EMC測試總體概述及浪涌測試原理與浪涌防護(hù)元器件使用課件

EMC測試概述EMC測試包含EMI與EMS兩部分電磁兼容測試EMC干擾發(fā)射EMI敏感度EMSRECE

Harmonic

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PMSEMC測試概述EMC測試包含EMI與EMS兩部分1EMC測試概述RE&RS測試簡介高度掃描天線桿天線金屬地板轉(zhuǎn)臺(tái)上的受試件EMC測試概述RE&RS測試簡介高度掃描天線桿天線金屬地板轉(zhuǎn)2EMC測試概述CE測試簡介EMC測試概述CE測試簡介3EMC測試概述Harmonic&Flicker簡介EMC測試概述Harmonic&Flicker簡介4EMC測試概述SURGE簡介信號(hào)電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接輔助設(shè)備EUT與發(fā)生器或耦合器之間的電纜小于2米保護(hù)地線要能夠承受浪涌電流EMC測試概述SURGE簡介信號(hào)電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接5EMC測試概述ESD簡介EMC測試概述ESD簡介6EMC測試概述EFT簡介容性卡鉗距參考地100mm,輪流卡每根電纜EUT與參考地平面之間的距離大于100mm參考地平面的每個(gè)邊要超出EUT100mm并與大地相連EUT與發(fā)生器或卡鉗之間的電源線或信號(hào)線長度小于1米脈沖群信號(hào)源連輔助設(shè)備與端接EMC測試概述EFT簡介容性卡鉗距參考地EUT與參考地平面之7浪涌測試原理測試波形介紹耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇浪涌測試原理測試波形介紹8測試波形介紹

1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：1、開路電壓波形參數(shù)（1.2/50uS）：測試波形介紹

1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：9測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：10測試波形介紹10/700uS(5/320uS)波形介紹：1、開路電壓波形為10/700uS；測試波形介紹10/700uS(5/320uS)波形介紹：11測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：12測試波形介紹浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對(duì)于CE認(rèn)證）1、根據(jù)我司現(xiàn)產(chǎn)品，電源端口采用1.2/50uS（8/20uS）組合波；2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS)組合波進(jìn)行試驗(yàn)；3、試驗(yàn)前需對(duì)電纜類型、是否存在電源供電、是否屏蔽等進(jìn)行說明；(以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN)；測試波形介紹浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對(duì)于CE認(rèn)證）13耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇1、對(duì)于交直流電源線端口耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇14耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（差模）耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（差模）15耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（共模）耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（共模）16浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹浪涌保護(hù)電路及案例分析（因現(xiàn)產(chǎn)品主要涉及到過壓保護(hù)，這只介紹壓性保護(hù)器件，過流型保護(hù)器件不介紹）浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理17浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理1、泄放；（典型應(yīng)用端口：電源口）2、隔離；（典型應(yīng)用端口：網(wǎng)口）浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理18浪涌防護(hù)元器件使用浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹1、氣體放電管(GDT)的參數(shù)與應(yīng)用utufdcufrΔuΔτ浪涌防護(hù)元器件使用浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹utufdcuf19浪涌防護(hù)元器件使用1.1主要技術(shù)參數(shù)a、直流放電電壓在上升陡度低于100V/s的電壓作用下，放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。由于放電的分散性，所以，直流放電電壓是一個(gè)數(shù)值范圍。選擇時(shí)應(yīng)大于電路工作電壓120%；浪涌防護(hù)元器件使用1.1主要技術(shù)參數(shù)20浪涌防護(hù)元器件使用b、沖擊放電電壓在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下，放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。放電管的響應(yīng)時(shí)間或動(dòng)作時(shí)延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān)，對(duì)于不同的上升陡度，放電管的沖擊放電電壓是不同的。浪涌防護(hù)元器件使用b、沖擊放電電壓21浪涌防護(hù)元器件使用C、沖擊耐受電流將放電管通過規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流，使其直流放電電壓和絕緣電阻不會(huì)發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱為管子的沖擊耐受電流。d、其他參數(shù)浪涌防護(hù)元器件使用C、沖擊耐受電流22浪涌防護(hù)元器件使用1.2氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用a、優(yōu)點(diǎn)：

