集成電路工藝概述課件

集成電路工藝概述集成電路工藝概述1課程介紹課程介紹2普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）01哲學(xué)02經(jīng)濟(jì)學(xué)03法學(xué)04教育學(xué)05文學(xué)06歷史學(xué)07理學(xué)08工學(xué)09農(nóng)學(xué)10醫(yī)學(xué)11管理學(xué)0806電氣信息類080601 電氣工程及其自動(dòng)化080602 自動(dòng)化080603 電子信息工程080604 通信工程080605 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)080606

電子科學(xué)與技術(shù)080607 生物醫(yī)學(xué)工程分設(shè)十一個(gè)學(xué)科門(mén)類（無(wú)軍事學(xué)），下設(shè)二級(jí)類71個(gè)，專業(yè)249種。普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）01哲學(xué)0806電氣信息3電子科學(xué)與技術(shù)專門(mén)研究電子科學(xué)理論及其應(yīng)用技術(shù)的學(xué)科，其研究的主要內(nèi)容是電子技術(shù)的核心理論制造電子元器件的材料、方法與工藝電路設(shè)計(jì)理論與應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)制造測(cè)試電子科學(xué)與技術(shù)專門(mén)研究電子科學(xué)理論及其應(yīng)用技術(shù)的學(xué)科，其研究4電子科學(xué)與技術(shù)的基本內(nèi)容1.電子元器件分立器件和集成器件如何設(shè)計(jì)出滿足應(yīng)用系統(tǒng)要求的電子元器件2.電子材料半導(dǎo)體材料、金屬材料和非金屬材料采用什么樣的材料才能滿足工程實(shí)際的需要3.分析與設(shè)計(jì)基本理論電子材料的基本物理和化學(xué)性質(zhì)、元器件的基本工作原理等4.工程應(yīng)用技術(shù)與方法提供了最直接的應(yīng)用技術(shù)，是電子科學(xué)與技術(shù)理論研究和工程應(yīng)用技術(shù)聯(lián)系的紐帶電子科學(xué)與技術(shù)的基本內(nèi)容1.電子元器件5集成電路技術(shù)器件階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是支持技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是器件系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是器件組成系統(tǒng)基本工具是器件分析系和系統(tǒng)仿真SoC階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是基本應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是系統(tǒng)和電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是系統(tǒng)集成技術(shù)基本工具是系統(tǒng)和電路模型的仿真分析集成電路技術(shù)6時(shí)間安排（每周4學(xué)時(shí)*16周=64學(xué)時(shí)）時(shí)間內(nèi)容安排1課程概述2晶圓制備3氧化4物理氣相淀積5化學(xué)氣相淀積6化學(xué)機(jī)械拋光7期中復(fù)習(xí)8光刻作業(yè)一、二、三9刻蝕10擴(kuò)散11離子注入12工藝集成作業(yè)四、五13封裝14期末復(fù)習(xí)15仿真實(shí)驗(yàn)一、二16仿真實(shí)驗(yàn)三、四時(shí)間安排（每周4學(xué)時(shí)*16周=64學(xué)時(