一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計方案

1、【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】 一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計方案 全橋構(gòu)造在電路設(shè)計當中有著相當廣泛的作用。本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設(shè)計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動及保護。并且在實踐設(shè)計時，需要根據(jù)選擇的IGBT開關(guān)管參數(shù)和工作頻率，來確定驅(qū)動板電源功率。而后對原邊共用全橋控制的DC-DC電源設(shè)計開展了介紹，給出了變壓器的選擇方法。 IGBT半橋集成驅(qū)動板電源特點 半橋IGBT的有效驅(qū)動和可靠保護都由半橋IGBT集成驅(qū)動板來實現(xiàn)。半橋IGBT 集成驅(qū)動板自身必須具備兩路DC-DC隔離電源，該電源要求占用PCB面

2、積小、體積緊湊、可靠性高，并且兩組電源副邊完全隔離。在大功率半橋IGBT集成驅(qū)動單元的項目中，針對驅(qū)動單元需要高效、可靠的隔離電源，設(shè)計了一種電源變壓器原邊控制拓撲，即兩組隔離電源變壓器原邊共用一組全橋控制的思路，提高了電源功率密度和效率，節(jié)省了功率開關(guān)數(shù)量。全橋開關(guān)管巧妙搭配，無需隔離驅(qū)動，減少了占用集成驅(qū)動板上的PCB面積。 半橋IGBT集成驅(qū)動板在兩路驅(qū)動上表現(xiàn)出負載特性一致的原因是，因為上下半橋當中兩個單元IGBT的性能參數(shù)一致，并且采用同體封裝。因此在IGBT半橋集成驅(qū)動板的電源設(shè)計中，兩組隔離的DC-DC電源原邊完全可以共用一組控制電路。IGBT半橋集成驅(qū)動板一般鑲嵌在IGBT功率

3、模塊上，它對驅(qū)動板的要求有兩個：是半橋集成驅(qū)動板對PCB面積、體積要求很高，要求盡可能減小PCB面積和體積；第二因為驅(qū)動IGBT需要的功率較大，對板上電源的功率密度、效率要求也較高。 原邊共用全橋控制的DC-DC電源設(shè)計 本設(shè)計采用了兩個變壓器原邊共用，也就是全橋電路控制DC-DC電源變壓器。正常模式下兩個全橋變換拓撲需要兩組全橋開關(guān)，同時全橋開關(guān)的脈沖驅(qū)動電路也為兩組共8路PWM脈沖。采用共用全橋拓撲節(jié)省了控制電路和全橋開關(guān)，簡化了DC-DC隔離電源電路。由于該電源是給半橋IGBT驅(qū)動電路供電，負載穩(wěn)定且可計算，因此全橋DC-DC電源采用開環(huán)控制，滿足功率需求即可。電路原理如圖1所示，該電源

4、由4部分組成：4路PWM脈沖產(chǎn)生電路、全橋驅(qū)動開關(guān)、電源變壓器及其副邊整流濾波電路。DC-DC電源輸入為單+15 V電源，輸出為兩組隔離的+15 V和-10 V雙電源，采用負電源是為可靠地關(guān)斷IGBT。 圖1 原邊共用全橋電路的DC-DC原理圖 共用全橋開關(guān)的兩組DC-DC隔離電源工作原理為：對角的開關(guān)管同時開通，另外一組對角已經(jīng)關(guān)斷，此時兩組磁芯原邊同時正反相激磁，副邊耦合，再開展全波整流濾波后得到穩(wěn)定的電源。設(shè)計全橋開關(guān)工作頻率為360 kHz,同時采用全波整流，因此副邊不需要很大的濾波、儲能元件，有利于實現(xiàn)DC-DC電源小型化。 全橋DC-DC電源參數(shù)為：輸入+15 V、輸出+15 V、

5、-10 V、輸出功率6 W、工作頻率360 kHz。要求額定負載下動態(tài)特性、滿足：+15 V波動+1 V、-10 V波動-2V、工作頻率滿足5%的偏差容限。其中工作頻率由施密特觸發(fā)器CD40106參數(shù)及RC數(shù)值決定。具體參數(shù)為：R=2.2k、C=748 pF、VDD=15 V、VT+=8.8 V、VT-=5.8 V。根據(jù)式（1）計算出振蕩頻率為748.792 kHz,因為設(shè)計中多諧振蕩器輸出對2路RC充放電，充電電容容量增大一倍，因此振蕩頻率為上述計算頻率的1/2,即374.396kHz。 原邊共用全橋控制的4路PWM信號產(chǎn)生 傳統(tǒng)的全橋DC-DC拓撲由4只相同的開關(guān)管組成，需要2路互反的PW

