光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料

2007-101涉及面廣、技術(shù)含量高、用途廣泛涉及物理、化學(xué)、光學(xué)、材料、化工、電子、通訊、機(jī)械等專業(yè)太陽(yáng)能太陽(yáng)光伏太陽(yáng)光熱太陽(yáng)電池電池組件光伏材料光伏系統(tǒng)光伏設(shè)備一、產(chǎn)業(yè)及技術(shù)背景光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁(yè)!2007-102007-102光伏（PV）技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)◆

光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，光伏電池的制造是核心環(huán)節(jié)，其作用猶如微電子產(chǎn)業(yè)鏈中的芯片制造一樣。光伏電池制造技術(shù)研發(fā)有二大目標(biāo)：一是提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，二是降低其生產(chǎn)成本。為達(dá)到這二個(gè)目標(biāo)，就需要尋求高性能的光電轉(zhuǎn)換材料和適合于規(guī)模生產(chǎn)的制造工藝技術(shù)?！?/p>

從技術(shù)開發(fā)的成熟程度和市場(chǎng)占有率區(qū)分，光伏（PV）技術(shù)大體上可列出以下三代代PV技術(shù)用晶硅（單晶硅和多晶硅）技術(shù)制造太陽(yáng)能電池第二代PV技術(shù)用薄膜技術(shù)制造太陽(yáng)能電池第三代PV技術(shù)新穎的革命性的概念、材料及開發(fā)新技術(shù)◆三代PV技術(shù)的比較、發(fā)展趨勢(shì)、市場(chǎng)份額CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁(yè)!2007-102007-103晶硅太陽(yáng)能電池制造技術(shù)是目前主流的太陽(yáng)能電池制造技術(shù)硅材料資源豐富，研究比較透徹借助半導(dǎo)體制造工藝（如擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜等），技術(shù)成熟晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率高（sc-Si16-17%，mc-Si14-15%）制造成本高

制造晶硅太陽(yáng)能電池的主要流程為：

硅片清洗、制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去磷硅玻璃（PSG）→鍍膜（SiN）

→絲網(wǎng)印刷→焊接、燒結(jié)→測(cè)試分檔趨勢(shì)——使用廉價(jià)硅料（電子級(jí)→太陽(yáng)能級(jí)；單晶→多晶）

薄硅片（＜200μm）的加工工藝技術(shù)（電池片、組件的封裝集成）

進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)換效率（電池：20%→25%；組件：16%→22%）

CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁(yè)!2007-102007-104CEPEAPV硅片厚度及硅用量進(jìn)展（EPIASGIV2007）2004200520062007200820092010硅片厚度μm硅用量g/Wp300250200150100500

12111098.587.5300240200180170160150121086420硅片厚度μm硅用量g/Wp光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁(yè)!2007-102007-105藍(lán)色電池（α-Si合金）綠色電池（α-SiGe合金）紅色電池（α-SiGe合金）柔性不銹鋼帶襯底TCO膜多結(jié)電池總厚度＜1μm背反射層UnitedSolarOvonic公司的三結(jié)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池示意圖★將具有不同光吸收特性的材料連續(xù)地一層疊一層淀積，成為三結(jié)結(jié)構(gòu)，提高光電轉(zhuǎn)換效率低照度下的效率、組件效率穩(wěn)定性及在高溫下的損失均比晶硅技術(shù)電池組件優(yōu)★

