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文檔簡(jiǎn)介

第四章

核磁共振波譜分析法一、化學(xué)位移二、化學(xué)位移的表

示方法三、影響化學(xué)位移的因素第三節(jié)

化學(xué)位移1h第四章

核磁共振波譜分析法一、化學(xué)位移第三節(jié)

化學(xué)位移一、電子屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移

B實(shí)=B0-B0=B0(1-)

—屏蔽常數(shù)。

越大,屏蔽效應(yīng)越大。

=

/(2)B實(shí)=[

/(2)]B0(1-)——共振方程式由于屏蔽作用的存在,氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場(chǎng)強(qiáng)度,來(lái)抵消屏蔽影響。

=

/(2)B0

1.409T,60MHz;2.340T,100MHz972h一、電子屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移化學(xué)位移:

=[

/(2)](1-)B0

是核的化學(xué)環(huán)境的函數(shù)。有機(jī)化合物中,各種氫核周圍的電子云密度不同,值不同,在不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下共振,引起共振吸收峰的位移,這種現(xiàn)象-化學(xué)位移。3h化學(xué)位移:=[/(2)二、化學(xué)位移的表示方法

各種氫核化學(xué)位移差別很小,約10-6范圍內(nèi),靠測(cè)定磁場(chǎng)的絕對(duì)強(qiáng)度來(lái)加以辨別很難辦到。

屏蔽作用的大?。?/p>

B0)與外加磁場(chǎng)成正比,因此屏蔽作用所引起的化學(xué)位移的大小亦與外加磁場(chǎng)有關(guān),使用不同照射頻率的儀器所得化學(xué)位移值不同,不易直接比較。使用一個(gè)與儀器無(wú)關(guān)的相對(duì)值-表示(化學(xué)位移常數(shù))定義為:

=[(樣-標(biāo))/0]×106

(ppm)樣——樣品的共振頻率

標(biāo)——標(biāo)準(zhǔn)物的共振頻率0——儀器振蕩器的頻率4h二、化學(xué)位移的表示方法各種氫核化學(xué)位移差別很小,約11,2,2-三氯丙烷(CH3CCl2CH2Cl)在60MHz、100MHz儀器上測(cè)得的1H-NMR譜60MHz:CH2=[240/(60×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[134/(60×106)]×106=2.23(ppm)100MHz:

CH2=[400/(100×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[223/(100×106)]×106=2.23(ppm)Δ=106HZΔ=134HZ3002001000Δ=177HZΔ=223HZ020040060MHz100MHz5h1,2,2-三氯丙烷(CH3CCl2CH2Cl)在60MHz位移的表示方法

與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大,但規(guī)定TMS=0,其他種類氫核的位移為負(fù)值,負(fù)號(hào)不加。

小,屏蔽強(qiáng),共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度大,在高場(chǎng)出現(xiàn),圖右側(cè);

大,屏蔽弱,共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度小,在低場(chǎng)出現(xiàn),圖左側(cè);6h位移的表示方法與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)樣品的值是選擇某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物的值為零來(lái)測(cè)量的-內(nèi)標(biāo)。1H-NMR,通常選四甲基硅烷(TMS)為標(biāo)準(zhǔn)。規(guī)定其TMS=0.00四甲基硅烷作為標(biāo)準(zhǔn)物的優(yōu)點(diǎn):(1)12個(gè)氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境,只產(chǎn)生一個(gè)尖峰;(2)屏蔽強(qiáng)烈,化學(xué)位移最大。與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭;(3)化學(xué)惰性,與樣品之間不會(huì)發(fā)生反應(yīng)和分子間締合;(4)易溶于有機(jī)溶劑,沸點(diǎn)低(27℃),樣品易回收;CH3CH3CH3-Si-CH37h化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)樣品的值是選擇某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍8h常見(jiàn)結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍8h三、影響化學(xué)位移的因素質(zhì)子相連的碳原子上,如果接有電負(fù)性強(qiáng)的基團(tuán),信號(hào)峰在低場(chǎng)出現(xiàn),值就大。

-O-H,-C-H,大小低場(chǎng)高場(chǎng)

電負(fù)性與化學(xué)位移的關(guān)系極重要,往往是預(yù)測(cè)化學(xué)位移的最重要因素。1.誘導(dǎo)效應(yīng)

