RAM的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過(guò)程

精心整理一的一般構(gòu)讀過(guò)1.RAM的一般結(jié)構(gòu)它由三部分電路組成：1)行列地址譯器：它是個(gè)二進(jìn)制譯碼器，將地址碼翻譯成行列對(duì)應(yīng)的體地址，后去選通地址的存儲(chǔ)單元，對(duì)該元中的信進(jìn)行讀出作或進(jìn)行寫入新的信息操作。例如：一個(gè)位的地址A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011時(shí)，將對(duì)應(yīng)于第5第3列的儲(chǔ)單元被選中。2)存體：它是放大量二制信息的“倉(cāng)庫(kù)”，該倉(cāng)庫(kù)由成千上萬(wàn)個(gè)存儲(chǔ)元組成。每個(gè)存儲(chǔ)元存放著一個(gè)二進(jìn)制字息，二進(jìn)字可能是位的，也可能多位。存儲(chǔ)體或RAM的容量存儲(chǔ)單元的數(shù)*每個(gè)存儲(chǔ)元中數(shù)據(jù)位數(shù)。例如，一個(gè)位地址的RAM，有210個(gè)存儲(chǔ)元，若每個(gè)存儲(chǔ)單元存一位二進(jìn)信息，則RAM的量就是210()×1()=1024字位，通常稱1K字位容量)3)I/O及讀寫控電路：該部分電路決定存儲(chǔ)器是行讀出信操作還是寫入新信息操作。輸入/輸出緩沖起數(shù)據(jù)的鎖作用常采用態(tài)輸出的電路結(jié)構(gòu)此RAM可以與它的外面路相連接現(xiàn)信的雙向傳輸(即可輸入，也輸出)，使信息交換和傳遞分方便。2.RAM的讀出信息和寫入新信息過(guò)程讀/寫過(guò))：時(shí)序訪問(wèn)某地址元的地址有效，假你想去訪問(wèn)的具體地址：如A9～片選有效

=0，選該片RAM為工作狀態(tài)。讀寫操有效：二RAM的儲(chǔ)元

＝1，讀出信息＝0，寫入信息按照數(shù)據(jù)存的方式不，RAM中的存儲(chǔ)元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元—靜態(tài)RAM(SRAM)；態(tài)存儲(chǔ)單—?jiǎng)討B(tài)RAM(DRAM)。1.靜態(tài)儲(chǔ)單元SRAM)：它由電源來(lái)持信息，觸發(fā)器，存器等。靜態(tài)存儲(chǔ)單(SRAM)的典型結(jié)：T5、、T7、T8都是門控管，要柵極高電平，這些管子就工作在可變電阻區(qū)當(dāng)作開關(guān)其中，存儲(chǔ)元通過(guò)T5、T6和據(jù)線(位線)相連；數(shù)據(jù)又通過(guò)T7T8和經(jīng)輸入輸出緩沖電路輸入/輸出線相連接，實(shí)現(xiàn)信息傳遞和交。寫入信息的操作過(guò)程，在第一次入信息之儲(chǔ)單元中信息是隨機(jī)信息。假定要寫入息“1”：1)地址加入，地有效后，對(duì)應(yīng)的行選線X和列線Y都高電平，T5T6T7、導(dǎo)電；

精心整理2)片選號(hào)

有效(電平)；3)寫入號(hào)有效，時(shí)三態(tài)門G2、為工作態(tài)，輸出高阻態(tài)，信息1”經(jīng)G2、T7T5達(dá)到Q端；經(jīng)G3反后信息“”經(jīng)T8T6達(dá)假定要讀出息“1”：

