計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)教案

1、- -第三節(jié)CPU的發(fā)展一、Inter公司的CPU1、40041971年11月，英特爾公司推出世界上第一個微處理器英特爾4004芯片。這是一個具有4比特總線配置、108千赫的芯片，做在一個3毫米X4毫米的掩模上,有2250個晶體管，每秒運(yùn)算量高達(dá)6萬次,售價為200美元的芯片,在電腦業(yè)掀起了滔天巨浪。此后，Intel更是一發(fā)而不可收,1985年推出386處理器系列，1988年486問世，1993年推出功能更為強(qiáng)大的Pentium芯片，此后，Intel以10倍速的速度奔騰向前，使計(jì)算機(jī)奔向世界各地。Intel4004催生了個人電腦,成為大型機(jī)與小型機(jī)的終結(jié)者，成就了COMPAQ與DELL，促進(jìn)了

2、信息產(chǎn)業(yè)的繁榮與發(fā)展.Intel4004的橫空出世引發(fā)計(jì)算機(jī)業(yè)第二次工業(yè)革命.2、80801972年Intel公司推出8位8008，所圖3-4所示。但速度慢，功能不足。1974年推出8080，時鐘2MHz控制64KB內(nèi)存。3、80861978年Intel公司推出，16位8086（又稱為80186）最大控制內(nèi)存為10時鐘4077MHz，使用了X88指令集。所圖35所示4、80286:1982年推出，集成125萬個晶體管，時鐘6MHz-25MHz，具有16位的數(shù)據(jù)和地址總線的Intel80286。5、803861985年推出，具有32位的數(shù)據(jù)和地址總線，采用2微米，最大控制內(nèi)存為4096K，主頻1

3、6M40MHz的Intel80386。可分為80386SX和80386DX。80386SX為準(zhǔn)32位即內(nèi)部為32位外部為16位,80386DX為真32位即內(nèi)、外總線全為32位。1989年集成120萬，采用1微米制做工藝，內(nèi)部集成8K的Cache和能進(jìn)行浮點(diǎn)運(yùn)算的NPU,并且CPU芯片與主板分開，是32位的地址和數(shù)據(jù)總線，分為80486SX和80486DX。486SX的工作頻率為16/20/25/33，無NPU,486DX的工作頻率為25/33/50,存在NPU。7、Pentium/5861993年3月Intel公司推出PentiumCPU為第一代奔騰產(chǎn)品，采用0.8微米的制造工藝，核心為5V的

4、電壓，屬于64位處理器，其主頻為60/66MHZ,集成310萬晶體，具有2條通道。隨后又相應(yīng)推出PentiumPRO（高能奔騰）和PentiumMMX（多能奔騰）兩款產(chǎn)品。注：相同產(chǎn)品有AMD的K5、K6和Cyrix的6X86、6X86MX。8、PentiumII1997年5月，第一塊PII問世，同時PII有眾多的分支和系列產(chǎn)品。（1）.第一代PII：運(yùn)行在66MHz總線上，主頻為233、266、300、333四款，生產(chǎn)工藝為0。35微米，內(nèi)含750萬個晶體管，集成了32KB的L1（分為16KB指令緩存和16KB的數(shù)據(jù)緩存）和256KB的L2,包含57條MMX指令，采用Slot1構(gòu)架擊跨對手。

5、（2）.第二代PII,1998年生產(chǎn)，采用0。25微米的生產(chǎn)工藝,880萬個晶體管。同時推出高端工作站和服務(wù)器的PllXeon（至強(qiáng)）處理器，主頻為400MHz,外頻為100MHz。9、Celeron（賽揚(yáng)）1998年推出低端市場的Celeron處理器，是PII的簡化版，早期內(nèi)部無L2，但在Celeron300A以后加入了L2，并開始采用0。25微米工藝,此后相斷推出CeleronCeleronlll和Celeron4.10、PIII/PIV1999年推出第一款Pill采用Slot構(gòu)架，外頻為100/133MHz，0.25微米工藝，主頻在450-600MHz之間，支持SSE指令集。隨后推P4，

6、時鐘頻率為1.4G1。5G,0。18微米的生產(chǎn)工藝，1.7V電壓，外部頻率為400MHz。二、AMD公司的新款CPU1Athlon（K7）Athlon（阿斯龍）又叫K7，如圖3-12所示。此款產(chǎn)品相對于AMD以前的產(chǎn)品可算是革命性的進(jìn)步,它不是直接拷貝Intel的架構(gòu)，而是創(chuàng)造了一種屬于自己的PC做為CPU業(yè)界中的亞軍一AMD,可謂無人不知，無人不曉。AMD,這家以高尖端技術(shù)設(shè)計(jì)和制造大規(guī)模集成電路的廠商，創(chuàng)業(yè)來一直致力發(fā)展和推動著計(jì)算機(jī)事業(yè)的行進(jìn)腳步。在近三十年的與INTEL的抗?fàn)幹?，AMD穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷地革新技術(shù)，以自己的圖3-12AMDAthlon64實(shí)力驗(yàn)證著AMD的業(yè)績，正是因?yàn)锳M

7、D，才打碎了INTEL壟斷CPU世界的夢想，也是因?yàn)锳MD，才有了像K62樣性價比優(yōu)異的產(chǎn)品面世。從早期跟隨INTEL后塵生產(chǎn)圖3-12AMDAthlon64K6/K62/K63，AMD才真正逐步樹立起了自己巨人的形象。但AMD并沒有沾沾自喜，因?yàn)閿[在AMD面前的路仍然很崎嶇，面對著INTEL一次次強(qiáng)大的攻勢，1999年的6月23日，AMD終于傾盡全力發(fā)布了最新的高端處理器Athlon(原名為K7)。Athlon的出現(xiàn)，無疑又一次掀起商戰(zhàn)的波瀾，其銳利的矛頭直接指向INTELPIIIo技術(shù)指標(biāo):Athlon(K7)究竟有什么特別之處呢?首先讓我們來看看他的技術(shù)指標(biāo)。Athlon(K7)為了超越

8、INTEL的PIII，在Athlon(K7)使用了一種全新的技術(shù)，是Digital的Alpha系統(tǒng)總線協(xié)議的EV6,EV6的優(yōu)點(diǎn)很多,單單就說他的亂序執(zhí)行指令就是獨(dú)道之處，他不同于以往的INTEL的GTL+(P6)總線結(jié)構(gòu),其執(zhí)行指令時是隨機(jī)性的亂序執(zhí)行，即哪條指令先分配，則先執(zhí)行哪一條，然后交付其它設(shè)備工作,與INTEL老式的流水線計(jì)算方式比較，具有更高的命中率、和突發(fā)的時效性，提高了運(yùn)算的速度和成功率另外Athlon(K7)可以支持128K的一級CACHE及大至8M的二級CACHE，這讓人眼睛噴火的配置是絕對的頂極產(chǎn)品，一改AMD過去總是跟班的角色，一舉將INTEL的XEON做為對手，進(jìn)軍