極間絕緣電阻大極間電容小泄放暫態(tài)過電流能力強(qiáng)

浪涌防護(hù)元器件使用1.2氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用23浪涌防護(hù)元器件使用b、缺點(diǎn)：

時(shí)延—導(dǎo)致殘壓大續(xù)流—導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端口C、應(yīng)用：用于浪涌防護(hù)最前級(jí)；單獨(dú)用于共模防護(hù)；與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；浪涌防護(hù)元器件使用b、缺點(diǎn)：24浪涌防護(hù)元器件使用2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用2.1壓敏電阻的主要參數(shù)a、標(biāo)稱壓敏電壓(V)：通過規(guī)定持續(xù)時(shí)間的脈沖電流（一般為1mA持續(xù)時(shí)間一般小于400mS）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓值浪涌防護(hù)元器件使用2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用25浪涌防護(hù)元器件使用b、殘壓在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。c、殘壓比 殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。（一般約為1.8~2.2）

浪涌防護(hù)元器件使用b、殘壓26浪涌防護(hù)元器件使用d、通流容量通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。其他

浪涌防護(hù)元器件使用d、通流容量27浪涌防護(hù)元器件使用1.2壓敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用a、優(yōu)點(diǎn)：

通流容量大動(dòng)作響應(yīng)快無續(xù)流b、缺點(diǎn)極間電容大TVS大家都有用過，TSS較GDT克服了動(dòng)作時(shí)間慢的缺點(diǎn)，此文中不再介紹。

浪涌防護(hù)元器件使用1.2壓敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用28浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)器件小結(jié)1、GDT、TSS同為開關(guān)型器件，均存在續(xù)流問題；2、MOV、TVS同為鉗位型器件，客服了續(xù)流問題，但通流量較開關(guān)型器件要??；3、GDT動(dòng)作時(shí)間為uS級(jí)，MOV動(dòng)作時(shí)間為nS級(jí)均較慢；TSS、TVS客服了動(dòng)作時(shí)間，為nS級(jí)器件；4、MOV（使用次數(shù)限制）的失效模式以短路為主，所以在應(yīng)用回流中需加入短路保護(hù)型器件；5、以上浪涌保護(hù)器件均為過壓型保護(hù)器件，過流型現(xiàn)AC產(chǎn)品未涉及，不介紹。浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)器件小結(jié)29浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹（個(gè)人看法）1、“標(biāo)準(zhǔn)”資料，GBT17626.5，ITUK系列建議，主要對(duì)波形參數(shù)、內(nèi)阻、耦合方式進(jìn)行了解；2、“測試”技術(shù)了解，主要對(duì)差、共模，正、負(fù)極性等情況下的“回流路徑”進(jìn)行了解；3、根據(jù)不同的試驗(yàn)等級(jí)，結(jié)合實(shí)際電路進(jìn)行浪涌防護(hù)方式（泄放或隔離或結(jié)合）、元器件等的選擇；4、根據(jù)浪涌進(jìn)入PCB區(qū)域電壓高低、電流大小、所通過的路徑進(jìn)合理的間距、線寬、PCB布局、布線設(shè)計(jì)；浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹（個(gè)人看法）30

謝謝大家！作者:游青春2012年11月謝謝大家！31EMC測試概述EMC測試包含EMI與EMS兩部分電磁兼容測試EMC干擾發(fā)射EMI敏感度EMSRECE

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FlickerESDEFTCSRSSURGEDIP

PMSEMC測試概述EMC測試包含EMI與EMS兩部分32EMC測試概述RE&RS測試簡介高度掃描天線桿天線金屬地板轉(zhuǎn)臺(tái)上的受試件EMC測試概述RE&RS測試簡介高度掃描天線桿天線金屬地板轉(zhuǎn)33EMC測試概述CE測試簡介EMC測試概述CE測試簡介34EMC測試概述Harmonic&Flicker簡介EMC測試概述Harmonic&Flicker簡介35EMC測試概述SURGE簡介信號(hào)電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接輔助設(shè)備EUT與發(fā)生器或耦合器之間的電纜小于2米保護(hù)地線要能夠承受浪涌電流EMC測試概述SURGE簡介信號(hào)電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接36EMC測試概述ESD簡介EMC測試概述ESD簡介37EMC測試概述EFT簡介容性卡鉗距參考地100mm,輪流卡每根電纜EUT與參考地平面之間的距離大于100mm參考地平面的每個(gè)邊要超出EUT100mm并與大地相連EUT與發(fā)生器或卡鉗之間的電源線或信號(hào)線長度小于1米脈沖群信號(hào)源連輔助設(shè)備與端接EMC測試概述EFT簡介容性卡鉗距參考地EUT與參考地平面之38浪涌測試原理測試波形介紹耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇浪涌測試原理測試波形介紹39測試波形介紹

