COB封裝技術(shù)首次調(diào)查報(bào)告(現(xiàn)有正裝、倒裝COB制造技術(shù)調(diào)研)

1、COB-COB一、 COB 概述次要局部COB LEDCOB LEDchip On board，就是將裸芯片用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠粘附COBLEDCOBLED source,COB LED module。COB LED正裝局部：熱壓焊利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區(qū)壓焊在一起。其原理是通過加熱AI)化層，從而使原子間產(chǎn)生吸引力到達(dá)“鍵合”的目的，此外，兩金COG。超聲焊超聲焊是利用超聲波發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過換能器在超高頻的磁AI絲在被焊區(qū)的金屬化層如(AIAI 絲和 AI AI 層界面的氧化層，接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形。金絲焊球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術(shù)，由于現(xiàn)在的半導(dǎo)體封A

2、U焊點(diǎn)結(jié)實(shí)(直徑為 25UM 的 AU 絲的焊接強(qiáng)度一般為 0.07 0.09N/15/也叫熱(壓)(超)聲焊主要鍵合材料為金(AU)線焊頭為球形故為球 焊。共晶焊：共晶是指在相對較低的溫度下共晶焊料發(fā)生共晶物熔合的現(xiàn)象，共晶合金直接從固態(tài)變到液態(tài)，而不經(jīng)過塑性階段，是一個(gè)液態(tài)同時(shí)生成兩個(gè)固態(tài)的平衡反響。其熔化溫度稱共晶溫度。共晶合金的根本特性是：兩種不同的金屬可在遠(yuǎn)低于各自的熔點(diǎn)溫度下按肯定重量比例形成合金。共晶焊接技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的把握。GaN合金作接觸面鍍層，晶粒可焊接于鍍有金或銀的基板上。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí)，金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的轉(zhuǎn)變提

3、高溶點(diǎn)，令共晶層固化并將LED板上。COB LED第一步：擴(kuò)晶。承受擴(kuò)張機(jī)將整張LEDLED其次步：支架點(diǎn)膠。第三步：Diebond。將芯片固定在支架上。第四步：烘烤。使芯片與支架結(jié)合嚴(yán)密第五步：bonding(打線)。使芯片電極與支架上的電源接口連接。第六步：灌膠。灌入熒光粉及最外層的硅膠或環(huán)氧樹脂。第七步：固化。將封好膠的基板板放入烘箱中恒溫靜置，依據(jù)要求可設(shè)定不同的烘干時(shí)間。第八步：后測。二、 以圖片講解常見的正裝 COB 封裝及支架的形式主要局部 1多數(shù)為直接灌膠，基板四周有阻擋膠水外溢的阻擋圍欄；少局部為每個(gè)芯片的固晶位置單獨(dú)點(diǎn)膠，每個(gè)芯片的固晶位置留有點(diǎn)膠的凹痕。在陶瓷COB直接整

4、面灌膠：逐個(gè)芯片灌膠：2支架為多層構(gòu)造，多數(shù)是表層走線，然后在導(dǎo)線上掩蓋絕緣層；也有少局部是底層走線，層與層之間絕緣，通過導(dǎo)線連接指定位置。以下圖為表層走線，使用絕緣物質(zhì)掩蓋，表層可見走線紋理：下面圖片為內(nèi)部走線，表層無走線紋理：3COBCOB瓷基COB四溢；陶瓷基燈珠使用貼片式貼膠，四周沒有凸起的護(hù)欄。上圖為鋁基COB燈完全全都。COB上圖為陶瓷基COB陶瓷表層的，芯片也直接貼在陶瓷基板上。焊線與一般單燈全都。三、 正裝 COB 封裝的幾項(xiàng)核心技術(shù)主要局部1、COB 使用共性化設(shè)計(jì)，生產(chǎn)者可以自行設(shè)計(jì)基板電路；目前較常見的 COB 基板設(shè)計(jì)根本是單純的串聯(lián)或并聯(lián)，在電路上沒有設(shè)計(jì)難度。假設(shè)承

5、受倒裝Led度此類基板市面上可以直接買到。2COB熱問題是COBCOB是因散熱問題導(dǎo)致。3、基板材料選擇：COB早期：銅?，F(xiàn)在根本不再使用。中期普及：鋁。價(jià)格廉價(jià)，設(shè)計(jì)簡潔，散熱稍差，會(huì)導(dǎo)電。目前應(yīng)用最廣泛較高的技術(shù)水平為：陶瓷Al2O3散熱較好，不導(dǎo)電。目前高端COB臺(tái)灣最應(yīng)用：硅，產(chǎn)出良率低，生產(chǎn)難度高，散熱較好，半導(dǎo)體，具備肯定絕緣力量。目前市面上不常見。4、COB 基板的封裝與應(yīng)用一體化，將封裝與應(yīng)用集中在一起可產(chǎn)生較高的效益。綜合來看，正裝 COB 在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)環(huán)節(jié)上并無太多難度，假設(shè)我司想生產(chǎn)陶瓷基的 COBCOB珠的設(shè)計(jì)功率選擇芯片例如1130或0815都可以使用晶和焊線即可。四

6、、 倒裝 COB 封裝的幾項(xiàng)核心技術(shù)主要局部COB力量，同時(shí)將固晶、焊線兩步整合為一步。倒裝COB更低、光效更高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)因其制造工藝簡單，其利潤也較高。COB1、 芯片制造：倒裝芯片的制造與一般芯片略有差異，倒裝芯片的整個(gè) P-GaN 使用鎳Ni作為粘和材料。N-GaNP和N2、 共晶焊接倒裝芯片與基板之間的結(jié)合使用共晶焊接，一般是先在芯片的外表濺射金錫合金Au-S共晶溫度27，常見濃度為30%S將芯片與基板焊接在一起。3、 背出光效率倒裝芯片使用正面反光，反面出光。光從量子井發(fā)出后要經(jīng)過 N2.4，藍(lán)寶石折射率約為1.1.1。光從高折射率物質(zhì)向低折射率物質(zhì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在穿過物質(zhì)結(jié)合面時(shí)會(huì)發(fā)生全反射，導(dǎo)致光在物質(zhì)內(nèi)部被消耗掉，使出光量降低。因此在設(shè)計(jì)倒裝LEDPSS和藍(lán)寶石襯底最下層的外表形貌改善來實(shí)現(xiàn)。