《大學(xué)物理》高斯定理的應(yīng)用

1、第四節(jié)高斯定理的應(yīng)用R+q一、均勻帶電球面的電場(chǎng)R（1）rR+rq一、均勻帶電球面的電場(chǎng)R（1）rR+rEq一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rR一、均勻帶電球面的電場(chǎng)R+rEq高斯面r00一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rRsE.dS=sEdScos R+rEq高斯面r00一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rRsE.dS=sEdScosEsdS R+rEq高斯面r=00一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rRsE.dS=sEdScosEsdSE2r4 R+rEq高斯面r=00一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rRsE.dS=sEdScosEsdSE2r4= qi/OR+rEq高斯面r=00一、均勻帶電球面的電場(chǎng)（1）rR

2、sE.dS=sEdScosEsdSE2r4=0= qi/OR+rEq高斯面rR=R（2）rR+qR（2）rR+Eq（2）rRR+rEq高斯面（2）rRsE.dS=E2r4 R+rEq高斯面（2）rRsE.dS=E2r4=q/0 R+rEq高斯面（2）rRsE.dS=E2r4=q/0 =E2r4qOR+rEq高斯面R（2）rRsE.dS=E2r4=+q/0rEqrE2r10R高斯面 =E2R4qO2r4qO2. 均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為2. 均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為RO2. 均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為（1）rRRO2. 均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為（1）rRREO2.

3、均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為（1）rRRrEO高斯面（1）rRsEdS=E2r4.二、均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為RrEO高斯面=（1）rRsEdS=E2r43r43.二、均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為/ORrEO高斯面=（1）rRE2r4sEdS=E2r43r43=3R43E=R33r2ORrRrEEO.二、均勻帶電球體的電場(chǎng)。體電荷密度為高斯面/EO=r3OO/均勻帶電球體電位移及電場(chǎng)強(qiáng)度分布曲線REO均勻帶電球體電力線及電場(chǎng)強(qiáng)度分布曲線ErOROr3R33r2O 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng)EE 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng)EE 三、均勻帶電無限大

4、平面的電場(chǎng)高斯面sE.dSEES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) sE.dS=側(cè)E.dSEES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) sE.dS=側(cè)E.dS左底E.dS+EES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) sE.dS=側(cè)E.dS左底E.dS右底E.dS+EES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) =sE.dS=側(cè)E.dS左底E.dS右底E.dS+0EES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) =sE.dS=側(cè)E.dS左底E.dS右底E.dS+ES+ES0EES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng) =sE.dS=側(cè)E.dS左底E.dS右底E.dS+SES+ES0EES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng)O =sE.dS=側(cè)E.d

5、S左底E.dS右底E.dS+SES+ES0E=2OEES 三、均勻帶電無限大平面的電場(chǎng)O 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為（1）rR 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為（1）rR 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為E（1）rR 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為高斯面E（1）rR 四、均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為E=r2l0E（1）rR 4. 均勻帶電圓柱面的電場(chǎng)。 沿軸線方向單位長度帶電量為E=r2l0E=0.E高斯面sE.dSE高斯面sE.dS=側(cè)E.dSE高斯面sE.dS=側(cè)E.dS上底E.dS下底E.dS+E高斯面=sE.dS=側(cè)E.dS上底E.dS下底E.dS+=00E高斯面=