shí)）時(shí)間內(nèi)容安排1課程概7基本工藝制膜氧化4CVD4PVD4外延4平坦化4圖形轉(zhuǎn)移光刻4刻蝕4摻雜擴(kuò)散4離子注入4基本工藝制膜氧化4CVD4PVD4外延4平坦化4圖形轉(zhuǎn)移光刻8封測(cè)切片封裝4測(cè)試?yán)匣Y選封測(cè)切片封裝4測(cè)試?yán)匣Y選9工序集成CMOS工藝2雙極工序2新技術(shù)工序集成CMOS工藝2雙極工序2新技術(shù)10實(shí)驗(yàn)軟件環(huán)境2氧化2摻雜2綜合2實(shí)驗(yàn)軟件環(huán)境2氧化2摻雜2綜合211參考教材序號(hào)書(shū)名作者出版社時(shí)間1半導(dǎo)體制造技術(shù)【美】MichaelQuirk電子工業(yè)20042芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程【美】PeterVanZant電子工業(yè)20103硅集成電路工藝基礎(chǔ)關(guān)旭東北京大學(xué)20034超大規(guī)模集成電路—基礎(chǔ)、設(shè)計(jì)、制造工藝【日】巖田穆科學(xué)20075集成電路工藝和器件的計(jì)算機(jī)模擬——ICTCAD技術(shù)概論阮剛復(fù)旦大學(xué)20076電子科學(xué)與技術(shù)導(dǎo)論李哲英電子工業(yè)20067集成電路芯片封裝技術(shù)李可為電子20078現(xiàn)代集成電路制造工藝原理李惠軍山東大學(xué)20079集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真劉睿強(qiáng)電子工業(yè)201110MOS集成電路結(jié)構(gòu)與制造技術(shù)潘桂忠上?？茖W(xué)技術(shù)201011集成電路制造技術(shù)——原理與工藝王蔚電子工業(yè)201012微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)邱碧秀電子工業(yè)200613圖解半導(dǎo)體基礎(chǔ)【日】水野文夫科學(xué)2007參考教材序號(hào)書(shū)名作者出版社時(shí)間1半導(dǎo)體制造技術(shù)【美】Mich12網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)13考核方法20%平時(shí)成績(jī)（考勤、作業(yè)、平時(shí)表現(xiàn)）20%實(shí)驗(yàn)成績(jī)60%考試成績(jī)（開(kāi)卷）考核方法20%平時(shí)成績(jī)（考勤、作業(yè)、平時(shí)表現(xiàn)）14課程作業(yè)作業(yè)一1描述CZ拉單晶爐的工作原理。作業(yè)二2描述集成電路的制膜工藝原理。作業(yè)三3描述集成電路的圖形轉(zhuǎn)移工藝原理。作業(yè)四4描述集成電路的摻雜工藝原理。作業(yè)五5以反相器為例描述CMOS工藝流程。課程作業(yè)作業(yè)一15集成電路集成電路16什么是集成電路？英文全稱IntegratedCircuit，縮寫(xiě)IC通過(guò)一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無(wú)源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能。制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或硅襯底。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為微芯片或芯片。2022/12/2617什么是集成電路？英文全稱IntegratedCircuit2022/12/2618集成電路的內(nèi)部電路VddABOutABOUT0010101001102022/12/1418集成電路的內(nèi)部電路VddABOutA2022/12/26192022/12/14192022/12/2620

