




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《大學(xué)物理2》復(fù)習(xí)教師:鄭采星期末考試(60%)+期中考試(20%)+平時(shí)成績(jī)(20%)平時(shí)成績(jī):作業(yè)和到課率(20%)考試題型:選擇(30%)、填空(30%)、計(jì)算(40%)1一、選擇題:1.圖中所表示為軸對(duì)稱性靜電場(chǎng)E~r曲線,請(qǐng)指出該電場(chǎng)是由以下哪一個(gè)帶電體產(chǎn)生(E表示電場(chǎng)強(qiáng)度大小,r表示離對(duì)稱軸距離).(A)“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱面;(B)“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱體;(C)“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電直線;(D)“有限長(zhǎng)”均勻帶電直線.依據(jù)高斯定理,求“無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電直線電場(chǎng)中場(chǎng)強(qiáng)分布:電場(chǎng)分布有軸對(duì)稱性,方向沿徑向,如圖所表示取閉合曲面S,設(shè)均勻帶電直線電荷線密度為[]C22.在一點(diǎn)電荷q產(chǎn)生靜電場(chǎng)中,一塊電介質(zhì)如圖放置,以點(diǎn)電荷所在處為球心作一球形閉合面S,則對(duì)此球形閉合面:(A)高斯定理成立,且可用它求出閉合面上各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng).(B)高斯定理成立,但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng).(C)因?yàn)殡娊橘|(zhì)不對(duì)稱分布,高斯定理不成立.(D)即使電介質(zhì)對(duì)稱分布,高斯定理也不成立.[]B33.一個(gè)大平行板電容器水平放置,兩極板間二分之一空間充有各向同性均勻電介質(zhì),另二分之一為空氣,如圖,當(dāng)兩極板帶上恒定等量異號(hào)電荷時(shí),有一個(gè)質(zhì)量為m,帶電量+q
質(zhì)點(diǎn),平衡在極板間空氣區(qū)域中,今后,若把電介質(zhì)抽去,則該質(zhì)點(diǎn)(A)保持不動(dòng),(B)向上運(yùn)動(dòng),(C)向下運(yùn)動(dòng),(D)是否運(yùn)動(dòng)不能確定。[]+Q-Qm+qB平衡時(shí)有并聯(lián)抽去介質(zhì)后,將增大,E空氣也將增大。44.如圖所表示,在磁感強(qiáng)度為B均勻磁場(chǎng)中,有一圓形載流導(dǎo)線,a、b、c是其上三個(gè)長(zhǎng)度相等電流元,則它們所受安培力大小關(guān)系為[]C
(A)Fa>Fb>Fc.(B)Fa<Fb<Fc.(C)Fb>Fc>Fa.(D)Fa>Fc>Fb.
55.
長(zhǎng)直電流
I2與圓形電流
I1共面,并與其一直徑相重合如圖(但二者間絕緣),設(shè)長(zhǎng)直電流不動(dòng),則圓形電流將(A)繞
I2
旋轉(zhuǎn).(B)向左運(yùn)動(dòng).(C)向右運(yùn)動(dòng).(D)向上運(yùn)動(dòng).(E)不動(dòng).[]66.有一個(gè)半徑為
R
單匝圓線圈,通以電流
I,若將該導(dǎo)線彎成匝數(shù)
N=2平面圓線圈,導(dǎo)線長(zhǎng)度不變,并通以一樣電流,則線圈中心磁感應(yīng)強(qiáng)度和線圈磁矩分別是原來(lái)(A)
4倍和1/8,(B)
4倍和1/2,(C)
2倍和1/4,(D)
2倍和1/2。[]B77.圓柱形無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線置于均勻無(wú)限大磁介質(zhì)之中,若導(dǎo)線中流過(guò)穩(wěn)恒電流為I,磁介質(zhì)相對(duì)磁導(dǎo)率為r(r>1),則與導(dǎo)線接觸磁介質(zhì)表面上磁化電流為(A)(1–r)I.(B)(r–1
)I.(C)r
I.(D)答案:()B有介質(zhì)時(shí)安培環(huán)路定理說(shuō)明;磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任一閉合路徑環(huán)流等于該閉合路徑所包圍傳導(dǎo)電流代數(shù)和。B由穩(wěn)恒電流I與磁化電流I'共同決定。穩(wěn)恒電流I在空間產(chǎn)生磁場(chǎng)磁化電流I'在空間產(chǎn)生磁場(chǎng)
則88.如圖,兩個(gè)線圈
P
和Q
并聯(lián)地接到一電動(dòng)勢(shì)恒定電源上,線圈
P
自感和電阻分別是線圈
Q
兩倍。當(dāng)?shù)竭_(dá)穩(wěn)定狀態(tài)后,線圈
P
磁場(chǎng)能量與
Q
磁場(chǎng)能量比值是:(A)4,(B)2,(C)1,(D)1/2。[]DPQ并聯(lián):99.在圓柱形空間內(nèi)有一磁感強(qiáng)度為B均勻磁場(chǎng),如圖所表示,B大小以速率dB/dt改變.有一長(zhǎng)度為l0金屬棒先后放在磁場(chǎng)兩個(gè)不一樣位置1(ab)和2(a'b'),則金屬棒在這兩個(gè)位置時(shí)棒內(nèi)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小關(guān)系為(A)E2=E1≠0.
