2020年全球及中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及存儲器企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析圖

1、2020年全球及中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及存儲器企業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析圖 一、半導(dǎo)體存儲器概述 存儲器是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。半導(dǎo)體存儲器具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。 二、全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模及產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 存儲功能是計算機(jī)的基本功能之一，存儲器的發(fā)展也是與整個計算機(jī)行業(yè)同步發(fā)展起來的。從產(chǎn)品的情況看，早期的存儲器類主要由磁性材料來實現(xiàn)，隨后光學(xué)、半導(dǎo)體材料存儲器紛紛出現(xiàn)并且發(fā)展壯大。隨著集成電路技術(shù)快速進(jìn)步，半導(dǎo)體存儲器成為重要的方向，也成為行業(yè)狀況的重要風(fēng)向標(biāo)

2、，摩爾定律對于集成度提升的預(yù)測也是以存儲作為重要的實踐領(lǐng)域。 HYPERLINK /research/202102/929019.html 智研咨詢發(fā)布的2021-2027年中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)競爭格局分析及投資前景規(guī)劃報告顯示：2019年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為1065億美元，2020年受價格上漲等因素影響，全球半導(dǎo)體存儲器市場容量不斷擴(kuò)大，初步統(tǒng)計市場規(guī)模達(dá)到1192億美元。 半導(dǎo)體存儲器市場由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等細(xì)分市場組成，2020 年全球 DRAM 全球市場規(guī)模約 695 億美元，NAND Flash 全球市場規(guī)模約421億美元

3、，NOR Flash、EEPROM及其他半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模約76億美元。由此可見，DRAM和 NAND Flash 占據(jù)了半導(dǎo)體存儲器市場的主要份額，合計市場份額達(dá)到93.6%。 2020 年全球?qū)?NAND Flash 產(chǎn)品的需求開始回升，全年市場整體供不應(yīng)求，企業(yè)級 SSD 和智能手機(jī)成為兩大主力需求。NOR Flash 閃存方面，2020 年NOR Flash及其他半導(dǎo)體存儲器全球市場規(guī)模較 2019年增長20%左右。隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及、5G 基站建設(shè)、汽車智能化的不斷推進(jìn)，以及 TWS 耳機(jī)功能的日益增多，NOR Flash 產(chǎn)品將有望迎來更多增量需求。 三、中國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模及

4、產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體存儲器作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”，其在單價及數(shù)量上均呈現(xiàn)較強(qiáng)的周期性變化，主要系因為半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的通用性較高，導(dǎo)致各廠商在行業(yè)景氣度上行周期擴(kuò)產(chǎn)增收、在景氣度下行周期降價清理庫存；同時半導(dǎo)體存儲器的市場集中度較高，為了維持存儲產(chǎn)品的市場份額，當(dāng)一家廠商在景氣度上行周期擴(kuò)產(chǎn)時，通常其他廠商也會跟隨擴(kuò)產(chǎn)，從而逐步造成產(chǎn)能過剩出現(xiàn)供過于求的市場情況，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品價格下跌，而行業(yè)處于產(chǎn)能收縮期時，由于相反的原因，最終導(dǎo)致市場需求大于供給，半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品價格逐步上漲，形成一定周期性。 與國外發(fā)達(dá)國家和地區(qū)相比，我國半導(dǎo)體存儲器仍處于明顯弱勢地位。2020年中國半導(dǎo)體存儲器銷

5、售收入692.6億元，同期進(jìn)口金額高達(dá)6608.7億元，出口3890.5億元，測算國內(nèi)市場規(guī)模3410.8億元。中國半導(dǎo)體存儲器的自給率處于較低水平，令中國半導(dǎo)體存儲器自主可控的需求更為迫切。 從細(xì)分市場來看，目前，我國半導(dǎo)體存儲器市場主要集中在DARM和NAND Flash領(lǐng)域。2020年我國DRAM市場規(guī)模1961.2億元，NAND Flash 1367.7億元，NOR Flash及其他規(guī)模81.9億元。 2020年，中國DARM市場規(guī)模占比為57.5%；NAND Flash市場規(guī)模占比為40.1%；而NOR Flash及其他市場規(guī)模占比僅2.4%。 三、中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)企業(yè)發(fā)展及市場

6、份額 中國大陸地區(qū)的存儲業(yè)剛剛起步，現(xiàn)已全面展開。首先從日本、韓國和臺灣的發(fā)展歷程出發(fā)，分析借鑒產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程和各種必要條件。值得注意的是，在目前的市場中，日本、韓國和臺灣在產(chǎn)業(yè)上有很大的不同，日本從輝煌到下滑（現(xiàn)在只在NAND Flash中保持話語權(quán)），韓國繼續(xù)保持強(qiáng)大的競爭力（三星和海力士占據(jù)核心份額），而臺灣則目前只有南亞、華亞科、旺宏在利基市場占有相應(yīng)的份額。 中國作為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售地區(qū)，存儲器一直幾乎處于半空白狀態(tài)，僅有的中芯國際和華虹半導(dǎo)體的存儲器代工業(yè)務(wù)也隨著客戶退出而基本退出。從 2016 年開始，中國大陸也啟動了存儲器行業(yè)的投資和推進(jìn)，具備規(guī)模代表性的包括了武漢、合肥

7、和廈門三大存儲器基地。 三大存儲器基地的正式啟動基本都在 2016 年，借助國家和地方層面對于產(chǎn)業(yè)支持的政策，前期三大生產(chǎn)基地均投入了大規(guī)模的資本進(jìn)行推動，合計投入金額預(yù)計超過 2500 億人民幣，并且也在設(shè)備、人才、技術(shù)方面同步發(fā)展，盡管三地面臨的發(fā)展過程有著不同的波折，但是整體仍然處于崛起的過程中。 半導(dǎo)體存儲器行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型行業(yè)，資本壁壘和技術(shù)壁壘較高，目前行業(yè)內(nèi)僅有少數(shù)幾家規(guī)模和技術(shù)實力較為雄厚的企業(yè)可以實現(xiàn)半導(dǎo)體存儲器的生產(chǎn)，行業(yè)集中度較高。與國外半導(dǎo)體存儲器行業(yè)對比，我國半導(dǎo)體存儲器企業(yè)實力較為薄弱。大陸龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新2020年半導(dǎo)體存儲器銷售額32.83億元，占國內(nèi)總營收份額僅4.7%。 在國家政策的支持以及激烈市場競爭的驅(qū)動下，預(yù)計未來我國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)競爭將會更加激