50m100m頭發(fā)絲粗細(xì)

30m1m1m(晶體管的大小)30~50m(皮膚細(xì)胞的大小)90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較2022/12/14201m1一個(gè)工業(yè)的誕生1906年，真空三極管，Lee

Deforest（電信號(hào)處理工業(yè)）1947年，ENIAC1947年12月23日，晶體管，John

Bardeen，Walter

Brattin，William

Shockley（1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)），固態(tài)，分立器件（半導(dǎo)體工業(yè)）一個(gè)工業(yè)的誕生1906年，真空三極管，LeeDefores21世界第一個(gè)晶體管世界第一個(gè)晶體管22集成電路集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明，并共享集成電路的專利。？19692000年，Kilby被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)（Noyce去世10年）杰克·基爾比（JackKilby）德州儀器公司——TexasInstruments鍺,1959,2“第一塊集成電路的發(fā)明家”羅伯特·諾伊思（RobertNoyce）仙童半導(dǎo)體公司——FairchildSemiconductor硅,1959,7,30,“提出了適合于工業(yè)生產(chǎn)的集成電路理論”2022/12/2623集成電路集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分集成電路是怎么誕生的？早期的許多先驅(qū)者開(kāi)始在北加利福尼亞州，現(xiàn)在以硅谷著稱的地區(qū)。1957年，在加利福尼亞州的帕羅阿托市（PaloAlto）的仙童半導(dǎo)體公司（FairchildSemiconductor）制造出第一個(gè)商用平面晶體管。它有一層鋁互連材料，這種材料被淀積在硅片的最頂層以連接晶體管的不同部分。從硅上熱氧化生長(zhǎng)的一層自然氧化層被用于隔離鋁導(dǎo)線。這些層的使用在半導(dǎo)體領(lǐng)域是一個(gè)重要發(fā)展，也是稱其為平面技術(shù)的原因。2022/12/2624集成電路是怎么誕生的？早期的許多先驅(qū)者開(kāi)始在北加利福尼亞州，半導(dǎo)體的集成時(shí)代2022/12/2625電路集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期每個(gè)芯片元件數(shù)分立元件1960年前1SSI20世紀(jì)60年代前期2~50MSI20世紀(jì)60年代到70年代前期20~5000LSI20世紀(jì)70年代前期到70年代后期5000~100000VLSI20世紀(jì)70年代后期到80年代后期100000~1000000ULSI20世紀(jì)90年代后期至今大于1000000半導(dǎo)體的集成時(shí)代2022/12/1425電路集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周半導(dǎo)體主要趨勢(shì)提高芯片性能：速度（按比例縮小器件和使用新材料）關(guān)鍵尺寸（CD）芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸。硅片上的最小特征尺寸被稱為關(guān)鍵尺寸或CD。技術(shù)節(jié)點(diǎn)每塊芯片上的元件數(shù)摩爾定律功耗提高芯片可靠性浴盆曲線降低芯片成本2022/12/2626半導(dǎo)體主要趨勢(shì)提高芯片性能：2022/12/1426集成電路的5個(gè)制造階段集成電路的5個(gè)制造階段27集成電路的5個(gè)制造階段集成電路的5個(gè)制造階段28第1階段：硅片制備第1階段：硅片制備29第2階段：硅片制造裸露的硅片到達(dá)硅片制造廠，然后經(jīng)過(guò)各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜步驟，加工完的硅片具有永久刻蝕在硅片上的一整套集成電路。IDMfablessfoundry半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總是處于設(shè)備設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的前沿。2022/12/2630第2階段：硅片制造裸露的硅片到達(dá)硅片制造廠，然后經(jīng)過(guò)各種清洗第3階段：硅片的測(cè)試/揀選硅片制造完成后，硅片被送到測(cè)試/揀選區(qū)，在那里進(jìn)行單個(gè)芯片的探測(cè)和電學(xué)測(cè)試，然后揀選出可接受和不可接受的芯片，并為有缺陷的芯片做標(biāo)記，通過(guò)測(cè)試的芯片將繼續(xù)進(jìn)行以后的工藝。2022/12/2631第3階段：硅片的測(cè)試/揀選硅片制造完成后，硅片被送到測(cè)試/揀第4階段：裝配和封裝把單個(gè)芯片包裝在一個(gè)保護(hù)管殼內(nèi)。DIP2022/12/2632第4階段：裝配和封裝把單個(gè)芯片包裝在一個(gè)保護(hù)管殼內(nèi)。2022第5階段：終測(cè)為確保芯片的功能，要對(duì)每一個(gè)封裝的集成電路進(jìn)行測(cè)試，以滿足制造商的電學(xué)和環(huán)境的特性參數(shù)要求。至此，集成電路制造完成。