η=6-8%（高照度），7-9%（低照度）非晶硅薄膜技術(shù)(UnitedSolarOvonic)CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁(yè)!2007-102007-106不同的技術(shù)產(chǎn)品會(huì)在PV不同的應(yīng)用領(lǐng)域（聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)、獨(dú)立離網(wǎng)系統(tǒng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等）找到其用途。CEPEA不同技術(shù)太陽(yáng)能電池占有的市場(chǎng)份額新概念技術(shù)薄膜技術(shù)晶硅技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁(yè)!2007-102007-107設(shè)備●光伏市場(chǎng)的需求推動(dòng)了光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也給作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中重要一環(huán)的光伏設(shè)備行業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了極好的機(jī)遇。太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)折時(shí)期，PV設(shè)備市場(chǎng)總值2010年將達(dá)到30億美元(225億人民幣），薄膜技術(shù)設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)速率將遠(yuǎn)高于晶硅技術(shù)設(shè)備（AM公司太陽(yáng)能電池制造設(shè)備計(jì)劃在07財(cái)年獲得4億美元訂單，到今年7月已獲超過2億美元合同）●一代技術(shù)、一代設(shè)備、一代產(chǎn)品設(shè)備是PV產(chǎn)業(yè)的支柱之一，PV技術(shù)的發(fā)展及PV市場(chǎng)的擴(kuò)展對(duì)PV設(shè)備制造業(yè)提出了更高的要求，設(shè)備是實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)換為市場(chǎng)能接受的產(chǎn)品的關(guān)鍵之一（成本/轉(zhuǎn)換效率）晶硅技術(shù)設(shè)備薄膜技術(shù)設(shè)備（未來技術(shù)設(shè)備）●PV電池制造設(shè)備發(fā)展趨勢(shì)

?用于大大降低每瓦硅和能量使用量的結(jié)晶和硅片加工（包括硅帶）設(shè)備。

?低價(jià)格、全自動(dòng)、標(biāo)準(zhǔn)化的加工設(shè)備。

?開發(fā)高產(chǎn)額、低成本、大面積制造薄膜電池的加工方法及設(shè)備CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁(yè)!2007-108十家光伏企業(yè)國(guó)外上市公司

融資市場(chǎng)涉足領(lǐng)域上市時(shí)間無(wú)錫尚德

紐交所電池、組件、應(yīng)用系統(tǒng)2005.12.13蘇州阿特斯NASDAQ電池、組件2006.11.8江蘇林洋NASDAQ電池、組件、應(yīng)用系統(tǒng)2006.12.20常州天合

紐交所單晶、切片、電池、組件2006.12.19河北晶澳NASDAQ電池、組件2007.2.7浙江昱暉

英國(guó)倫敦AIM單晶、切片、組件2006.8.8南京中電NASDAQ電池2007.5.17江西LDK

紐交所多晶2007.6.4保定英利

紐交所多晶、電池、組件、應(yīng)用2007.6.8江陰浚鑫

英國(guó)倫敦AIM電池、組件2007.8.7光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁(yè)!2007-102007-109800（預(yù)計(jì)）2003年～2007上半年國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備銷售額

（1-6月）CEPEA電池制造設(shè)備/材料生長(zhǎng)加工設(shè)備：33/67（2005）；27/73（2006）2006比2005增長(zhǎng)率：電池制造設(shè)備70%；材料生長(zhǎng)加工設(shè)備92%光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁(yè)!2007-1010太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過程及裝備

清洗制絨

擴(kuò)散

刻蝕

去PSG制備氮化硅

印刷背電極

烘干

印刷背電場(chǎng)

烘干

印刷正電極

烘干燒結(jié)

測(cè)試分選

包裝光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁(yè)!2007-1011序號(hào)工藝相應(yīng)設(shè)備（儀器）1去表面損傷層、氧化層清洗機(jī)2制作減反射絨面制絨機(jī)3甩干、烘干甩干機(jī)4抽樣測(cè)試絨面制作效果光學(xué)顯微鏡5制作PN結(jié)擴(kuò)散爐6測(cè)試硅片擴(kuò)散的質(zhì)量均勻性四探針測(cè)試儀7去除周邊PN結(jié)刻蝕機(jī)8抽測(cè)周邊刻蝕效果PN結(jié)測(cè)試儀9去除電池片表面磷硅玻璃清洗機(jī)10甩干、烘干甩干機(jī)11表面沉積氮化硅減反射膜PECVD12測(cè)量減反射膜均勻性橢偏儀太陽(yáng)能電池制造工藝對(duì)應(yīng)的設(shè)備儀器1光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁(yè)!2007-1012*國(guó)際上156X156硅片的設(shè)備已成主流

