半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路課件

半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

主要內(nèi)容：1.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.2半導(dǎo)體二極管1.3特殊二極管1.4半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用1.5小結(jié)

半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路主要內(nèi)容：11.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1.1.2PN結(jié)

1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性21.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

自然界中的各種物質(zhì)按其導(dǎo)電性能的不同可劃分為：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間.

常見的半導(dǎo)體材料是硅(Si)和鍺(Ge),它們都是+4價元素.

硅的熱穩(wěn)定性比鍺好.1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性自然界中的各種物質(zhì)按其31.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

一、半導(dǎo)體的特點(diǎn)

1.熱敏性2.光敏性3.摻雜性

溫度、光照、是否摻入雜質(zhì)元素這三方面對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能強(qiáng)弱影響很大。當(dāng)半導(dǎo)體溫度升高、光照加強(qiáng)、摻入雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電能力將大大增強(qiáng)。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性一、半導(dǎo)體的特點(diǎn)41.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

二、本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體按其是否摻入雜質(zhì)來劃分，又可分為：本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體。

完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。

在絕對0K（-273oC），本征半導(dǎo)體基本不導(dǎo)電。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性二、本征半導(dǎo)體51.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（1）本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價鍵共價鍵內(nèi)的兩個電子由相鄰的原子各用一個價電子組成，稱為束縛電子。價電子＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4共價鍵的兩個價電子1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（1）本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共61.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）本征激發(fā)現(xiàn)象

當(dāng)溫度升高或受光照射時，共價鍵中的價電子獲得足夠能量，從共價鍵中掙脫出來，變成自由電子；同時在原共價鍵的相應(yīng)位置上留下一個空位，這個空位稱為空穴,電子-空穴對就形成了.

自由電子abc＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4共價鍵的兩個價電子空穴1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）本征激發(fā)現(xiàn)象自由電子ab71.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在外電場或其他能源的作用下，鄰近的價電子和空穴產(chǎn)生相對的填補(bǔ)運(yùn)動。這樣，電子和空穴就產(chǎn)生了相對移動，它們的運(yùn)動方向相反，而形成的電流方向是一致的。由此可見，本征半導(dǎo)體中存在兩種載流子：自由電子和空穴，而導(dǎo)體中只有一種載流子：自由電子，這是半導(dǎo)體與導(dǎo)體的一個本質(zhì)區(qū)別。

1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在外電場或其他能源8硼原子+4+4+4+4+3+4+4+4+41.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性三、雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中加入微量雜質(zhì)，可使其導(dǎo)電性能顯著改變。根據(jù)摻入雜質(zhì)的性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類：電子型（N型）半導(dǎo)體和空穴型（P型）半導(dǎo)體。（1）P型半導(dǎo)體--摻入微量的三價元素（如硼）硼原子+4+4+4+4+3+4+4+4+41.1.1半導(dǎo)91.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

因此,+3價元素原子獲得一個電子,成為一個不能移動的負(fù)離子，而半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)：多數(shù)載流子為空穴；少數(shù)載流子為自由電子。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性因此,+3價元素101.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）N型半導(dǎo)體--摻入微量的五價元素(如磷)

N型半導(dǎo)體:多子-自由電子少子-空穴

磷原子＋4＋4＋4＋4＋5＋4＋4＋4＋4自由電子1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）N型半導(dǎo)體--摻入微量111.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性注意：雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子的濃度與摻雜濃度有關(guān)；而少數(shù)載流子是因本征激發(fā)產(chǎn)生，因而其濃度與摻雜無關(guān)，只與溫度等激發(fā)因素有關(guān).1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性注意：12P區(qū)N區(qū)1.1.2PN結(jié)一．PN結(jié)的形成

在一塊本征半導(dǎo)體的兩邊,分別形成P型和N型半導(dǎo)體,在兩種載流子交界處會出現(xiàn)載流子的相對運(yùn)動.

擴(kuò)散運(yùn)動-多數(shù)載流子因濃度上的差異而形成的運(yùn)動.1.1.2PN結(jié)一．PN結(jié)的形成131.1.2PN結(jié)

擴(kuò)散的結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)原來的電中性被破壞，在交界面靠近P區(qū)一側(cè)留下了不能移動的負(fù)離子，靠近N區(qū)一側(cè)留下了等量的正離子。P區(qū)和N區(qū)交界面兩側(cè)形成的正、負(fù)離子薄層，稱為空間電荷區(qū),其中無載流子。由于空間電荷區(qū)的出現(xiàn)，建立了PN結(jié)的內(nèi)電場。漂移運(yùn)動-內(nèi)電場的作用使載流子發(fā)生的運(yùn)動.

