反擊式開關(guān)電源RCD吸收電路的設(shè)計計算

1、反擊式開關(guān)電源RCD吸收電路的設(shè)計對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選 擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即 要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）在討論前我們先做幾個假設(shè)，開關(guān)電源的工作頻率范圍:20200KHZ；RCD中的二極管正向?qū)〞r間很短（一般為幾十納秒）；在整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進行計算： 一、首先對MOS管的VD進行分段:i，輸入的直流電壓VDCDCii，次級反射初級的VORiii，主MOS管VD余量VDSiv，RCD吸收有效電壓VRc

2、niRCD1二、對于以上主MOS管VD的幾部分進行計算:i，輸入的直流電壓VDCDC在計算VDC時，是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V，即DC375V。ii，次級反射初級的VORVOR是依在次級輸出最高電壓，整流二極管壓降最大時計算的，如輸出電壓 為：5.0V5%（依Vo=5.25V計算），二極管VF為0.525V （此值是在1N5822的資 料中查找額定電流下VF值）.VOR=（VF +Vo）*Np/Ns主MOS管VD的余量VDSVDS是依MOS管VD的10%為最小值.如KA05H0165R的VD=650V應(yīng)選擇DC65V.Vds=Vd*10%RCD 吸收 VRCDRCDMO

3、S管的VD減去i,iii項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應(yīng)為最大 值的90% （這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移 等因素的影響）。Vrcd=（Vd-Vdc -Vds）*90%注意：vrcd是計算出理論值，再通過實驗進行調(diào)整，使得實際值與理論值相 吻合VRCD必須大于VOR的1.3倍.（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太 低了）MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍.（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過大 了）如果VRCD的實測值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。VRCD是由VRCD1和VOR組成的V，RC時間常數(shù)T確定t是

4、依開關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇1020個開關(guān)電源周期。三、試驗調(diào)整vrcd值首先假設(shè)一個RC參數(shù)，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市電，應(yīng)遵循先 低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓 值，務(wù)必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達計算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值 減小后，重復(fù)以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接 到輸入電解電容“ + ”極的RC 一點上，測試點接到RC另一點上）一個合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓，最重的電源負載下，VRCD的試驗值 等于理論計算值。四、試驗中值得注意的現(xiàn)象輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓， 重負載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相 矛盾哪？ 一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸 入電壓。重負載是指開關(guān)電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的 極限功率。五、RCD吸收電路中R值的功率選擇R的功率選擇是依實測VRCD的最大值，計算而得。實際選擇的功