(B)E2<E1.(C)E2>E1.(D)E2=E1=0.
B/t一致,且[]C1010.如圖所表示,空氣中有一無(wú)限長(zhǎng)金屬薄壁圓筒,在表面上沿圓周方向均勻地流著一層隨時(shí)間改變面電流i(t),則(A)圓筒內(nèi)均勻地分布著改變磁場(chǎng)和改變電場(chǎng).(B)任意時(shí)刻經(jīng)過(guò)圓筒內(nèi)假想任一球面磁通量和電通量均為零.(C)沿圓筒外任意閉合環(huán)路上磁感強(qiáng)度環(huán)流不為零.(D)沿圓筒內(nèi)任意閉合環(huán)路上電場(chǎng)強(qiáng)度環(huán)流為零.答案:()B本題相當(dāng)于通有改變電流螺線管,管內(nèi)無(wú)自由電荷,且沿軸線方向均勻地分布著改變磁場(chǎng),當(dāng)然有任意時(shí)刻經(jīng)過(guò)圓筒內(nèi)假想任一球面電通量和磁通量均為零。在任何電場(chǎng)中,經(jīng)過(guò)任意閉合曲面電位移通量等于閉合面內(nèi)自由電荷代數(shù)和。在任何磁場(chǎng)中,經(jīng)過(guò)任意閉合曲面磁通量均等于零。1110.如圖所表示,空氣中有一無(wú)限長(zhǎng)金屬薄壁圓筒,在表面上沿圓周方向均勻地流著一層隨時(shí)間改變面電流i(t),則(A)圓筒內(nèi)均勻地分布著改變磁場(chǎng)和改變電場(chǎng).(B)任意時(shí)刻經(jīng)過(guò)圓筒內(nèi)假想任一球面磁通量和電通量均為零.(C)沿圓筒外任意閉合環(huán)路上磁感強(qiáng)度環(huán)流不為零.(D)沿圓筒內(nèi)任意閉合環(huán)路上電場(chǎng)強(qiáng)度環(huán)流為零.對(duì)于選擇(A)無(wú)限長(zhǎng)金屬薄壁圓筒,在表面上沿圓周方向均勻地流著一層隨時(shí)間改變面電流i(t),則在筒內(nèi)形成沿軸線方向均勻分布改變磁場(chǎng)。據(jù)麥克斯韋渦旋電場(chǎng)假設(shè):改變磁場(chǎng)要在其周圍空間激發(fā)一個(gè)電場(chǎng)—渦旋電場(chǎng)Er,顯然圓筒內(nèi)改變電場(chǎng)Er與r相關(guān),非均勻.1210.如圖所表示,空氣中有一無(wú)限長(zhǎng)金屬薄壁圓筒,在表面上沿圓周方向均勻地流著一層隨時(shí)間改變面電流i(t),則(A)圓筒內(nèi)均勻地分布著改變磁場(chǎng)和改變電場(chǎng).(B)任意時(shí)刻經(jīng)過(guò)圓筒內(nèi)假想任一球面磁通量和電通量均為零.(C)沿圓筒外任意閉合環(huán)路上磁感強(qiáng)度環(huán)流不為零.
(D)沿圓筒內(nèi)任意閉合環(huán)路上電場(chǎng)強(qiáng)度環(huán)流為零.