9、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器的市場高速64位的系統(tǒng)總線接口(SLOTA)和高達(dá)200MHZ的系統(tǒng)總線，一舉跨越了目前所有的CPU產(chǎn)品，比INTEL預(yù)計(jì)的下個世紀(jì)產(chǎn)品MERSED還略勝一籌。此外，與PIII的結(jié)構(gòu)特性對照見下表：的確，AMD在K5與PENTIUM,K6與MMX，K62與PII相比仍然是有差距的，直到K63的出現(xiàn)，才有了超越INTELPII的整數(shù)性能的消息，但浮點(diǎn)性能弱一直是AMD的心病.這也一直是影響AMD的名譽(yù)的大事.令人可喜的是，Athlon(K7)使用了全新的設(shè)計(jì)生產(chǎn)技術(shù)，而使得AMD繼續(xù)保持整數(shù)方面優(yōu)勢，絕對的超越了INTELPIII.在浮點(diǎn)方面，因?yàn)锳MD改進(jìn)了技術(shù)，使用了先進(jìn)的FPU，

10、使得其性能將超越X86型處理器2倍以上，再配合AMD的專利技術(shù)3DN0W!的浮點(diǎn)性能大大提高，雙管齊下，全面超過了INTELPIII的性能。與此同時,AMD也將是第一個生產(chǎn)SMP能力的PC級CPU,將標(biāo)志著AMD也可以設(shè)計(jì)生產(chǎn)出雙CPU乃至四個CPU的系統(tǒng)！(這以前一直是INTEL的專利)，為AMD進(jìn)軍高端的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器奠定了基礎(chǔ)。Athlon(K7)的配套設(shè)備：因?yàn)锳thlon(K7)使用的是全新的AlphaEV6技術(shù)，所以它標(biāo)志著他與目前的所有芯片組、主板都不兼容，因?yàn)锳MD獨(dú)自研發(fā)了以適用于Athlon(K7)的全新芯片組，并且將其授權(quán)給第三方芯片制造商及主板廠商，以全面開拓市場。這第一款

11、芯片組是AMD751和AMD756，其結(jié)構(gòu)型式類似于南北橋技術(shù).而且CPU的接口插座也與PII/PIII類似，但不同的是，Athlon(K7)總線頻率為200MHZ，所以采用的是SLOTA結(jié)構(gòu)。所以Athlon(K7)的主板即不能使用以往的K62/K63，也同樣不能使用PII/PIII。反之，SLOT1的主板也不能使用Athlon(K7),這將標(biāo)志著,AMD首次研發(fā)新的接口技術(shù)與INTEL對壘,而不會再出現(xiàn)原來拼命嚼人家吃剩的饅頭(由SOCKET7過渡到SUPER7)的經(jīng)歷了。目前，據(jù)消息，芯片廠商VIA威盛，ALI揚(yáng)智已獲得AMD的芯片組授權(quán)，以設(shè)計(jì)生產(chǎn)兼容的芯片組，而微星、浩鑫等主板廠家也

12、將在第一時間推出基于SLOTA芯片組結(jié)構(gòu)的主板，以配合Athlon(K7)的上市為用戶提供一個性能優(yōu)異、價格低廉的解決方案。喜新不厭舊是Athlon(K7)的又一大特點(diǎn)，Athlon(K7)的首次出現(xiàn)，并不代表就要拋棄所有的舊設(shè)備，在SLOTA+Athlon(K7)的組合上，你仍舊可以使用目前的SDRAM及AGP顯示卡，而且SLOTA技術(shù)仍然支持PCI/ISA設(shè)備,及普通IDE接口的硬盤.因?yàn)槿苋肓巳碌姆诸l技術(shù)，而使得這些設(shè)備不會被丟棄。但同時,Athlon(K7)又加入了許多的新技術(shù)，如對未來的RAMBUS高速內(nèi)存的支持就是很好的證明.2.Duron(毒龍)Duron處理器的原來代號為Sp

13、itfireDuron處理器是AMD面向低端市場的產(chǎn)品，采用SocketA(Socket462)架構(gòu)，如圖3-13所示.Duron處理器與目前Athlon處理器一樣，都是采用AMD第7代X86核心架構(gòu)，使用200MHz系統(tǒng)總線，L1Cache為128KB，L2Cache為64KB，采用與處理器同速的內(nèi)嵌式方式，使用0。18卩m的制造工藝，并加入新一代3Dnow!指令集。AMD公司參與CPU市場的競爭已經(jīng)有很長一段時間了，卻一直缺乏擊敗其最大對手Intel的有效武器，所以很長一段時間在CPU市場的競爭上無法占據(jù)主動。尤其在中檔家用這一塊市場上,AMD更是沒有出色的產(chǎn)品可以對抗Intel的Cele

14、ron系列。顯然AMD公司也不愿意情況這樣一直持續(xù)下去，因此當(dāng)其強(qiáng)力產(chǎn)品Athlon速龍?jiān)诟叨薈PU市場取得節(jié)節(jié)勝利的時候,適時地推出了Athlon速龍的簡化版Duron毒龍?zhí)幚砥鳎云谠谥袡nCPU市場這塊大蛋糕上劃分出大大一塊放入自己的盤中。AMD推出Duron的目的就是和Celeron爭奪中檔市場消費(fèi)者.雖然Duron處理器的價格非常低，但其性能卻不容忽視，據(jù)說它的整體性能已經(jīng)接近完整版產(chǎn)品Athlon處理器和增強(qiáng)版產(chǎn)品Thunderbird處理器，連Intel的主流產(chǎn)品PentiumIII處理器的市場份額都受到了Duron毒龍的影響。三、主流CPU比較雖然Duron處理器是Athlon處

15、理器的簡化版，和Athlon處理器有很多相似之處，但是它并不像Celeron處理器那樣完完全全是其父版處理器PentiumIII的簡化版只縮減了128K二級緩沖內(nèi)存。AMD對Duron處理器進(jìn)行了專門設(shè)計(jì)，因此它的核心和Athlon處理器不盡相同。下面的表格記錄的是市場上各種很有代表性的處理器的性能參數(shù)。第四節(jié)CPU雜談一、超頻的原理目前超頻是很熱門的一件事情，特別是某些DIY們，甚至把超頻當(dāng)成了DIY的主要內(nèi)容了。但超頻并非總能成功，有時超頻會導(dǎo)致系統(tǒng)的穩(wěn)定性大幅度下降，甚至導(dǎo)致燒毀芯片。通常你只需改一些跳線就可以完成超頻的工作，必要的時候，你也可能會添加一些配件，通常是一些風(fēng)扇，散熱片等冷