2022/12/2633第5階段：終測(cè)為確保芯片的功能，要對(duì)每一個(gè)封裝的集成電路進(jìn)行晶圓制造廠晶圓制造廠34晶圓晶圓35在亞微米CMOSIC制造廠典型的硅片流程模型在亞微米CMOSIC制造廠典型的硅片流程模型36集成電路工藝概述課件37擴(kuò)散區(qū)擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜淀積的區(qū)域。主要設(shè)備：高溫?cái)U(kuò)散爐：1200℃左右，能完成氧化、擴(kuò)散、淀積、退火以及合金等多種工藝流程。濕法清洗設(shè)備（輔助）硅片在放入高溫爐之前必須進(jìn)行徹底的清洗，以去除硅片表面的沾污以及自然氧化層。2022/12/2638擴(kuò)散區(qū)擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜淀積的區(qū)域。2022集成電路工藝概述課件39光刻區(qū)光刻的本質(zhì)是把（臨時(shí)）電路圖形復(fù)制到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。黃色熒光管照明主要設(shè)備步進(jìn)光刻機(jī)（steper）涂膠/顯影設(shè)備（coater/developertrack）清洗裝置和光刻膠剝離機(jī)？2022/12/2640光刻區(qū)光刻的本質(zhì)是把（臨時(shí)）電路圖形復(fù)制到覆蓋于硅片表面的光光刻工藝模塊示意圖光刻工藝模塊示意圖41刻蝕區(qū)刻蝕是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。一旦材料被錯(cuò)誤刻蝕去掉，在刻蝕過(guò)程中所犯的錯(cuò)誤將難以糾正，只能報(bào)廢硅片，帶來(lái)經(jīng)濟(jì)損失。主要設(shè)備：等離子體刻蝕機(jī)（濕法、干法）等離子去膠機(jī)濕法清洗設(shè)備2022/12/2642刻蝕區(qū)刻蝕是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。20干法等離子體刻蝕機(jī)示意圖干法等離子體刻蝕機(jī)示意圖43離子注入?yún)^(qū)離子注入機(jī)是亞微米工藝中常見(jiàn)的摻雜工具。主要設(shè)備：離子注入機(jī)等離子去膠機(jī)濕法清洗設(shè)備2022/12/2644離子注入?yún)^(qū)離子注入機(jī)是亞微米工藝中常見(jiàn)的摻雜工具。2022/集成電路工藝概述課件45薄膜生長(zhǎng)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層和金屬層的淀積。薄膜生長(zhǎng)中所采用的溫度低于擴(kuò)散區(qū)中設(shè)備的工作溫度。主要設(shè)備（中低真空環(huán)境）CVDPVDSOG、RTP、濕法清洗設(shè)備薄膜生長(zhǎng)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層和金屬層的淀積。薄46CVD多腔集成設(shè)備和工藝腔的示意圖CVD多腔集成設(shè)備和工藝腔的示意圖47拋光區(qū)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝的目的是使硅片表面平坦化。通過(guò)將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。主要設(shè)備：拋光機(jī)刷片機(jī)（waferscrubber）、清洗裝置、測(cè)量裝置2022/12/2648拋光區(qū)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝的目的是使硅片表面平坦化。集成電路工藝概述課件49典故典故50威廉·肖克利（WilliamShockely）“晶體管之父”（1910-1989）1947，點(diǎn)接觸晶體管；1950，面結(jié)型晶體管肖克利實(shí)驗(yàn)室（1955-1968），圣克拉拉谷(硅谷)1956，諾貝爾物理獎(jiǎng)1957，八判逆1958，斯坦福大學(xué)1963，斯坦福大學(xué)70年代，人種學(xué)和優(yōu)生學(xué)？？肖克利博士非凡的商業(yè)眼光，成就了硅谷；肖克利博士拙劣的企業(yè)才能，創(chuàng)造了硅谷?！疤觳排c廢物”硅谷的第一公民，硅谷第一棄兒。威廉·肖克利（WilliamShockely）“晶體管之父51“八叛逆”（TheTraitorousEight）1955年，“晶體管之父”威廉·肖克利，離開(kāi)貝爾實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)建肖克利實(shí)驗(yàn)室。他吸引了很多富有才華的年輕科學(xué)家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪異行為引起員工的不滿。其中八人決定一同辭職，他們是羅伯特·諾依斯、戈登·摩爾、朱利亞斯·布蘭克、尤金·克萊爾、金·赫爾尼、杰·拉斯特、謝爾頓·羅伯茨和維克多·格里尼克。被肖克利稱為“八叛逆”。八人接受位于紐約的仙童攝影器材公司的資助，于1957年，創(chuàng)辦了仙童半導(dǎo)體公司。喬布斯：“仙童半導(dǎo)體公司就象個(gè)成熟了的蒲公英，你一吹它，這種創(chuàng)業(yè)精神的種子就隨風(fēng)四處飄揚(yáng)了?！薄肮韫热瞬艙u籃”“八叛逆”（TheTraitorousEight）19552八叛逆在FairchildSemiconductor，1959年從左至右GordonMoore,SheldonRoberts,EugeneKleiner,

