中國IGBT市場發(fā)展趨勢分析：2020年國內(nèi)IGBT市場規(guī)模將超過200億元-年復(fù)合增長率約為15%圖

1、中國IGBT市場發(fā)展趨勢分析：2020年國內(nèi)IGBT市場規(guī)模將超過200億元_年復(fù)合增長率約為15%圖 IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝臵的“CPU”，是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟的主要支撐技術(shù)。IGBT具有高頻率、高壓電、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域。 IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本約占到整車成本的10%，約占到充電樁成本的20%。新能源車（采用電源模塊）的爆發(fā)，極大地促進IGBT市場發(fā)展，包括出貨量和附加值。根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)統(tǒng)計，當(dāng)前電動車占IGBT用量的31%，預(yù)計至2025年這一

2、比重將提升至55%以上。 同時，軌道交通、配網(wǎng)建設(shè)、直流輸電、工業(yè)控制都將為IGBT提供巨大的需求市場。預(yù)測，到2020年，國內(nèi)IGBT市場規(guī)模將超過200億元，實現(xiàn)市場規(guī)模的翻倍，年復(fù)合增長率約為15%。全球IGBT市場規(guī)模保持穩(wěn)步增長，增速在6%-10%之間。數(shù)據(jù)來源：公開資料整理數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 我國的IGBT技術(shù)尚未成熟，到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，尤其在中高端領(lǐng)域差距更大。德國英飛凌在IGBT芯片和模塊方面全球領(lǐng)先，2014年芯片和模塊的市場占有率分別為24.7%和20.5%，分列全球第一位和第二位。在IGBT模塊市場，全球近70%以上

3、的市場被三菱、東芝和富士等日系企業(yè)掌控。國內(nèi)IGBT市場基本由英飛凌、三菱、富士電機、西門子、賽米控等外國企業(yè)主導(dǎo)。近幾年，我國IGBT芯片和模塊約90%依賴進口；在鐵路牽引、智能電網(wǎng)、高壓變頻器等6500V以上應(yīng)用領(lǐng)域，IGBT模塊完全依賴進口。數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 我國IGBT市場規(guī)模一直被認為存在巨大空間，能源領(lǐng)域新一輪投資正在開展，新能源車的爆發(fā)，軌交的國內(nèi)市場增長和沿著一帶一路走出去的機會，預(yù)示著掌握IGBT技術(shù)的核心解決方案至關(guān)重要。 在新能源汽車領(lǐng)域，電機控制系統(tǒng)主要由逆變器、逆變驅(qū)動器、電源模塊、中央控制模塊、軟起動模塊、保護模塊、散熱系統(tǒng)信號檢測模塊等組成，其中逆變器負責(zé)蓄

4、電池的直-交轉(zhuǎn)換，從而驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)。IGBT應(yīng)用于逆變器中，占整個控制器成本的40-50%。數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 高端IGBT器件國外企業(yè)占主導(dǎo)地位。英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士占據(jù)主要市場，形成這種局面的原因主要是：國際廠商起步早，研發(fā)投入大，形成了較高的專利壁壘，且國外高端制造業(yè)水平較高一定程度上支撐了國際廠商的技術(shù)優(yōu)勢。 在新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、高鐵等產(chǎn)業(yè)中，IGBT作為它們必不可少的功率核心器件，市場發(fā)展前景一片光明。具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能的IGBT，是目前也是未來相當(dāng)長一段時間內(nèi)高端功率半導(dǎo)體的主流技術(shù)。隨著軌道交通為代表的新興產(chǎn)業(yè)市場崛起，全球IGBT市場逐年上升，從2010年的210.4億元增至2018年的408.5億元，復(fù)合增長率9.8%。同時，中國的IGBT市場規(guī)模也隨之?dāng)U大，在2018年達261.9億元。 HYPERLINK /resea