16、卻用的東西。在過去，我們超頻的方法通常是將CPU的時鐘速度加快，比如將P120芯片跳成P133的用。如今，我們可以使用改變主板總線的速度來實(shí)現(xiàn)超頻。為什么不超頻？盡管很多人說超頻對CPU和主板上的元件是有害的，總的說來，超頻對你的計(jì)算機(jī)是沒有損害的，但你需要注意一些問題。你的CPU在超頻的時候，可能會被一種電遷移所損害，這種損害并不會立刻降臨到你的CPU上，只有當(dāng)你的CPU在較高的溫度下運(yùn)行的時候，才會產(chǎn)生通常，一顆CPU的壽命是10年左右，超頻會縮短你的CPU的壽命當(dāng)你使用超頻的時候，必須保證將CPU冷卻到允許的溫度，關(guān)于超頻的一些必要條件：Intel公司生產(chǎn)的芯片的質(zhì)量很好，所以它超頻的成

17、功率是所有CPU中最高的。確認(rèn)你的CPU不是假的，如果你可以很輕易的掀開CPU上面的黑色外殼，那說明它已經(jīng)被RE-MARK過了，這種CPU是不能超頻的主板你必須選擇一塊優(yōu)質(zhì)的主板，它在超頻的情況下能夠產(chǎn)生正常的時鐘信號，減少系統(tǒng)死機(jī)的可能性。你的主板可以提供一個很寬的電壓范圍，你的主板上最好提供2。5到2.9伏的電壓，他們之間的間隔是0.1伏特。如果你的主板可以提供高于3.45伏的電壓，那么你比較容易實(shí)現(xiàn)超頻.內(nèi)存如果你用的是EDO內(nèi)存的話，你最好使用45納秒的高速內(nèi)存，否則它無法應(yīng)付高于66MHZ的總線速度。而使用SDRAM，貝0不必為這個而擔(dān)心。冷卻裝置在超頻中是非常重要的，如果你在超頻以

18、后，可以啟動計(jì)算機(jī)，但在一分鐘之內(nèi)，你的機(jī)器死掉了,這通常是你的CPU過熱的原因。但這并不是說，你總是需要非常好的冷卻裝置，如果你的CPU芯片是按0o35微米的標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的，它就會產(chǎn)生較少的熱量。我們選用的冷卻裝置通常是散熱片，風(fēng)扇或者是同時安裝.你可以在銷售電器的商店里面找到這些設(shè)備。在選購散熱片的時候,你要確信你的CPU和它匹配。散熱片的表面必須與CPU的表面完全的接觸你可以使用硅膠將散熱片與CPU粘在一起，必要的話，在散熱片上可以加裝一個小風(fēng)扇。二、CPU超頻后的工作狀態(tài)正確的超頻首先我們超頻的目的是提高系統(tǒng)的整體性能，其次我們要使計(jì)算機(jī)在超頻以后能穩(wěn)定的運(yùn)行。最后，我們要確保不要將CPU

19、燒掉。當(dāng)你提高系統(tǒng)總線的速度，會使系統(tǒng)的性能提高，但如果你只提高CPU的時鐘頻率，你的系統(tǒng)的整體性能不一定會提高。例如，我們將P166(2o5x66)跳到180(3x60)，它將會降低你計(jì)算機(jī)的性能。同樣的我們將133(2x66)跳到150(3x50)來用，它也不會提高你計(jì)算機(jī)的性能超頻到75或83MHZ時需要注意的問題PCI總線運(yùn)行在37。5或41.6MHZ的時候，會帶來一些問題，最典型的是一些顯示卡，SCSI卡，網(wǎng)卡拒絕工作在這樣高的時鐘速度下，還有一些顯示卡芯片會很燙，如果你將散熱片粘在顯示芯片上就可以了。EIDE硬盤接口的速度不光是受PIO，DMA模式?jīng)Q定的,它也受PCI總線速度的影響

20、。比方說，在60MHZ總線速度下工作的硬盤就比較慢。如果總線速度超過66MHZ，硬盤有可能會工作異常，比如我的硬盤可以在75MHZ下正常運(yùn)轉(zhuǎn)，但在83MHZ下，PIO模式就變?yōu)?了。普通的60納秒的EDO內(nèi)存可以在75MHZ總線速度下工作，但在83MHZ時，你就需要高級的EDO內(nèi)存或者SDRAM了.(高級的EDO內(nèi)存的速度為45納秒)對IntelPentium芯片超頻奔騰處理器是最適于超頻的CPU，而MMX型芯片正常的工作電壓是2.8V，而在超頻的時候，可以將電壓提高到2。9伏，這樣使超頻后的CPU工作更穩(wěn)定。被超頻最多的奔騰芯片*P150它毫無疑問的可以跳成P166來用。三、和Remark的

21、戰(zhàn)爭（1）.開機(jī)測試，進(jìn)行CPU的超頻測試，可以超外頻在20%,條件內(nèi)存要速度。可以查看BIOS,在PowerManagement電源管理找“Vcore”，核心電壓為2.0V,Coppermine電壓1.6T。65V。.雖InterCPU鎖頻了，但在CPU板上焊一個裝置就可改變總線速度和倍頻,電壓在買封裝CPU時,可輕輕搖動CPU聽到有輕微的聲音時，是由芯片此背后的帶有4個小觸點(diǎn)的裝置發(fā)出的。另外鑒別辦法就是看CPU的包裝，印刷在CPU表面文字質(zhì)量,而且還要看價格.要用指甲亂盒裝CPU的塑料薄膜封裝上的水印標(biāo)志。第五節(jié)通過CPU編號選購CPU一、賽揚(yáng)處理器的編號例：FV524RX450128S

22、L36CCOSTARICAL12506650470FV524RX450:其中450指CPU主頻是450MHz128：CPU采用的是128KB的二級緩存SL36C：為CPU的后綴編號COSTARICA:為CPU的產(chǎn)地哥斯達(dá)黎加，MALAY為馬來西亞.L12506650470是CPU的序列號，其中L125是CPU的生產(chǎn)日期為2001年第25周二、賽揚(yáng)P皿和P4（Socket構(gòu)架）例1：800/128/100/1。65Q137A5960909SL4TF800：CPU的工作頻率為800MHz128：CPU采用128KB的二級緩存100：CPU的外頻為100MHz1.65：CPU的核心電壓Q137A59