P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)\勢壘區(qū))內(nèi)電場1.1.2PN結(jié)擴(kuò)散的結(jié)果使P區(qū)和N141.1.2PN結(jié)當(dāng)擴(kuò)散和漂移兩種相反作用的運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時，形成的穩(wěn)定空間電荷區(qū)就叫做PN結(jié)。

P區(qū)N區(qū)

PN結(jié)1.1.2PN結(jié)當(dāng)擴(kuò)散和漂移兩種相反作151.1.2PN結(jié)二．PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

（1）外加正向電壓—正偏

當(dāng)PN結(jié)加上正向電壓，即P區(qū)接電源正極(高電位)，N區(qū)接電源負(fù)極(低電位)。此時，稱PN結(jié)加正向偏置電壓，簡稱“正偏”.變薄空穴(多數(shù))電子(多數(shù))R外電場內(nèi)電場IFNP1.1.2PN結(jié)二．PN結(jié)的單向?qū)щ娦宰儽】昭娮?61.1.2PN結(jié)

正偏時由于PN結(jié)變薄,空間電荷區(qū)消失(外加電場足夠大),能導(dǎo)電的區(qū)域增大,因此,PN結(jié)呈現(xiàn)出的正向電阻小,流過的正向電流大.

因此,

PN結(jié)正偏導(dǎo)通.

1.1.2PN結(jié)正偏時由于PN結(jié)變薄,空間電荷區(qū)消171.1.2PN結(jié)（2）外加反向電壓—反偏

當(dāng)PN結(jié)加上反向電壓，即P區(qū)接電源負(fù)極(低電位)，N區(qū)接電源正極(高電位)。此時，稱PN結(jié)加反向偏置電壓，簡稱“反偏”.

NP變厚IR≈0R外電場內(nèi)電場電子(少數(shù))空穴(少數(shù))1.1.2PN結(jié)（2）外加反向電壓—反偏NP變厚IR181.1.2PN結(jié)

反偏時由于PN結(jié)變厚,不能導(dǎo)電的區(qū)域增大,因此,PN結(jié)呈現(xiàn)出的反向電阻很大,流過的反向電流很小,基本為0.

因此,

PN結(jié)反偏截止.

※PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通,反偏截止1.1.2PN結(jié)反偏時由于PN結(jié)變厚,不能導(dǎo)電的區(qū)191.1.2PN結(jié)三.PN結(jié)的反向擊穿特性

反向擊穿:當(dāng)PN結(jié)的反偏電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流急劇增大的現(xiàn)象。PN結(jié)的擊穿現(xiàn)象有下列兩類：(1)熱擊穿:不可逆,應(yīng)避免(2)電擊穿:可逆,又分為雪崩擊穿和齊納

擊穿.1.1.2PN結(jié)三.PN結(jié)的反向擊穿特性201.1.2PN結(jié)(1)雪崩擊穿

當(dāng)反向電壓足夠高時（一般U>6V）PN結(jié)中內(nèi)電場較強(qiáng)，使參加漂移的載流子加速，與中性原子相碰，使之價電子受激發(fā)產(chǎn)生新的電子空穴對，又被加速，而形成連鎖反應(yīng)，使載流子劇增，反向電流驟增。這種形式的擊穿稱為雪崩擊穿.1.1.2PN結(jié)(1)雪崩擊穿211.1.2PN結(jié)

(2)齊納擊穿

對摻雜濃度高的半導(dǎo)體，PN結(jié)的耗盡層很薄，只要加入不大的反向電壓（U<4V），耗盡層可獲得很大的場強(qiáng)，足以將價電子從共價鍵中拉出來，而獲得更多的電子空穴對，使反向電流驟增。1.1.2PN結(jié)(2)齊納擊穿221.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識小結(jié)

①本征半導(dǎo)體中，電子與空穴總是成對出現(xiàn)。②雜質(zhì)半導(dǎo)體有：P型和N型。P型半導(dǎo)體中，多子是空穴，少子是電子；N型半導(dǎo)體中，多子是電子，少子是空穴。③在P型和N型半導(dǎo)體交界處形成的空間電荷區(qū)就是PN結(jié),其主要特性是單向?qū)щ娦浴珜?dǎo)通,反偏截止.1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識小結(jié)①本征半導(dǎo)體中，電子與空穴總是231.2半導(dǎo)體二極管1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及其在電路中的代表符號1.2.2二極管的伏安特性曲線1.2.3二極管的主要參數(shù)1.2.4二極管的命名1.2.5二極管的判別1.2半導(dǎo)體二極管1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及其在電路中241.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號

※二極管本質(zhì)上就是一個PN結(jié).

