戶多輸入多輸出，一個通信周期內(nèi)，最多跟8臺設備同時實現(xiàn)數(shù)據(jù)上傳和下載，節(jié)省時間、提升網(wǎng)速。在最大穩(wěn)定連接設備量上，Wifi 6支持設備數(shù)為248臺，Wifi5為128臺。更低功耗。Wifi支持全新的TWT（t

11、arget wake time，目標喚醒時間）技術，允許路由器與設備協(xié)商通信，減少了保持傳輸和搜索信號所需的時間，終端功耗較Wifi5能減少50%以上。（二）產(chǎn)業(yè)全力擁抱 Wifi 6，相關產(chǎn)品市場空間廣闊產(chǎn)業(yè)鏈和主要玩家Wifi誕生20多年以來，早已形成較為成熟的產(chǎn)業(yè)鏈。產(chǎn)業(yè)中企業(yè)紛紛看好Wifi 6的廣闊前景，早已開始Wifi 6相關產(chǎn)品的布局。上游：Wifi芯片和模組。同大多數(shù)通信芯片一樣，Wifi芯片用于設備間通信功能的實現(xiàn)。Wifi芯片領域的主要廠商包括國外的博通、英特爾、高通，以及中國臺灣的聯(lián)發(fā)科等。2018年下半年開始，主要廠商紛紛推出基于802.11ax標準的Wifi 6芯片，

12、主要有博通、英特爾、高通、Marvell、Celeno和 Quantenna。Wifi模組內(nèi)嵌Wifi芯片，廠商則更為多元，海外包括日本村田、 TDK、韓國三星電機，中國廠商有正基科技、博鵬發(fā)科技和必聯(lián)電子。 中游：路由設備和WLAN廠商。路由設備是實現(xiàn)Wifi 6功能的核心設備，相對 應的WLAN網(wǎng)絡則是承載Wifi 6的必備網(wǎng)絡環(huán)境。2019年，企業(yè)級路由設備廠商紛紛推出Wifi 6產(chǎn)品，主要有星網(wǎng)銳捷、華為、新華三（紫光股份旗下）、天邑股份、劍橋科技等國產(chǎn)廠商，海外廠商則以思科為主。該類企業(yè)除了提供網(wǎng)絡設備，還提供Wifi 6園區(qū)網(wǎng)絡的搭建。下游：消費電子和智能家居終端。常見的消費電子如

13、手機、筆記本電腦、ipad等均搭載Wifi功能。最新消息，將于2020年下半年發(fā)布的ipad或搭載Wifi 6芯片。智能家居方面，Wifi音箱、網(wǎng)絡電視、智能攝像頭、家居中控面板，均是消費電子Wifi6芯片商路由設備/WLAN建設商智能家居Wifi模組商Wifi聯(lián)網(wǎng)的重點設備。圖 1：Wifi 6產(chǎn)業(yè)鏈示意圖上游中游下游數(shù)據(jù)來源： 市場空間Wifi芯片Wifi將成為中短距離通信的主流技術之一，市場空間廣闊。WiFi和Zigbee預計將在中距離(300英尺以下或約100公尺)通信中得到廣泛應用，前者將應用于家庭網(wǎng)絡，后者主要用于各種遠程感知和控制。在當前移動互聯(lián)網(wǎng)向家居領域滲透，家庭中聯(lián)網(wǎng)設備數(shù)

14、量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，從而帶動Wifi芯片用量提升。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，到2025年，所有物聯(lián)網(wǎng)連接中的72%將使用WiFi和Zigbee的傳輸技術。從總量角度考慮，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，全球Wifi芯片出貨量將于2022年達到49億顆，占據(jù)各大主流互聯(lián)方案出貨量逾40%，為最重要市場之一。至于Wifi 6芯片，業(yè)內(nèi)估計2019年出貨量有望達到3億顆，2022年預計猛增至20億顆，CAGR高達88%。圖 2：Wifi芯片出貨量（單位：億顆）120100806040200201720182019E2020E2021E2022EWifi芯片藍牙芯片數(shù)據(jù)來源：IDC， Wifi 6路由設備據(jù)第三方分析