23、6-0909：CPU的序列號。Q表示產(chǎn)自馬來西亞（0為哥斯達(dá)黎加，1=菲律賓，Y=愛爾蘭），137表示CPU于2001年第37周生產(chǎn)SL4TF:為CPU的后綴編號例2：2。4GB/256/400/1。60VSL6VUMALAYQ343A2592。4BG:CPU的工作頻率為2400MHz256:CPU采用256KB的二級緩存400：CPU的外頻為400MHz1。60V：CPU的核心電壓MALAY:產(chǎn)自馬來西亞SL6VU:為CPU的后綴編號三、PU、P皿（Slot）例：80523PY450512ESL2S72。0VY8130268-079480523：其中的3代表生產(chǎn)工藝（2為0。35微米、3為0

24、。25微米）PY:CPU的外頻（PY為100MHz、PX或P為66MHz、PZ為133MHz）SL2S7：CPU的后綴編號2。0V：CPU的工作電壓Y81302680794：CPU的序列號,Y為產(chǎn)地（同上），813表示1998年第13周生產(chǎn)第四章內(nèi)存計(jì)算機(jī)的存儲器由兩大部份組成內(nèi)存和外存，外存主要有硬盤、光盤等。計(jì)算機(jī)硬盤（或者是軟盤和CD-ROM）就像是個文件柜，桌面就相當(dāng)于電腦的內(nèi)存，桌面越大，可以擺放的文件數(shù)量就越多，使用者就不必經(jīng)常打開文件柜抽取或存放文件，這樣它的工作效率也就會提高。同理內(nèi)存越大，計(jì)算機(jī)的速度也越快。內(nèi)存的主要作用是用來臨時存放數(shù)據(jù)，再與CPU協(xié)調(diào)工作，從而提高整機(jī)性

25、能。內(nèi)存作為個人計(jì)算機(jī)硬件的必要組成部分之一，其地位越來越重要，內(nèi)存的容量與性能已成為衡量計(jì)算機(jī)整體性能的一個決定性因素.在內(nèi)存中最小的物理單元是位，從本質(zhì)上來講，位是一個位于某種二值狀態(tài)（通常是0和1）下的電氣單元.八位組成一個字節(jié)，這樣組合的可能有256種（2的8次方）.字節(jié)是內(nèi)存可訪問的最基本單元，每個這樣的組合可代表單獨(dú)的一個數(shù)據(jù)字符或指令。本章只介紹內(nèi)存的相關(guān)知識，有關(guān)外存的內(nèi)容將在下一章介紹。第一節(jié)內(nèi)存的分類內(nèi)存(Memory)也稱內(nèi)部存儲器或主存，按照內(nèi)存的工作原理主要分為兩類.一、RAM(RandomAccessMemory)隨機(jī)存取存儲器，用來暫時存放程序和數(shù)據(jù)，其特點(diǎn)是存儲

26、的數(shù)據(jù)在掉電后會丟失。系統(tǒng)運(yùn)行時，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部存儲器(外存)中調(diào)入內(nèi)存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，并將運(yùn)算結(jié)果存入內(nèi)存中。它又分為兩種。1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM,DynamicRAM)DRAM主要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的主存儲器中，如內(nèi)存條由此構(gòu)成特點(diǎn)：集成度高，結(jié)構(gòu)簡單,功耗低,生產(chǎn)成本低.2、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM,StaticRAM)SRAM主要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的高速小容量存儲器，如CACHE則是由此構(gòu)成特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，造價高，速度快。二、ROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲器，特點(diǎn)：只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。一般用于保存不可更改的數(shù)據(jù)

27、，如BIOS?？煞譃橐韵氯N：。EPROM:可擦可編程只讀存儲器，芯片上有一個透明窗口。.EEPROM:電可擦可編程只讀存儲器。.閃速存儲器FlashMemory：可以將BIOS存儲在其中，當(dāng)需要時可以利用軟件來自動升級和修改BIOS，較為方便。第二節(jié)內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)內(nèi)存也叫主存，是PC系統(tǒng)存放數(shù)據(jù)與指令的半導(dǎo)體存儲器單元，也叫主存儲器(MainMemory),通常分為只讀存儲器(ROMReadOnlyMemory)、隨機(jī)存儲器(RAMRedAccessMemory)和高速緩存存儲器(Cache)。我們平常所指的內(nèi)存條其實(shí)就是RAM,其主要的作用是存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計(jì)算結(jié)果，以及與外部

28、存儲器交換信息時做緩沖之用。內(nèi)存經(jīng)過了EDO、SDRAM的發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入DDR的時代。下面就以主流的DDR內(nèi)存來介紹內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu).如圖4-1和4-2所示。上圖是三星的DDR內(nèi)存條的正面以及背面，代表當(dāng)今主流的內(nèi)存條一PC3200DDR。下圖43為一條品牌為Infineon（英飛菱）的內(nèi)存條為例講述內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)。1、PCB板內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的。如今的電路板設(shè)計(jì)都很精密，所以都采用了多層設(shè)計(jì)，例如4層或6層等，所以PCB板實(shí)際上是分層的，其內(nèi)部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩(wěn)定，所以名牌內(nèi)存多采用6層PCB板制造。因?yàn)镻CB板制造嚴(yán)密，所

29、以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能借助一些印在PCB板上的符號或標(biāo)識來斷定。另外和PCB聯(lián)系緊密的名詞就是封裝了。上圖是Infineon原裝256MBDDR266，采用單面8顆粒TSOP封裝。2、金手指這一根根黃色的接觸點(diǎn)是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是靠它們來傳輸?shù)?，通常稱為金手指.金手指是銅質(zhì)導(dǎo)線，使用時間長就可能有氧化的現(xiàn)象，會影響內(nèi)存的正常工作，易發(fā)生無法開機(jī)的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。3、內(nèi)存芯片內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存芯片組成的。如圖4-4所示。如今我們市場上有許多種類的內(nèi)存，但內(nèi)存顆粒的型號

30、并不多，常見的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等等。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同.4、內(nèi)存顆?？瘴辉趦?nèi)存條上你可能?？吹竭@樣的空位，這是因?yàn)椴捎玫姆庋b模式預(yù)留了一片內(nèi)存芯片為其它采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。這塊內(nèi)存條就是使用9片裝PCB，預(yù)留ECC校驗(yàn)?zāi)K位置。5、電容PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。如圖4-5所示.電容采用貼片式電容，因?yàn)閮?nèi)存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點(diǎn)不差，它為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作用.6、電阻電阻也是采用貼片式設(shè)計(jì),一般好的內(nèi)

