電化學(xué)阻抗譜市公開課金獎市賽課一等獎?wù)n件

1、郭惠霞電化學(xué)阻抗譜及其應(yīng)用第1頁電化學(xué)阻抗譜發(fā)展史1電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ) 2 電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用3第2頁Oliver Heaviside首次將拉普拉斯變換方法應(yīng)用到電子電路瞬態(tài)響應(yīng)，由此開創(chuàng)了阻抗譜應(yīng)用先河。The Electrician（1872年） O. Heaviside, Electrical Papers, volume 1 (New York: MacMillan, 1894). O. Heaviside, Electrical Papers, volume 2 (New York: MacMillan, 1894). 概念：電感（inductance）, 電容（capacitance）

2、, 阻抗（ impedance），并應(yīng)用到電子電路中。一、電化學(xué)阻抗譜發(fā)展史第3頁第4頁TEXTTEXT19521972199019601920介電性能生物體系陽極溶解腐蝕混合導(dǎo)體非均勻表面電橋機(jī)械發(fā)生器電橋電子發(fā)生器脈沖法示波器拉普拉斯變換模擬阻抗測定恒電位儀（AC+DC）數(shù)字阻抗測定電橋機(jī)械發(fā)生器局部電化學(xué)阻抗譜R-C電子等效電路Nyquist圖Bode圖校正Bode圖第5頁6鎖相放大器頻譜分析儀阻抗頻率Eeqt電化學(xué)阻抗法交流伏安法阻抗測量技術(shù)阻抗模量、相位角頻率E=E0sin(t)電化學(xué)阻抗譜（Electrochemical Impedance Spectroscopy，EIS） 給電

3、化學(xué)系統(tǒng)施加一個頻率不一樣小振幅交流正弦電勢波，測量交流電勢與電流信號比值（系統(tǒng)阻抗）隨正弦波頻率改變，或者是阻抗相位角隨改變。分析電極過程動力學(xué)、雙電層和擴(kuò)散等，研究電極材料、固體電解質(zhì)、導(dǎo)電高分子以及腐蝕防護(hù)機(jī)理等。第6頁能夠取得數(shù)據(jù)：第7頁 給黑箱（電化學(xué)系統(tǒng)M）輸入一個擾動函數(shù)X，它就會輸出一個響應(yīng)信號Y。用來描述擾動與響應(yīng)之間關(guān)系函數(shù)，稱為傳輸函數(shù)G()。若系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)是線性穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則輸出信號就是擾動信號線性函數(shù)。XYGG = Y / X二、電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ)第8頁9 假如X為角頻率為正弦波電勢信號，則Y即為角頻率也 為正弦電流信號，此時，頻響函數(shù)G()就稱之為系統(tǒng) 導(dǎo)納（admit

4、tance)， 用Y表示。 阻抗和導(dǎo)納統(tǒng)稱為阻納（immittance）, 用G表示。阻抗和 導(dǎo)納互為倒數(shù)關(guān)系，Z=1/Y。 假如X為角頻率為正弦波電流信號，則Y即為角頻率也 為正弦電勢信號，此時，傳輸函數(shù)G()也是頻率函 數(shù)，稱為頻響函數(shù)，這個頻響函數(shù)就稱之為系統(tǒng)阻抗 （impedance)， 用Z表示。Y/X=G()第9頁10log|Z| / degBode plotNyquist plot高頻區(qū)低頻區(qū)EIS技術(shù)就是測定不一樣頻率 （f）擾動信號X和響應(yīng)信號 Y 比值，得到不一樣頻率下阻抗實部Z、虛部Z、模值|Z|和相位角，然后將這些量繪制成各種形式曲線，就得到EIS抗譜。Nyqusit圖