15、機構DellOro預測，2019年，Wifi 6 AP（Access Point，接入點）將占室內(nèi)AP市場出貨量的10%，2023年達到90%，出貨量規(guī)模將接近3000萬臺。 圖 3：2019-2023采用各Wifi標準的無線AP出貨量占比變化（單位：百萬臺）353025201510502019E2020E2021E2022E2023EWifi4Wifi5Wifi6數(shù)據(jù)來源：DellOro， 注：Wifi4/5/6 分別指 802.11n、802.11ac，802.11ax。三、氮化鎵（GaN），5G 時代快充領域關鍵材料（一）GaN 是應用于快充領域的新一代半導體材料氮化鎵（GaN），是堅硬

16、的高熔點材料，熔點約為 1700。作為第三代半導體材料的GaN優(yōu)勢凸顯，具有直接帶隙寬、強原子鍵、高熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)，主要應用于生產(chǎn)功率器件。小米65W氮化鎵充電器發(fā)布，支持小米10Pro 10V/5A快充。2020年2月15日，小米10發(fā)布會上，正式發(fā)布了小米GaN充電器。小米GaN充電器，小米GaN充電器型號為AD65G，輸出接口為單個USB-C接口，支持USB PD3.0快速充電協(xié)議。支持5V3A / 9V3A / 10V5A / 12V3A / 15V3A / 20V3.25A，最大輸出功率65W，支持 100-240V 50/60Hz全球電壓。圖 4：

17、小米65W氮化鎵充電器數(shù)據(jù)來源：充電頭網(wǎng)， 氮化鎵（GaN）可有效提升功率并減少體積。當前制作充電頭的常見材料，主要是基于硅的半導體材料。若快充充電器依照常規(guī)設計，采用硅功率器件，就會出現(xiàn)體積大、攜帶便利性低的問題。摩爾定律下，進一步提升硅相關制造工業(yè)和尋找新一代半導體材料，是目前用來減少充電器體積并提高功率的主流方案。氮化鎵（GaN）是新一代半導體材料，采用氮化鎵功率器件之后，可以通過升高開關頻率來減小變壓器的體積；并且還可憑借著氮化鎵高效的特性，減小或者省略散熱片，從而讓大功率充電器的體積趨于小型化。氮化鎵具備三大特點（開關頻率高、禁帶寬度大、導通電阻低），成為5G時代快充領域關鍵材料：開

18、關功率高氮化鎵作為充電頭半導體材料，具有更高的開關功率。開關頻率是指充電頭內(nèi)部晶閘管,可控硅等電子元件,每秒可以完全導通、斷開的次數(shù)。開關頻率高可減小變壓器和電容的體積，有助于減小充電頭的體積和重量。禁帶寬度大氮化鎵相比硅具有更大的禁帶寬度，禁帶寬度直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度，禁帶寬度越大，器件能夠承載的電壓和溫度越高，擊穿電壓也會越高，功率越高。導通電阻低氮化鎵具備更低的導通電阻，直接表現(xiàn)為導電時的發(fā)熱量。導通電阻越低，發(fā)熱量越低。日常價格30 分鐘最大充電量重量接口數(shù)量長*寬*高型號表 2：各種類型快速充電器性能對比小米 65W 氮化鎵充電器30.8*30.8*56.3mm（不含

19、插腳）123 克1USB-C68%149 元2USB-C倍思 65W 氮化鎵充電器36*32*75mm(折疊插頭)125 克聯(lián)想 Thinkplus 65W 充電1USB-A71%190 元左右35*30*73mm（不含插頭）122 克1USB-C48%190 元左右（含線）器紫米 65W 充電器61*28.4*66.9mm（折疊插頭）147 克1USB-C2USB-A65%100 元左右數(shù)據(jù)來源：小米新品發(fā)布會，求真實驗室， 小米10Pro應用氮化鎵快充芯片，氮化鎵功率半導體作為硅基功率半導體的補充，應用前景廣泛。氮化鎵芯片功率密度大、耐高溫可以減小散熱體積，另外介電常數(shù)小可以降低扼流線圈的