31、存條電阻的分布規(guī)劃也很整齊合理。7、內(nèi)存固定卡缺口內(nèi)存插到主板上后,主板上的內(nèi)存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內(nèi)存，這個缺口便是用于固定內(nèi)存用的。8、內(nèi)存腳缺口內(nèi)存的腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（只有一側(cè)有），二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存，以前的SDRAM內(nèi)存條是有兩個缺口的,而DDR則只有一個缺口，不能混插.9、SPDSPD是一個八腳的小芯片，它實(shí)際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256字節(jié)，可以寫入一點(diǎn)信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時間等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好的工作從PC100時代開始，PC100規(guī)模中就規(guī)定符合PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條必須安裝SPD，而且主板也

32、可以從SPD中讀取到內(nèi)存的信息，并按SPD的規(guī)定來使內(nèi)存獲得最佳的工作環(huán)境.另外內(nèi)存條上一般還有芯片標(biāo)志，如圖46所示，通常包括廠商名稱、單片容量、芯片類型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識在里面。芯片標(biāo)志是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù)。第三節(jié)常見內(nèi)存條類型1、EDO內(nèi)存EDO（ExtendedDataOutRAM,擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存），可分為30pin和72pin（pin為線），如圖47所示，用5V電壓，數(shù)據(jù)寬度為32Bit,奔騰以上數(shù)據(jù)寬度都是64Bit甚至更高，所以EDORAM在586主板上必須成對使用。2、SDRAM內(nèi)存SDRAM（Synchron

33、ousDynamicRAM,同步動態(tài)內(nèi)存）,168pin和144pin（其中144pin用于筆記本），如圖48所示，用3.3V電壓，其數(shù)據(jù)寬度為64Bit。其工作原理是將RAM與CPU以相同的頻率進(jìn)行控制,取消了CPU的等待時間提高存取速度.可分為3個階段：(D.PC66規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為4個72pin+2個168pin(2).PC-100規(guī)范:主板設(shè)計(jì)為24個168pin.PC133規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為2-4個168pin3、DDRRAM內(nèi)存DDRRAM(DoubleDataRageRAM,雙倍速率SDRAM)，如圖49所示，比SDRAM的速度高一倍，工作電壓在2.5V，特點(diǎn)是在時鐘周期內(nèi)的上升沿

34、和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，為184pin?，F(xiàn)在市場上出現(xiàn)了DDRII內(nèi)存,DDRII的工作電壓由DDR的2。5V下降到了1.8V，184Pin升級為232Pin，內(nèi)存總線為64位，現(xiàn)在的初期產(chǎn)品運(yùn)行頻率在DDR400DDR533之間，能達(dá)到3。2-4.3GB/秒的帶寬.4、RDRAMRDRAM(RambusDRAM，存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，如圖410所示，由Rambus公司和Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格，184pin,使用2。5V電壓，根據(jù)速度分600MHz、700MHZ和800MHZ三種，可在單個時鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù)。第四節(jié)內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)與Cache一、內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)

35、1、ECC校驗(yàn)：在奇偶校驗(yàn)基礎(chǔ)上開發(fā)的校驗(yàn),奇偶校驗(yàn)指為了防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)傳輸中發(fā)生錯誤需要對字節(jié)中的數(shù)據(jù)位進(jìn)行的校驗(yàn)，可找出一位二進(jìn)制錯誤但不能更正。ECC可糾正一位二進(jìn)制錯誤.SDRAM內(nèi)存有雙面和單面設(shè)計(jì)每一面有8顆或9顆內(nèi)存顆粒。2、內(nèi)存容量：內(nèi)存所存儲數(shù)據(jù)的最大容量。3、存取時間TAC：存取數(shù)據(jù)時的時間，即存儲器進(jìn)行一次完整的存取操作所需要的時間，單位為納秒時間越小，速度越快。相應(yīng)在內(nèi)存條上標(biāo)有-6、-7、一8、-10等字樣.10NS100MHZ、7NS142MZH、8NS133MHZ.(LGS-7只有10NS，市面上只有三星的是7NS）4、數(shù)據(jù)寬度內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時傳輸數(shù)據(jù)

36、的位數(shù)，以位（bit）為單位。內(nèi)存的帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。5存取周期TMC：內(nèi)存的速度用存取周期來表示。讀入和寫出是存儲器的兩個基本操作，它指的是將信息在存儲器和寄存器之間進(jìn)行讀寫。兩次獨(dú)立的存儲操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC，單位為ns（納秒），這個時間越短，存取速度就越快，也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越好。目前存儲器的存取周期一般為60ns100ns6內(nèi)存的電壓早期的FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V電壓，SDRAM內(nèi)存一般使用3。3V電壓，現(xiàn)在使用的DDR和Rambus內(nèi)存都是2。5V電壓。而DDRII內(nèi)存所使用的電壓為1.8V電壓。二、CacheCache（高速緩沖存儲器），Cac

37、he速度與CPU相當(dāng)，CPU直接訪問Cache可從計(jì)算機(jī)整體提高速度，并具有預(yù)測功能。計(jì)算機(jī)中運(yùn)行速度由快到慢為：CPU-CPU內(nèi)部L1CacheCPU內(nèi)部L2Cache主板上的Cache內(nèi)存硬盤中的Cache（光盤中的Cache）硬盤中的數(shù)據(jù)（光盤中的數(shù)據(jù)）。其存儲量分別為:L1Cache：16KB64KB，甚至達(dá)到128KB；L2Cache：128KB512KB,甚至達(dá)到8M；主板上Cache：512KB1MB;硬盤上：128KB4MB；CDROM：64KB256KB，甚至達(dá)到512KB。第五節(jié)從軟件角度看內(nèi)存從軟件角度看，內(nèi)存可以分為常規(guī)內(nèi)存、上位內(nèi)存等，形式具體如下：1、常規(guī)內(nèi)存：只有

38、640K又稱低端內(nèi)存、基本內(nèi)存、自由內(nèi)存，即0640KB2、上位內(nèi)存:UMA指系統(tǒng)內(nèi)存中第一個1M字節(jié)中保留的384K部分又稱上端內(nèi)存、保留內(nèi)存、BIOS內(nèi)存或適配器內(nèi)存，即640K1024K.3、擴(kuò)展內(nèi)存:XMS是1MB以上的所有內(nèi)存4、高端內(nèi)存區(qū)：HMA是10241088KB之間的空間的64KB5、擴(kuò)充內(nèi)存：在擴(kuò)展內(nèi)存中展開的16KB或64KB的空間6、映射內(nèi)存：(SHADOWRAM)也稱影子內(nèi)存是為提高系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術(shù)，是將主板上的系統(tǒng)ROMBIOS和適配卡上的視頻ROMBIOS中的程序拷貝到上位內(nèi)存的部分空間。7、虛擬內(nèi)存:是在真實(shí)內(nèi)存不夠用時用硬盤來充當(dāng)內(nèi)存的一種方法。更