9h三、影響化學(xué)位移的因素質(zhì)子相連的碳原子上,如果接有電電負(fù)性的影響(a)在沒(méi)有其他影響時(shí),取代基的電負(fù)性越大,質(zhì)子的值越大?;衔锶〈娯?fù)性/ppmCH3FF4.04.30CH3OHOH3.53.40CH3ClCl3.13.10CH3BrBr2.82.70CH3II2.52.20CH3H

H2.10.2010h電負(fù)性的影響(a)在沒(méi)有其他影響時(shí),取代基的電負(fù)(c)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過(guò)成鍵電子傳遞的,取代基的影響隨距離的增大而迅速降低,通常相隔三個(gè)以上碳原子的質(zhì)子幾乎沒(méi)有影響?;衔?/p>

CH3BrCH3CH2Br

CH3(

CH2)2BrCH3(CH2)3Br/ppm2.681.651.040.9

(b)多取代比單取代有較強(qiáng)的效應(yīng),值移向低場(chǎng)?;衔顲HCl3CH2Cl2CH3Cl/ppm7.275.303.0511h(c)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過(guò)成鍵電子傳遞的,取代基的影響隨距離2.共軛效應(yīng)

極性基團(tuán)通過(guò)π-π和p-π共軛作用使較遠(yuǎn)的碳上的質(zhì)子受到影響。推電子基使H

值減小,拉電子基使H值增大。-0.21(c)0.00(b)(a)中-OCH3

與烯鍵形成p-π共軛體系,n-電子流向π鍵,末端亞甲基中質(zhì)子周圍電子云密度增加H值向高場(chǎng)移動(dòng)。(c)中C=O的電負(fù)性高,在π-π共軛體系中氧端電子云密度高于亞甲基端,故亞甲基中質(zhì)子H值向低場(chǎng)移動(dòng)。+1.29(a):12h2.共軛效應(yīng)極性基團(tuán)通過(guò)π-π和p-π共軛作用使較3、各向異性效應(yīng)各向異性效應(yīng):化學(xué)鍵產(chǎn)生一個(gè)小磁場(chǎng)并通過(guò)空間作用影響鄰近的氫核。當(dāng)化合物電子云分布不是球形對(duì)稱時(shí),就對(duì)鄰近質(zhì)子附加了一個(gè)各向異性的磁場(chǎng),對(duì)外磁場(chǎng)起著增強(qiáng)或減弱的作用。增強(qiáng)外磁場(chǎng)的作用-去屏蔽效應(yīng)(-)表示,H

值增大減弱外磁場(chǎng)的作用-屏蔽效應(yīng)(+)表示,H

值減小/ppmCH3-CH2-H0.96CH2=CH-H5.84CH=C-H1.80C6H5-H7.28

R-CO-H7.80-10.5

碳雜化軌道電負(fù)性大小次序:

SP>SP2>SP313h3、各向異性效應(yīng)各向異性效應(yīng):化學(xué)鍵產(chǎn)生一(1)雙鍵的各向異性

價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,受去屏蔽效應(yīng)。H

移向低場(chǎng)。14h(1)雙鍵的各向異性價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁(2)叁鍵的各向異性炔鍵π電子云繞C-C軸對(duì)稱分布呈筒形,當(dāng)分子與外磁場(chǎng)平行時(shí)圓筒軸線上的炔氫位于屏蔽區(qū),受到屏蔽效應(yīng)。H值移向高場(chǎng)。15h(2)叁鍵的各向異性炔鍵π電子云繞C-C軸對(duì)稱分布呈(3)苯環(huán)的各向異性環(huán)上下為屏蔽區(qū),環(huán)平面上為去屏蔽區(qū),苯環(huán)上質(zhì)子受到強(qiáng)烈的去屏蔽效應(yīng)。H值移向更低場(chǎng)。16h(3)苯環(huán)的各向異性環(huán)上下為屏蔽區(qū),環(huán)平面上為去屏2.63CH2CH2H2CCH2CH2CH2CH2CH2CH2CH21.550.71.080.51側(cè)鏈環(huán)上質(zhì)子的化學(xué)位移變化說(shuō)明苯環(huán)上各個(gè)方向的屏蔽效應(yīng)不同。17h2.63CH2CH2H2CCH2CH2CH2C4、氫鍵的影響

在N、O、S原子上的質(zhì)子形成氫鍵后,由于靜電場(chǎng)的作用,使氫外圍電子云密度降低而去屏蔽,值移向低場(chǎng)。

形成分子內(nèi)氫鍵,值移向場(chǎng)更低場(chǎng)。-CO2EtPt--CO2EtPt--CO2EtPt-(a)(b)(c)分子中兩個(gè)羥基1=10.5ppm2=5.2ppm10418h4、氫鍵的影響在N、O、S原子上的質(zhì)子形成氫鍵后,由第四章