20、大小，是新款氮化鎵充電器的核心部分。小米新款氮化鎵充電器具備兩大優(yōu)勢：1. 體積小，大小相當于普通充電器的一半，便于攜帶。2. 充電效率高，比普通充電器充電效率至少提高50%。目前各家廠商正積極布局GaN快充領域，未來GaN快充滲透率將進一步提升。（二）5G 引領快充領域發(fā)展，GaN 產(chǎn)業(yè)鏈市場空間廣闊氮化鎵（GaN）器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)依次為：GaN襯底（或藍寶石/Si/SiC襯底）、氮化鎵外延、器件設計與制造（LED芯片、功率器件、射頻芯片、激光芯片等）。在射頻器件領域，GaN是5G應用中的關鍵技術，GaN尺寸小、效率高和功率密度大的特點可實現(xiàn)5G Massive MIMO技術中射頻器件高集化

21、解決方案。在GaN功率器件領域，增速最快的是快充市場，相比SiC器件，GaN器件更適合高頻率、小體積、功率要求低的快充電源領域。圖 5：GaN產(chǎn)業(yè)鏈梳理數(shù)據(jù)來源：藍寶石微講堂第五十三期， 芯片及應用襯底特點價格（元/inch）尺寸表 3：GaN襯底材料性能對比GaN快充帶動上游GaN襯底材料需求上升。氮化鎵、藍寶石、硅和碳化硅均可作為氮化鎵外延襯底材料，目前碳化硅和氮化鎵作為襯底仍然是需要突破的關鍵技術，硅基氮化鎵是各大RF射頻芯片和功率器件公司主要研發(fā)和市場推廣方向。GaN襯底主要由日本公司主導，日本住友電工市場份額達90%以上，我國目前已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納維科技公司和東莞市中鎵半導

22、體科技公司。預計5G時代，氮化鎵快充需求量將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，從而帶動上游GaN襯底材料需求迎來拐點。硅6/8/126襯底最成熟、成本低、尺寸大。加工成本和襯底價格最低，競爭優(yōu)勢明 顯。良品率低，主要應用于制造電力電子器件。碳化硅3/4/6 240高導熱性，襯底方面的處理時間是硅基的 200-300 倍。結合了 SiC 優(yōu)異的導熱性和的 GaN 高功率密度和低損耗的能力，是 RF 射頻芯片的合適材料。采用同質(zhì)襯底的 GaN 主要應用市場是藍/氮化鎵2/3/44000同質(zhì)外延質(zhì)量好，價格高。數(shù)據(jù)來源：藍寶石微講堂， 綠光激光器，應用于激光顯示、激光存儲、激光照明等領域。氮化鎵快充帶動產(chǎn)業(yè)鏈中游功率

23、芯片放量。GaN功率器件在高頻、高轉換效率、低損耗、耐高溫性能上完勝硅器件，隨著下游應用端市場的擴大，規(guī)?；@現(xiàn)，以硅作為襯底材料的氮化鎵外延成本將越來越低，最終在高端應用領域取代硅器件。目前，快充和無線充電等終端市場的擴大，吸引了一批有技術積累的公司擴產(chǎn)，其中包括臺積電、IDM、TI、日本松下等國外知名企業(yè)，國內(nèi)企業(yè)包括三安光電、海特高新和耐威科技。表 4：氮化鎵（GaN）功率芯片的應用場景、市場情況及滲透率應用場景市場情況滲透率激光雷達唯一能夠滿足 Lidar 技術要求的方案；GaN 晶體管的開關速度提高 10 倍以上，脈沖寬度達到 1-5 納秒，激光分辨率可從 1.6 米提高到 0.

24、16 米。100%數(shù)據(jù)中心電源氮化鎵器件進行電源設計，可有效節(jié)省電能，同時采用體積更小的 GaN 電源，減少對中等數(shù)據(jù)中心空間的需求。中低壓快充氮化鎵可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高的開關頻率運行。在相同條件中等下，GaN 可實現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。無線快充Apple 已將 GaN 技術作為其無線充電解決方案。蘋果或其他智能手機巨頭對 GaN 的快速應用將徹底改變市場的動態(tài)，并最終為 GaN 功率器件行業(yè)提供生機。電動/混動汽車GaN 具備高速開關能力，在電動/混合汽車中應用加速。較低數(shù)據(jù)來源：藍寶石微講堂， USB Type-C接口將成主流，下游氮化鎵快充市場空間廣闊