210X210硅片的設(shè)備也已開始使用適合硅片厚度≦180微米的設(shè)備已大量使用（軟接觸技術(shù)、防翹曲燒結(jié)等技術(shù)大量應(yīng)用，有效降低了整線的碎片率）光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁(yè)!2007-1013擴(kuò)散爐功能：向硅片內(nèi)摻入五價(jià)P-離子，結(jié)深在0.3～0.5μm,

電阻在20～70/□

間（1）大容量反應(yīng)器熱場(chǎng)及氣氛?qǐng)隹刂萍夹g(shù)（2）閉管擴(kuò)散減少源消耗技術(shù)（3）懸臂載片軟著陸技術(shù)（4）潔凈擴(kuò)散技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁(yè)!2007-1014鏈?zhǔn)綌U(kuò)散重新受到關(guān)注優(yōu)勢(shì)：1、硅片的方塊電阻均勻性較管式更好2、適合薄、大硅片工藝，硅片變形小3、生產(chǎn)效率高4、自動(dòng)上下片，避免人工污染5、不會(huì)出現(xiàn)偏磷酸污染硅片問題6、不需清洗反應(yīng)管和石英舟光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第14頁(yè)!2007-1015功能：干法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對(duì)硅作用，去除含有擴(kuò)散層的周邊1、片架旋轉(zhuǎn)密封技術(shù)：提高刻蝕均勻性2、硅片放置自動(dòng)壓緊技術(shù)，減少鉆蝕3、低成本緊奏型RF電源技術(shù)刻蝕機(jī)—等離子刻蝕機(jī)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第15頁(yè)!2007-1016PECVD---管式功能：利用輝光放電的物理作用來激活化學(xué)汽相淀積反應(yīng)，在硅片表面生長(zhǎng)一層氮化硅薄膜發(fā)展方向：大容量、高均勻性、自動(dòng)裝卸片、自適應(yīng)電極清洗光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第16頁(yè)!2007-1017PECVD---平板式發(fā)展方向：

1、提高減反射膜致密性

2、大反應(yīng)腔室熱場(chǎng)及氣氛?qǐng)?/p>

3、遠(yuǎn)程自診斷，提高設(shè)備使用率

4、薄硅片軟接觸，降低碎片率光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第17頁(yè)!2007-1018快速燒結(jié)爐---網(wǎng)帶燒結(jié)爐關(guān)鍵技術(shù)：（1）尖峰燒結(jié)溫度曲線的形成與控制技術(shù)（2）氣簾形成與控制技術(shù)（3）快速冷卻技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第18頁(yè)!2007-1019專家語(yǔ)

1、太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)歸根到底是成本的競(jìng)爭(zhēng)，國(guó)產(chǎn)裝備的發(fā)展符合降低成本的大方向，優(yōu)勢(shì)明顯，前景美好

2、2012年前是高速發(fā)展期，晶體硅太陽(yáng)能電池裝備的主導(dǎo)地位10年內(nèi)很難被取代

3、國(guó)產(chǎn)太陽(yáng)能電池裝備以高性價(jià)比贏得了良好的市場(chǎng)聲譽(yù)，和工藝結(jié)合進(jìn)而具備交鑰匙工程能力是發(fā)展必由之路光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第19頁(yè)!2007-102007-1020晶硅太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)抗反射膜~0,2μm~220μm上電極下電極n-區(qū)p-區(qū)-+光子耗盡區(qū)----------++++++++++（PV-en.ppt）CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第20頁(yè)!2007-102007-1021薄膜太陽(yáng)能電池制造技術(shù)●硅料短缺和降低成本的推動(dòng)，各類薄膜太陽(yáng)能電池制造技術(shù)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化步伐正在加快●

用淀積在（玻璃板或不銹鋼板）襯底上的薄膜半導(dǎo)體材料制作太陽(yáng)能電池常用的薄膜材料有：非晶硅非晶硅/微晶硅（αSi/μSi）碲化鎘（CdTe）銅銦硒（CIS）或銅銦鎵硒（CIGS）等通常在1米大小的襯底上淀積1至數(shù)微米厚的薄膜制作太陽(yáng)能電池●薄膜技術(shù)可以減少材料使用量，加工過程需要的人員和能耗也少，有望提高規(guī)模生產(chǎn)效率。近十年來，薄膜技術(shù)在改進(jìn)太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低成本方面的進(jìn)展迅猛，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池已經(jīng)工業(yè)化生產(chǎn)，非晶硅/微晶硅和銅銦鎵硒光伏電池的制造近年來已由中試生產(chǎn)向工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)轉(zhuǎn)化，已開發(fā)出專門的加工工藝、生產(chǎn)技術(shù)和專用制造設(shè)備，正很快地切入市場(chǎng)