39、改的方法：我的電腦屬性性能-虛擬內(nèi)存。第六節(jié)內(nèi)存的選購在電腦DIY的時代，內(nèi)存已成為電腦系統(tǒng)性能的影響很大的一個主要原因所以我們的選購內(nèi)存時首先要考慮的是內(nèi)存的種類和容量，這也是我們電腦性能穩(wěn)定的一個根本原因之一.在目前，普通的消費(fèi)者幾乎沒有理由不選擇DDR。內(nèi)存的容量對系統(tǒng)性能的影響很大，256MB內(nèi)存的電腦明顯比128MB、64MB內(nèi)存的電腦快，這應(yīng)該是有目共睹的。內(nèi)存容量可謂多多益善，但價格也更高。對一般用戶有256MB的內(nèi)存就不錯了，如果有預(yù)算上的限制，起碼也要準(zhǔn)備128MB，就目前的主流操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，沒有128MB以上的內(nèi)存是很痛苦的.在我們確定要購買內(nèi)存的種類和容量后，我們就

40、可以試著到電腦市場上選購內(nèi)存了。平常我們常說買現(xiàn)代的內(nèi)存或LGS的內(nèi)存，這個說法并不準(zhǔn)確。因?yàn)?，多?shù)人所謂的現(xiàn)代、LGS、NEC、三星什么的其實(shí)只是內(nèi)存芯片的廠商我們在組裝電腦的時候使用的不會是一粒一粒的內(nèi)存芯片，而應(yīng)該是一個完整的內(nèi)存組，也就是俗稱的內(nèi)存條。很長時間以來人們把內(nèi)存芯片的廠商和內(nèi)存廠商混淆而談了.造成這種情況的原因主要還是國內(nèi)一直缺乏品牌內(nèi)存，市場上充斥的多是成捆的散裝條，用戶能看到的只有內(nèi)存芯片上的標(biāo)識和PCB(PrintedCircuitBoard印刷電路板)上或可見的印記，導(dǎo)致人們嚴(yán)重缺乏內(nèi)存的品牌意識。市場并不是沒有品牌內(nèi)存，但市面上難得見的品牌內(nèi)存條價格普遍偏高，令普

41、通消費(fèi)者和經(jīng)銷商望而卻步，轉(zhuǎn)而在散條中冒險也實(shí)在有些無奈。一個內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和印刷電路板及其它的一些元件組成，因此芯片的質(zhì)量只是內(nèi)存質(zhì)量的一部份，印刷電路板的質(zhì)量也是一個重要的決定因素。同是現(xiàn)代”的內(nèi)存，大家卻會覺得質(zhì)量大不一樣，這就是印刷電路板質(zhì)量不同的原因.但這并不是說芯片無足輕重，內(nèi)存芯片畢竟是整條內(nèi)存的核心，我們在挑選時應(yīng)該注意以下幾點(diǎn)：一、細(xì)挑內(nèi)存顆粒在選購內(nèi)存時您必須仔細(xì)查對內(nèi)存編號以選擇性能盡可能好的內(nèi)存。1、認(rèn)準(zhǔn)類型現(xiàn)在市場上主要是以DDR為主，不過還有少數(shù)的SDRAM內(nèi)存，SDRAM內(nèi)存已經(jīng)不在生產(chǎn)了，所以現(xiàn)在購買的大多數(shù)可以說是二手貨，而DDR內(nèi)存有184線和232線兩種

42、不同的形式，在購買時根據(jù)主板或其它情況實(shí)際購買所需要的內(nèi)存。當(dāng)然，最絕對的方法是看芯片的編號，什么類型性能都可以讀出來.2、芯片的品牌不同的品牌的質(zhì)量自然不同，很重要的就是內(nèi)存生產(chǎn)廠商的品質(zhì)管理方面的差異，一些品牌的內(nèi)存芯片的檢測比較嚴(yán)格，在質(zhì)量和性能上留的裕度也比較高，而一些廠商可能由于品質(zhì)管理或自身的技術(shù)條件限制了其產(chǎn)品的品質(zhì).這種區(qū)別一般不會影響正常的使用，但在超頻的時候就有比較大的影響.譬如就有用LGS的普通10ns內(nèi)存(10K)勇超133MHZ的，相比之下，一些不知名的芯片廠商的內(nèi)存就不一定有這么好的運(yùn)氣了。3、芯片的品質(zhì)內(nèi)存芯片上的標(biāo)號只能是一個參考，芯片本身的實(shí)質(zhì)并不會完全在上面

43、體現(xiàn)出來，我們有可能會遇到名不副實(shí)的芯片。這里面又有兩種可能，一種情況是芯片本身是次品，但通過不明途徑流入市場；另一種情況是Remark的芯片，將低質(zhì)芯片的標(biāo)識打磨掉之后，重新打上標(biāo)識，以冒充較優(yōu)質(zhì)的芯片。小心次品這種情況使用的是原廠的芯片，芯片的外觀一般比較完美，但在其它地方還是可以看出破綻.因?yàn)槭褂眠@類內(nèi)存的價格一般都比較低，不過即使使用的芯片表面看來可能是不錯，但內(nèi)存的其它部份除了價格之外絕對不會讓人感到高興.在遇到芯片不錯價格低謙的內(nèi)存時大家一定要多長幾個心眼，看看這根內(nèi)存的印刷電路板是否做得比較簡陋、粗糙。如果感覺印刷電路板比較差，那么這么好的芯片配這樣不起眼的印刷電路板就非常蹊蹺.

