CMOS集成電路工藝流程(-54張)課件

1、章CMOS集成電路工藝流程1章1多晶硅柵CMOS工藝流程可用器件工藝擴展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程3多晶硅柵CMOS工藝流程3初始材料重摻雜P型(100)襯底硅，P+減小襯底電阻，提高抗CMOS閂鎖效應能力外延生長在襯底上生長一層輕摻雜P型外延層，P-厚度510um可以比CZ硅更精確的控制外延層的電學特性，從而更好的控制器件參數襯底材料4初始材料襯底材料4N阱擴散熱氧化N阱掩模板光刻氧化層磷離子注入高溫推進，同時形成緩沖氧化層N阱工藝能夠提供性能稍好的NMOS晶體管，并允許襯底接地N阱擴散5N阱擴散N阱擴散5反型槽工藝淀積氮化硅反型槽掩模板光刻氮化硅刻蝕場區(qū)氮

2、化硅反型槽6反型槽工藝反型槽6溝道終止注入7溝道終止注入7LOCOS氧化刻蝕去除氮化硅去除緩沖氧化層生長虛擬氧化層LOCOS工藝和虛擬柵氧化8LOCOS氧化LOCOS工藝和虛擬柵氧化8閾值調整硼注入調整閾值電壓剝除虛擬柵氧化層柵氧化層干氧法氧化過程很短，柵氧化層很薄閾值調整和柵氧化層生長9閾值調整閾值調整和柵氧化層生長9本征多晶硅淀積多晶硅掩模光刻、多晶硅層刻蝕多晶硅重摻雜磷（淀積、注入）多晶硅淀積和光刻10本征多晶硅淀積多晶硅淀積和光刻10NSD/PSD掩模板光刻通過暴露的柵氧化注入雜質多晶硅柵作為源/漏自對準注入的掩模板去除光刻膠短暫退火，激活注入雜質源/漏注入11NSD/PSD掩模板光刻

3、源/漏注入11接觸淀積多層氧化物 (MLO)接觸掩模光刻、刻蝕接觸孔區(qū)域重摻雜區(qū)域可以形成歐姆接觸金屬化接觸孔硅化難熔金屬薄膜淀積、摻銅鋁層淀積金屬掩模光刻、金屬刻蝕，形成互連結構淀積夾層氧化物 (ILO)刻蝕ILO通孔，第二層金屬互連. .保護層最后一層金屬上淀積保護層，厚的磷硅玻璃、壓縮氮化層等接觸、金屬化和保護層12接觸接觸、金屬化和保護層12多晶硅柵CMOS晶圓剖面13多晶硅柵CMOS晶圓剖面13典型CMOS工藝流程圖14典型CMOS工藝流程圖14典型CMOS工藝流程圖15典型CMOS工藝流程圖15典型CMOS工藝流程圖16典型CMOS工藝流程圖16典型CMOS工藝流程圖17典型CMO

4、S工藝流程圖17典型CMOS工藝流程圖18典型CMOS工藝流程圖18典型CMOS工藝流程圖19典型CMOS工藝流程圖19典型CMOS工藝流程圖20典型CMOS工藝流程圖20典型CMOS工藝流程圖21典型CMOS工藝流程圖21典型CMOS工藝流程圖22典型CMOS工藝流程圖22典型CMOS工藝流程圖23典型CMOS工藝流程圖23典型CMOS工藝流程圖24典型CMOS工藝流程圖24典型CMOS工藝流程圖25典型CMOS工藝流程圖25典型CMOS工藝流程圖26典型CMOS工藝流程圖26典型CMOS工藝流程圖27典型CMOS工藝流程圖27典型CMOS工藝流程圖28典型CMOS工藝流程圖28典型CMOS

5、工藝流程圖29典型CMOS工藝流程圖29典型CMOS工藝流程圖30典型CMOS工藝流程圖30典型CMOS工藝流程圖31典型CMOS工藝流程圖31典型CMOS工藝流程圖32典型CMOS工藝流程圖32典型CMOS工藝流程圖33典型CMOS工藝流程圖33典型CMOS工藝流程圖34典型CMOS工藝流程圖34典型CMOS工藝流程圖35典型CMOS工藝流程圖35典型CMOS工藝流程圖36典型CMOS工藝流程圖36典型CMOS工藝流程圖37典型CMOS工藝流程圖37典型CMOS工藝流程圖38典型CMOS工藝流程圖38典型CMOS工藝流程圖39典型CMOS工藝流程圖39典型CMOS工藝流程圖40典型CMOS工藝流程圖40典型CMOS工藝流程圖41典型CMOS工藝流程圖41典型CMOS工藝流程圖42典型CMOS工藝流程圖42可用器件43可用器件43NMOS晶體管44NMOS晶體管44PMOS晶體管45PMOS晶體管45襯底PNP管46襯底PNP管46電阻多晶硅電阻NSD/PSD電阻N阱電阻金屬電阻多晶硅電阻必須使用硅化物阻擋掩模板多晶硅電阻47電阻多晶硅電阻47NSD/PSD電阻48NSD/PSD電阻48電容MOS電容金屬電容（MOM、MiM）多晶硅電容（PiP）MOS電容49電容MOS電容4