核磁共振波譜分析法一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移二、烯氫的化學(xué)位移三、苯氫的化學(xué)位移四、活潑氫的化學(xué)位移第四節(jié)

各類質(zhì)子的化學(xué)位移19h第四章

核磁共振波譜分析法一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位各類質(zhì)子的化學(xué)位移值粗略概括脂肪族CH(C上無(wú)雜原子)0-0.2取代脂肪族C-H1.0-2.0炔氫1.6-3.4取代脂肪族C-H(C上有O,X,N或與烯鍵,炔鍵相連)1.5-5.0烯氫4.5-7.5苯環(huán).雜芳環(huán)上氫6.0-9.5醛基氫9.0-10.5氧上的氫(OH):醇類0.5-5.5酚類4.0-8.0酸9-13氮上的氫(NH):脂肪胺0.6-3.5芳香胺3.0-5.0酰胺5-8.520h各類質(zhì)子的化學(xué)位移值粗略概括脂肪族CH(C上無(wú)雜原子)一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移(1)鄰位有取代的甲基的化學(xué)位移(CH3-CXYZ)

CH3=0.86+(X-0.86)+

(Y-0.86)+(Z-0.86)

1.鄰位有兩個(gè)以上取代基時(shí)CH3CHBr2CH3=0.86+2×(1.66-0.86)=2.46(2.47)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y

(CH3)2CHY

(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移21h一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移(1)鄰位有取代的甲基的化(2)鄰位有取代的亞甲基的化學(xué)位移(CH3CH2CXYZ)

CH2=1.33+(X-1.33)+

(Y-1.33)+(Z-1.33)

CH3CH2CHBrCOOH

CH2=1.33+(1.89-1.33)+(1.68-1.33)=2.24(2.07)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y

(CH3)2CHY

(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移22h(2)鄰位有取代的亞甲基的化學(xué)位移(CH3CH2CXYZ)2.同碳上有兩個(gè)或兩個(gè)以上取代基時(shí)Shoolery公式(CH2XY、CHXYZ)=0.23+∑Shoolery公式屏蔽常數(shù)取代基-Cl2.53-Br2.33-C6H51.85-COOR1.550.23-甲烷的值;∑-各基團(tuán)屏蔽常數(shù)之和。求CHCl2Ph的次甲基值

=0.23+2.53×2+1.85=7.14(6.61)求Br-CH2-

Cl的亞甲基質(zhì)子值=0.23+2.33+2.53=5.09(5.16)23h2.同碳上有兩個(gè)或兩個(gè)以上取代基時(shí)Shoolery公式(CH二、烯氫的化學(xué)位移取代基Z同Z順Z反-H000-OR1.22-1.07-1.21-CHO1.020.951.17取代基對(duì)烯氫化學(xué)位移的影響

=CH=5.25+Z同+Z順+Z反C=CHaHbHcCH3Oa=5.25+(-1.21)=5.04b=5.25+(-1.07)=4.18c=5.25+1.22=6.47三、醛基氫的化學(xué)位移醛基氫由于受到羰基的去屏蔽作用,出現(xiàn)在較低場(chǎng):脂肪醛9—10ppm,芳香醛9.5—10.5

