COB封裝技術首次調查報告(現有正裝、倒裝COB制造技術調研)

1、COB-COB一、 COB 概述次要局部COB LEDCOB LEDchip On board，就是將裸芯片用導電或非導電膠粘附COBLEDCOBLED source,COB LED module。COB LED正裝局部：熱壓焊利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區(qū)壓焊在一起。其原理是通過加熱AI)化層，從而使原子間產生吸引力到達“鍵合”的目的，此外，兩金COG。超聲焊超聲焊是利用超聲波發(fā)生器產生的能量，通過換能器在超高頻的磁AI絲在被焊區(qū)的金屬化層如(AIAI 絲和 AI AI 層界面的氧化層，接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形。金絲焊球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術，由于現在的半導體封A

2、U焊點結實(直徑為 25UM 的 AU 絲的焊接強度一般為 0.07 0.09N/15/也叫熱(壓)(超)聲焊主要鍵合材料為金(AU)線焊頭為球形故為球 焊。共晶焊：共晶是指在相對較低的溫度下共晶焊料發(fā)生共晶物熔合的現象，共晶合金直接從固態(tài)變到液態(tài)，而不經過塑性階段，是一個液態(tài)同時生成兩個固態(tài)的平衡反響。其熔化溫度稱共晶溫度。共晶合金的根本特性是：兩種不同的金屬可在遠低于各自的熔點溫度下按肯定重量比例形成合金。共晶焊接技術最關鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的把握。GaN合金作接觸面鍍層，晶?？珊附佑阱冇薪鸹蜚y的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時，金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的轉變提

3、高溶點，令共晶層固化并將LED板上。COB LED第一步：擴晶。承受擴張機將整張LEDLED其次步：支架點膠。第三步：Diebond。將芯片固定在支架上。第四步：烘烤。使芯片與支架結合嚴密第五步：bonding(打線)。使芯片電極與支架上的電源接口連接。第六步：灌膠。灌入熒光粉及最外層的硅膠或環(huán)氧樹脂。第七步：固化。將封好膠的基板板放入烘箱中恒溫靜置，依據要求可設定不同的烘干時間。第八步：后測。二、 以圖片講解常見的正裝 COB 封裝及支架的形式主要局部 1多數為直接灌膠，基板四周有阻擋膠水外溢的阻擋圍欄；少局部為每個芯片的固晶位置單獨點膠，每個芯片的固晶位置留有點膠的凹痕。在陶瓷COB直接整

4、面灌膠：逐個芯片灌膠：2支架為多層構造，多數是表層走線，然后在導線上掩蓋絕緣層；也有少局部是底層走線，層與層之間絕緣，通過導線連接指定位置。以下圖為表層走線，使用絕緣物質掩蓋，表層可見走線紋理：下面圖片為內部走線，表層無走線紋理：3COBCOB瓷基COB四溢；陶瓷基燈珠使用貼片式貼膠，四周沒有凸起的護欄。上圖為鋁基COB燈完全全都。COB上圖為陶瓷基COB陶瓷表層的，芯片也直接貼在陶瓷基板上。焊線與一般單燈全都。三、 正裝 COB 封裝的幾項核心技術主要局部1、COB 使用共性化設計，生產者可以自行設計基板電路；目前較常見的 COB 基板設計根本是單純的串聯或并聯，在電路上沒有設計難度。假設承

5、受倒裝Led度此類基板市面上可以直接買到。2COB熱問題是COBCOB是因散熱問題導致。3、基板材料選擇：COB早期：銅?，F在根本不再使用。中期普及：鋁。價格廉價，設計簡潔，散熱稍差，會導電。目前應用最廣泛較高的技術水平為：陶瓷Al2O3散熱較好，不導電。目前高端COB臺灣最應用：硅，產出良率低，生產難度高，散熱較好，半導體，具備肯定絕緣力量。目前市面上不常見。4、COB 基板的封裝與應用一體化，將封裝與應用集中在一起可產生較高的效益。綜合來看，正裝 COB 在設計和生產環(huán)節(jié)上并無太多難度，假設我司想生產陶瓷基的 COBCOB珠的設計功率選擇芯片例如1130或0815都可以使用晶和焊線即可。四

6、、 倒裝 COB 封裝的幾項核心技術主要局部COB力量，同時將固晶、焊線兩步整合為一步。倒裝COB更低、光效更高等優(yōu)點，同時因其制造工藝簡單，其利潤也較高。COB1、 芯片制造：倒裝芯片的制造與一般芯片略有差異，倒裝芯片的整個 P-GaN 使用鎳Ni作為粘和材料。N-GaNP和N2、 共晶焊接倒裝芯片與基板之間的結合使用共晶焊接，一般是先在芯片的外表濺射金錫合金Au-S共晶溫度27，常見濃度為30%S將芯片與基板焊接在一起。3、 背出光效率倒裝芯片使用正面反光，反面出光。光從量子井發(fā)出后要經過 N2.4，藍寶石折射率約為1.1.1。光從高折射率物質向低折射率物質運動時，在穿過物質結合面時會發(fā)生全反射，導致光在物質內部被消耗掉，使出光量降低。因此在設計倒裝LEDPSS和藍寶石襯底最下層的外表形貌改善來實現。