它在電路中的代表符號和PN結(jié)是相同的:P極

N極

P極又稱為陽極、正極N極又稱為陰極、負(fù)極

1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號※二極管本質(zhì)上就是一個PN251.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號

根據(jù)制造結(jié)構(gòu)不同,常見的二極管有點(diǎn)接觸型,面接觸型和平面型.(a)點(diǎn)接觸型(b)面接觸型(c)平面型1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號根據(jù)制造結(jié)構(gòu)不同,261.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號另外,按材料不同可分為：鍺二極管、硅二極管。其中，硅二極管的熱穩(wěn)定性比鍺二極管的熱穩(wěn)定性要好的多。按用途不同可分為：普通二極管、整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、光電二極管等。1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號另外,按材料271.2.2二極管的V-I特性

伏安特性是指二極管兩端的電壓u與流過二極管電流i的關(guān)系。一．正向特性

指二極管正偏時的V-I特性,如圖中紅色曲線所示。iv/mA0.20.40.60.8-V（BR）硅鍺二極管伏安特性曲線1.2.2二極管的V-I特性伏安特性是指二極管兩端的電壓281.2.2二極管的V-I特性正向特點(diǎn):①正向電壓較小時,不足以使二極管導(dǎo)通,i=0,此時的V-I曲線對應(yīng)區(qū)域稱為死區(qū)

②正向電壓逐漸增大,二極管開始導(dǎo)通,此時的電壓成為門坎電壓Uth

硅管Uth=0.5V

鍺管Uth=0.1V

③當(dāng)正向電壓繼續(xù)增大,二極管完全導(dǎo)通.導(dǎo)通后兩端電壓基本為定值,稱為二極管的正向?qū)▔航礦D硅管VD=0.7V

鍺管VD=0.3V1.2.2二極管的V-I特性正向特點(diǎn):291.2.2二極管的V-I特性二．反向特性

指二極管反偏時的V-I特性,如圖中綠色曲線所示。二極管外加反向電壓時，反向電流很小（I≈-IS），而且在相當(dāng)寬的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流幾乎不變，因此，稱此電流值為二極管的反向飽和電流。iv/mA0.20.40.60.8-V（BR）硅鍺二極管伏安特性曲線1.2.2二極管的V-I特性二．反向特性iv/mA0.301.2.2二極管的V-I特性三．二極管的等效電路模型

（1）理想電路模型

反偏時，反向電流近似為零，相當(dāng)于開關(guān)斷開（開路).

-

u

+正偏時，其管壓降為0.7V，忽略后相當(dāng)于開關(guān)閉合（短路）.

+u-1.2.2二極管的V-I特性三．二極管的等效電路模型311.2.2二極管的V-I特性（2）恒壓降模型

反偏時，反向電流近似為零，相當(dāng)于開關(guān)斷開（開路).

-

u

+正偏時，管壓降為VD不做忽略,正向電阻小近似為0,相當(dāng)于一個大小為VD,方向從P到N的電壓源.

+u-+VD-1.2.2二極管的V-I特性（2）恒壓降模型321.2.3二極管的主要參數(shù)

器件的參數(shù)是對其特性的定量描述,是正確使用和合理選擇器件的依據(jù).一、二極管的直流參數(shù)（1）最大整流電流IFM（2）最高反向工作電壓URM

（3）反向電流IR

（4）直流電阻RD1.2.3二極管的主要參數(shù)器件的參數(shù)是對其特性的定量描331.2.3二極管的主要參數(shù)二、二極管的交流參數(shù)（1）交流電阻rd

交流電阻rd是工作點(diǎn)Q附近電壓與電流的變化量之比，即：1.2.3二極管的主要參數(shù)二、二極管的交流參數(shù)341.2.3二極管的主要參數(shù)（2）結(jié)電容CjPN結(jié)的結(jié)電容Cj由兩部分組成：勢壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。①勢壘電容CB

勢壘電容的影響主要表現(xiàn)在反向偏置狀態(tài)時。②擴(kuò)散電容CD該等效電容是由載流子的擴(kuò)散運(yùn)動隨外電壓的變化引起的.1.2.3二極管的主要參數(shù)（2）結(jié)電容Cj351.2.3二極管的主要參數(shù)（3）最高工作頻率fM

二極管的最高工作頻率fM主要由結(jié)電容的大小來決定。若工作頻率超過了最高工作頻率fM，則二極管的單向?qū)щ娦宰儔摹?.2.3二極管的主要參數(shù)（3）最高工作頻率fM361.2.4二極管的命名我國國產(chǎn)半導(dǎo)體器件的命名方法采用國家GB249-74標(biāo)準(zhǔn)。1.2.4二極管的命名我國國產(chǎn)半導(dǎo)體器件的命名方371.2.4二極管的命名1.2.4二極管的命名381.2.5二極管的檢測與判別