ppm

24h二、烯氫的化學(xué)位移取代基Z同Z順Z反-H000-OR1.22四、苯氫的化學(xué)位移芳環(huán)的各向異性效應(yīng)使芳環(huán)氫的值在較低場(chǎng)。取代基的誘導(dǎo)作用使苯環(huán)的鄰、間、對(duì)位的電子云密度發(fā)生變化,使其值向高場(chǎng)或低場(chǎng)移動(dòng)。7.488.227.61NO2NO--O+OCH3+-OCH36.737.246.79硝基苯中硝基的吸電子作用使苯環(huán)氫向低場(chǎng)位移。苯甲醚中甲氧基的推電子作用使苯環(huán)氫向高場(chǎng)位移。25h四、苯氫的化學(xué)位移芳環(huán)的各向異性效應(yīng)使芳環(huán)氫的值在較低苯氫的化學(xué)位移的經(jīng)驗(yàn)公式=7.30-∑s7.30-苯氫的值S-取代基參數(shù)取代基S鄰S間S對(duì)-OR0.450.100.40-OH0.450.100.40-COR-0.70-0.25-0.10aba=7.30-(0.45+0.10)=6.75b=7.30-(0.45+0.10)=6.75稠環(huán)芳烴因抗磁環(huán)流的去屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),芳?xì)涞蛨?chǎng)位移7.817.468.317.917.39取代基對(duì)苯環(huán)氫化學(xué)位移的影響26h苯氫的化學(xué)位移的經(jīng)驗(yàn)公式=7.30-∑s7.30-四、活潑氫的化學(xué)位移活潑氫由于相互交換及氫鍵形成的影響,值很不固定.abs=Naa+NbbROHb+R’OHaROHa+R’OHbabs-表觀化學(xué)位移N-氫原子摩爾分?jǐn)?shù)峰形有一定的特征酰胺,羧酸締合峰為寬峰醇,酚類的峰形較鈍氨基,硫基峰形較尖交換順序OH>NH>SH27h四、活潑氫的化學(xué)位移活潑氫由于相互交換及氫鍵形成的影響,11.6CH3COOH純粹CH3COOH的NMR譜5.2OHHOH的NMR譜CH37.3乙酸水溶液CH3COOH:HOH=1:1的NMR譜CH3COOHb+HOHaCH3COOHa+HOHb溶質(zhì)與溶劑間的氫也可進(jìn)行交換:設(shè)CH3COOH的濃度為0.5mol/LH2O的濃度也是0.5mol/LNa=0.5/1.5Nb=1.0/1.5

abs=0.5/1.5*11.6+1.0/1.5*5.2=7.3ppm28h11.6CH3COOH純粹CH3COOH的NMR譜5.2OH第四章

核磁共振波譜分析法一、化學(xué)位移二、化學(xué)位移的表

示方法三、影響化學(xué)位移的因素第三節(jié)

化學(xué)位移29h第四章

核磁共振波譜分析法一、化學(xué)位移第三節(jié)

化學(xué)位移一、電子屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移

B實(shí)=B0-B0=B0(1-)

—屏蔽常數(shù)。

越大,屏蔽效應(yīng)越大。

=

/(2)B實(shí)=[

/(2)]B0(1-)——共振方程式由于屏蔽作用的存在,氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場(chǎng)強(qiáng)度,來(lái)抵消屏蔽影響。

=

/(2)B0

1.409T,60MHz;2.340T,100MHz9730h一、電子屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移化學(xué)位移:

=[

/(2)](1-)B0

是核的化學(xué)環(huán)境的函數(shù)。有機(jī)化合物中,各種氫核周圍的電子云密度不同,值不同,在不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下共振,引起共振吸收峰的位移,這種現(xiàn)象-化學(xué)位移。31h化學(xué)位移:=[/(2)二、化學(xué)位移的表示方法

各種氫核化學(xué)位移差別很小,約10-6范圍內(nèi),靠測(cè)定磁場(chǎng)的絕對(duì)強(qiáng)度來(lái)加以辨別很難辦到。

屏蔽作用的大?。?/p>

B0)與外加磁場(chǎng)成正比,因此屏蔽作用所引起的化學(xué)位移的大小亦與外加磁場(chǎng)有關(guān),使用不同照射頻率的儀器所得化學(xué)位移值不同,不易直接比較。使用一個(gè)與儀器無(wú)關(guān)的相對(duì)值-表示(化學(xué)位移常數(shù))定義為:

=[(樣-標(biāo))/0]×106

(ppm)樣——樣品的共振頻率

標(biāo)——標(biāo)準(zhǔn)物的共振頻率0——儀器振蕩器的頻率32h二、化學(xué)位移的表示方法各種氫核化學(xué)位移差別很小,約11,2,2-三氯丙烷(CH3CCl2CH2Cl)在60MHz、100MHz儀器上測(cè)得的1H-NMR譜60MHz:CH2=[240/(60×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[134/(60×106)]×106=2.23(ppm)100MHz:

CH2=[400/(100×106)]×106=4.00(ppm)CH3=[223/(100×106)]×106=2.23(ppm)Δ=106HZΔ=134HZ3002001000Δ=177HZΔ=223HZ020040060MHz100MHz33h1,2,2-三氯丙烷(CH3CCl2CH2Cl)在60MHz位移的表示方法

與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大,但規(guī)定TMS=0,其他種類氫核的位移為負(fù)值,負(fù)號(hào)不加。

小,屏蔽強(qiáng),共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度大,在高場(chǎng)出現(xiàn),圖右側(cè);