RobertNoyce,VictorGrinich,JuliusBlank,JeanHoerni

JayLast1968，INTEL杰里·桑德斯（J.Sanders）AMD查爾斯·斯波克（C.

Sporck）NSC八叛逆在FairchildSemiconductor，19532011年，臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)地根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC

Insights調(diào)查統(tǒng)計(jì)，2011年全球半導(dǎo)體晶圓總月產(chǎn)能達(dá)13,617.8千片8寸約當(dāng)晶圓。其中臺(tái)灣晶圓月產(chǎn)能達(dá)2,858.3千片8寸約當(dāng)晶圓，占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)能達(dá)21%，躍居第1大生產(chǎn)國(guó)；原本是全球最大晶圓生產(chǎn)國(guó)的日本，月產(chǎn)能達(dá)2,683.6千片8寸約當(dāng)晶圓，市占率達(dá)19.7%，位居第2大生產(chǎn)國(guó)；韓國(guó)則以2,293.5千片8寸約當(dāng)晶圓月產(chǎn)能，位居第3大生產(chǎn)國(guó)，市占率達(dá)16.8%；美國(guó)月產(chǎn)能達(dá)1,995.1千片8寸約當(dāng)晶圓，市占率降至14.7%，是全球第4大生產(chǎn)國(guó)。臺(tái)積電聯(lián)電2011年，臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)地根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC54芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程第1章半導(dǎo)體工業(yè)芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程第1章半導(dǎo)體工業(yè)551.1一個(gè)工業(yè)的誕生1906，LeeDeforest，真空三極管，電信號(hào)處理工業(yè)（1947，ENIAC）1947.12.23，貝爾實(shí)驗(yàn)室的Johnbardeen，WalterBrattin和WilliamShockley，晶體管1.1一個(gè)工業(yè)的誕生1906，LeeDeforest，561.2固態(tài)時(shí)代晶體管二級(jí)管電容器電阻器分立器件1.2固態(tài)時(shí)代晶體管571.3集成電路1959，TI的JackKilby，鍺，集成電路1959，F(xiàn)airchild的RobertNoyce，硅，集成電路兩者共享集成電路專利。1.3集成電路1959，TI的JackKilby，鍺，集581.4工藝和產(chǎn)品趨勢(shì)工藝和結(jié)構(gòu)摩爾定律1.4工藝和產(chǎn)品趨勢(shì)工藝和結(jié)構(gòu)591.5特征圖形尺寸的縮小特征圖形尺寸CD1.5特征圖形尺寸的縮小特征圖形尺寸601.6芯片和晶圓尺寸的增大ChipWafer1.6芯片和晶圓尺寸的增大Chip611.7缺陷密度的減小缺陷尺寸缺陷密度1.7缺陷密度的減小缺陷尺寸621.8內(nèi)部連線水平的提高多層連線1.8內(nèi)部連線水平的提高多層連線631.9SIA的發(fā)展方向未來(lái)技術(shù)路線圖1.9SIA的發(fā)展方向未來(lái)技術(shù)路線圖641.10芯片成本工藝產(chǎn)品成本價(jià)格性能1.10芯片成本工藝651.11半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展附加值最高的工業(yè)1.11半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展附加值最高的工業(yè)661.12半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成半導(dǎo)體和系統(tǒng)（或產(chǎn)品）三類芯片供應(yīng)商IDMFoundryFabless1.12半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成半導(dǎo)體和系統(tǒng)（或產(chǎn)品）671.6生產(chǎn)階段1材料準(zhǔn)備2晶體生長(zhǎng)和晶圓準(zhǔn)備3晶圓制造和分選4封裝5終測(cè)1.6生產(chǎn)階段1材料準(zhǔn)備681.14結(jié)型晶體管PN結(jié)----晶體管雙極型器件FET----MOS單極性器件貝爾實(shí)驗(yàn)室，1956擴(kuò)散結(jié)1957氧化掩膜，硅1.14結(jié)型晶體管PN結(jié)----晶體管691.15工業(yè)發(fā)展的50年50年代，黃金時(shí)期，工藝，材料，公司，價(jià)格，60年代，成熟工業(yè)，塑封，IFET，CMOS70年代，投射光刻機(jī)，潔凈間，離子注入機(jī)，步進(jìn)光刻機(jī)，自動(dòng)化80年代，全程自動(