2020年全球及中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)格局發(fā)展趨勢分析圖

1、2020年全球及中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)格局發(fā)展趨勢分析圖 一、全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)開始復(fù)蘇 北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商 北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商20 年1月出貨同比高增長 月出貨同比高增長。2020年1月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額20.45億美元，同比增長22.9%。自2019年5月以來北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額降幅逐漸收窄、并逐步增速轉(zhuǎn)正。當(dāng)前已經(jīng)連續(xù)4個(gè)月增速持續(xù)回升、增速提升顯著，且今年1月出貨額絕對值是歷年來1月出貨額的次高水平（最高為2018年1月的23.70億元）。全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正迎來復(fù)蘇。 預(yù)計(jì)2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場576億美元，同比下降10.5%；預(yù)計(jì)2020年重回增長達(dá)到608億

2、美元，同比增長5.5%；預(yù)計(jì)2021年全球銷售額將進(jìn)一步增長9.8，達(dá)到668億美元，創(chuàng)下歷史新高，并且到2021年，中國大陸將成為半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場，規(guī)模達(dá)164.4億美元。北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額（億美元）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 預(yù)計(jì)2019年全球半導(dǎo)體銷售額為4090億美元，同比下滑12.8%。其中存儲(chǔ)器銷售額1059億美元，同比下降33%；模擬半導(dǎo)體銷售額541億美元，同比下降7.9；微處理器657億美元，同比下降2.3；邏輯元件1046億美元，同比下降4.3。對2020年全球半導(dǎo)體市場發(fā)展持樂觀態(tài)度。預(yù)計(jì)2020年半導(dǎo)體有望逐漸

3、恢復(fù)增長，全球銷售額將增加5.9，達(dá)到4330億.27億美元。 由于5G正式進(jìn)入商用階段，再加上數(shù)據(jù)中心相關(guān)投資的恢復(fù)以及新一代游戲機(jī)即將推出，2020年半導(dǎo)體市場增速有望轉(zhuǎn)負(fù)為正，包括模擬半導(dǎo)體、微處理器、傳感器、芯片、內(nèi)存等產(chǎn)品，都有望重新迎來正增長。全球半導(dǎo)體銷售額（億美元）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 從全球半導(dǎo)體行業(yè)投資結(jié)構(gòu)看，邏輯晶圓廠商投資積極（包括IDM廠商與晶圓代工廠），是帶動(dòng)此輪全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進(jìn)入新一輪增長期的主要?jiǎng)恿?，而存?chǔ)器投資啟動(dòng)遲緩。 由于5G、高效能運(yùn)算（HPC）等推動(dòng)先進(jìn)邏輯制程市場需求、中長期看成長動(dòng)能充足，2019年包括臺積電、英特爾、三星晶圓代工等資本支出都

4、創(chuàng)下新高，并且對未來幾年資本開支維持樂觀。 由于內(nèi)存價(jià)格在2018-2019年的大幅下跌，包括美光、SK海力士等大廠都削減了2019年資本支出。英特爾、臺積電 、中芯國際資本開支（億美元）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 海外半導(dǎo)體設(shè)備巨頭迎來業(yè)績向上拐點(diǎn) ， 主要是邏輯客戶需求帶動(dòng) ，而存儲(chǔ)器客戶需求有企穩(wěn)現(xiàn)象。包括ASML、科天半導(dǎo)體、泰瑞達(dá)、東京電子等19Q4收入均實(shí)現(xiàn)環(huán)比及同比正增長，同時(shí)毛利率迎來回升?？傮w上，需求的增長動(dòng)力來自邏輯客戶，存儲(chǔ)器客戶收入仍在下滑。但處在設(shè)備鏈條前端的光刻機(jī)情況看，存儲(chǔ)器客戶的需求有企穩(wěn)現(xiàn)象。 科磊2019Q4實(shí)現(xiàn)營收15.09億美元，同比增35%（連續(xù)4個(gè)季度增

5、速上行）；實(shí)現(xiàn)Non-GAAP凈利潤4.22億元，同比增13%。收入細(xì)分領(lǐng)域方面，F(xiàn)oundry增長強(qiáng)勁，Memory仍處負(fù)增長。Semiconductor Process Control（SPC，占總營收83%）中，Memory占比40%（YoY -25%，連續(xù)5個(gè)季度負(fù)增長），F(xiàn)oundry 占比52%（YoY+148%），Logic占比8%（YoY -39%）。 東京電子2019Q4實(shí)現(xiàn)營收約2954億日元（YoY +10%），毛利率39.8%，歸母凈利潤493億日元（YoY +1%），同時(shí)營收和利潤同比增速均扭轉(zhuǎn)了前3個(gè)季度的負(fù)增長態(tài)勢轉(zhuǎn)負(fù)為正。按下游領(lǐng)域來分（僅針對SPE，F(xiàn)PD營收

