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施主雜質(zhì)：受主雜質(zhì)：本征半導(dǎo)體：1費米能級: 受主能級: 施主能級電子親和能： n p 區(qū) E 使p E 點的水平禁帶寬度隨著偏壓的繼續(xù)增大而短到一定量度是時 n . k. n p 相應(yīng)增加。同樣，p 結(jié)構(gòu)是指金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。假若絕緣體層的厚度足夠大，則基本上不導(dǎo)電，這時即為MIS 電容器；特二極管； 隧道二極管 n 100s 1cmkT=0.026eV(5 )v /s4100sv 104 / Vs 2E qD 200 /s 5.2 /s22p n n 14-30 = =2 n=9.6513-3npi (5 )9-3p p G0pn2 Ginp0分 分9.3110 210 210 cm5631106 N 的 n 16-3DW 在室溫下 半導(dǎo)體介電常數(shù) 19-33Aunr =8.854q=1.6-19 -120 EcEN n Ncexp()FkTD0NcEcE kTln0.026lneVNFDWs (EcE )eVsF qV WmWs 5.204.181.02eVD對 n Wm rqN2 Vd ()0 D 2D2128.8510 1.02(21.610 103.710 (cm)5 N 的 n 型硅，由于光照產(chǎn)生了非平衡載流子n= 15-314

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