1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：1、開路電壓波形參數(shù)（1.2/50uS）：測試波形介紹

1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：40測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：41測試波形介紹10/700uS(5/320uS)波形介紹：1、開路電壓波形為10/700uS；測試波形介紹10/700uS(5/320uS)波形介紹：42測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：測試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：43測試波形介紹浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對(duì)于CE認(rèn)證）1、根據(jù)我司現(xiàn)產(chǎn)品，電源端口采用1.2/50uS（8/20uS）組合波；2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS)組合波進(jìn)行試驗(yàn)；3、試驗(yàn)前需對(duì)電纜類型、是否存在電源供電、是否屏蔽等進(jìn)行說明；(以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN)；測試波形介紹浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對(duì)于CE認(rèn)證）44耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇1、對(duì)于交直流電源線端口耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇45耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（差模）耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（差模）46耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（共模）耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（共模）47浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹浪涌保護(hù)電路及案例分析（因現(xiàn)產(chǎn)品主要涉及到過壓保護(hù)，這只介紹壓性保護(hù)器件，過流型保護(hù)器件不介紹）浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理48浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理1、泄放；（典型應(yīng)用端口：電源口）2、隔離；（典型應(yīng)用端口：網(wǎng)口）浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理49浪涌防護(hù)元器件使用浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹1、氣體放電管(GDT)的參數(shù)與應(yīng)用utufdcufrΔuΔτ浪涌防護(hù)元器件使用浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹utufdcuf50浪涌防護(hù)元器件使用1.1主要技術(shù)參數(shù)a、直流放電電壓在上升陡度低于100V/s的電壓作用下，放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。由于放電的分散性，所以，直流放電電壓是一個(gè)數(shù)值范圍。選擇時(shí)應(yīng)大于電路工作電壓120%；浪涌防護(hù)元器件使用1.1主要技術(shù)參數(shù)51浪涌防護(hù)元器件使用b、沖擊放電電壓在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下，放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。放電管的響應(yīng)時(shí)間或動(dòng)作時(shí)延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān)，對(duì)于不同的上升陡度，放電管的沖擊放電電壓是不同的。浪涌防護(hù)元器件使用b、沖擊放電電壓52浪涌防護(hù)元器件使用C、沖擊耐受電流將放電管通過規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流，使其直流放電電壓和絕緣電阻不會(huì)發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱為管子的沖擊耐受電流。d、其他參數(shù)浪涌防護(hù)元器件使用C、沖擊耐受電流53浪涌防護(hù)元器件使用1.2氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用a、優(yōu)點(diǎn)：

極間絕緣電阻大極間電容小泄放暫態(tài)過電流能力強(qiáng)

浪涌防護(hù)元器件使用1.2氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用54浪涌防護(hù)元器件使用b、缺點(diǎn)：

時(shí)延—導(dǎo)致殘壓大續(xù)流—導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端口C、應(yīng)用：用于浪涌防護(hù)最前級(jí)；單獨(dú)用于共模防護(hù)；與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；浪涌防護(hù)元器件使用b、缺點(diǎn)：55浪涌防護(hù)元器件使用2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用2.1壓敏電阻的主要參數(shù)a、標(biāo)稱壓敏電壓(V)：通過規(guī)定持續(xù)時(shí)間的脈沖電流（一般為1mA持續(xù)時(shí)間一般小于400mS）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓值浪涌防護(hù)元器件使用2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用56浪涌防護(hù)元器件使用b、殘壓在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。c、殘壓比 殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。（一般約為1.8~2.2）

浪涌防護(hù)元器件使用b、殘壓57浪涌防護(hù)元器件使用d、通流容量通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。其他

浪涌防護(hù)元器件使用d、通流