●二種目前進(jìn)展迅速、最具市場(chǎng)前途的薄膜太陽(yáng)能電池制造技術(shù)銅銦鎵硒（CIGS）太陽(yáng)能電池制造技術(shù)非晶硅/微晶硅（αSi/μSi）疊層太陽(yáng)能電池制造技術(shù)

CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第21頁(yè)!2007-102007-1022硅基90%→77%薄膜等10%→23%CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第22頁(yè)!2007-102007-1023技術(shù)材料實(shí)驗(yàn)室最高效率%目前規(guī)模生產(chǎn)效率%晶硅技術(shù)單晶24.3(1997)14-17多晶20.5(2003)13-15薄膜技術(shù)CIGS19.2(2003)10CdTe17(2000)8-10非晶Si：H）（穩(wěn)定后）12.8(1998)6-7納米/微晶/多晶-Si16.4(2001)8多結(jié)多晶14.8(2004)8-13新興技術(shù)染敏電池11(1997)有機(jī)電池4.8(2004)多結(jié)+光集聚器40.7(2007)CEPEA各種PV電池的光電轉(zhuǎn)換效率比較光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第23頁(yè)!2007-1024中國(guó)已成為光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快的國(guó)家√

最近五年產(chǎn)量增長(zhǎng)184倍，產(chǎn)能增加700倍截止十月底,產(chǎn)能已超過2900MW2007年新增69條線√

2004年產(chǎn)量一舉超過澳大利亞和印度成為國(guó)際第四大生產(chǎn)國(guó)（地區(qū)）√

2006年產(chǎn)量超過美國(guó)排名全球第三光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第24頁(yè)!2007-1025涉足光伏行業(yè)的國(guó)內(nèi)上市公司達(dá)十二家G天威----天威英利（多晶硅、硅片、電池、組件）航天機(jī)電----上海太陽(yáng)能科技（電池、組件）深南玻A----深圳南玻光伏（白玻璃、多晶硅、電池）特變電工----新疆新能源（組件、應(yīng)用系統(tǒng)）杉杉股份----寧波杉杉優(yōu)利卡（電池、組件）交大南洋----上海交大泰陽(yáng)（電池、組件、應(yīng)用系統(tǒng)）樂山電力----新光硅業(yè)（多晶硅）江蘇陽(yáng)光----寧夏石嘴山硅業(yè)（多晶硅）新華光----云南天達(dá)光伏（電池、組件）……光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第25頁(yè)!2007-102007-1026晶硅技術(shù)PV電池制造設(shè)備：●國(guó)內(nèi)設(shè)備制造廠（所）已具備了PV電池生產(chǎn)線整線裝備能力：

清洗制絨機(jī)擴(kuò)散爐刻蝕機(jī)PECVD絲網(wǎng)印刷機(jī)低溫烘干爐燒結(jié)爐

48所、45所、2所、七星華創(chuàng)、43所恒力公司●設(shè)備技術(shù)水平整體不高，缺乏自動(dòng)化的大生產(chǎn)設(shè)備以單機(jī)供應(yīng)客戶為主，不能向客戶提供“交鑰匙”的完整成套生產(chǎn)線設(shè)備●趨勢(shì)：批次加工設(shè)備全自動(dòng)連續(xù)（inline)加工設(shè)備

手動(dòng)單機(jī)自動(dòng)化整線自動(dòng)化

適應(yīng)薄硅片（＜200μm)的加工設(shè)備

BTU連續(xù)式鏈?zhǔn)綌U(kuò)散爐（15×1.5m）：10-35MW/年；烘干/燒結(jié)一體爐：30MW/年ROTH&RAUPECVD抗反射層鍍膜設(shè)備：10-100MW/年CEPEA光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第26頁(yè)!2007-1027