6、不分類），DRAM設(shè)備占比13%（YoY -21%），Non-volatile Memory設(shè)備占比14%（YoY -45%），F(xiàn)oundry設(shè)備占比19%（YoY +270%），MPU/AP等設(shè)備占比25%（YoY +140%）。ASML 營業(yè)收入與毛利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理應(yīng)用材料營業(yè)收入與毛利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理科磊營業(yè)收入與毛利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理泰瑞達(dá)營業(yè)收入與毛利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 二、國內(nèi)現(xiàn)狀及格局 HYPERLINK /research/201911/802189.html 智研咨詢發(fā)布的2020-2026年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查及投資發(fā)展?jié)摿?bào)告數(shù)據(jù)顯

7、示：2019年底我國12英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約90萬片，較2018年增長50%；8英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約100萬片，較2018年增長10%；6英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約230萬片，較2018年增長15%；5英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約80萬片，較2018年下降11%；4英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約260萬片，較2018年增長30%；3英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約40萬片，較2018年下降20%。國內(nèi)晶圓廠截止2019 年底裝機(jī)產(chǎn)能（萬片/月）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將充分受益邏輯廠與存儲(chǔ)器廠雙倍投資強(qiáng)度。 晶圓代工廠。代工模式的核心在于“服務(wù)”，晶圓代工廠通常提供一個(gè)工藝技術(shù)平臺，根據(jù)

8、客戶需求提供客制化產(chǎn)品與服務(wù)，發(fā)展壯大的關(guān)鍵在于覆蓋更多的客戶、滿足客戶更多的需求，因而晶圓代工廠的擴(kuò)廠也是為了匹配客戶需求、通常是順應(yīng)市場需求發(fā)展趨勢的。當(dāng)市場需求旺盛時(shí)，積極的資本開支以滿足日益增長的下游需求，也是公司未來成長的動(dòng)力。面向客戶需求，晶圓代工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張情景主要有2類：（1）產(chǎn)能需求。即現(xiàn)有產(chǎn)能利用飽滿，為匹配客戶產(chǎn)能需求而擴(kuò)大產(chǎn)能。（2）工藝需求。即為滿足客戶更多需求或者擴(kuò)大客戶覆蓋面，進(jìn)行工藝升級而新增產(chǎn)能。 2019年以來行業(yè)的積極變化是，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率不斷提升，促使代工廠積極規(guī)劃資本開支。以中芯國際為例，根據(jù)公司季度報(bào)告，中芯國際19Q4的產(chǎn)

9、能利用率進(jìn)一步提升至98.8%，公司計(jì)劃2020年資本開支31億美元，較2019年的20億美元大幅提升。 存儲(chǔ)器廠。與代工廠不同，存儲(chǔ)器廠采用IDM模式，直接提供半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于存儲(chǔ)芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，各家廠商的產(chǎn)品容量、封裝形式都遵循標(biāo)準(zhǔn)的接口，性能也無太大差別，在同質(zhì)化競爭情況下，存儲(chǔ)廠商通過提升制造工藝，提供制造產(chǎn)能，利用規(guī)模優(yōu)勢降低成本，從而贏得市場。為了提高競爭力、搶占市場份額，存儲(chǔ)器廠可能采取逆市擴(kuò)張的策略。 當(dāng)前中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)面臨重大機(jī)遇，促使國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商積極進(jìn)行工藝研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)，長期性與規(guī)模性的下游投資將對國產(chǎn)裝備創(chuàng)造極佳的成長環(huán)境。其中長江存儲(chǔ)與合肥長鑫都將在2020年

10、進(jìn)入積極的產(chǎn)能爬坡期，預(yù)期將促使設(shè)備需求大幅增長。19年Q4長江存儲(chǔ)產(chǎn)能2萬片/月（12英寸），20年底有望擴(kuò)產(chǎn)至7萬片/月；合肥長鑫目前產(chǎn)能2萬片/月，預(yù)計(jì)2020年第一季度末達(dá)到4萬片/月。 1、臺積電 臺積電營業(yè)收入和同比增速數(shù)據(jù)來源：公開資料整理臺積電毛利率和凈利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)（不包括存儲(chǔ)器）收入下滑3%，晶圓代工行業(yè)收入持平，公司全年收入（美元口徑）增長1.3%超過行業(yè)整體水平。展望2020年，公司預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體行業(yè)（不包括存儲(chǔ)器）收入增長8%，晶圓代工行業(yè)收入增長17%，公司有信心實(shí)現(xiàn)超過行業(yè)整體的增速水平。在5G和HPC的推動(dòng)下，公司預(yù)計(jì)其未來

