IC產(chǎn)品封裝形式大全

1、IC產(chǎn)品封裝形式大全什么叫封裝封裝，就是指把硅片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB（印制電路板）的設(shè)計和制造，因此它是至關(guān)重要的。衡量一個芯片封裝

2、技術(shù)先進與否的重要指標是芯片面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。封裝時主要考慮的因素：1、芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；2、引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠，以保證互不干擾，提高性能；3、基于散熱的要求，封裝越薄越好。封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種。從結(jié)構(gòu)方面，封裝經(jīng)歷了最早期的晶體管TO（如TO-89、TO92）封裝發(fā)展到了雙列直插封裝，隨后由PHILIP公司開發(fā)出了SOP小外型封裝，以后逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及

3、SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。從材料介質(zhì)方面，包括金屬、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高強度工作條件需求的電路如軍工和宇航級別仍有大量的金屬封裝。封裝大致經(jīng)過了如下發(fā)展進程：結(jié)構(gòu)方面：TO-DIP-PLCC-QFP-BGA-CSP；材料方面：金屬、陶瓷陶瓷、塑料塑料；引腳形狀：長引線直插-短引線或無引線貼裝-球狀凸點；裝配方式：通孔插裝-表面組裝-直接安裝二、具體的封裝形式1、SOP/SOIC封裝SOP是英文SmallOutlinePackage的縮寫，即小外形封裝。SOP封裝技術(shù)由19681969年菲利浦公司開發(fā)成功，以后逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（

4、薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。2、DIP封裝DIP是英文DoubleIn-linePackage的縮寫，即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI，微機電路等。3、PLCC封裝PLCC是英文PlasticLeadedChipCarrier的縮寫，即塑封J引線芯片封裝。PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用

5、SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點。4、TQFP封裝TQFP是英文thinquadflatpackage的縮寫，即薄塑封四角扁平封裝。四邊扁平封裝TQFP）工藝能有效利用空間，從而降低對印刷電路板空間大小的要求。由于縮小了高度和體積，這種封裝工藝非常適合對空間要求較高的應用，如PCMCIA卡和網(wǎng)絡(luò)器件。幾乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有TQFP封裝。5、PQFP封裝PQFP是英文PlasticQuadFlatPackage的縮寫，即塑封四角扁平封裝。PQFP封裝的芯片引腳之間距離很word格式-可編輯-感謝下載支持小，管腳很細，一般大規(guī)?；虺笠?guī)模集

6、成電路采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般都在100以上。6、TSOP封裝TSOP是英文ThinSmallOutlinePackage的縮寫，即薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存封裝技術(shù)的一個典型特征就是在封裝芯片的周圍做出引腳，TSOP適合用SMT技術(shù)（表面安裝技術(shù)）在PCB（印制電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(shù)（電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動）減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。7、BGA封裝BGA是英文BallGridArrayPackage的縮寫，即球柵陣列封裝。20*90年代隨著技術(shù)的進步，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路

7、封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發(fā)展的需要，BGA封裝開始被應用于生產(chǎn)。采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲量有了很大提升，采用BGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，佃GA能用可控塌

8、陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術(shù),TinyBGA英文全稱為TinyBallGridArray（小型球柵陣列封裝），屬于是BGA封裝技術(shù)的一個分支。是Kingmax公司于1998年8月開發(fā)成功的，其芯片面積與封裝面積之比不小于1:1.14，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高23倍，與TSOP封裝產(chǎn)品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。采用TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量情況下體積只有

9、TSOP封裝的1/3oTSOP封裝內(nèi)存的引腳是由芯片四周引出的，而TinyBGA則是由芯片中心方向引出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統(tǒng)的TSOP技術(shù)的1/4,因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了芯片的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。采用TinyBGA封裝芯片可抗高達300MHz的外頻，而采用傳統(tǒng)TSOP封裝技術(shù)最高只可抗150MHz的外頻。TinyBGA封裝的內(nèi)存其厚度也更?。ǚ庋b高度小于0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內(nèi)存擁有更高的熱傳導效率，非常適用于長時間運行的系統(tǒng)，穩(wěn)定性極佳。三、國際部分品牌