一、判別方法：

識別法：通過二極管管殼上的符號、標(biāo)志來識別.例如有標(biāo)記的一端一般為N極.檢測法：用萬用表的歐姆檔，量程為R×100Ω或R×1kΩ檔測量其正反向電阻（一般不用R×1Ω檔，因?yàn)殡娏魈?；而R×10kΩ檔的電壓太高，管子有被擊穿的危險）.1.2.5二極管的檢測與判別一、判別方法：391.2.5二極管的檢測與判別1.2.5二極管的檢測與判別401.2.5二極管的檢測與判別二、檢測法判別步驟（1）二極管好壞的判別

若測得的反向電阻很大（幾百千歐以上），正向電阻很小（幾千歐以下），表明二極管性能良好。若測得的反向電阻和正向電阻都很小，表明二極管短路，已損壞。若測得的反向電阻和正向電阻都很大，表明二極管斷路，已損壞。1.2.5二極管的檢測與判別二、檢測法判別步驟411.2.5二極管的檢測與判別（2）二極管正、負(fù)極性的判斷

將萬用表紅、黑表筆分別接二極管的兩個電極，若測得的電阻值很?。◣浊W以下），則黑表筆所接電極為二極管正極，紅表筆所接電極為二極管的負(fù)極；若測得的阻值很大（幾百千歐以上），則黑表筆所接電極為二極管負(fù)極，紅表筆所接電極為二極管的正極。1.2.5二極管的檢測與判別（2）二極管正、負(fù)極性的判斷421.3特殊二極管1.3.1硅穩(wěn)壓二極管1.3.2光電二極管和光電池1.3.3發(fā)光二極管1.3特殊二極管1.3.1硅穩(wěn)壓二極管431.3.1硅穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管是一種特殊工藝制造的結(jié)面型硅二極管,通常工作在反向擊穿狀態(tài).一、V-I特性和符號1.3.1硅穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是一種特殊工藝441.3.1硅穩(wěn)壓二極管二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）最小穩(wěn)定電流IZmin（3）最大穩(wěn)定電流IZmax（4）額定功耗PZ（5）動態(tài)電阻rZ（6）溫度系數(shù)αz1.3.1硅穩(wěn)壓二極管二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)451.3.1硅穩(wěn)壓二極管三、穩(wěn)壓管的應(yīng)用

常用的并聯(lián)型穩(wěn)壓電路:如:ui↑→uo↑→IZ↑→I↑（=IZ+IL）→uR↑→uo（=ui－uR）基本不變同理，當(dāng)ui一定，RL發(fā)生變化時，穩(wěn)壓管兩端的電壓仍然基本保持不變,從而起到穩(wěn)壓作用.1.3.1硅穩(wěn)壓二極管三、穩(wěn)壓管的應(yīng)用如:ui↑→uo↑461.3.2光電二極管和光電池

一、光電二極管

光電二極管又稱光敏二極管，可將光信號轉(zhuǎn)換成電信號.它工作在反偏狀態(tài),反向電流與照度成正比.1.3.2光電二極管和光電池一、光電二極管471.3.2光電二極管和光電池

光電二極管的簡單使用

1.3.2光電二極管和光電池光電二極管的簡單使用481.3.2光電二極管和光電池

二、光電池

硅光電池是一種將光能直接轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件，又叫太陽能電池。

光電池控制電路當(dāng)光電池PC1、PC2受到光照射而產(chǎn)生電勢時，單向晶閘管SK導(dǎo)通，若開關(guān)K1合，則此時便有9V直流電壓加于負(fù)載上。1.3.2光電二極管和光電池二、光電池光電池控制電路491.3.3發(fā)光二極管一、發(fā)光二極管

發(fā)光二極管LED是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的特殊二極管,常用作顯示器件。發(fā)光二極管的代表符號

1.3.3發(fā)光二極管一、發(fā)光二極管發(fā)光二極管的代表符501.3.3發(fā)光二極管

發(fā)光二極管應(yīng)用電路（一）1.3.3發(fā)光二極管發(fā)光二極管應(yīng)用電路（一）511.3.3發(fā)光二極管

發(fā)光二極管應(yīng)用電路（二

）1.3.3發(fā)光二極管發(fā)光二極管應(yīng)用電路（二）521.4半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用1.4.1整流電路1.4.2檢波電路1.4.3限幅電路1.4.4鉗位電路1.4半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用1.4.1整流電路531.4.1整流電路將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動直流電的過程稱為整流。二極管半波整流電路1.4.1整流電路將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動直流電的過程541.4.2檢波電路在接收機(jī)中，將低頻信號從高頻調(diào)制信號中檢取出來的過程，稱為檢波.基本工作原理就是利用二極管的單向?qū)щ娦院碗娙輧啥说碾妷翰荒芡蛔兊奶匦浴?.4.2檢波電路在接收機(jī)中，將低頻信號從高頻調(diào)制551.4.3限幅電路將輸出電壓的電平限制在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，用于限制輸入信號的峰值，有選擇地傳輸一部分電壓的電路，稱為限幅電路.二極管限幅電路

