《微電子制造概論》課程教學大綱（模板）

《微電子制造概論》課程教學大綱一、課程基本情況課程編號：083W33A學分：2周學時：2總學時：34開課學期：3.1開課學院：理學院英文名稱：TheconceptofthemicroelectronicMamifcicturing適用專業(yè)：微電子科學與工程課程類別：專業(yè)方向模塊課通識公共課/通識選修課（一般/核心）/大類平臺課/專業(yè)教育平臺課/專業(yè)方向模塊課/任意選修課/其他課程修讀條件：半導體器件物理1,2、模擬CMOS集成電路設計等網絡課程地址：課程負責人：所屬基層學術組織：微電子科學與工程系二、課程簡介課程內容概要、修讀意義本課程圍繞集成電路制造技術的現(xiàn)有技術，介紹集成電路工藝制造的成套工藝流程和各工藝單步的技術，講述了流程調度實施的技術與算法；對于各工藝單步，首先根據(jù)各單項工藝技術的作用進行了粗略分類，在此基礎上，使學生了解和掌握從工藝原理、工藝設備技術特點、實踐操作等知識。本課程與其它課程的關系微電子制造基礎是一門主要講述集成電路制造工藝為什么是這樣的課程，重點說明如何正確和科學地理解集成電路的制造工藝和流程。三、教學目標總目標：要求學生了解半導體物理、半導體器件物理、大規(guī)模集成電路方面的基礎知識,了解微電子技術的現(xiàn)狀、發(fā)展規(guī)律和發(fā)展趨勢。知識目標：要求學生了解半導體物理、半導體器件物理、大規(guī)模集成電路方面的基礎知識。能力目標：集成電?各的制造工藝、設川寺點、設計規(guī)則和設計方法。素質目標：了解集成電路的制造工藝原理，又能掌握其設H特點、設計規(guī)則和設計方法。四、教學內容及學時分配（應體現(xiàn)教學單元的教學目標、基本內容、學時分配、教學方法、課外學習任務及要求等內容）第1章集成電路制造技術概論（4學時）教學目標：讓學生了解集成電路制造技術的發(fā)展歷史與趨勢，大致了解微結構的概念和微結構制造流程的一些實例?；緝热荩?.集成電路的發(fā)展歷史與趨勢。2.微結構的概念。3.微結構制造流程舉例。第2章新材料生成類工藝（6學時）教學目標：新材料生成類工藝,包括化學氣相和物理淀積，硅外延和多晶硅的化學氣相淀積?；緝热荩?.化學氣相淀積。2.物理淀積。3.硅外延和多晶硅的化學氣相淀積。4.化學氣相淀積Si02薄膜。第3章改變材料層屬性的工藝（I）（5學時）教學目標：使學生了解改變材料屬性的工藝方法，包括熱氧化、雜質擴散、離子注入等微電子制造的基本技術?；緝热荩?.熱氧化。2.雜質擴散。3,離子注入。4.金屬硅化物。第4章改變材料層屬性的工藝（II）（5學時）教學目標：使學生了解和掌握刻蝕及其設備的知識，清楚刻蝕機的操作編程方法，及其他材料去除工藝方法。基本內容：.刻蝕。2.刻蝕設備。3.刻蝕機的操作編程。4.其他材料去除工藝第5章定位工藝技術（4學時）教學目標：了解光刻的工藝過程和曝光原理；并能從結構上知道光刻機的結構組成和其使用維護方法?；緝热荩?光刻工藝過程。2.曝光原理。3.光刻機的結構組成。4.光刻機的使用維護第6章流程運行調度技術（4學分時）教學目標：使學生了解流程運行調度技術的相關知識，著重掌握調度問題和流水線式調度方法。基本內容：1.調度問題概述。2.流水線式調度。3.流水線式調度特點及應用的討論。第7章新穎性工藝技術前瞻（4學時）教學目標：了解新穎性工藝技術的前沿性探討，如SiGe材料、器件與電路和應變硅材料與器件等知識，并初步了解ALD工藝技術和激光退火與超淺結退火?；緝热荩簂.SiGe材料、器件與電路。2.應變硅材料與器件。3.ALD工藝技術。4.激光退火與超淺結退火。

五、考核及成績評定方式(請明確說明教學過程考核方式和期末考核方式，各項考核成績占課程總成績的比例，原則上平時成績比重不低于50%o)六、教材及參考書目:序號考核方式成績比重(%)期末考核50平時成績、考勤，作業(yè)50合計類別教材名稱編者出版社出版