44、再仔細(xì)看芯片，看看其上標(biāo)的生產(chǎn)日期是否一致。如果有幾個不同的日期就說明同一條內(nèi)存上的芯片有幾個不同的批次，這時我們就需要仔細(xì)想一想了。如果有兩個批次且兩個批次的芯片的印刷電路板上的排列規(guī)律(如連續(xù)幾顆是一個批次的，或兩批次均勻間隔等)，還可以認(rèn)為這根內(nèi)存使用可能正好是兩個批次芯片的首尾.但如果有三個甚至更多的批次就不太妙了，這至少說明這個組裝廠的原材料管理難以讓人恭維，這樣就很難讓我們相信這條內(nèi)存的質(zhì)量是得到嚴(yán)格保證的。此外有暇疵的產(chǎn)品還有一種表現(xiàn)形式是芯片的數(shù)目和實(shí)際容量不符，常見的就是所謂的補(bǔ)位片或”補(bǔ)位條”，如看芯片上的標(biāo)識知每顆芯片的容量是64Mbit,除8得知每顆芯片是8MB，則64

45、MB一條的內(nèi)存上應(yīng)該有8顆芯片(若帶校驗(yàn)的內(nèi)存就有9顆)，但有時你會發(fā)現(xiàn)市面上賣的一些64MB內(nèi)存是雙面16顆芯片的，其上的芯片的標(biāo)識也是每顆64Mbit(8MB),而不是32Mbit(4MB),按理這應(yīng)該是一條128MB的內(nèi)存，但它確實(shí)不是，所以這里面肯定有問題，可能是兼容性方面的問題，也可能是質(zhì)量上的問題。警惕Remark這種情況由于要打磨或腐蝕芯片的表面，一般都有會在芯片的外觀上表現(xiàn)出來。正品的芯片表面一般都很有質(zhì)感，要么有光澤或熒光感要么就是啞光的。如果覺得芯片的表面色澤不純甚至比較粗糙、發(fā)毛，那么這顆芯片的表面一定受到了磨損。這時應(yīng)該嘗試判斷磨損的原因，因?yàn)槟壳皣鴥?nèi)內(nèi)存的運(yùn)輸和銷售的

46、方式有點(diǎn)野蠻，內(nèi)存間難免互相刮擦并留下痕跡。后期的刮擦留下的痕跡通常比較粗，刮痕通常出現(xiàn)在個別芯片上，如果多顆芯片出現(xiàn)刮痕則整條內(nèi)存上的芯片的刮痕在方向上應(yīng)保持一致，也就是從痕跡上能讓人感覺到在磨擦中全部芯片的運(yùn)動方向是相同的。最重要的是刮痕與標(biāo)識之間的關(guān)系不明顯，即便在標(biāo)識上出現(xiàn)刮痕也不像是故意集中在標(biāo)識上的，且標(biāo)識本身應(yīng)該受到和磨痕相應(yīng)的磨損.而故意打磨的芯片上的痕跡主要集中在標(biāo)識附近，且痕跡很均勻，細(xì)看后可以發(fā)現(xiàn)芯片的這些區(qū)域與其它部分的質(zhì)感不大一致，如顏色偏淺、泛白等.另外Remark的芯片還可能出現(xiàn)芯片表面有明顯的磨損面其上的油印字跡卻保持完好這等”怪事。通常芯片的角上會有凹陷的小圓

47、圈，側(cè)光觀察小圓圈的深度是否均勻.打磨過的芯片上的小圓圈可能還會出現(xiàn)某部分邊緣缺失的情況.上面這些辦法其實(shí)還是很主觀的，并不是絕對的，讀者在多看一些內(nèi)存后總能找到一些感覺，還是自己多體會一些為好-反正象運(yùn)輸和銷售中的無意磨損和故意的打磨明人很容易就分辨出來的，并不是非常困難的工作。讀者們也許會認(rèn)為可以從芯片上標(biāo)識的刻印形式看出一些問題來，但實(shí)際上這是很不實(shí)際的，據(jù)筆者所見，許多廠商的同型內(nèi)存芯片的不同批次的標(biāo)識在筆畫粗細(xì)、顏色等方面甚至封裝的色澤上都會有區(qū)別。在散裝條的市場上看到這種情況可能會給人真假難辨的感覺，如果在Kingston這些品牌內(nèi)存上看到就不能有什么懷疑了.不過同批次的芯片的刻印

48、如果不同那就有問題了。例如同一條內(nèi)存上同一批次的芯片上的字跡位置不一致，這顆的標(biāo)識在中央，而另一顆的標(biāo)識卻靠邊，見到這樣的內(nèi)存大家盡可嘲笑做假者的拙劣。當(dāng)然，不管芯片上印刷標(biāo)識的筆畫、色澤如何，有激光蝕刻的芯片想來比較讓人放心。現(xiàn)在恐怕又有人叫起來了，因?yàn)楹芏嗳擞X得逛了這么久的電腦市場看到的內(nèi)存在標(biāo)識都是油印似的，沒見過刻的啊.其實(shí)這只是大家沒注意到而已，許多芯片是在蝕刻的字跡上再印平時我們所看到的標(biāo)識的（恐怕是擔(dān)心在黑色的芯片上刻的字不夠清晰而已）,平時大多數(shù)人看內(nèi)存只是看一下芯片的正面，這很難察覺，如果側(cè)光仔細(xì)觀察經(jīng)?？梢园l(fā)現(xiàn)在油印的字跡中間有刻痕（當(dāng)然刻痕要與油印字跡要相符才行）。此個標(biāo)

49、識就是油印的低檔芯片很容易改動，其中最可能的手段是用藥水洗去原芯片的標(biāo)識,然后再刻上或印上新的標(biāo)識。被藥水洗過的芯片顏色肯定偏淺，要么是標(biāo)識附近的區(qū)域顏色不對，要么就是整顆芯片的顏色都發(fā)白在現(xiàn)在內(nèi)存條價格高水平的時期，發(fā)白的芯片大家可要小心。二、內(nèi)存芯片編號以下分別列出了幾種常見內(nèi)存顆粒的編號，希望對您選購內(nèi)存有所幫助。1、HYUNDAI（現(xiàn)代）現(xiàn)代的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式：HY5XXXXXXXXXXXXX-XXHY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類型，57為一般的SDRAM，5D為DDRSDRAM。第2個X代表工作電壓，空白為5V，V為3.3V,”U”為2。5V。第3-5個X代表容量

50、和刷新速度，分別如下：第6、7個X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。第8個X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成，1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank。是2的幕次關(guān)系。第9個X般為0,代表LVTTL（LowVoltageTTL）接口.第10個X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。第11個X如為”L則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片。第12、13個X代表封裝形式，分別如下：最后幾位為速度：注：例如常見的HY57V658010CTC10s,HY是現(xiàn)代的芯片，57說明是SDRAM，65是64Mhbit和4Krefreshcy

51、cles/64ms，下來的8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核,TC是400milTSOPII封裝，10S代表CL=3的PC-100。2、LGS（LGSemiconCo.，Ltd.）LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式：GM72VXXXXX1XXTXXGM代表為LGS的產(chǎn)品.72代表SDRAM。第1、2個X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits,66為64Mbits。第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0.第5個X代表Bank，2對應(yīng)2個Bank，4對應(yīng)4個Bank，和現(xiàn)代的不一樣，屬于直接對應(yīng).第6個X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到E”了。第