10、產(chǎn)品的封裝命名規(guī)則資料1、MAXIM更多資料請參考MAXIM前綴是“MAX”。DALLAS則是以“DS”開頭。MAXxxx或MAXxxxx說明：1、后綴CSA、CWA其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。2、后綴CWI表示寬體表貼，EEWI寬體工業(yè)級表貼，后綴MJA或883為軍級。3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后綴均為普通雙列直插。舉例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通帶抗靜電保護MAX202EEPE工業(yè)級抗靜電保護（-45C-85C），說明E指抗靜電保護MAXIM數(shù)字排列分類1字頭模擬器2字頭濾波器3字頭多路開關(guān)4字頭放大器5字頭數(shù)

11、模轉(zhuǎn)換器6字頭電壓基準7字頭電壓轉(zhuǎn)換8字頭復位器9字頭比較器DALLAS命名規(guī)則例如DS1210N.S.DS1225Y-100INDN=工業(yè)級S-表貼寬體MCG=DIP封Z-表貼寬體MNG=DIP工業(yè)級IND=工業(yè)級QCG=PLCC封Q=QFPword格式-可編輯-感謝下載支持2、ADI更多資料查看AD產(chǎn)品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等開頭的。后綴的說明：1、后綴中J表示民品（0-70C）,N表示普通塑封，后綴中帶R表示表示表貼。2、后綴中帶D或Q的表示陶封，工業(yè)級（45C-85C）。后綴中H表示圓帽。3、后

12、綴中SD或883屬軍品。例如：JNDIP封裝JR表貼JDDIP陶封3、BB更多資料查看BB產(chǎn)品命名規(guī)則：前綴ADS模擬器件后綴U表貼P是DIP封裝帶B表示工業(yè)級前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放后綴U表貼P代表DIPPA表示高精度4、INTEL更多資料查看 HYPERLINK INTEL產(chǎn)品命名規(guī)則：N80C196系列都是單片機前綴：N=PLCC封裝T=工業(yè)級S=TQFP封裝P=DIP封裝KC20主頻KB主頻MC代表84引角舉例：TE28F640J3A-120閃存TE=TSOPDA=SSOPE=TSOP5、ISSI更多資料查看以“IS”開頭比如：IS61CIS61LV4x表示DRAM6

13、x表示SRAM9x表示EEPROM封裝：PL=PLCCPQ=PQFPT=TSOPTQ=TQFP6、LINEAR更多資料查看以產(chǎn)品名稱為前綴LTC1051CSCS表示表貼LTC1051CN8*表示*IP封裝8腳7、IDT更多資料查看IDT的產(chǎn)品一般都是IDT開頭的后綴的說明：1、后綴中TP屬窄體DIP2、后綴中P屬寬體DIP3、后綴中J屬PLCC比如：IDT7134SA55P是DIP封裝IDT7132SA55J是PLCCIDT7206L25TP是DIP8、NS更多資料查看NS的產(chǎn)品部分以LM、LF開頭的LM324N3字頭代表民品帶N圓帽LM224N2字頭代表工業(yè)級帶J陶封LM124J1字頭代表軍

14、品帶N塑封9、HYNIX更多資料查看封裝：DP代表DIP封裝DG代表SOP封裝DT代表TSOP封裝。TI邏輯器件型號，并找出它的功能。器件命名規(guī)則SN74LVCH162244ADGGR12345678910標準前綴示例：SNJ-遵從MIL-PRF-38535(QML)溫度范圍54-軍事74-商業(yè)系列特殊功能空=無特殊功能C-可配置Vcc(LVCC)D-電平轉(zhuǎn)換二極管(CBTD)H-總線保持(ALVCH)K-下沖-保護電路(CBTK)R-輸入/輸出阻尼電阻(LVCR)S-肖特基鉗位二極管(CBTS)Z-上電三態(tài)(LVCZ)位寬空=門、MSI和八進制1G-單門8-八進制IEEE1149.1(JTA