大,屏蔽弱,共振需要的磁場(chǎng)強(qiáng)度小,在低場(chǎng)出現(xiàn),圖左側(cè);34h位移的表示方法與裸露的氫核相比,TMS的化學(xué)位移最大化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)樣品的值是選擇某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物的值為零來(lái)測(cè)量的-內(nèi)標(biāo)。1H-NMR,通常選四甲基硅烷(TMS)為標(biāo)準(zhǔn)。規(guī)定其TMS=0.00四甲基硅烷作為標(biāo)準(zhǔn)物的優(yōu)點(diǎn):(1)12個(gè)氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境,只產(chǎn)生一個(gè)尖峰;(2)屏蔽強(qiáng)烈,化學(xué)位移最大。與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭;(3)化學(xué)惰性,與樣品之間不會(huì)發(fā)生反應(yīng)和分子間締合;(4)易溶于有機(jī)溶劑,沸點(diǎn)低(27℃),樣品易回收;CH3CH3CH3-Si-CH335h化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)樣品的值是選擇某個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍36h常見(jiàn)結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍8h三、影響化學(xué)位移的因素質(zhì)子相連的碳原子上,如果接有電負(fù)性強(qiáng)的基團(tuán),信號(hào)峰在低場(chǎng)出現(xiàn),值就大。

-O-H,-C-H,大小低場(chǎng)高場(chǎng)

電負(fù)性與化學(xué)位移的關(guān)系極重要,往往是預(yù)測(cè)化學(xué)位移的最重要因素。1.誘導(dǎo)效應(yīng)

37h三、影響化學(xué)位移的因素質(zhì)子相連的碳原子上,如果接有電電負(fù)性的影響(a)在沒(méi)有其他影響時(shí),取代基的電負(fù)性越大,質(zhì)子的值越大?;衔锶〈娯?fù)性/ppmCH3FF4.04.30CH3OHOH3.53.40CH3ClCl3.13.10CH3BrBr2.82.70CH3II2.52.20CH3H

H2.10.2038h電負(fù)性的影響(a)在沒(méi)有其他影響時(shí),取代基的電負(fù)(c)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過(guò)成鍵電子傳遞的,取代基的影響隨距離的增大而迅速降低,通常相隔三個(gè)以上碳原子的質(zhì)子幾乎沒(méi)有影響?;衔?/p>

CH3BrCH3CH2Br

CH3(

CH2)2BrCH3(CH2)3Br/ppm2.681.651.040.9

(b)多取代比單取代有較強(qiáng)的效應(yīng),值移向低場(chǎng)。化合物CHCl3CH2Cl2CH3Cl/ppm7.275.303.0539h(c)誘導(dǎo)效應(yīng)是通過(guò)成鍵電子傳遞的,取代基的影響隨距離2.共軛效應(yīng)

極性基團(tuán)通過(guò)π-π和p-π共軛作用使較遠(yuǎn)的碳上的質(zhì)子受到影響。推電子基使H

值減小,拉電子基使H值增大。-0.21(c)0.00(b)(a)中-OCH3

與烯鍵形成p-π共軛體系,n-電子流向π鍵,末端亞甲基中質(zhì)子周圍電子云密度增加H值向高場(chǎng)移動(dòng)。(c)中C=O的電負(fù)性高,在π-π共軛體系中氧端電子云密度高于亞甲基端,故亞甲基中質(zhì)子H值向低場(chǎng)移動(dòng)。+1.29(a):40h2.共軛效應(yīng)極性基團(tuán)通過(guò)π-π和p-π共軛作用使較3、各向異性效應(yīng)各向異性效應(yīng):化學(xué)鍵產(chǎn)生一個(gè)小磁場(chǎng)并通過(guò)空間作用影響鄰近的氫核。當(dāng)化合物電子云分布不是球形對(duì)稱時(shí),就對(duì)鄰近質(zhì)子附加了一個(gè)各向異性的磁場(chǎng),對(duì)外磁場(chǎng)起著增強(qiáng)或減弱的作用。增強(qiáng)外磁場(chǎng)的作用-去屏蔽效應(yīng)(-)表示,H

值增大減弱外磁場(chǎng)的作用-屏蔽效應(yīng)(+)表示,H

值減小/ppmCH3-CH2-H0.96CH2=CH-H5.84CH=C-H1.80C6H5-H7.28

R-CO-H7.80-10.5

碳雜化軌道電負(fù)性大小次序:

SP>SP2>SP341h3、各向異性效應(yīng)各向異性效應(yīng):化學(xué)鍵產(chǎn)生一(1)雙鍵的各向異性

價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁力線上,與外磁場(chǎng)方向一致,受去屏蔽效應(yīng)。H