5、Bode圖第10頁11因為采取小幅度正弦電勢信號對系統(tǒng)進(jìn)行微擾，電極上交替出現(xiàn)陽極和陰極過程，二者作用相反，所以，即使擾動信號長時間作用于電極，也不會造成極化現(xiàn)象積累性發(fā)展和電極表面狀態(tài)積累性改變。所以EIS法是一個“準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)方法”。因為電勢和電流間存在線性關(guān)系，測量過程中電極處于準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)，使得測量結(jié)果數(shù)學(xué)處理簡化。EIS是一個頻率域測量方法，可測定頻率范圍很寬，因而比常規(guī)電化學(xué)方法得到更多動力學(xué)信息和電極界面結(jié)構(gòu)信息。EIS特點第11頁12EIS測量前提條件因果性條件（causality）:輸出響應(yīng)信號只是由輸入擾動信號引發(fā)。線性條件（linearity）: 輸出響應(yīng)信號與輸入擾動信號之間存在線

6、性關(guān)系。電化學(xué)系統(tǒng)電流與電勢之間是動力學(xué)規(guī)律決定非線性關(guān)系，當(dāng)采取小幅度正弦波電勢信號對系統(tǒng)擾動，電勢和電流之間可近似看作呈線性關(guān)系。通常作為擾動信號電勢正弦波幅度普通不超出10mV。穩(wěn)定性條件（stability）: 擾動不會引發(fā)系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，當(dāng)擾動停頓后，系統(tǒng)能夠回復(fù)到原先狀態(tài)。可逆反應(yīng)輕易滿足穩(wěn)定性條件；不可逆電極過程，只要電極表面改變不是很快，當(dāng)擾動幅度小，作用時間短，擾動停頓后，系統(tǒng)也能夠恢復(fù)到離原先狀態(tài)不遠(yuǎn)狀態(tài)，能夠近似認(rèn)為滿足穩(wěn)定性條件。第12頁13正弦電勢信號：正弦電流信號：-角頻率-相位角（一） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識復(fù)數(shù)第13頁1 復(fù)數(shù)概念（2）復(fù)數(shù)輻角（即相位角）（

7、1）復(fù)數(shù)模 （一） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識復(fù)數(shù)第14頁（3）虛數(shù)單位乘方（一） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識復(fù)數(shù)（4）共軛復(fù)數(shù)第15頁2 復(fù)數(shù)表示法（一） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識復(fù)數(shù)（1）坐標(biāo)表示法（2）三角表示法（3）指數(shù)表示法第16頁（一） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識復(fù)數(shù)3 復(fù)數(shù)運算法則（1）加減（2）乘除第17頁（二） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)1 正弦交流電流經(jīng)過各元件時電流與電壓關(guān)系（1）純電阻元件電阻兩端電壓與流經(jīng)電阻電流是同頻同相正弦交流電 VRVI第18頁（二） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)（2）純電感元件電感兩端電壓與流經(jīng)電流是同頻率正弦量，但在相位上電壓比電流超前VItVL第19頁（二） 相關(guān)

8、復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)IVt第20頁（二） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)（3）純電容元件電容器兩端電壓和流經(jīng)電流是同頻率正弦量，只是電流在相位上比電壓超前 VC| |VIt第21頁VIt（二） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)第22頁（二） 相關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識電工學(xué)2 復(fù)阻抗概念（1）復(fù)阻抗串聯(lián)（2）復(fù)阻抗并聯(lián)復(fù)阻抗Z是電路元件對電流妨礙作用和移相作用反應(yīng)。第23頁（三） 電解池等效電路（1）（2）（3）（4）（5）第24頁（三） 電解池等效電路電路描述碼 (Circuit Description Code, CDC)規(guī)則以下：元件外面括號總數(shù)為奇數(shù)時，該元件第一層運算為并聯(lián)，外面括號總數(shù)為偶數(shù)時，