15、G)16-Widebus?(16位、18位和20位)18-WidebusIEEE1149.1(JTAG)32-Widebus?(32位和36位)選項空=無選項2-輸出串聯(lián)阻尼電阻4-電平轉(zhuǎn)換器25-25歐姆線路驅(qū)動器功能244-非反向緩沖器/驅(qū)動器374-D類正反器573-D類透明鎖扣6?0-反向收發(fā)器器件修正空=無?正字母指示項A-Z封裝D,DW-小型集成電路(SOIC)DB,DL-緊縮小型封裝(SSOP)DBB,DGV-薄型超小外形封裝(TVSOP)DBQ-四分之一小型封裝(QSOP)DBV,DCK-小型晶體管封裝(SOT)DGG,PW-薄型緊縮小型封裝(TSSOP)FK-陶瓷無引線芯片載

16、體(LCCC)FN-塑料引線芯片載體(PLCC)GB-陶瓷針型柵陣列(CPGA)GKE,GKF-MicroStar?BGA低截面球柵陣列封裝(LFBGA)GQL,GQN-MicroStarJuniorBGA超微細球柵陣列(VFBGA)HFP,HS,HT,HV-陶瓷四方扁平封裝(CQFP)J,JT-陶瓷雙列直插式封裝(CDIP)N,NP,NT-塑料雙列直插式封裝(PDIP)NS,PS-小型封裝(SOP)PAG,PAH,PCA,PCB,PM,PN,PZ-超薄四方扁平封裝(TQFP)PH,PQ,RC-四方扁平封裝(QFP)W,WA,WD-陶瓷扁平封裝(CFP)卷帶封裝DB和PW封裝類型中的所有新增器

17、件或更換器件的名稱包括為卷帶產(chǎn)品指定的R。目前，指定為LE的現(xiàn)有產(chǎn)品繼續(xù)使用這一指定，但是將來會轉(zhuǎn)換為R。命名規(guī)則示例：對于現(xiàn)有器件-SN74LVTxxxDBLE對于新增或更換器件-SN74LVTxxxADBRLE-左印(僅對于DB和PW封裝有效)R-標準(僅對于除了現(xiàn)有DB和PW器件之外的所有貼面封裝有效)就載帶、蓋帶或卷帶來說，指定了LE的器件和指定了R的器件在功能上沒有差別。命名規(guī)則名稱：TI專用命名規(guī)則命名規(guī)則名稱：TI專用命名規(guī)則命名描規(guī)則10表示卷帶封裝：DB和PW封裝類型中的所有新增器件或更換器件的名稱包括為卷帶產(chǎn)品指定的R。目前,述：指定為LE的現(xiàn)有產(chǎn)品繼續(xù)使用這一指定，但是將

18、來會轉(zhuǎn)換為R。命名規(guī)則示例：對于現(xiàn)有器件-SN74LVTxxxDBLE對于新增或更換器件-SN74LVTxxxADBRLE-左印(僅對于DB和PW封裝有效)SN74LVCH162244ADGGRR-標準(僅對于除了現(xiàn)有DB和PW器件之外的所有貼面封裝有效)命名規(guī)12345678910則：SN74LVCH162244ADGGR命名范例：規(guī)則1：“SN”代表“標準前綴”SN標準前綴(遵從MIL-PRF-38535(QML)規(guī)則2：“74”代表“溫度范圍”54軍事74商業(yè)XX溫度范圍規(guī)則3：“LVC”代表“系列”LVC系列XXX系列XX系列規(guī)則4：“H”代表“特殊功能”空一一無特殊功能C可配置Vcc

19、（LVCC）D電平轉(zhuǎn)換二極管（CBTD）H總線保持（ALVCH）K下沖-保護電路（CBTK）R輸入/輸出阻尼電阻（LVCR）S肖特基鉗位二極管（CBTS）Z上電三態(tài)（LVCZ）規(guī)則5：“16”代表“位寬”空一一門、MSI和八進制1G單門8八進制IEEE1149.1（JTAG）16Widebus（16位、18位和20位）18WidebusIEEE1149.1(JTAG)32Widebus(32位和36位)XX位寬規(guī)則6：“2”代表選項”空一一無選項2輸出串聯(lián)阻尼電阻4電平轉(zhuǎn)換器2525歐姆線路驅(qū)動器X選項XX選項規(guī)則7：“244”代表“功能”244非反向緩沖器/驅(qū)動器374D類正反器573D類透