1.4.3限幅電路將輸出電壓的電平限制在預(yù)置的電平561.4.4鉗位電路將輸入信號的頂部或底部鉗位于某一直流電平上的電路，稱為鉗位電路.二極管鉗位電路

1.4.4鉗位電路將輸入信號的頂部或底部鉗位于某一直571.5小結(jié)一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺等。本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)是電導(dǎo)率低，具有熱敏性、光敏性、摻雜性等。而且摻雜性對導(dǎo)電性能影響很大。2.半導(dǎo)體的載流子有兩種：自由電子和空穴，自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。1.5小結(jié)一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識581.5小結(jié)3.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特點(diǎn)是電導(dǎo)率高。雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種類型：N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，少子是空穴；P型半導(dǎo)體的多子是空穴，少子是自由電子。4.多子的濃度與摻雜濃度有關(guān)，少子的濃度與溫度等激發(fā)因素有關(guān)。5.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，它是?gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。1.5小結(jié)3.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特點(diǎn)是電導(dǎo)率高。591.5小結(jié)二、二極管的基本特性1.二極管的特點(diǎn)是：單向?qū)щ娦浴?.二極管的伏安特性是非線性關(guān)系。3.二極管的參數(shù)主要包括：性能參數(shù)和極限參數(shù)。極限參數(shù)主要有：最高工作頻率、最大允許反向工作電壓、最大允許電流和額定耗散功率等。1.5小結(jié)二、二極管的基本特性601.5小結(jié)三、二極管的應(yīng)用1.二極管的應(yīng)用主要是利用了二極管的單向?qū)щ娦?，是整流、檢波、限幅、鉗位等應(yīng)用中的主要器件。2.判斷二極管在電路是否導(dǎo)通的判斷方法是：假設(shè)二極管從電路中斷開，看二極管兩端正向開路電壓是否大于其導(dǎo)通電壓。若正向電壓大于其導(dǎo)通電壓，則二極管接入后必將導(dǎo)通；反之，二極管接入后必將處于截止?fàn)顟B(tài)。

1.5小結(jié)三、二極管的應(yīng)用61

半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

主要內(nèi)容：1.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.2半導(dǎo)體二極管1.3特殊二極管1.4半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用1.5小結(jié)

半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路主要內(nèi)容：621.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1.1.2PN結(jié)

1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性631.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

自然界中的各種物質(zhì)按其導(dǎo)電性能的不同可劃分為：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間.

常見的半導(dǎo)體材料是硅(Si)和鍺(Ge),它們都是+4價元素.

硅的熱穩(wěn)定性比鍺好.1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性自然界中的各種物質(zhì)按其641.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

一、半導(dǎo)體的特點(diǎn)

1.熱敏性2.光敏性3.摻雜性

溫度、光照、是否摻入雜質(zhì)元素這三方面對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能強(qiáng)弱影響很大。當(dāng)半導(dǎo)體溫度升高、光照加強(qiáng)、摻入雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電能力將大大增強(qiáng)。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性一、半導(dǎo)體的特點(diǎn)651.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

二、本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體按其是否摻入雜質(zhì)來劃分，又可分為：本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體。

完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。

在絕對0K（-273oC），本征半導(dǎo)體基本不導(dǎo)電。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性二、本征半導(dǎo)體661.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（1）本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價鍵共價鍵內(nèi)的兩個電子由相鄰的原子各用一個價電子組成，稱為束縛電子。價電子＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4共價鍵的兩個價電子1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（1）本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共671.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）本征激發(fā)現(xiàn)象

當(dāng)溫度升高或受光照射時，共價鍵中的價電子獲得足夠能量，從共價鍵中掙脫出來，變成自由電子；同時在原共價鍵的相應(yīng)位置上留下一個空位，這個空位稱為空穴,電子-空穴對就形成了.

