XPS譜圖介紹詳細(xì)

1、XPS 譜圖介紹XPS光電子譜線衛(wèi)星峰（伴峰俄歇電子譜線自旋-軌道分裂(SOS) 等XPSIn3dInIn 3dIn 4d, In 3pInIn XPS常規(guī)射線源(Al/MgK 1,2)并非是單色的，而是還存在一些能量略高的小伴（K 3,4,5和K 等所以導(dǎo)致XPS中除K 1,2所激發(fā)的主譜外還有一些小的伴峰。MgXC1s（ （ 3,4,5 。從圖中可以看出，主峰的強(qiáng)度比伴峰要強(qiáng)很多。俄歇電子譜線：電子電離后，芯能級出現(xiàn)空位，弛豫過程中若使另一電子激發(fā)成為XPSXPS復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，多以譜線群的方式出現(xiàn)。特征：其動能與入射光 無關(guān)。實(shí)例說明三：OKLL,CKLLOCO子層，右邊的是發(fā)射俄歇電子的電

2、子層。自旋-軌道分裂(SOS)：由于電子的軌道運(yùn)動和自旋運(yùn)動發(fā)生耦合后使軌道能級發(fā)生l0j（j=lms）表示自旋軌道分裂。即l=0 則 j=1/2；l=1j=1/23/2s將分裂成兩個峰。實(shí)例說明四：PbOXPSPb 4f4f5/24f7/2p, d, fp1:2；d3:4p4p 1:2。雙峰間距也是判斷元素化學(xué)狀態(tài)的一個重要指標(biāo)。鬼峰：XXX化合物中元素種類的分析全譜分析什么時候需要進(jìn)行全譜分析（XPSsurvey）？全譜分析的目的是什么？XPS（HHe）。 XPS通過 XPS 全譜分析來確定元素組成，最終證實(shí)這種處理手段的有效性。實(shí)例說明五：J. Appl. Phys. 2014,116,

3、 213911XPSAlNAlN:Er,reactive magnetron sputtering，ErAlN膜中。實(shí)例說明六：Appl.Catal.B:Environ.2009, 595602.一文中采用XPS全譜分來說明Fe成功摻雜到TiO2 nanorod中。全譜分析有何不足之處？全譜分析只能得到表面組成信息，得不到準(zhǔn)確的元素化學(xué)態(tài)和分子結(jié)構(gòu)信息等。XPSEDS1）. EDS 與 XPS 的相同點(diǎn)：兩者均可以用于元素的定性和定量檢測。2）. EDS 與 XPS 的不同點(diǎn)：（1)X用電子打出 X 射線，檢測的是 X 射線。（2)EDSEDX（含量XPSXPS0.。（3)EDSSEM，TEM

4、（SEM（TEMXPS子結(jié)構(gòu)信息等。備注：EDS 或 EDX 指能量色散 X 射線光譜儀，全稱為 Energy Dispersive X-ray Spectroscopy。化合物中元素化學(xué)態(tài)與結(jié)構(gòu)分析窄區(qū)掃描（高分辨譜）什么叫荷電校正？為什么需要進(jìn)行荷電校正？XPSXPS需要對荷電效應(yīng)所引起的偏差進(jìn)行校正（荷電校正的目的），稱之為“荷電校正”。如何進(jìn)行荷電校正？C1s考值(284.8 eV)之差作為荷電校正值( )來矯正譜中其他元素的結(jié)合能。具體操作：1C284.8eV)C 2)XPS ，即得到校正后的峰位（XPS）。將校正后的峰位和強(qiáng)度作圖得到的就是校正后的 XPS 譜圖。如何通過高分辨譜判定樣品中某種元素的價態(tài)？（NISTp,d,f雙峰間距也是判斷元素化學(xué)狀態(tài)的一個重要指標(biāo)。高分辨譜的其他常見用途通過這種位移的變化來說明樣品的表面化學(xué)狀態(tài) 或者是樣品表面元素之間的電子相互作用。合能