9、該元件第一層運算為串聯(lián)。第25頁（三） 電解池等效電路R(Q(W(RC)串聯(lián)元件,計算阻抗，各元件阻抗相加；并聯(lián)元件,計算導(dǎo)納，各元件導(dǎo)納相加。第26頁（四） 理想極化電極電化學(xué)阻抗譜電解池阻抗復(fù)平面圖（Nyquist圖） 第27頁（四） 理想極化電極電化學(xué)阻抗譜1 圖（2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)Bode圖 第28頁（四） 理想極化電極電化學(xué)阻抗譜（2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)Bode圖 2 圖第29頁（四） 理想極化電極電化學(xué)阻抗譜時間常數(shù)當(dāng)處于高頻和低頻之間時，有一個特征頻率*，在這個特征頻率，和復(fù)合阻抗實部和虛部相等，即：第30頁（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化EIS第31頁Nyqui

10、st圖 （2）低頻區(qū)討論：（1）高頻區(qū)（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化EIS第32頁Bode圖 圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化EIS第33頁時間常數(shù)在Nyquist圖中，半圓上極大值處頻率就是特征頻率令（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化EISBode圖 第34頁（五）溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化EISRC （RC） 第35頁（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化EISCd與Rp并聯(lián)后與RL串聯(lián)后總阻抗為 實部：虛部：Cd與Rp并聯(lián)后總導(dǎo)納為 第36頁Nyquist圖 （2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化EIS第37頁Bode圖 圖（2）低頻區(qū)（1）高頻

11、區(qū)（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化EIS第38頁（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)Bode圖 圖（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化EIS第39頁（六）溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化EIS3 時間常數(shù)第40頁補充內(nèi)容 常見規(guī)律總結(jié)在阻抗復(fù)數(shù)平面圖上，第1象限半圓是電阻和電容并聯(lián)所產(chǎn)生，叫做容抗弧。在Nyquist圖上，第1象限有多少個容抗弧就有多少個(RC)電路。有一個(RC)電路就有一個時間常數(shù)。第41頁補充內(nèi)容 常見規(guī)律總結(jié)普通說來，假如系統(tǒng)有電極電勢E和另外n個表面狀態(tài)變量，那么就有n+1個時間常數(shù)，假如時間常數(shù)相差5倍以上，在Nyquist圖上就能分辨出n+1個容抗弧。第1個容抗弧（高頻端）是(R

12、pCd)頻響曲線。第42頁補充內(nèi)容常見規(guī)律總結(jié)有n個電極反應(yīng)同時進(jìn)行時，假如又有影響電極反應(yīng)x個表面狀態(tài)變量，此時時間常數(shù)個數(shù)比較復(fù)雜。普通地說，時間常數(shù)個數(shù)小于電極反應(yīng)個數(shù)n和表面狀態(tài)變量x之和，這種現(xiàn)象叫做混合電勢下EIS退化。第43頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS電極等效電路 第44頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS實部：虛部：第45頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS濃差極化電阻RW和電容CW稱為Warburg系數(shù)。 和都與角頻率平方根成反比。 第46頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS Nyquist圖 （2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)第47頁（

13、七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EISBode圖 圖（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)第48頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EISBode圖 圖濃度極化對幅值圖影響第49頁（2）低頻區(qū)（1）高頻區(qū)Bode圖 圖（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS第50頁Bode圖 圖（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS濃度極化對相角圖影響第51頁（七）電化學(xué)極化和濃度極化同時存在電極EIS 時間常數(shù)令依據(jù) 即。由和可求得。 Bode圖 第52頁補充內(nèi)容 作Nyquist圖注意事項（1）（2）（3）第53頁EIS譜圖實例鋅鋁涂層在海水浸泡過程中EIS 第54頁EIS譜圖實例第55頁EIS譜圖實

14、例不恰當(dāng)圖例第56頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 在實際電化學(xué)體系阻抗測定中，人們經(jīng)常觀察到阻抗圖上壓扁半圓（depressed semi-circle），即在Nyquist圖上高頻半圓圓心落在了x軸下方，因而變成了圓一段弧。 該現(xiàn)象又被稱為半圓旋轉(zhuǎn)。第57頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 普通認(rèn)為，出現(xiàn)這種半圓向下壓扁現(xiàn)象，亦即通常說阻抗半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象原因與電極/電解液界面性質(zhì)不均勻性相關(guān)。固體電極雙電層電容頻響特征與“純電容”并不一致，而有或大或小偏離，這種現(xiàn)象，普通稱為“彌散效應(yīng)”。雙電層中電場不均勻，這種不均勻可能是電極表面太粗糙引發(fā)。界面電容介質(zhì)損耗。第58頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象

