DB63-T 1781-2020電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范

ICS27.160F23備案：71030-2020 DB63F23青 海 省 地 方 標(biāo) 準(zhǔn)DB63/T1781—2020電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范2020-04-08發(fā)布 2020-05-01實(shí)施青海省市場(chǎng)監(jiān)督管理局 發(fā)布DB63/T1781DB63/T1781—2020PAGE\*ROMANPAGE\*ROMANII目 次前言 II圍 1范引文件 1語定義 1測(cè)法 2測(cè)型設(shè)備 2測(cè)樣 3測(cè)容 3測(cè)程 3陷別 3測(cè)告 3附錄A（料附）檢測(cè)告板 5前 言本標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)GB/T1.1-2009給出的規(guī)則編寫。本標(biāo)準(zhǔn)由青海天創(chuàng)新能源科技有限公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由青海省市場(chǎng)監(jiān)督管理局歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：青海天創(chuàng)新能源科技有限公司、青海省產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所。本標(biāo)準(zhǔn)由青海省市場(chǎng)監(jiān)督管理局監(jiān)督實(shí)施。DB63/T1781DB63/T1781—2020PAGEPAGE5電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷的檢測(cè)方法、檢測(cè)類型與設(shè)備、檢測(cè)抽樣、檢測(cè)內(nèi)容、檢測(cè)流程、缺陷識(shí)別和檢測(cè)報(bào)告等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于海拔1500米以上光伏電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽能電池組件隱形缺陷的檢測(cè)。GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃IECTS60904-13光伏器件第13部分:光伏組件電致發(fā)光（Photovoltaicdevices-Part13:Electroluminescenceofphotovoltaicmodules）下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1電致發(fā)光又可稱場(chǎng)致發(fā)光，簡(jiǎn)稱EL（ElectroLuminescent），是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)，被電場(chǎng)激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子在能級(jí)間的躍遷、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。3.2太陽能電池組件電致發(fā)光檢測(cè)儀利用太陽能電池的電致發(fā)光原理來檢測(cè)組件是否存在缺陷的設(shè)備，簡(jiǎn)稱EL檢測(cè)設(shè)備或EL檢測(cè)儀。3.3太陽能電池組件隱性缺陷3.4雜散光指的是太陽能電池組件在進(jìn)行缺陷檢測(cè)時(shí)，除電致發(fā)光之外影響成像結(jié)果的外界光。3.5電勢(shì)誘導(dǎo)衰減FFscPIPotntilInducedDegradation）。對(duì)光伏電站晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，主要有以下三種方法：）；EL（）EL根據(jù)其不同的環(huán)境和操作方式，有以下5種類型：檢測(cè)設(shè)備主要包括相機(jī)、暗室或暗環(huán)境（如需要）、電源、計(jì)算機(jī)、圖像處理軟件和圖像顯示系統(tǒng)：500um；800nm～1200nm依據(jù)GB/T2828.1的規(guī)定和相關(guān)要求確定。EL檢測(cè)設(shè)備能夠檢測(cè)的內(nèi)容有：PID應(yīng)包括以下檢測(cè)流程：）；（）（））；缺陷識(shí)別參照IEC60904-13執(zhí)行。檢測(cè)報(bào)告（參見附錄A）應(yīng)包括但不限于以下信息：標(biāo)題；附錄A（資料性附錄）檢測(cè)報(bào)告模板檢測(cè)報(bào)告