dòng)化，1um90年代，銅，1.15工業(yè)發(fā)展的50年50年代，黃金時(shí)期，工藝，材料，公70開(kāi)發(fā)的十年（1951~1960）基本工藝和材料（黃金十年）雙極型和單極型設(shè)備和材料的問(wèn)題內(nèi)部解決開(kāi)發(fā)的十年（1951~1960）基本工藝和材料（黃金十年）71工藝的十年（1961~1970）價(jià)格下降的趨勢(shì)形成--新老公司交替高產(chǎn)量的工藝，低價(jià)格的芯片設(shè)備和材料的問(wèn)題導(dǎo)致半導(dǎo)體特殊供應(yīng)商形成塑料封裝1963實(shí)驗(yàn)室小批量生產(chǎn)工藝的十年（1961~1970）價(jià)格下降的趨勢(shì)形成--新老公72設(shè)備的十年（1971~1980）MSI—LSI，膜板引起的缺陷，接觸式光刻機(jī)造成的晶圓損傷投射式光刻機(jī)，離子注機(jī)，步進(jìn)式光刻機(jī)，潔凈間進(jìn)一步發(fā)展，單一設(shè)備自動(dòng)化（工藝和設(shè)備結(jié)合）生產(chǎn)線的大批量制造—產(chǎn)量和利潤(rùn)設(shè)備的十年（1971~1980）MSI—LSI，膜板引起的缺73自動(dòng)化的十年（1981~1990）市場(chǎng)的壓力和工藝步驟的增多無(wú)人化和材料的自動(dòng)運(yùn)輸（污染源）美國(guó)、歐洲統(tǒng)治地位，日本崛起，四小龍（香港、臺(tái)灣、新加坡、韓國(guó)）發(fā)展自動(dòng)化的十年（1981~1990）市場(chǎng)的壓力和工藝步驟的增多74生產(chǎn)的十年（1991~2000）1微米成熟的工業(yè)--生產(chǎn)和市場(chǎng)控制成本銅連線生產(chǎn)的十年（1991~2000）1微米75極小的紀(jì)元（2001~至今）CD極限180nm，45，32，22nm晶圓300mm，450mm低端技術(shù)新用途極小的紀(jì)元（2001~至今）CD極限761.16納米時(shí)代umnm?1.16納米時(shí)代um77每一次的加油，每一次的努力都是為了下一次更好的自己。12月-2212月-22Monday,December26,2022天生我材必有用，千金散盡還復(fù)來(lái)。15:08:1315:08:1315:0812/26/20223:08:13PM安全象只弓，不拉它就松，要想保安全，常把弓弦繃。12月-2215:08:1315:08Dec-2226-Dec-22得道多助失道寡助，掌控人心方位上。15:08:1315:08:1315:08Monday,December26,2022安全在于心細(xì)，事故出在麻痹。12月-2212月-2215:08:1315:08:13December26,2022加強(qiáng)自身建設(shè)，增強(qiáng)個(gè)人的休養(yǎng)。2022年12月26日3:08下午12月-2212月-22擴(kuò)展市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)未來(lái)，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在。26十二月20223:08:13下午15:08:1312月-22做專業(yè)的企業(yè)，做專業(yè)的事情，讓自己專業(yè)起來(lái)。十二月223:08下午12月-2215:08December26,2022時(shí)間是人類發(fā)展的空間。2022/12/2615:08:1315:08:1326December2022科學(xué)，你是國(guó)力的靈魂；同時(shí)又是社會(huì)發(fā)展的標(biāo)志。3:08:13下午3:08下午15:08:1312月-22每天都是美好的一天，新的一天開(kāi)啟。12月-2212月-2215:0815:08:1315:08:13Dec-22人生不是自發(fā)的自我發(fā)展，而是一長(zhǎng)串機(jī)緣。事件和決定，這些機(jī)緣、事件和決定在它們實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)是取決于我們的意志的。2022/12/2615:08:13Monday,December26,2022感情上的親密，發(fā)展友誼；錢(qián)財(cái)上的親密，破壞友誼。12月-222022/12/2615:08:1312月-22謝謝大家！每一次的加油，每一次的努力都是為了下一次更好的自己。12月-78集成電路工藝概述集成電路工藝概述79課程介紹課程介紹80普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）01哲學(xué)02經(jīng)濟(jì)學(xué)03法學(xué)04教育學(xué)05文學(xué)06歷史學(xué)07理學(xué)08工學(xué)09農(nóng)學(xué)10醫(yī)學(xué)11管理學(xué)0806電氣信息類080601 電氣工程及其自動(dòng)化080602 自動(dòng)化080603 電子信息工程080604 通信工程080605 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)080606