對(duì)于選擇(C)(D)在圓筒內(nèi)沿渦旋電場(chǎng)Er電力線取閉合圓環(huán),其上電場(chǎng)強(qiáng)度環(huán)流不為零。在沿圓筒外取一不包圍傳導(dǎo)電流和位移電流(改變電場(chǎng))閉合環(huán)路,其上磁感強(qiáng)度環(huán)流為零.1311.用頻率為1單色光照射某一個(gè)金屬時(shí),測(cè)得光電子最大動(dòng)能為EK1;用頻率為2單色光照射另一個(gè)金屬時(shí),測(cè)得光電子最大動(dòng)能為EK2;假如EK1>EK2,那么:(A)1一定大于
2(B)1一定小于
2(C)1一定等于
2(D)1可能大于也可能小于
2[]D無(wú)法確定1412.用頻率為n單色光照射某種金屬時(shí),逸出光電子最大動(dòng)能為EK;若改用頻率為2n單色光照射此種金屬時(shí),則逸出光電子最大動(dòng)能為:(A)2EK.(B)2hn-EK.(C)hn-EK.(D)hn+EK.[]D1513.不確定關(guān)系式表示在x方向上(A)粒子位置不能準(zhǔn)確確定.(B)粒子動(dòng)量不能準(zhǔn)確確定.(C)粒子位置和動(dòng)量都不能準(zhǔn)確確定.(D)粒子位置和動(dòng)量不能同時(shí)準(zhǔn)確確定.[]D該式說(shuō)明,對(duì)微觀粒子坐標(biāo)和動(dòng)量不可能同時(shí)進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。假如坐標(biāo)測(cè)量得越準(zhǔn)確,則動(dòng)量測(cè)定偏差就越大,反之亦然。1614.波長(zhǎng)=5000?光沿x軸正向傳輸,若光波長(zhǎng)不確定量=10-3?,則利用不確定關(guān)系式Pxx≥h可得光子x坐標(biāo)不確定量最少為_(kāi)_________.(A)25cm.(B)50cm.(C)250cm.(D)500cm.17A15.已知粒子在一維矩形無(wú)限深勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng),其波函數(shù)為:那么粒子在x=5/6a處出現(xiàn)粒子幾率密度為:[]1816.氫原子中處于2P態(tài)電子,描述其量子態(tài)四個(gè)量子數(shù)(n,,m,ms)可能取值為:(A)(3,2,1,-1/2)(B)(2,0,0,1/2)(C)(2,1,-1,-1/2)(D)(1,0,0,1/2)[]C191.二分之一徑為R球面均勻帶電,所帶電量為q,則電場(chǎng)能量為We=
。解法一:解法二:孤立球形導(dǎo)體電容二.填空題202.圖示為一均勻極化電介質(zhì)球體,已知電極化強(qiáng)度為P,則介質(zhì)球表面上A、B、C各點(diǎn)束縛電荷面密度分別為=____________________,=____________________,=____________________.P、-P、0213.一個(gè)電流元位于直角坐標(biāo)系原點(diǎn),電流沿z軸方向,點(diǎn)P(x,y,z)磁感強(qiáng)度沿x軸分量是:
。
畢奧-薩伐爾定律:電流沿z軸方向,比較224.在安培環(huán)路定理中,Ii
是指_________________________;B
是指____________________________;它是由_____________________________決定。環(huán)路所包圍各種穩(wěn)恒電流代數(shù)和環(huán)路上磁感應(yīng)強(qiáng)度環(huán)路內(nèi)外全部電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)疊加235.一平面試驗(yàn)線圈磁矩大小Pm為110-8A·m2,
把它放入待測(cè)磁場(chǎng)中。當(dāng)此線圈Pm與z軸平行時(shí),所受力矩大小為M=510-9N·m,方向沿x軸負(fù)向,當(dāng)此線圈Pm與y軸平行時(shí),所受力矩為零,則線圈所在空間磁感應(yīng)強(qiáng)度B大小為
,方向?yàn)?/p>
。此線圈磁矩與y軸平行時(shí),所受力矩為零,所以磁感應(yīng)強(qiáng)度和y軸平行。y軸正向.246.將一個(gè)通有電流強(qiáng)度為I閉合回路置于均勻磁場(chǎng)中,回路所圍面積法線方向與磁場(chǎng)方向夾角為。若均勻磁場(chǎng)經(jīng)過(guò)此回路磁通量為,則回路所受力矩大小為————。bcdaII257.無(wú)鐵芯長(zhǎng)直螺線管自感系數(shù)表示式為L(zhǎng)=0n2V,其中n為單位長(zhǎng)度上匝數(shù),V為螺線管體積.若考慮端緣效應(yīng)時(shí),實(shí)際自感系數(shù)應(yīng)___________(填:大于、小于或等于)此式給出值.若在管內(nèi)裝上鐵芯,則L與電流__________(填:相關(guān),無(wú)關(guān)).小于,相關(guān).例:計(jì)算一長(zhǎng)直螺線管自感系數(shù),設(shè)螺線管長(zhǎng)為l
,截面積為
S,總匝數(shù)為
N,充滿磁導(dǎo)率為
磁介質(zhì),且
為常數(shù)。載流直螺線管磁感應(yīng)線分布示意圖若考慮端緣效應(yīng)268.圖示為三種不一樣磁介質(zhì)B~H關(guān)系曲線,其中虛線表示是B=0H關(guān)系.說(shuō)明a、b、c各代表哪一類磁介質(zhì)B~H關(guān)系曲線:
a代表_________B~H關(guān)系曲線.
