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文檔簡介

1、晶粒尺寸測定雙擊添加主標(biāo)題單擊此處添加標(biāo)題晶粒 相關(guān)概念晶粒尺寸測定意義晶粒尺寸測定方法晶粒：結(jié)晶物質(zhì)在生長過程中，由于受到外界空間的限制，未能發(fā)育成規(guī)則形態(tài)的晶體，而只是結(jié)晶成顆粒狀，稱晶粒。晶粒度：描述晶粒大小的參數(shù)。 晶粒度可用晶粒的平均面積或平均直徑表示。工業(yè)生產(chǎn)上采用晶粒度等級來表示晶粒大小。標(biāo)準(zhǔn)晶粒度共分8級，1-4級為粗晶粒，5-8級為細(xì)晶粒。一般晶粒度越大，也就是越細(xì)越好晶粒 相關(guān)概念 目前對顆粒度和顆粒尺寸分布的測量幾乎成了研究納米材料必需的表征和研究手段 晶尺寸測定最直接的意義就是研究晶粒的動力生長學(xué)。晶粒尺寸測定意義透射電鏡( TEM) 觀察法比表面積法拉曼散射法X 射線

2、衍射線線寬(謝樂公式) 法X 射線小角散射法(SAXS) X 射線Fourier 解析法等X 射線衍射譜技術(shù) 晶粒測定方法它們測出的尺寸結(jié)果都對應(yīng)于一定的顆粒概念和尺寸定義方法,且各有各的優(yōu)越性和局限性,適合于特定的制樣條件和測量方法.透射電鏡觀察法是一種對顆粒度觀察測定的絕對方法，具有較高的可靠性和直觀性。電子顯微鏡可以直觀地觀察納米顆粒的影像，特別是采用高分辨電子顯微鏡，能較好地描述顆粒的大小、形狀及分布狀況。電鏡技術(shù)不僅可用于探索納米材料的形態(tài)，而且可用于納晶亞結(jié)構(gòu)的構(gòu)象。選場電子衍射技術(shù)可用于了解多晶納米顆粒的不同的晶形分布狀況。一些結(jié)果可與X-射線粉末衍射分析結(jié)果相互印證。 透射電鏡（TEM）觀察法測量過程為：首先拍攝有代表性的納米微粒的形貌像，再由這些形貌像來測量粒徑。測量方法有：用尺隨機地測量約600顆粒的交叉長度，然后將交叉長度的算術(shù)平均值乘上一統(tǒng)計因子來獲得平均粒徑；測量約100顆粒中每個顆粒最大交叉長度，納米微粒粒徑為這些交叉長度的算術(shù)平均；求出納米微粒的粒徑，畫出粒徑與不同粒徑下的微粒數(shù)的分布圖。 透射電鏡（TEM）觀察法 單一尺寸成分晶粒的衍射線強度分布是唯一的,且服從高斯分布;試樣的衍射線強度分布由各個尺寸成分晶粒的衍射線強度分布疊加而成,晶粒尺寸D 與高斯峰形參數(shù)的

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