20、明鎖扣640反向收發(fā)器XXX功能規(guī)則8“A”代表“器件修正”空無修正X字母指示項A器件修正，字母指示項規(guī)則9“DGG”代表“封裝”D小型集成電路(SOIC)DW小型集成電路(SOIC)DB緊縮小型封裝(SSOP)DL緊縮小型封裝(SSOP)DBB薄型超小外形封裝(TVSOP)DGV薄型超小外形封裝(TVSOP)DBQ四分之一小型封裝(QSOP)DBV小型晶體管封裝(SOT)DCK小型晶體管封裝(SOT)DGG薄型緊縮小型封裝仃SSOP)PW薄型緊縮小型封裝仃SSOP)FK陶瓷無引線芯片載體(LCCC)FN塑料引線芯片載體(PLCC)GB陶瓷針型柵陣列(CPGA)GKEMicroStarBGA低

21、截面球柵陣列封裝(LFBGA)GKFMicroStarBGA低截面球柵陣列封裝(LFBGA)GQLMicroStarJuniorBGA超微細球柵陣列(VFBGA)GQNMicroStarJuniorBGA超微細球柵陣列(VFBGA)HFP陶瓷四方扁平封裝(CQFP)HS陶瓷四方扁平封裝(CQFP)H陶瓷四方扁平封裝(CQFP)J陶瓷雙列直插式封裝(CDIP)JT陶瓷雙列直插式封裝(CDIP)N塑料雙列直插式封裝(PDIP)NP塑料雙列直插式封裝(PDIP)NT塑料雙列直插式封裝(PDIP)NS小型封裝(SOP)PS小型封裝(SOP)PAG超薄四方扁平封裝仃QFP)PAH超薄四方扁平封裝仃QFP

22、)PCA超薄四方扁平封裝仃QFP)PCB超薄四方扁平封裝仃QFP)PM超薄四方扁平封裝仃QFP)PN超薄四方扁平封裝仃QFP)PZ超薄四方扁平封裝仃QFP)PH四方扁平封裝(QFP)PQ四方扁平封裝(QFP)RC四方扁平封裝(QFP)W陶瓷扁平封裝(CFP)WA陶瓷扁平封裝(CFP)WD陶瓷扁平封裝(CFP)空無規(guī)則10：“R”代表“卷帶封裝”R標準(僅對于除了現(xiàn)有DB和PW器件之外的所有貼面封裝有效)LE左印(僅對于DB和PW封裝有效)空無德州儀器器件命名規(guī)則總結(jié)器件型號舉例說明TL0728EJG首標器件編號溫度范圍封裝LS183J首標溫度范圍系列器件編號封裝首標符號意義AC:改進的雙極電路

23、；SN：標準的數(shù)字電路；TL：TII的線性控制電路；TIEF:跨導放大器；TIES:紅外光源；TAL：LSTTL邏輯陣列；JANB:軍用B級IC；TAT：STTL邏輯陣列；JAN38510:軍用產(chǎn)品；TMS：MOS存儲器/微處理器；JBP:雙極PMOS883C產(chǎn)品；TM：微處理器組件；SNC：IV馬赫3級雙極電路；TBP：雙極存儲器；SNJ：MIL-STD-883B雙極電路;TC：CCD攝像器件；SNM：IV馬赫1級電路；TCM:通信集成電路；RSN：抗輻射電路；TIED:經(jīng)外探測器；SBP：雙極微機電路；TIL：光電電路；SMJ：MIL-STD-883BMOS電路；VM：語音存儲器電路；TA