影響太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素有：（一）、晶體硅電池片本身晶格質(zhì)量（二）、硅片表面絨面質(zhì)量（三）、PN結(jié)質(zhì)量（四）、周邊PN結(jié)去除質(zhì)量（五）、減反射氮化硅膜質(zhì)量（六）、金屬柵線印刷質(zhì)量（七）、歐姆接觸表面質(zhì)量關(guān)鍵電池片制造設(shè)備

與之相對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵工藝設(shè)備有：

（一）清洗制絨設(shè)備（二）擴(kuò)散爐（三）刻蝕機(jī)（四）PECVD（五）絲網(wǎng)印刷機(jī)（六）快速燒結(jié)爐光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第27頁(yè)!2007-1028序號(hào)工藝相應(yīng)設(shè)備（儀器）13背電極印刷絲網(wǎng)印刷機(jī)（共三個(gè)頭）14背電極的烘干低溫烘干爐15鋁背場(chǎng)印刷絲網(wǎng)印刷機(jī)16鋁背場(chǎng)的烘干低溫烘干爐17正面柵線電極印刷絲網(wǎng)印刷機(jī)18金屬電極柵線的燒結(jié)、熔合高溫?zé)Y(jié)爐19測(cè)試電池光電轉(zhuǎn)換效率效率測(cè)試儀20分選分檢機(jī)21電池組件電極的連接光焊機(jī)22太陽(yáng)能電池組件的封裝層壓機(jī)23擴(kuò)散、PE等石英器件的清洗石英管清洗機(jī)太陽(yáng)能電池制造工藝對(duì)應(yīng)的設(shè)備儀器2光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第28頁(yè)!2007-1029清洗/制絨機(jī)功能：去除硅片表面油污、損傷層、金屬離子，制絨、自然氧化。1、清洗液自動(dòng)攪動(dòng)技術(shù)，清洗/制絨效果更好2、節(jié)水節(jié)液技術(shù)，降低清洗成本3、新型非金屬材料融合技術(shù)，有效杜絕了微漏，保護(hù)了電氣系統(tǒng)，更可靠更安全4、環(huán)保清洗/制絨液的應(yīng)用，降低了后續(xù)處理成本光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第29頁(yè)!2007-1030全封閉潔凈擴(kuò)散開管擴(kuò)散---閉管擴(kuò)散---全封閉擴(kuò)散1、大大減少偏磷酸排放2、石英管及舟的清洗周期延長(zhǎng)十倍以上3、具備環(huán)保處理功能光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第30頁(yè)!2007-1031鏈?zhǔn)綌U(kuò)散技術(shù)劣勢(shì)：1、需前后道支持，自動(dòng)化銜接支出大2、表面偏磷酸揮發(fā)物會(huì)固結(jié)在燈管表面光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第31頁(yè)!2007-10321、激光刻蝕：適合選擇性刻蝕，刻蝕效果好，對(duì)硅片尺寸要求嚴(yán)格。國(guó)外大量使用，國(guó)內(nèi)效果不佳2、濕法刻蝕：價(jià)格昂貴，刻蝕效果好、成本高刻蝕機(jī)—激光刻蝕和濕法刻蝕光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第32頁(yè)!2007-1033PECVD---管式關(guān)鍵技術(shù)：（1）大容量反應(yīng)器等離子場(chǎng)均勻形成技術(shù)（2）先進(jìn)的石墨電極設(shè)計(jì)加工技術(shù)（3）低頻大功率RF穩(wěn)定輸出技術(shù)（4）高穩(wěn)定性的真空壓力控制技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料共36頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第33頁(yè)!2007-1034絲網(wǎng)印刷機(jī)功能：利用絲網(wǎng)漏印原理印刷背電極、背電場(chǎng)及柵線、線寬可達(dá)50m，高度可達(dá)10～20m發(fā)展方向：

1、高速數(shù)字影像定位，提高生產(chǎn)率

2、軟接觸自動(dòng)機(jī)械手，降低碎片率

3、高精度印刷頭，提高電池片