25、。2019年是5G商用元年，5G手機因其耗電量及功耗的大幅提升，Type-C快充傳輸功能將更高，它的最大輸電功率可以達到100W，最高輸出功率下的電壓和電流分別為20V和5A，將會大幅度縮小手機的充電時間?，F(xiàn)在中高端智能手機都在慢慢走向USB-C的接口，USB-C與快充結合在整個行業(yè)的接受度也比較高，這是一個大的趨勢。圖 6：2019年手機總出貨量（萬部）和5G手機出貨量（萬部）3419.93623.63596.93484.23087.53044.4507.4541.47.221.949.7249.4400035003000250020001500100050007月8月9月10月11月12月

26、手機總出貨量（萬部）5G手機出貨量（萬部）數(shù)據(jù)來源：IDC 圈， 5G手機預計2020年出貨量將大幅上升，帶動氮化鎵快充市場出現(xiàn)強勁增長。根據(jù)市場研究機構IDC報告顯示，5G備貨潮已于2019年9月開始啟動，預計2020年安卓陣營5G手機將大規(guī)模上市，全球5G智能手機出貨量將達到1.235億部，占智能手機總出貨量的8.9%。5G手機推出后將帶動氮化鎵快充市場出現(xiàn)強勁增長，2019年非蘋果陣營的智能手機（華為、OPPO、VIVO、三星、小米等）已經(jīng)全面搭載Type- C連接埠，支援全新的USB-PD有線快充技術。隨著GaN快充市場滲透率逐步提 升，各廠家積極布局，根據(jù)Yole預測，2020-20

27、23年GaN快充市場增速將達到 55%，2023年GaN快充市場空間將達4.2億美元。表 5：Wifi 6&氮化鎵快充可比公司估值代碼名稱總市值（億元）歸母凈利潤（億元）PE（X）2019E2020E2021E2019E2020E2021EWifi 6 芯片AVGO.O博通8828.61203.22365.07461.8643.4424.1819.12QCOM.O高通7153.09海外廠商平均7990.85603068.SH博通集成152.423.604.595.6542.3533.2026.99688018.SH樂鑫科技217.041.572.353.16138.2092.2568.65大陸

28、廠商平均184.732.583.474.4090.2762.7347.82Wifi 6 企業(yè)級網(wǎng)絡設備CSCO.O思科13916.85799.48875.53925.0017.4115.9015.05HPQ.N惠普2270.44海外廠商平均8093.65000938.SZ紫光股份858.0219.0323.2830.7345.0936.8527.92002396.SZ星網(wǎng)銳捷226.906.878.5910.7033.0526.4221.21大陸廠商平均542.4612.9515.9420.7139.0731.6324.57功率器件0KED.L英飛凌1933.07MXIM.O美信1195.90

29、58.4620.46海外廠商平均1564.48600460.SH士蘭微234.731.301.541.85180.75152.08127.13300671.SZ富滿電子49.16大陸廠商平均141.95磁材600330.SH天通股份88.502.263.484.9839.1725.4617.78002056.SZ橫店東磁170.446.937.468.1124.5922.8521.02大陸廠商平均129.474.595.476.5431.8824.1619.40化合物半導體5802.T住友電氣工業(yè)742.01AXTI.OAXT11.40海外廠商平均376.71600703.SH三安光電989.

30、0215.4422.3829.2364.0644.1933.83002428.SZ云南鍺業(yè)86.080.030.361.043130.23237.0383.03大陸廠商平均537.557.7311.3715.141597.14140.6158.43數(shù)據(jù)來源：Wind， 注：貨幣單位為人民幣，盈利預測來自Wind一致預期，以2020年2月14日收盤價計算，空白處為相關數(shù)據(jù)缺失四、投資建議：建議關注產(chǎn)業(yè)鏈相關標的我們認為，本次小米10的推出反映了后續(xù)國內(nèi)智能終端產(chǎn)品的變革和創(chuàng)新趨勢，按圖索驥，可關注Wifi 6及GaN快充領域領域：（1）Wifi 6領域，可重點關注上游芯片和中游企業(yè)級網(wǎng)絡設備領域