6、M控制信號，每路PWM信號驅(qū)動對角的2只開關(guān)管，2路PWM信號要求有死區(qū)，防止全橋直通。全橋拓撲的上橋臂驅(qū)動必須隔離，否則無法完成正確驅(qū)動，隔離電路一般采用光耦或磁性器件實現(xiàn)，電路復(fù)雜、體積大。設(shè)計采用2個電源變壓器原邊繞組共用一個全橋開關(guān)，由于系統(tǒng)為+15 V單電源輸入，因此全橋開關(guān)采用2片內(nèi)含PMOS和NMOS的S14532ADY實現(xiàn)，此時PWM驅(qū)動脈沖無需隔離，即不用將全橋的上下臂驅(qū)動脈沖開展隔離，使用振蕩電路的邏輯門開展驅(qū)動，簡化了控制電路，同時該全橋開關(guān)為小體積的SO-8封裝，實現(xiàn)了PCB設(shè)計。據(jù)此原理設(shè)計全橋開關(guān)需要4路PWM 脈沖驅(qū)動，分為2組，每組內(nèi)互反，驅(qū)動對角的PMOS和N

7、MOS開關(guān)，2組之間帶有死區(qū)，具體的4路。G11、G2、 G22、G1為4路PWM驅(qū)動，T1、T11為兩個DC-DC電源變壓器，此處只畫出了原邊繞組，C為隔直電容，能夠有效地防止變壓器磁芯飽和?？梢钥吹剑瑢堑拈_關(guān)同時導(dǎo)通，兩組對角交替開關(guān)，兩個變壓器磁芯工作在I、工作象限，雙向勵磁，有利于實現(xiàn)高功率密度。 圖2 DC-DC全橋控制原理 一般PWM驅(qū)動產(chǎn)生方法用MCU、DSP或?qū)Ｓ肐C產(chǎn)生，難以實現(xiàn)低成本和緊湊設(shè)計。文中對通用多諧振蕩器電路開展改良，分別增加兩個二極管、電阻及電容，即可輸出滿足上述要求的4路PWM驅(qū)動信號，簡化了電源設(shè)計，提高了可靠性。 DC-DC電源變壓器的選擇及設(shè)計 系統(tǒng)電

8、源采用全橋驅(qū)動，磁芯工作在I、象限，驅(qū)動上要能夠防止磁芯飽和，同時要求效率高、體積小?；谏鲜隹紤]，選用環(huán)形磁芯T1065,材質(zhì)為PC40,環(huán)形磁芯漏磁小、效率高。具體參數(shù)為：i=2 400,Ae=9.8 mm2,Aw=28.2mm2,J=2A/mm2.系統(tǒng)工作狀態(tài)為：B=90%,Km=0.1,fs=366 kHz,Bm=2 000 GS,根據(jù)P0=AeAw2fsBmJBKm10-6。得出P0=9.810-228.2 x 10-223661032 000 x 20.90.110-6=7.3 W,理論計算說明，所選磁芯滿足設(shè)計的功率要求。 變壓器匝數(shù)設(shè)計是根據(jù)式（2）和式（3）計算，其中i為輸入

9、電壓值，Vce為額定電流下全橋回路開關(guān)管壓降，Dmax=0.48;o為輸出電壓額定值，Vd為輸出額定電流下全波整流二極管壓降。理論計算原副邊匝數(shù)為：原邊Np=4.6匝，副邊Ns1=5.8匝，Ns2=3.9匝。 Np=/（2BAefs） （2） Np=/（2BAefs） （3） 實際調(diào)試結(jié)果為：原邊p=6匝，副邊Ns1=8匝，Ns2=5匝。 帶死區(qū)的4路互補PWM信號仿真 兩路DC-DC電源變壓器原邊共用全橋拓撲，全橋電路的4路PWM信號是在多諧振蕩器電路的根底上添加幾個無源器件生成的，并且產(chǎn)生的兩組驅(qū)動信號帶有死區(qū)，能夠有效防止全橋開關(guān)器件直通。電路的工作原理是：對通用多諧振蕩器輸出加以改良，

10、使其充放電電容容量不同，產(chǎn)生2路充放電曲線略有差異的波形，這個差異就會在兩組PWM波之間產(chǎn)生死區(qū)，再分別經(jīng)過同相器和反相器，即可產(chǎn)生4路滿足驅(qū)動要求的PWM脈沖。 圖3 Saber仿真原理結(jié)果圖 4路PWM生成電路的Saber仿真原理圖及仿真結(jié)果如圖3（a）和圖3（b）所示。由仿真結(jié)果可以看出，4路PWM脈沖能夠滿足共用全橋拓撲的控制要求。 實驗結(jié)果 圖4（a）所示為實際全橋DC-DC電源變壓器原邊及副邊繞組帶載波形，其中CH1為原邊線圈兩端電壓，CH2為副邊線圈正電壓。由于器件分散性，實際測試DC-DC電源工作頻率為366 kHz,頻率偏差為3.8%,滿足設(shè)計要求。圖4（b）所示為動態(tài)加載輸出波形，其中CH1為輸出正電壓，CH2為輸出負電壓。測試時負載為35 /10 W,可以看到突加突卸額定負載時輸出正電壓較平穩(wěn)，波動1 V,滿足設(shè)計要求。負電壓稍有波動，考慮到IGBT負壓是用來維持關(guān)斷狀