15、 第59頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 雙電層電容Cd、Rp與一個與頻率成反比電阻并聯(lián)等效電路實部 虛部 第60頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 這是一個以為圓心，實部 虛部 為半徑圓。以第61頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 利用阻抗復(fù)平面圖求和 依據(jù)圓心下移傾斜角和圓弧頂點特征頻率能夠求得 、第62頁（八） 阻抗譜中半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 常相位角元件（Constant Phase Element, CPE）含有電容性質(zhì)，它等效元件用Q表示，Q與頻率無關(guān)，因而稱為常相位角元件。常相位角元件通常n在0.5和1之間。對于理想電極（表面平滑、均勻），Q等于雙層電容，n=1。n=1時，第63頁（八） 阻抗譜中半

16、圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 上面介紹公式中b與n實質(zhì)上都是經(jīng)驗常數(shù)，缺乏確切物理意義，但能夠把它們了解為在擬合真實體系阻抗譜時對電容所做修正。第64頁阻抗試驗注意點（1）參比電極影響 （九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒1.試驗準(zhǔn)備雙參比電極結(jié)構(gòu)示意圖 第65頁阻抗試驗注意點（2）要盡可能降低測量連接線長度，減小雜散電容、電感影響。 （九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒1.試驗準(zhǔn)備相互靠近和平行放置導(dǎo)線會產(chǎn)生電容。長導(dǎo)線尤其是當(dāng)它繞圈時就成為了電感元件。測定阻抗時要把儀器和導(dǎo)線屏蔽起來。第66頁阻抗試驗注意點（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒2.頻率范圍要足夠?qū)捚胀ㄊ褂妙l率范圍是105-10-4Hz。

17、阻抗測量中尤其重視低頻段掃描。反應(yīng)中間產(chǎn)物吸脫附和成膜過程，只有在低頻時才能在阻抗譜上表現(xiàn)出來。測量頻率很低時，試驗時間會很長，電極表面狀態(tài)改變會很大，所以掃描頻率低值還要結(jié)合實際情況而定。第67頁阻抗試驗注意點（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒3.阻抗譜必須指定電極電勢 電極所處電勢不一樣，測得阻抗譜必定不一樣。阻抗譜與電勢必須一一對應(yīng)。為了研究不一樣極化條件下電化學(xué)阻抗譜，能夠先測定極化曲線，在電化學(xué)反應(yīng)控制區(qū)（Tafel區(qū)）、混合控制區(qū)和擴(kuò)散控制區(qū)各選取若干確定電勢值，然后在響應(yīng)電勢下測定阻抗。第68頁阻抗試驗注意點（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒阻抗譜測試中主要參數(shù)設(shè)置Ini

18、tial Freq / High FreqFinal Freq / Low FreqPoints/decadeCyclesDC Voltage / Initial EAC Voltage / Amplitude第69頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒阻抗譜分析思緒 1.現(xiàn)象分析第70頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒2.圖解分析 阻抗譜分析思緒 第71頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒3.數(shù)值計算 阻抗譜分析思緒 第72頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒4.計算機(jī)模擬 阻抗譜分析思緒 第73頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第74頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分

19、析思緒第75頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第76頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第77頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第78頁6.8 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第79頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第80頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第81頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第82頁（九） 阻抗試驗注意點和阻抗譜分析思緒第83頁1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 -1.15V-1.10V鍍鋅 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第84頁鍍銅 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 a基礎(chǔ)鍍液A；bA+60mg/L Cl；cB+300mg/LOP-21；dB+30mg/L PEG

