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文檔簡介

1、T3/E3/STS-1 LIU的回波損耗測量本應(yīng)用筆記講述如何測量Dallas Semiconductor公司的線路接口單元LIU)和單芯片收發(fā)器包括DS3150、DS315x、DS325x、DS3170、DS317x和DS318x)的回波損耗。本文還對回波損耗的定義、要求、測量以及改進方法進行了論述。回波損耗定義當(dāng)高速信號到達(dá)傳輸線路的終端時,如果傳輸線路沒有很好地端接,部分信號能量將會向發(fā)送器反射。該反射信號與原 始信號混合,這將導(dǎo)致原始信號失真,使LIU接收器很難正確恢復(fù)時鐘和數(shù)據(jù)?;夭〒p耗是原始信號與反射信號的功率比(用dB表示)。因此,回波損耗表示的是反射信號的相對大小,同時也反映了

2、 傳輸線路終端的匹配度或者說失配度。如果在給定頻率下測得LIU卡的回波損耗為20dB,則表明在該頻率下反射信號 比原始信號功率小20dB?;夭〒p耗要求對于E3、ITU G.703和ETS 300-686,規(guī)定的輸入回波損耗如表1所列,輸出回波損耗如表2所列。表1.輸入端最小回波損耗Frequency Range Return Loss860kHz to 1720kHz 12dB1720kHz to 34368kHz 18dB34368kHz to 51550kHz 14dB表2.輸出端最小回波損耗Frequency Range Return Loss860kHz to 1720kHz 6dB1

3、720kHz to 51550kHz 8dBDallas Semiconductor 的 LIU 回波損耗測量ETS 300-686規(guī)范中的A.2.5和A.2.6細(xì)則描述了測量E3回波損耗的測試設(shè)備和程序。圖1所示的測試裝置用于測 量輸入回波損耗,并驗證其是否符合表1所列出的要求。輸出回波損耗的測量裝置與之相似,只是測量裝置被連接到了 發(fā)送器的輸出而非接收器輸入。圖1裝置中,回波損耗電橋采用的是Wide Band Engineering公司的A57TLSTD。兩個50/75”阻抗轉(zhuǎn)換器(Wide Band Engineering的A65L)用來連接75叫電橋與50叫信號發(fā)生器和50&】頻譜分析

4、儀端口。圖1中橋右側(cè)的75精密電阻是回波損耗橋的組成部分。Advantest的R3132頻譜分析儀作為信號發(fā)生器和頻譜分析儀。圖1.回波損耗測量裝置 在圖1裝置中,發(fā)生器在860kHz至51550kHz的頻率范圍內(nèi),提供峰值為1V的正弦信號。若要在測量回波損耗之前檢查測試裝置,電橋的NTP接口(圖1中左側(cè)的接口)應(yīng)連接至75】 0.25%的測試負(fù)載。在圖1裝置中,這個精密電阻是Wide Band Engineering公司的回波損耗橋中的一個元件 用該電阻作為測試負(fù)載時, 回波損耗應(yīng)比表1所要求的回波損耗高出20dB以上。圖2所示為使用圖1裝置、在75】 0.25%測試負(fù)載下所測得的回波損耗。

5、1720kHz頻率下,該裝置測量所得的回波損耗為45.27dB。圖2. 751測試負(fù)載的回波損耗將電橋的NTP接口連接至DS3150DK評估板的接收端口,并采用330標(biāo)準(zhǔn)端接電阻,在1720kHz頻率下所測量的回波損耗為15.27dB,如圖3所示。該值并不能滿足表1中的要求。下面將闡述如何改進回波損耗以滿足那些要求。Fl I 20K做網(wǎng)心:0.1 州hMR 1.72 Mir1Q/虬EWiHim U5-Z/ fMSWT 卷站 k)7SUV1 51 Mi Mir昂州知0 旺VBV klb SW 30 n ATT ISdfi圖3. DS3150DK 的回波損耗改進DS3150應(yīng)用電路的回波損耗有多種

6、方法可以對DS3150 LIU的回波損耗加以改進:終端電阻值由330改為390&】。用T3002變壓器替代PE-65968變壓器,并在一次側(cè)繞組上增加一個100nH串連電感。通過改變終端電阻(從330U到3900改善DS3150的回波損耗DS3150接收器的標(biāo)準(zhǔn)端接網(wǎng)絡(luò)如圖4所示。由于嚴(yán)格依照正確的特性阻抗對PC板布線非常困難,因此通常需要對理想的330“終端電阻值進行調(diào)節(jié),以改善回波損耗。RECEIVE圖4. DS3150DK的原始終端網(wǎng)絡(luò)使用DS3150DK電路板時,用390W電阻替換330“終端電阻,可以大大改善回波損耗。采用390“終端電阻時,DS3150DK在1720kHz頻率下的回

7、波損耗為18.01dB (圖5),而在34.01MHz頻率下的回波損耗為23.39dB (圖 6)。以上這兩個值都能滿足表1中的要求。圖5. DS3150DK終端網(wǎng)絡(luò)經(jīng)調(diào)整后,在1720kHz頻率下的回波損耗Frl 2CK HW m C5:34RET 0.1 dDMIR M.01 潮也1(M/Ha 點一軻血圖6. DS3150DK終端網(wǎng)絡(luò)經(jīng)調(diào)整后,在34.01MHz頻率下的回波損耗通過改變變壓器,并增加一個100nH的一次側(cè)繞組串連電感,改善DS3150的回波損耗在本例中,對DS3150DK評估板作了如下調(diào)整:替換PE-65968變壓器為T3002變壓器;在一次側(cè)繞組上串連一個100nH電感。

8、經(jīng)過調(diào)整后,采用標(biāo)準(zhǔn)終端網(wǎng)絡(luò)的DS3150接收器示于圖7。100 nHRXRINGRX_LLS330 CHM UC-LTILn-HE圖7.調(diào)整后的DS3150DK終端網(wǎng)絡(luò)圖8.調(diào)整終端網(wǎng)絡(luò)后的DS3150DK在1720kHz處的回波損耗圖9.調(diào)整終端網(wǎng)絡(luò)后的DS3150DK在34.01MHz處的回波損耗結(jié)束語本文所述的回波損耗測量技術(shù)和終端電阻調(diào)節(jié)也適用于其他Dallas Semiconductor的DS3/E3/STS-1線路接口單元 (LIU)和單片收發(fā)器(SCT)。應(yīng)首先采用330,】標(biāo)準(zhǔn)終端電阻對電路板進行測量,之后再決定是否需要調(diào)整設(shè)計以滿足 回波損耗規(guī)范。如果采用330“終端電阻時,回波損耗不能滿足要求,可以采用調(diào)整終端電阻,或在一次側(cè)串連電感的 方法,來嘗試改進回波損耗。如果您有關(guān)于回波損耗或Dallas Semiconductor電信產(chǎn)品使用中的任何其他問題,請通過電郵 HYPERLINK mailto:telecom.support telecom.support (English only)或電話(1-972-371-6555)聯(lián)絡(luò)我們的電信產(chǎn)品應(yīng)用支持。We Want Your Feedback!Love it? Hate it? Think it could

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