電子科學(xué)與技術(shù)080607 生物醫(yī)學(xué)工程分設(shè)十一個(gè)學(xué)科門(mén)類（無(wú)軍事學(xué)），下設(shè)二級(jí)類71個(gè)，專業(yè)249種。普通高校專業(yè)學(xué)科目錄（1998版）01哲學(xué)0806電氣信息81電子科學(xué)與技術(shù)專門(mén)研究電子科學(xué)理論及其應(yīng)用技術(shù)的學(xué)科，其研究的主要內(nèi)容是電子技術(shù)的核心理論制造電子元器件的材料、方法與工藝電路設(shè)計(jì)理論與應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)制造測(cè)試電子科學(xué)與技術(shù)專門(mén)研究電子科學(xué)理論及其應(yīng)用技術(shù)的學(xué)科，其研究82電子科學(xué)與技術(shù)的基本內(nèi)容1.電子元器件分立器件和集成器件如何設(shè)計(jì)出滿足應(yīng)用系統(tǒng)要求的電子元器件2.電子材料半導(dǎo)體材料、金屬材料和非金屬材料采用什么樣的材料才能滿足工程實(shí)際的需要3.分析與設(shè)計(jì)基本理論電子材料的基本物理和化學(xué)性質(zhì)、元器件的基本工作原理等4.工程應(yīng)用技術(shù)與方法提供了最直接的應(yīng)用技術(shù)，是電子科學(xué)與技術(shù)理論研究和工程應(yīng)用技術(shù)聯(lián)系的紐帶電子科學(xué)與技術(shù)的基本內(nèi)容1.電子元器件83集成電路技術(shù)器件階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是支持技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是器件系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是器件組成系統(tǒng)基本工具是器件分析系和系統(tǒng)仿真SoC階段——集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是基本應(yīng)用技術(shù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)是系統(tǒng)和電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)是系統(tǒng)集成技術(shù)基本工具是系統(tǒng)和電路模型的仿真分析集成電路技術(shù)84時(shí)間安排（每周4學(xué)時(shí)*16周=64學(xué)時(shí)）時(shí)間內(nèi)容安排1課程概述2晶圓制備3氧化4物理氣相淀積5化學(xué)氣相淀積6化學(xué)機(jī)械拋光7期中復(fù)習(xí)8光刻作業(yè)一、二、三9刻蝕10擴(kuò)散11離子注入12工藝集成作業(yè)四、五13封裝14期末復(fù)習(xí)15仿真實(shí)驗(yàn)一、二16仿真實(shí)驗(yàn)三、四時(shí)間安排（每周4學(xué)時(shí)*16周=64學(xué)時(shí)）時(shí)間內(nèi)容安排1課程概85基本工藝制膜氧化4CVD4PVD4外延4平坦化4圖形轉(zhuǎn)移光刻4刻蝕4摻雜擴(kuò)散4離子注入4基本工藝制膜氧化4CVD4PVD4外延4平坦化4圖形轉(zhuǎn)移光刻86封測(cè)切片封裝4測(cè)試?yán)匣Y選封測(cè)切片封裝4測(cè)試?yán)匣Y選87工序集成CMOS工藝2雙極工序2新技術(shù)工序集成CMOS工藝2雙極工序2新技術(shù)88實(shí)驗(yàn)軟件環(huán)境2氧化2摻雜2綜合2實(shí)驗(yàn)軟件環(huán)境2氧化2摻雜2綜合289參考教材序號(hào)書(shū)名作者出版社時(shí)間1半導(dǎo)體制造技術(shù)【美】MichaelQuirk電子工業(yè)20042芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程【美】PeterVanZant電子工業(yè)20103硅集成電路工藝基礎(chǔ)關(guān)旭東北京大學(xué)20034超大規(guī)模集成電路—基礎(chǔ)、設(shè)計(jì)、制造工藝【日】巖田穆科學(xué)20075集成電路工藝和器件的計(jì)算機(jī)模擬——ICTCAD技術(shù)概論阮剛復(fù)旦大學(xué)20076電子科學(xué)與技術(shù)導(dǎo)論李哲英電子工業(yè)20067集成電路芯片封裝技術(shù)李可為電子20078現(xiàn)代集成電路制造工藝原理李惠軍山東大學(xué)20079集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真劉睿強(qiáng)電子工業(yè)201110MOS集成電路結(jié)構(gòu)與制造技術(shù)潘桂忠上?？茖W(xué)技術(shù)201011集成電路制造技術(shù)——原理與工藝王蔚電子工業(yè)201012微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)邱碧秀電子工業(yè)200613圖解半導(dǎo)體基礎(chǔ)【日】水野文夫科學(xué)2007參考教材序號(hào)書(shū)名作者出版社時(shí)間1半導(dǎo)體制造技術(shù)【美】Mich90網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)91考核方法20%平時(shí)成績(jī)（考勤、作業(yè)、平時(shí)表現(xiàn)）20%實(shí)驗(yàn)成績(jī)60%考試成績(jī)（開(kāi)卷）考核方法20%平時(shí)成績(jī)（考勤、作業(yè)、平時(shí)表現(xiàn)）92課程作業(yè)作業(yè)一1描述CZ拉單晶爐的工作原理。作業(yè)二2描述集成電路的制膜工藝原理。作業(yè)三3描述集成電路的圖形轉(zhuǎn)移工藝原理。作業(yè)四4描述集成電路的摻雜工藝原理。作業(yè)五5以反相器為例描述CMOS工藝流程。課程作業(yè)作業(yè)一93集成電路集成電路94什么是集成電路？英文全稱IntegratedCircuit，縮寫(xiě)IC通過(guò)一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無(wú)源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能。制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或硅襯底。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為微芯片或芯片。2022/12/2695什么是集成電路？英文全稱IntegratedCircuit2022/12/2696集成電路的內(nèi)部電路VddABOutABOUT0010101001102022/12/1418集成電路的內(nèi)部電路VddABOutA2022/12/26972022/12/14192022/12/2698