自由電子abc＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4共價鍵的兩個價電子空穴1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）本征激發(fā)現(xiàn)象自由電子ab681.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在外電場或其他能源的作用下，鄰近的價電子和空穴產(chǎn)生相對的填補(bǔ)運(yùn)動。這樣，電子和空穴就產(chǎn)生了相對移動，它們的運(yùn)動方向相反，而形成的電流方向是一致的。由此可見，本征半導(dǎo)體中存在兩種載流子：自由電子和空穴，而導(dǎo)體中只有一種載流子：自由電子，這是半導(dǎo)體與導(dǎo)體的一個本質(zhì)區(qū)別。

1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性在外電場或其他能源69硼原子+4+4+4+4+3+4+4+4+41.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性三、雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中加入微量雜質(zhì)，可使其導(dǎo)電性能顯著改變。根據(jù)摻入雜質(zhì)的性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類：電子型（N型）半導(dǎo)體和空穴型（P型）半導(dǎo)體。（1）P型半導(dǎo)體--摻入微量的三價元素（如硼）硼原子+4+4+4+4+3+4+4+4+41.1.1半導(dǎo)701.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

因此,+3價元素原子獲得一個電子,成為一個不能移動的負(fù)離子，而半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)：多數(shù)載流子為空穴；少數(shù)載流子為自由電子。1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性因此,+3價元素711.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）N型半導(dǎo)體--摻入微量的五價元素(如磷)

N型半導(dǎo)體:多子-自由電子少子-空穴

磷原子＋4＋4＋4＋4＋5＋4＋4＋4＋4自由電子1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（2）N型半導(dǎo)體--摻入微量721.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性注意：雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子的濃度與摻雜濃度有關(guān)；而少數(shù)載流子是因本征激發(fā)產(chǎn)生，因而其濃度與摻雜無關(guān)，只與溫度等激發(fā)因素有關(guān).1.1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性注意：73P區(qū)N區(qū)1.1.2PN結(jié)一．PN結(jié)的形成

在一塊本征半導(dǎo)體的兩邊,分別形成P型和N型半導(dǎo)體,在兩種載流子交界處會出現(xiàn)載流子的相對運(yùn)動.

擴(kuò)散運(yùn)動-多數(shù)載流子因濃度上的差異而形成的運(yùn)動.1.1.2PN結(jié)一．PN結(jié)的形成741.1.2PN結(jié)

擴(kuò)散的結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)原來的電中性被破壞，在交界面靠近P區(qū)一側(cè)留下了不能移動的負(fù)離子，靠近N區(qū)一側(cè)留下了等量的正離子。P區(qū)和N區(qū)交界面兩側(cè)形成的正、負(fù)離子薄層，稱為空間電荷區(qū),其中無載流子。由于空間電荷區(qū)的出現(xiàn)，建立了PN結(jié)的內(nèi)電場。漂移運(yùn)動-內(nèi)電場的作用使載流子發(fā)生的運(yùn)動.

P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)\勢壘區(qū))內(nèi)電場1.1.2PN結(jié)擴(kuò)散的結(jié)果使P區(qū)和N751.1.2PN結(jié)當(dāng)擴(kuò)散和漂移兩種相反作用的運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時，形成的穩(wěn)定空間電荷區(qū)就叫做PN結(jié)。

P區(qū)N區(qū)

PN結(jié)1.1.2PN結(jié)當(dāng)擴(kuò)散和漂移兩種相反作761.1.2PN結(jié)二．PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

（1）外加正向電壓—正偏

當(dāng)PN結(jié)加上正向電壓，即P區(qū)接電源正極(高電位)，N區(qū)接電源負(fù)極(低電位)。此時，稱PN結(jié)加正向偏置電壓，簡稱“正偏”.變薄空穴(多數(shù))電子(多數(shù))R外電場內(nèi)電場IFNP1.1.2PN結(jié)二．PN結(jié)的單向?qū)щ娦宰儽】昭娮?71.1.2PN結(jié)

正偏時由于PN結(jié)變薄,空間電荷區(qū)消失(外加電場足夠大),能導(dǎo)電的區(qū)域增大,因此,PN結(jié)呈現(xiàn)出的正向電阻小,流過的正向電流大.

因此,

PN結(jié)正偏導(dǎo)通.

1.1.2PN結(jié)正偏時由于PN結(jié)變薄,空間電荷區(qū)消781.1.2PN結(jié)（2）外加反向電壓—反偏

當(dāng)PN結(jié)加上反向電壓，即P區(qū)接電源負(fù)極(低電位)，N區(qū)接電源正極(高電位)。此時，稱PN結(jié)加反向偏置電壓，簡稱“反偏”.

NP變厚IR≈0R外電場內(nèi)電場電子(少數(shù))空穴(少數(shù))1.1.2PN結(jié)（2）外加反向電壓—反偏NP變厚IR791.1.2PN結(jié)

反偏時由于PN結(jié)變厚,不能導(dǎo)電的區(qū)域增大,因此,PN結(jié)呈現(xiàn)出的反向電阻很大,流過的反向電流很小,基本為0.

因此,

PN結(jié)反偏截止.

※PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通,反偏截止1.1.2PN結(jié)反偏時由于PN結(jié)變厚,不能導(dǎo)電的區(qū)801.1.2PN結(jié)三.PN結(jié)的反向擊穿特性

反向擊穿:當(dāng)PN結(jié)的反偏電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流急劇增大的現(xiàn)象。PN結(jié)的擊穿現(xiàn)象有下列兩類：(1)熱擊穿:不可逆,應(yīng)避免(2)電擊穿:可逆,又分為雪崩擊穿和齊納

擊穿.1.1.2PN結(jié)三.PN結(jié)的反向擊穿特性811.1.2PN結(jié)(1)雪崩擊穿

當(dāng)反向電壓足夠高時（一般U>6V）PN結(jié)中內(nèi)電場較強(qiáng)，使參加漂移的載流子加速，與中性原子相碰，使之價電子受激發(fā)產(chǎn)生新的電子空穴對，又被加速，而形成連鎖反應(yīng)，使載流子劇增，反向電流驟增。這種形式的擊穿稱為雪崩擊穿.1.1.2PN結(jié)(1)雪崩擊穿821.1.2PN結(jié)

(2)齊納擊穿

對摻雜濃度高的半導(dǎo)體，PN結(jié)的耗盡層很薄，只要加入不大的反向電壓（U<4V），耗盡層可獲得很大的場強(qiáng)，足以將價電子從共價鍵中拉出來，而獲得更多的電子空穴對，使反向電流驟增。1.1.2PN結(jié)(2)齊納擊穿831.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識小結(jié)

①本征半導(dǎo)體中，電子與空穴總是成對出現(xiàn)。②雜質(zhì)半導(dǎo)體有：P型和N型。P型半導(dǎo)體中，多子是空穴，少子是電子；N型半導(dǎo)體中，多子是電子，少子是空穴。③在P型和N型半導(dǎo)體交界處形成的空間電荷區(qū)就是PN結(jié),其主要特性是單向?qū)щ娦浴珜?dǎo)通,反偏截止.1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識小結(jié)①本征半導(dǎo)體中，電子與空穴總是841.2半導(dǎo)體二極管1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及其在電路中的代表符號1.2.2二極管的伏安特性曲線1.2.3二極管的主要參數(shù)1.2.4二極管的命名1.2.5二極管的判別1.2半導(dǎo)體二極管1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及其在電路中851.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號

※二極管本質(zhì)上就是一個PN結(jié).

它在電路中的代表符號和PN結(jié)是相同的:P極

N極

P極又稱為陽極、正極N極又稱為陰極、負(fù)極

1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號※二極管本質(zhì)上就是一個PN861.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號

根據(jù)制造結(jié)構(gòu)不同,常見的二極管有點(diǎn)接觸型,面接觸型和平面型.(a)點(diǎn)接觸型(b)面接觸型(c)平面型1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號根據(jù)制造結(jié)構(gòu)不同,871.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號另外,按材料不同可分為：鍺二極管、硅二極管。其中，硅二極管的熱穩(wěn)定性比鍺二極管的熱穩(wěn)定性要好的多。按用途不同可分為：普通二極管、整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、光電二極管等。1.2.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號另外,按材料881.2.2二極管的V-I特性

伏安特性是指二極管兩端的電壓u與流過二極管電流i的關(guān)系。一．正向特性

指二極管正偏時的V-I特性,如圖中紅色曲線所示。iv/mA0.20.40.60.8-V（BR）硅鍺二極管伏安特性曲線1.2.2二極管的V-I特性伏安特性是指二極管兩端的電壓891.2.2二極管的V-I特性正向特點(diǎn):①正向電壓較小時,不足以使二極管導(dǎo)通,i=0,此時的V-I曲線對應(yīng)區(qū)域稱為死區(qū)

②正向電壓逐漸增大,二極管開始導(dǎo)通,此時的電壓成為門坎電壓Uth

硅管Uth=0.5V

鍺管Uth=0.1V

③當(dāng)正向電壓繼續(xù)增大,二極管完全導(dǎo)通.導(dǎo)通后兩端電壓基本為定值,稱為二極管的正向?qū)▔航礦D硅管VD=0.7V

鍺管VD=0.3V1.2.2二極管的V-I特性正向特點(diǎn):901.2.2二極管的V-I特性二．反向特性

指二極管反偏時的V-I特性,如圖中綠色曲線所示。二極管外加反向電壓時，反向電流很?。↖≈-IS），而且在相當(dāng)寬的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流幾乎不變，因此，稱此電流值為二極管的反向飽和電流。iv/mA0.20.40.60.8-V（BR）硅鍺二極管伏安特性曲線1.2.2二極管的V-I特性二．反向特性iv/mA0.911.2.2二極管的V-I特性三．二極管的等效電路模型

（1）理想電路模型

反偏時，反向電流近似為零，相當(dāng)于開關(guān)斷開（開路).

-

u

+正偏時，其管壓降為0.7V，忽略后相當(dāng)于開關(guān)閉合（短路）.