b代表_________B~H關(guān)系曲線.
c代表__________B~H關(guān)系曲線.順磁質(zhì):抗磁質(zhì):鐵磁質(zhì):279.在沒(méi)有自由電荷與傳導(dǎo)電流改變電磁場(chǎng)中.2810.充了電由半徑為
r
兩塊圓板組成平行板電容器,在放電時(shí)兩板間電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E=Ene-t/RC,式中En、R、C均為常數(shù),則兩板間位移電流大小為_(kāi)__________;其方向與場(chǎng)強(qiáng)方向_________。E=Ene-t/RC,S=r22911.光子波長(zhǎng)為,則其能量=____________;動(dòng)量大小=_____________;質(zhì)量=_________________.光子能量:光子質(zhì)量:光子動(dòng)量:3012.康普頓散射中,當(dāng)散射光子與入射光子方向成夾角=____________時(shí),散射光子頻率小得最多;當(dāng)=_____________時(shí),散射光子頻率與入射光子相同.康普頓效應(yīng):X射線經(jīng)過(guò)物質(zhì)散射后波長(zhǎng)變長(zhǎng)現(xiàn)象。
p,0.c是與散射物質(zhì)無(wú)關(guān)常數(shù),稱為康普頓常數(shù)。3113.設(shè)描述微觀粒子運(yùn)動(dòng)波函數(shù)為(r,t),則表示________________________________;須滿足條件是____________________________;其歸一化條件是____________________________.單值、有限、連續(xù),t時(shí)刻,粒子在空間r處單位體積中出現(xiàn)概率,又稱為概率密度。32計(jì)算基本要求:1.電荷分布電場(chǎng),2.電流分布磁場(chǎng),3.電磁場(chǎng)基本性質(zhì)方程應(yīng)用(如高斯定理、環(huán)路定理),4.電力與磁力計(jì)算,5.電磁感應(yīng)定律應(yīng)用,6.電場(chǎng)與磁場(chǎng)能量計(jì)算。三.計(jì)算題331.帶電細(xì)線彎成半徑為R半圓形,電荷線密度為=
0sin,式中
0為一常數(shù),
為半徑R與x軸所成夾角,如圖所表示.試求環(huán)心O處電場(chǎng)強(qiáng)度.
解:在
處取電荷元,其電荷為dq=dl=
0sinRd
它在O點(diǎn)產(chǎn)生場(chǎng)強(qiáng)為在x、y
軸上二個(gè)分量dEx=-dEcosdEy=-dEsin34dEx=-dEcosdEy=-dEsin對(duì)各分量分別求和352.圖示一個(gè)均勻帶電球?qū)樱潆姾审w密度為r,球?qū)觾?nèi)表面半徑為R1,外表面半徑為R2.設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),求球?qū)又邪霃綖閞處電勢(shì).解:r處電勢(shì)等于以r為半徑球面以內(nèi)電荷在該處產(chǎn)生電勢(shì)U1和球面以外電荷產(chǎn)生電勢(shì)U2之和,即U=U1+U2,其中為計(jì)算以r為半徑球面外電荷產(chǎn)生電勢(shì).在球面外取薄層.其電荷為它對(duì)該薄層內(nèi)任一點(diǎn)產(chǎn)生電勢(shì)為則于是全部電荷在半徑為r處產(chǎn)生電勢(shì)為362.圖示一個(gè)均勻帶電球?qū)?,其電荷體密度為r,球?qū)觾?nèi)表面半徑為R1,外表面半徑為R2.設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),求球?qū)又邪霃綖閞處電勢(shì).另解:依據(jù)電勢(shì)定義球?qū)又须妶?chǎng)為:球?qū)油怆妶?chǎng)為:372.圖示一個(gè)均勻帶電球?qū)?,其電荷體密度為r,球?qū)觾?nèi)表面半徑為R1,外表面半徑為R2.設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn),求球?qū)又邪霃綖閞處電勢(shì).383.如圖所表示,一圓柱形電容器,內(nèi)筒半徑為R1,外筒半徑為R2(R2<2R1),其間充有相對(duì)介電常量分別為er1和er2=er1/2兩層各向同性均勻電介質(zhì),其界面半徑為R.若兩種介質(zhì)擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度相同,問(wèn):(1)當(dāng)電壓升高時(shí),哪層介質(zhì)先擊穿?(2)該電容器能承受多高電壓?解:(1)設(shè)內(nèi)、外筒單位長(zhǎng)度帶電荷為+l和-l.兩筒間電位移大小為
D=l/(2pr)在兩層介質(zhì)中場(chǎng)強(qiáng)大小分別為E1=l/(2pe0
er1r),
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