移向低場(chǎng)。42h(1)雙鍵的各向異性價(jià)電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場(chǎng),質(zhì)子位于其磁(2)叁鍵的各向異性炔鍵π電子云繞C-C軸對(duì)稱分布呈筒形,當(dāng)分子與外磁場(chǎng)平行時(shí)圓筒軸線上的炔氫位于屏蔽區(qū),受到屏蔽效應(yīng)。H值移向高場(chǎng)。43h(2)叁鍵的各向異性炔鍵π電子云繞C-C軸對(duì)稱分布呈(3)苯環(huán)的各向異性環(huán)上下為屏蔽區(qū),環(huán)平面上為去屏蔽區(qū),苯環(huán)上質(zhì)子受到強(qiáng)烈的去屏蔽效應(yīng)。H值移向更低場(chǎng)。44h(3)苯環(huán)的各向異性環(huán)上下為屏蔽區(qū),環(huán)平面上為去屏2.63CH2CH2H2CCH2CH2CH2CH2CH2CH2CH21.550.71.080.51側(cè)鏈環(huán)上質(zhì)子的化學(xué)位移變化說(shuō)明苯環(huán)上各個(gè)方向的屏蔽效應(yīng)不同。45h2.63CH2CH2H2CCH2CH2CH2C4、氫鍵的影響

在N、O、S原子上的質(zhì)子形成氫鍵后,由于靜電場(chǎng)的作用,使氫外圍電子云密度降低而去屏蔽,值移向低場(chǎng)。

形成分子內(nèi)氫鍵,值移向場(chǎng)更低場(chǎng)。-CO2EtPt--CO2EtPt--CO2EtPt-(a)(b)(c)分子中兩個(gè)羥基1=10.5ppm2=5.2ppm10446h4、氫鍵的影響在N、O、S原子上的質(zhì)子形成氫鍵后,由第四章

核磁共振波譜分析法一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移二、烯氫的化學(xué)位移三、苯氫的化學(xué)位移四、活潑氫的化學(xué)位移第四節(jié)

各類質(zhì)子的化學(xué)位移47h第四章

核磁共振波譜分析法一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位各類質(zhì)子的化學(xué)位移值粗略概括脂肪族CH(C上無(wú)雜原子)0-0.2取代脂肪族C-H1.0-2.0炔氫1.6-3.4取代脂肪族C-H(C上有O,X,N或與烯鍵,炔鍵相連)1.5-5.0烯氫4.5-7.5苯環(huán).雜芳環(huán)上氫6.0-9.5醛基氫9.0-10.5氧上的氫(OH):醇類0.5-5.5酚類4.0-8.0酸9-13氮上的氫(NH):脂肪胺0.6-3.5芳香胺3.0-5.0酰胺5-8.548h各類質(zhì)子的化學(xué)位移值粗略概括脂肪族CH(C上無(wú)雜原子)一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移(1)鄰位有取代的甲基的化學(xué)位移(CH3-CXYZ)

CH3=0.86+(X-0.86)+

(Y-0.86)+(Z-0.86)

1.鄰位有兩個(gè)以上取代基時(shí)CH3CHBr2CH3=0.86+2×(1.66-0.86)=2.46(2.47)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y

(CH3)2CHY

(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移49h一、甲基、亞甲基及次甲基的化學(xué)位移(1)鄰位有取代的甲基的化(2)鄰位有取代的亞甲基的化學(xué)位移(CH3CH2CXYZ)

CH2=1.33+(X-1.33)+

(Y-1.33)+(Z-1.33)

CH3CH2CHBrCOOH

CH2=1.33+(1.89-1.33)+(1.68-1.33)=2.24(2.07)YCH3YCH3CH2YCH3CH2CH2Y

(CH3)2CHY

(CH3)3CYCH3CH2CH3αCH2βCH2CH3CHCH3CH3H0.230.860.860.911.330.911.330.910.89Br2.693.371.663.471.891.064.211.731.76-COOH2.082.361.162.311.681.002.561.211.29-OH3.393.591.183.491.530.933.941.161.22烷基化合物(RY)的化學(xué)位移50h(2)鄰位有取代的亞甲基的化學(xué)位移(CH3CH2CXYZ)2.同碳上有兩個(gè)或兩個(gè)以上取代基時(shí)Shoolery公式(CH2XY、CHXYZ)=0.23+∑Shoolery公式屏蔽常數(shù)取代基-Cl2.53-Br

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