+u-1.2.2二極管的V-I特性三．二極管的等效電路模型921.2.2二極管的V-I特性（2）恒壓降模型

反偏時，反向電流近似為零，相當(dāng)于開關(guān)斷開（開路).

-

u

+正偏時，管壓降為VD不做忽略,正向電阻小近似為0,相當(dāng)于一個大小為VD,方向從P到N的電壓源.

+u-+VD-1.2.2二極管的V-I特性（2）恒壓降模型931.2.3二極管的主要參數(shù)

器件的參數(shù)是對其特性的定量描述,是正確使用和合理選擇器件的依據(jù).一、二極管的直流參數(shù)（1）最大整流電流IFM（2）最高反向工作電壓URM

（3）反向電流IR

（4）直流電阻RD1.2.3二極管的主要參數(shù)器件的參數(shù)是對其特性的定量描941.2.3二極管的主要參數(shù)二、二極管的交流參數(shù)（1）交流電阻rd

交流電阻rd是工作點(diǎn)Q附近電壓與電流的變化量之比，即：1.2.3二極管的主要參數(shù)二、二極管的交流參數(shù)951.2.3二極管的主要參數(shù)（2）結(jié)電容CjPN結(jié)的結(jié)電容Cj由兩部分組成：勢壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。①勢壘電容CB

勢壘電容的影響主要表現(xiàn)在反向偏置狀態(tài)時。②擴(kuò)散電容CD該等效電容是由載流子的擴(kuò)散運(yùn)動隨外電壓的變化引起的.1.2.3二極管的主要參數(shù)（2）結(jié)電容Cj961.2.3二極管的主要參數(shù)（3）最高工作頻率fM

二極管的最高工作頻率fM主要由結(jié)電容的大小來決定。若工作頻率超過了最高工作頻率fM，則二極管的單向?qū)щ娦宰儔摹?.2.3二極管的主要參數(shù)（3）最高工作頻率fM971.2.4二極管的命名我國國產(chǎn)半導(dǎo)體器件的命名方法采用國家GB249-74標(biāo)準(zhǔn)。1.2.4二極管的命名我國國產(chǎn)半導(dǎo)體器件的命名方981.2.4二極管的命名1.2.4二極管的命名991.2.5二極管的檢測與判別

一、判別方法：

識別法：通過二極管管殼上的符號、標(biāo)志來識別.例如有標(biāo)記的一端一般為N極.檢測法：用萬用表的歐姆檔，量程為R×100Ω或R×1kΩ檔測量其正反向電阻（一般不用R×1Ω檔，因?yàn)殡娏魈螅欢鳵×10kΩ檔的電壓太高，管子有被擊穿的危險）.1.2.5二極管的檢測與判別一、判別方法：1001.2.5二極管的檢測與判別1.2.5二極管的檢測與判別1011.2.5二極管的檢測與判別二、檢測法判別步驟（1）二極管好壞的判別

若測得的反向電阻很大（幾百千歐以上），正向電阻很?。◣浊W以下），表明二極管性能良好。若測得的反向電阻和正向電阻都很小，表明二極管短路，已損壞。若測得的反向電阻和正向電阻都很大，表明二極管斷路，已損壞。1.2.5二極管的檢測與判別二、檢測法判別步驟1021.2.5二極管的檢測與判別（2）二極管正、負(fù)極性的判斷

將萬用表紅、黑表筆分別接二極管的兩個電極，若測得的電阻值很?。◣浊W以下），則黑表筆所接電極為二極管正極，紅表筆所接電極為二極管的負(fù)極；若測得的阻值很大（幾百千歐以上），則黑表筆所接電極為二極管負(fù)極，紅表筆所接電極為二極管的正極。1.2.5二極管的檢測與判別（2）二極管正、負(fù)極性的判斷1031.3特殊二極管1.3.1硅穩(wěn)壓二極管1.3.2光電二極管和光電池1.3.3發(fā)光二極管1.3特殊二極管1.3.1硅穩(wěn)壓二極管1041.3.1硅穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管是一種特殊工藝制造的結(jié)面型硅二極管,通常工作在反向擊穿狀態(tài).一、V-I特性和符號1.3.1硅穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是一種特殊工藝1051.3.1硅穩(wěn)壓二極管二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ（2）最小穩(wěn)定電流IZmin（3）最大穩(wěn)定電流IZmax（4）額定功耗PZ（5）動態(tài)電阻rZ（6）溫度系數(shù)αz1.3.1硅穩(wěn)壓二極管二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)1061.3.1硅穩(wěn)壓二極管三、穩(wěn)壓管的應(yīng)用

常用的并聯(lián)型穩(wěn)壓電路:如:ui↑→uo↑→IZ↑→I↑（=IZ+IL）→uR↑→