集成電路介紹

1、集成電路介紹 張劍無所不在的集成電路凡是帶電池或者接電的都有集成電路比如手機(jī)，Ipad，電視，筆記本，冰箱，汽車、飛機(jī)、輪船、導(dǎo)彈、衛(wèi)星。集成電路的前身：分立元件二極管（1947年）三極管（1947年）MOS管（1960年）電子管（1906年）第一代電子計算機(jī)(ENIAC)1946年2月14日18000個電子管占地170平方米重達(dá)30噸每小時耗電約150千瓦每秒鐘可進(jìn)行5000次運算美國國防部用來進(jìn)行彈道計算什么是集成電路通過一系列特定的加工工藝將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件按照一定的電路互連“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上封裝在一個外殼內(nèi)執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能集

2、成電路的誕生1952年5月，英國科學(xué)家達(dá)默第一次提出了集成電路的設(shè)想。1958年以德克薩斯儀器公司的科學(xué)家基爾比為首的研究小組研制出了世界上第一塊集成電路1959年 美國仙童/飛兆公司（ Fairchilds）的R.Noicy 諾依斯開發(fā)出用于IC的Si平面工藝技術(shù)，從而推動了IC制造業(yè)的大發(fā)展。仙童公司制造的IC 諾伊斯集成電路的誕生單晶硅集成電路晶圓經(jīng)過氧化、光刻、腐蝕、注入等工藝在晶圓上“刻畫”出各個元件，再通過合金將元件連在一起，成為滿足需要的集成電路集成電路的誕生平面工藝技術(shù)：三極管三極管是一個電流控制開關(guān)元件：be端輸入電流大小決定ce端輸出電流大小ebcPNN線寬PNNebc側(cè)面

3、正面集成電路的發(fā)展12個晶體管1962年1000個晶體管1966年10萬個晶體管1973年15萬個晶體管1977年1000萬個晶體管1993年1億個晶體管1994年集成電路的發(fā)展1962年，線寬25um1970年，線寬8um2000年，線寬180nm2018年，線寬7nm1mm=1000um=1000 x1000nm一根頭發(fā)直徑大約75um!集成電路的發(fā)展100mm150mm300mm200mm450mm19751980199020012017集成電路的發(fā)展集成電路的集成度每18個月就翻一番，特征尺寸每3年縮小1/2。戈登摩爾先生摩爾定律硅原子直徑0.22nm！iPad mini42018年面

4、積0.03平方米重300克每小時耗電4.5瓦每秒鐘可進(jìn)行30億次運算娛樂平板5600倍ENIAC10萬倍3萬倍60萬分之一軍用中國集成電路現(xiàn)狀中國目前是世界上最大的芯片消費市場我國集成電路自給率水平偏低，核心芯片缺乏2018年我國集成電路自給率僅為15.35%核心芯片自給率更低。比如計算機(jī)系統(tǒng)中的MPU、通用電子系統(tǒng)中的FPGA/EPLD和DSP、通信裝備中的Embedded MPU和DSP、存儲設(shè)備中的DRAM和Nand Flash、顯示及視頻系統(tǒng)中的Display Driver等，國產(chǎn)芯片占有率都幾乎為零2014年6月，頒布集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度

5、。謝 謝！Back Up集成電路材料硅片（Si）：直徑30CMP型材料：捕獲電子（硼 - P）N型材料：提供電子（磷 - N）MOS介紹MOS管是集成電路的基礎(chǔ)單元。壓控開關(guān)整個電路就像城市，MOS管就像房子MOS介紹電壓電流MOS管工藝制造側(cè)面正面氧化PMOS管工藝制造側(cè)面正面多晶硅淀積PMOS管工藝制造側(cè)面正面涂膠PMOS管工藝制造側(cè)面正面光刻&曝光PMOS管工藝制造側(cè)面正面清洗PMOS管工藝制造側(cè)面正面腐蝕PMOS管工藝制造側(cè)面正面N注入PNNNNMOS管工藝制造側(cè)面正面去膠PNNNNMOS管工藝制造側(cè)面正面氧化PNNNNMOS管工藝制造側(cè)面正面涂膠PNNNNMOS管工藝制造側(cè)面正面光刻&曝光PNNMOS管工藝制造側(cè)面正面清洗PNNNNMOS管工藝制造側(cè)面正面腐蝕