11、收入復(fù)合增速有望于原有5%10%目標(biāo)的上限附近。 臺積電收入增長周期大致在2年左右，每一輪周期收入增速的訂單通常對應(yīng)著當(dāng)時(shí)先進(jìn)制程收入占比達(dá)到40%50%水平。5G 及 HPC 芯片因?yàn)橐幚泶罅抠Y料傳輸及運(yùn)算，功耗大幅提升，所以需要采用 7 納米或 5 納米等先進(jìn)制程。隨著5G商用持續(xù)推進(jìn)，從2019年4季度開始，基地臺及智慧型手機(jī)芯片的晶圓代工需求強(qiáng)勁增加，至于 5G 帶來的大數(shù)據(jù)分析需求也讓 HPC 芯片的晶圓代工訂單大增。 19Q4臺積電晶圓收入中7nm收入占比已經(jīng)達(dá)到35%，10nm占比1%，16nm占比20%，先進(jìn)制程收入占比合計(jì)達(dá)到56%，相比Q3的51%繼續(xù)大幅提升。根據(jù)臺積電

12、19Q4業(yè)績報(bào)告，公司預(yù)計(jì)2020年上半年實(shí)現(xiàn)5nm量產(chǎn)，下半年在移動(dòng)終端和HPC的需求下將快速擴(kuò)產(chǎn)，2020年全年預(yù)計(jì)5nm貢獻(xiàn)晶圓收入的10%。 臺積電作為全球晶圓代工行業(yè)龍頭，其資本開支計(jì)劃往往順應(yīng)下游需求，當(dāng)下游需求旺盛，則大幅提高資本開支，包括從產(chǎn)能以及先進(jìn)工藝方面來滿足日益增長的下游需求。 基于對未來5G和HPC持續(xù)對先進(jìn)制程產(chǎn)生強(qiáng)烈需求的判斷，Q3法說會(huì)上臺積電將2019年全年資本開支指引由1011億美元大幅上修至1415億美元，Q4公司投入資本開支56億美元，2019年全年資本開支達(dá)到149億美元接近指引上限。展望2020年，公司規(guī)劃資本開支區(qū)間在150160億美元區(qū)間，其中8

13、0%用于投入7nm及以下先進(jìn)制程。臺積電收入增速、凈利潤增速與資本開支增速數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 2、中芯國際 由于TWS、多攝像頭、超薄指紋識別等持續(xù)滲透，中芯國際的CIS、Power IC、Fingerprint IC、Bluetooth IC以及Specialty Memory等產(chǎn)品下游需求保持旺盛，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，公司產(chǎn)能利用率持續(xù)提升。 2019Q4公司產(chǎn)能利用率達(dá)到98.8%，已經(jīng)是2016年以來最高水平，較上一季度繼續(xù)提升1.8個(gè)百分點(diǎn)，較上年同期提升8.9個(gè)百分點(diǎn)。2019Q4中芯國際實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入8.39億美元，同比增長6.6%，結(jié)束了連續(xù)3個(gè)季度的持續(xù)下滑；2019Q4公

14、司毛利率23.8%，較上一季度提高3.0個(gè)百分點(diǎn)，較上年同期提高6.8個(gè)百分點(diǎn)，主要得益于產(chǎn)能利用率的持續(xù)提升。根據(jù)19Q4業(yè)績報(bào)告，預(yù)計(jì)2020年將重啟成長。目前看一季度營收比季節(jié)性來得好。2020Q1公司收入指引仍保持環(huán)比增長（2%2%），得益于成熟制程產(chǎn)能利用率的持續(xù)滿載；毛利率指引略有下滑（由23.8%下滑至21%23%），下滑主要由于14nm產(chǎn)能開始爬坡。中芯國際凈利潤與產(chǎn)能利用率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理中芯國際營業(yè)收入與毛利率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 半導(dǎo)體國產(chǎn)化持續(xù)加速。2019Q4中芯國際與華虹半導(dǎo)體營業(yè)收入中，來自中國區(qū)收入占比分別達(dá)到65.1%、63.2%，分別較2019Q1提

15、高11.2個(gè)百分點(diǎn)、10.4個(gè)百分點(diǎn)，顯示半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)程加速。中芯國際與華虹半導(dǎo)體來自中國區(qū)收入占比數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 2019Q4中芯國際資本開支4.92億美元，2019年全年資本開支20.29億美元，略高于2018年資本開支18.13億美元，接近公司在2018Q4給出的19年資本開支指引21億美元。為了順應(yīng)下游客戶需求，公司在季報(bào)中提出，將啟動(dòng)新一輪資本支出計(jì)劃，公司計(jì)劃2020年用于晶圓廠運(yùn)作的資本開支約為31億美元，其中20億美元用于擴(kuò)充擁有多數(shù)股權(quán)的上海300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年為12億美元；5億美元用于擴(kuò)充多數(shù)股權(quán)的北京300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年該項(xiàng)資本支出計(jì)劃為2億美元。 2019年9月華虹無錫廠12寸線建成投片，開始55納米芯片產(chǎn)品制造，該項(xiàng)目總投資100億美元，月產(chǎn)能4萬片。該項(xiàng)目于18年3月開工，目前已完成1萬片產(chǎn)能所需的設(shè)備安裝和調(diào)試，通線投產(chǎn)后將迅速爬坡，形成量產(chǎn)能力。 2019年公司用于華虹無錫12寸廠的資本開支合計(jì)7.91億美元；用于華虹宏力8寸廠的資本開支合計(jì)1.3