。T4導(dǎo)，T3止，顯然信息“1”已寫入存儲(chǔ)單元。1)訪問(wèn)地址單元地址碼有；2)片選效=03)讀操有效R/出。

=1；此：三態(tài)門G1工作態(tài)G2、G3高態(tài)，存儲(chǔ)元中的信1”經(jīng)T5、G1三態(tài)門讀除上述NMOS結(jié)構(gòu)的態(tài)SRAM以外，有以下幾種類型的SRAM。CMOS結(jié)構(gòu)的SRAM功耗更低，存儲(chǔ)量更加大。雙極型結(jié)構(gòu)SRAM：功耗大，存取度更加快。2.動(dòng)態(tài)儲(chǔ)單元DRAM)靜態(tài)存儲(chǔ)單存在靜態(tài)耗，集成做不高，所以，存儲(chǔ)容量也做不大動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元，利用柵源間的MOS電容存儲(chǔ)信息其靜態(tài)功很小，因存儲(chǔ)容量可以做得很大。靜態(tài)功大，密低，動(dòng)態(tài)RAM功耗小，密度。動(dòng)態(tài)RAM需要定刷新，使用較復(fù)雜。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單(DRAM)的典型結(jié)：門控管T4、、T6、T7、，C1、C2為MOS電容。DRAM的讀寫操作過(guò)程：1)訪問(wèn)存儲(chǔ)單元地址有效2)片選號(hào)有(未畫)；3)發(fā)出讀信息或?qū)懭胄滦畔⒌目刂菩盘?hào)。讀出操作時(shí)令原信息Q=1，C2充有電荷，地址有效后，行、列選取線高平；加片信號(hào)后，讀出信號(hào)R=1，W=0；、、T8導(dǎo)電，經(jīng)T4、、T8讀出。寫操作時(shí)，定原信息“0”，要寫入信息”，該存單元的地址有效后，、Y為高電平；片選信號(hào)到達(dá)后，加寫入命令W=1R=0，即“1。信息T7T5T3對(duì)C2電。至一定電壓后導(dǎo)電，C1放電，截止，以，Q變?yōu)楦唠?，?”信息寫到了該存單元中。果寫入的信息是“0”，則電容上的荷不變。動(dòng)態(tài)RAM的刷新：由于DRAM靠MOS電容存儲(chǔ)信息。該信息長(zhǎng)間

精心整理不處理時(shí)電容上的電荷將會(huì)因漏電等原因而逐漸的損失從而造成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的丟失及時(shí)補(bǔ)充電荷是動(dòng)態(tài)RAM中一個(gè)十分重要的問(wèn)題。補(bǔ)充充電的過(guò)程稱為“刷新”—也稱“再生”。補(bǔ)充充電的程：加預(yù)電脈沖、預(yù)充電管、T10導(dǎo)電C01，很快充至VDD，

撤消后，C01，C02上的電荷保。然而進(jìn)讀出操作地址有效，行、列選線XY高電；R=1，W=0進(jìn)行讀出操，如果原息為Q=“1”，說(shuō)明MOS電容有荷，C1有電荷即T2導(dǎo)電，T1止)；這時(shí)C01上的電荷將C2充充電，C02上的電荷經(jīng)導(dǎo)電管放，結(jié)果對(duì)C2實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)充電。讀出的數(shù)據(jù)仍為，，則DO=1。實(shí)上在進(jìn)一讀操作前必對(duì)DRAM按排次新即加個(gè)充電沖然進(jìn)讀操。同在進(jìn)任操時(shí)也應(yīng)該隔定間動(dòng)行次充電一是間)，彌補(bǔ)荷失三靜容擴(kuò)通常微處理的數(shù)據(jù)總為8位、位或32位，地址總線16位或24不等當(dāng)靜態(tài)的址線和數(shù)據(jù)線不能與微相匹配時(shí)可用地址擴(kuò)展、數(shù)據(jù)線擴(kuò)展或地址和數(shù)據(jù)線時(shí)進(jìn)行擴(kuò)的方法加解決。1.RAM容量的擴(kuò)展-位數(shù)擴(kuò)展據(jù)線擴(kuò)展如SRAM211410位地址，位據(jù)線，其容量=210××4=4096字位(4K)。例：用4K容量的RAM2114，實(shí)一個(gè)容量為1024×8(≈8K字位)字位容量RAM。解1024×8字位容量其地址仍十位，故只要進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展即可選用RAM2114兩，將兩片地址線，讀/寫線及片選并聯(lián)片的位分別作為高位據(jù)和低4數(shù)據(jù)組成8位數(shù)據(jù)線即擴(kuò)展的電路如圖所示：2.SRAM容量的擴(kuò)---字位展，地址展，數(shù)據(jù)位擴(kuò)展。例：用RAM2114，擴(kuò)成容