20、 （A）0.3mol/LCuSO4+1.94H2SO4（B）10mg/LTDY+60mg/LCl-+(A)三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第85頁鍍銅 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 無Cl-時含不一樣量AQNyquist圖 含60ml/L Cl-Nyquist圖 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第86頁鍍鉻 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 鐵電極在含2g/L 硫酸鍍鉻溶液中-0.9V時Nyquist圖 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第87頁在合金電鍍研究中應(yīng)用 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 Zn-Fe合金電鍍，1.45V（1），1.5V（2） 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第88頁a只含Co2+；b、 c、 dCo2+Ni2+=51；11；15

21、；e只含Ni2+三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 在合金電鍍研究中應(yīng)用 第89頁用于擬合等效電路 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 在合金電鍍研究中應(yīng)用 第90頁在復(fù)合鍍研究中應(yīng)用 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 Ni-SiC納米復(fù)合鍍液電化學(xué)阻抗圖（a）200rpm；（b）100rpm 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第91頁在化學(xué)鍍研究中應(yīng)用 1 在金屬電沉積研究中應(yīng)用 化學(xué)鍍鎳中次亞磷酸鈉陽極氧化行為 基礎(chǔ)液+ 0.10 molL - 1 NaH2PO2 體系 基礎(chǔ)液+ 0.10 molL - 1 NaH2PO2 體系 + 0.10 molL1NaH2PO2體系 三、電化學(xué)阻

22、抗譜應(yīng)用第92頁2 在電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和參數(shù)測量中應(yīng)用 堿性溶液中析氫反應(yīng)阻抗復(fù)平面圖Ag電極，rpm，過電勢：1130mV；2190mV；3250mV；4310mV 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第93頁2 在電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和參數(shù)測量中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第94頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第95頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第96頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第97頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用E(V)Rct(10-2cm2)-0.1122.20-0.084.29-0.051.96銻電極在不一樣過電勢時Bode圖 第98頁3

23、 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用J Solid State Electrochem () 9: 421428第99頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用J Solid State Electrochem () 9: 421428物理意義：Rs:從參比電極到工作電極溶液電阻CPE:與雙電層電容關(guān)聯(lián)常相位角元件Rt:電極電荷轉(zhuǎn)移電阻Wo:固相擴(kuò)散沃伯格阻抗第100頁3 在化學(xué)電源研究中應(yīng)用 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用J Solid State Electrochem () 9: 4214281.同一放電深度，電荷轉(zhuǎn)移電阻Rt值伴隨Zn含量增加，先減小后增大(0%DOD除外)；2.同

24、一Zn含量樣品，Rt值伴隨DOD增大而增大，歸因于NiOOH還原和鎳電極電化學(xué)極化。第101頁4 在腐蝕科學(xué)研究中應(yīng)用 在涂料防護(hù)性能研究方面應(yīng)用 干富鋅涂層EIS 測定富鋅涂層EIS裝置示意圖 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第102頁4 在腐蝕科學(xué)研究中應(yīng)用 在涂料防護(hù)性能研究方面應(yīng)用 在人工海水中浸泡不一樣時間后富鋅涂層EIS 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用第103頁4 在腐蝕科學(xué)研究中應(yīng)用 有機(jī)涂層下金屬電極阻抗譜浸泡早期涂層體系EIS 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用RL：溶液電阻 RC：涂層電阻 CC：涂層電容CC不停增大RC逐步減小 浸泡早期涂層體系相當(dāng)于一個“純電容”，求解涂層電阻會有較大誤差，而涂層電容能夠較準(zhǔn)確地估算第104頁4 在腐蝕科學(xué)研究中應(yīng)用 有機(jī)涂層下金屬電極阻抗譜浸泡中期涂層體系EIS 三、電化學(xué)阻抗譜應(yīng)用RPO：經(jīng)過涂層微孔路徑電阻值 電解質(zhì)是均勻地滲透涂層體系且界面腐蝕電池是均勻分布第105頁4在腐蝕科學(xué)研究中應(yīng)用 有機(jī)涂層下金屬電極阻