52、7個X如果是字母L”，就是低功耗，空白則為普通?！盩為常見的TS0PII封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為”1”。最后的XX自然是代表速度：注：例如GM72V661641CT7J，這是64Mbit,16位輸出，4個Bank，剛達(dá)到PC100的要求（CL=3）SDRAMo3、SAMSUNG（三星）三星的SDRAM芯片的標(biāo)識為以下格式：KM4XXSXX0XXXTG/FXKM代表是三星的產(chǎn)品。三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4,后面的”S”代表普通的SDRAM,如為H”，則為DDRSDRAM?！盨前兩個XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。三星的容量需要自己計(jì)算一下

53、。方法是用”S后的X乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量?！?”后的第一個X代表由幾個Bank構(gòu)成。2為2個Bank,3為難個Bank。0”后的第2個X,代表interface，1為SSTL，0為LVTTL。0后的第3個X與版本有關(guān)，如B、C等，但每個字母下又有各個版本，在表面上并不能看得出來?！盩”為TSOP封裝。速度前的”G”和”F”的區(qū)別在自刷新時的電流，”F需要的電流較G”小，相當(dāng)于一般的低功耗版.G/F”后的X代表速度:注：例如KM416S4031BT-GH,是64Mbit(16*4),16,4個Bank,在100MHZ時CL=2.4、MicronMTMicron的SDRAM芯片上標(biāo)識為

54、以下格式：MT48XXXXMXXAXTGXXXMT代表是Micron的產(chǎn)品.48代表是SDRAM系列。其后的XX如為LC則為普通SDRAM。46V為DDRSDRAM。Mricron的容量需要自己計(jì)算一下.方法是將XXMXX中的M前后的數(shù)字相乘，得到的結(jié)果即為容量。M后的XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。AX代表WriteRecovery(Twr),如A2表示Twr=2clk.TG為TSOPII封裝。LG為TGFP封裝.最后的XX是代表速度：其中X為AE,字母越后性能越好。按CLTRCD-TRP的表示方法AE分別為:33-3、3-23、3-2-2、22-2、

55、2-22。33-3、3-23、3-2-2、22-2、2-22。速度后如有L則為低耗。注：例如MT48LC8M8A2TG8E,64Mbit(8*8),8位,且是性能相當(dāng)不錯的芯片,完全符合PC100規(guī)范。5、IBMIBM的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式：IBM03XXXXXXT3XXXXIBM代表為IBM的產(chǎn)品。IBM的SDRAM產(chǎn)品均為03。第1、2個X代表容量.第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，為40、80、16等。一般的封裝形式為TSOP。對4位數(shù)據(jù)位寬的型號，如第4個X不為0而為B,則為TSOJ封裝。第5個X意義不詳，16Mbit上多為9,64Mbit上多為4。第6個X為P為低功耗，C為普通.

56、第7個X表示內(nèi)核的版本。最后的XXX代表速度：在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時的標(biāo)定速度為：135MHZ。注：例如IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位，不符合PC-100規(guī)范。6、HITACHI(日立)HITACHI的SDRAM芯片上的標(biāo)識為以下格式：HM52XXXX5XXTTXXHM代表是日立的產(chǎn)品，52是SDRAM，如為51則為EDODRAM。第1、2個X代表容量。第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，40、80、16分別代表4位、8位、16位。第5個X表示是第幾個版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到F”了.第6個X如果是字母L就是低功耗?？瞻讋t為普通。TT為TSOPI

57、I封裝。最后XX代表速度：注：例如HM5264805F-A60,是64Mbit,8位輸出，100MHZ時CL可為2。7、NECNEC的SDRAM芯片上的標(biāo)識通常為以下格式：UPD45XXXXXG5-AXXX-XXXUPD4代表是NEC的產(chǎn)品。5代表是SDRAM。第1、2個X代表容量.第3(4)個X表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位，即占用第4個X。由于NEC的標(biāo)識的長度固定，這會對下面的數(shù)字造成影響.第4(5)個X代表Bank”3”或”4”代表4個Bank,在16位和32位時代表2個Bank；”2代表2個Bank。第5個X

58、,如為”1代表LVTTL。如為16位和32位的芯片，第5個X已被占用，則第5個X有雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，”3”代表4個Bank和LVTTL。G5為TSOPII封裝。-A后的XX是代表速度：速度后的X如果是字母L”就是低功耗，空白則為普通。XXX:第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準(zhǔn)，16Mbit芯片上常為7,規(guī)律不詳。其后的XX的JF”、”JH、NF”等。估計(jì)與封裝外型有關(guān)：NF對應(yīng):44pinTSOP-(II)；JF對應(yīng)54pinTSOP(II);”JH”對應(yīng)86-pinTSOP-(II)。注：例如uPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位，

59、4個Bank,在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設(shè)為2。8、TOSHIBA(東芝)TOSHIBA的芯片上的標(biāo)識為以下格式：TC59SXXXXXFTX-XXTC代表是東芝的產(chǎn)品.59代表是SDRAM系列其后的S為普通SDRAM,R為RambusSDRAM,W為DDRSDRAM。第1、2個X代表容量。64為64Mbit,M7為128Mbit。第3、4個X表示數(shù)據(jù)位寬，04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。第5個X估計(jì)是用來表示內(nèi)核的版本.目前常見的為B”.FT為TSOPII封裝。FT后如果有字母L”就是低功耗，空白則為普通。最后的XX是代表速度：注：例如

60、TC59S6408BFTL80，64Mbit,8位，可正常工作在125MHz,且為低功耗型號。三、注意PCB看了芯片還要看一下印刷電路板.印刷電路板上對質(zhì)量有影響的地方很多，如內(nèi)部布線、阻抗的分布等，但這些部份是肉眼不能分辯的.我們在選購內(nèi)存條時主要觀察板面是否光潔，色澤要均勻;部件焊接要求整齊，絕對不允許錯位；焊點(diǎn)要均勻有光澤；金手指要光亮,不能有發(fā)白或發(fā)黑的現(xiàn)象，發(fā)白是鍍層質(zhì)量差的表現(xiàn)，發(fā)黑是磨損和氧化的后果;板上應(yīng)該印刷有廠商的標(biāo)識。另外，印刷電路板上的電阻、電容之類東西從來只見有省不見有添的。常見的劣質(zhì)內(nèi)存經(jīng)常是芯片標(biāo)識模糊或混亂,印刷電路板毛糙,金手指色澤暗,電容歪歪扭扭如手焊一般，