24、C：CMOS邏輯陣列；TIFPLA:雙極掃描編程邏輯陣列；TLC：線性CMOS電路；TIBPAL：雙極可編程陣列邏輯。同時采用仿制廠家的首標。封裝符號J、JT、JW、JG：陶瓷雙列;PH、PQ、RC：塑料四列扁平封裝；T：金屬扁平封裝；LP：塑料三線；D、DW：小引線封裝；DB、DL:縮小的小引線封裝；DBB、DGV：薄的超小型封裝；DBV：小引線封裝；GB：陶瓷針柵陣列；RA：陶瓷扁平圭寸裝；KA、KC、KD、KF：塑料功率封裝；U：陶瓷扁平封裝；P：塑料雙列;JD：黃銅引線框陶瓷雙列；W、WA、WC、WD：陶瓷扁平封裝；N、NT、NW、NE、NF：塑封雙列;MC：芯片；DGG、PW：薄的再

25、縮小的小引線封裝;PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封裝;FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片載體。數(shù)字電路系列符號GTL：GunningTransceiverLogic；SSTL：Seris-StubTerminatedLogic；CBT：CrossbarTechnology；CDCClock-DistributionCircuits；ABTE:先進BiCMOS技術(shù)/增強收發(fā)邏輯；FB：BackplaneTransceiverLogic/Futurebust；沒標者為標準系列；L：低功耗系列；AC/ACT：先進CMOS邏輯；H：咼速系列；

26、AHC/AHCT:先進高速CMOS邏輯；ALVC：先時低壓CMOS技術(shù)；S：肖特基二極管箝位系列；LS：低功耗肖特基系列；BCT：BiCMOS總線-接口技術(shù)；AS:先進肖特基系列；F：F系列（FAST）；CBT：CrossbarTechnology；ALS：先進低功耗肖特基系列；HC/HCT:高速CMOS邏輯；LV：低壓HCMOS技術(shù)；(注：AC/ACT、AHC/AHCT、HC/HCT中帶TABT:先時BiCMOS技術(shù)。的供電電壓是4.5-5.5，不帶的最小范圍（帶S的比同類型不帶S的速度快）是3-5.5，有的是2-6V）速度標志（MOS電路用）15：150nsMAX取數(shù)；17：170nsMA

27、X取數(shù)；20：200nsMAX取數(shù)；25：250nsMAX取數(shù)；35：350nsMAX取數(shù)；45：450nsMAX取數(shù)；2：200nsMAX取數(shù)；3：350nsMAX取數(shù)；4：450nsMAX取數(shù)。溫度范圍數(shù)字和接口電路系列：雙極線性電路：MOS電路：55、54：(-55125)C；M：(-55125)C；M：(-55125)C；75、74：(070)C；E：(-4085)C；R：(-5585)C；CMOS電路74表示(-4085)C；I：(-2585)C；L：(070)C；76：(-4085)C。C：(070)C。C：(-2585)C；E：(-4085)C；S：(-55100)C；H：(05

28、5)C。IC產(chǎn)品封裝形式大全1、BGA（ballgridarray）球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體（PAC）。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側(cè)引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。word格式-可編輯-感謝下載支持該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電

29、話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA的引腳（凸點）中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密圭寸的圭寸裝稱為OMPAC，而把灌圭寸方法密圭寸的圭寸裝稱為GPAC（見OMPAC和GPAC）。2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）、C（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中

30、經(jīng)常使用的記號。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP（數(shù)字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIPG（G即玻璃密封的意思）。6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.52W的功率。但封裝成本比塑料QFP高35倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0

31、.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJG（見QFJ）。8、COB（chiponboard）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術(shù)。9、DFP（dualflatpackage）雙側(cè)引腳扁平封裝

32、。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）.11、DIL（dualin-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。12、DIP（dualin-linepackage）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種DIP是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為sk

33、innyDIP和slimDIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。13、DSO（dualsmallout-lint）半導體廠家采用此名稱。14、DICP（dualtapecarrierpackage）雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業(yè)）會標準規(guī)定，將DICP命名為

34、DTP。15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP的命名（見DTCP）。16、FP（flatpackage）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進行word格式-可編輯-感謝下載支持壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須

35、用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美國Motorola公司對BGA的別稱（見BGA）。20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）帶保護環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。21、H-（withheatsink）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。22、pingridarray（surfacemounttype）表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2