31、廠商。芯片級：Wifi 6芯片作為Wifi 6產(chǎn)業(yè)中的核心部件，下游設備出貨量增加帶來 Wifi 6芯片用量增加。相關標的：博通集成（主營ETC和射頻芯片，充分受益于ETC和Wifi 6市場爆發(fā)，公司的Wifi6產(chǎn)品也在持續(xù)研發(fā)推進過程中）、樂鑫科技（專注物聯(lián)網(wǎng)Wifi MCU通信芯片研發(fā)和銷售，充分受益智能家居從“單品智能”向“全屋智能”轉變帶來的Wifi芯片用量提升）。企業(yè)級：Wifi 6以其更快、更穩(wěn)定、更低功耗的優(yōu)勢，相較于此前Wifi技術更具性價比，有望在園區(qū)網(wǎng)絡上得到廣泛應用。相關標的：紫光股份（旗下新華三為國內(nèi)首屈一指的路由器、交換機企業(yè)，充分受益于下游5G和數(shù)據(jù)中心需求增長），

32、星網(wǎng)銳捷（國內(nèi)企業(yè)級路由器、交換機領域龍頭廠商，且有瘦客戶機、POS機等高成長業(yè)務協(xié)同發(fā)展，受益于5G核心網(wǎng)建設與數(shù)據(jù)中心擴容）。（2）GaN快充領域，可重點關注GaN功率器件、磁性材料、未來化合物半導體等細分賽道。功率器件：功率器件作為氮化鎵快充的核心部件，從硬件底層決定了充電器的性能，直接受益于氮化鎵快充的大規(guī)模普及。相關標的：士蘭微（國產(chǎn)功率器件龍頭廠商，在第三代半導體領域布局較早，2017年即打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線，未來有望受益于氮化鎵功率器件需求爆發(fā)及國產(chǎn)替代大趨勢），富滿電子（專注于電源管理類芯片、LED控制芯片、MOSFET類芯片，氮化鎵快充普及其芯片業(yè)務有望直

33、接受益）。磁材：氮化鎵和碳化硅SiC等半導體材料的運用，使得電路工作頻率 1MHz得以實現(xiàn)，從而需要更高的開關頻率。而電感磁材中的高頻鐵硅鋁渦流損耗 低，適合高頻開關應用，需求量有望增加。天通股份（電子材料領域從設備自制、材料自研、生產(chǎn)自發(fā)垂直一體化企業(yè)，在碳化硅襯底材料領域布局進展順利），橫店東磁（國內(nèi)規(guī)模最大的磁性材料生產(chǎn)企業(yè)，直接受益于氮化鎵器件普及帶來的鐵氧體用量增加）?；衔锇雽w：氮化鎵所屬的化合物半導體主要指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半導體，相比第一代單質(zhì)半導體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多。氮化鎵的流行，第二、三代半導體中其他具備優(yōu)

34、異特性的材料如砷化鎵、碳化硅等預計獲得更多關注，化合物半導體產(chǎn)業(yè)上相關企業(yè)有望受益。相關標的：三安光電（國產(chǎn)化合物半導體材料領軍企業(yè)，2018年斥巨資建設-族化合物半導體材料產(chǎn)業(yè)園，相關產(chǎn)能儲備充足可快速起量），云南鍺業(yè)（公司具備高純度砷化鎵單晶及晶片生產(chǎn)能力，砷化鎵晶片在下游光芯片、無線射頻領域應用廣闊，且收益國產(chǎn)替代趨勢）。五、風險提示W(wǎng)ifi 6技術滲透率不如預期；其他方案快充技術對GaN產(chǎn)品形成替代；智能終端產(chǎn)業(yè)景氣度下滑。廣發(fā)證券通信研究小組許 興 軍 ： 首席分析師，浙江大學系統(tǒng)科學與工程學士，浙江大學系統(tǒng)分析與集成碩士，2012 年加入 ，帶領團隊榮獲 2019 年新財富電子行業(yè)第一名。張 全 琪 ： 中山大學通信與信息系統(tǒng)博士，2018 年加入 謝 淑 穎 ： 研究助理，廈門大學電子工程學士、上海財經(jīng)大學金融碩士，2018 年加入 。滕 春 曉 ： 研究助理，南京大