50m100m頭發(fā)絲粗細(xì)

30m1m1m(晶體管的大小)30~50m(皮膚細(xì)胞的大小)90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較2022/12/14201m1一個(gè)工業(yè)的誕生1906年，真空三極管，Lee

Deforest（電信號(hào)處理工業(yè)）1947年，ENIAC1947年12月23日，晶體管，John

Bardeen，Walter

Brattin，William

Shockley（1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)），固態(tài)，分立器件（半導(dǎo)體工業(yè)）一個(gè)工業(yè)的誕生1906年，真空三極管，LeeDefores99世界第一個(gè)晶體管世界第一個(gè)晶體管100集成電路集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明，并共享集成電路的專利。？19692000年，Kilby被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)（Noyce去世10年）杰克·基爾比（JackKilby）德州儀器公司——TexasInstruments鍺,1959,2“第一塊集成電路的發(fā)明家”羅伯特·諾伊思（RobertNoyce）仙童半導(dǎo)體公司——FairchildSemiconductor硅,1959,7,30,“提出了適合于工業(yè)生產(chǎn)的集成電路理論”2022/12/26101集成電路集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分集成電路是怎么誕生的？早期的許多先驅(qū)者開(kāi)始在北加利福尼亞州，現(xiàn)在以硅谷著稱的地區(qū)。1957年，在加利福尼亞州的帕羅阿托市（PaloAlto）的仙童半導(dǎo)體公司（FairchildSemiconductor）制造出第一個(gè)商用平面晶體管。它有一層鋁互連材料，這種材料被淀積在硅片的最頂層以連接晶體管的不同部分。從硅上熱氧化生長(zhǎng)的一層自然氧化層被用于隔離鋁導(dǎo)線。這些層的使用在半導(dǎo)體領(lǐng)域是一個(gè)重要發(fā)展，也是稱其為平面技術(shù)的原因。2022/12/26102集成電路是怎么誕生的？早期的許多先驅(qū)者開(kāi)始在北加利福尼亞州，半導(dǎo)體的集成時(shí)代2022/12/26103電路集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期每個(gè)芯片元件數(shù)分立元件1960年前1SSI20世紀(jì)60年代前期2~50MSI20世紀(jì)60年代到70年代前期20~5000LSI20世紀(jì)70年代前期到70年代后期5000~100000VLSI20世紀(jì)70年代后期到80年代后期100000~1000000ULSI20世紀(jì)90年代后期至今大于1000000半導(dǎo)體的集成時(shí)代2022/12/1425電路集成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周半導(dǎo)體主要趨勢(shì)提高芯片性能：速度（按比例縮小器件和使用新材料）關(guān)鍵尺寸（CD）芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸。硅片上的最小特征尺寸被稱為關(guān)鍵尺寸或CD。技術(shù)節(jié)點(diǎn)每塊芯片上的元件數(shù)摩爾定律功耗提高芯片可靠性浴盆曲線降低芯片成本2022/12/26104半導(dǎo)體主要趨勢(shì)提高芯片性能：2022/12/1426集成電路的5個(gè)制造階段集成電路的5個(gè)制造階段105集成電路的5個(gè)制造階段集成電路的5個(gè)制造階段106第1階段：硅片制備第1階段：硅片制備107第2階段：硅片制造裸露的硅片到達(dá)硅片制造廠，然后經(jīng)過(guò)各種清洗、成膜、光刻、刻蝕和摻雜步驟，加工完的硅片具有永久刻蝕在硅片上的一整套集成電路。IDMfablessfoundry半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總是處于設(shè)備設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的前沿。2022/12/26108第2階段：硅片制造裸露的硅片到達(dá)硅片制造廠，然后經(jīng)過(guò)各種清洗第3階段：硅片的測(cè)試/揀選硅片制造完成后，硅片被送到測(cè)試/揀選區(qū)，在那里進(jìn)行單個(gè)芯片的探測(cè)和電學(xué)測(cè)試，然后揀選出可接受和不可接受的芯片，并為有缺陷的芯片做標(biāo)記，通過(guò)測(cè)試的芯片將繼續(xù)進(jìn)行以后的工藝。2022/12/26109第3階段：硅片的測(cè)試/揀選硅片制造完成后，硅片被送到測(cè)試/揀第4階段：裝配和封裝把單個(gè)芯片包裝在一個(gè)保護(hù)管殼內(nèi)。DIP2022/12/26110第4階段：裝配和封裝把單個(gè)芯片包裝在一個(gè)保護(hù)管殼內(nèi)。2022第5階段：終測(cè)為確保芯片的功能，要對(duì)每一個(gè)封裝的集成電路進(jìn)行測(cè)試，以滿足制造商的電學(xué)和環(huán)境的特性參數(shù)要求。至此，集成電路制造完成。2022/12/26111第5階段：終測(cè)為確保芯片的功能，要對(duì)每一個(gè)封裝的集成電路進(jìn)行晶圓制造廠晶圓制造廠112晶圓晶圓113在亞微米CMOSIC制造廠典型的硅片流程模型在亞微米CMOSIC制造廠典型的硅片流程模型114集成電路工藝概述課件115擴(kuò)散區(qū)擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜淀積的區(qū)域。主要設(shè)備：高溫?cái)U(kuò)散爐：1200℃左右，能完成氧化、擴(kuò)散、淀積、退火以及合金等多種工藝流程。濕法清洗設(shè)備（輔助）硅片在放入高溫爐之前必須進(jìn)行徹底的清洗，以去除硅片表面的沾污以及自然氧化層。2022/12/26116擴(kuò)散區(qū)擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜淀積的區(qū)域。2022集成電路工藝概述課件117光刻區(qū)光刻的本質(zhì)是把（臨時(shí)）電路圖形復(fù)制到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。黃色熒光管照明主要設(shè)備步進(jìn)光刻機(jī)（steper）涂膠/顯影設(shè)備（coater/developertrack）清洗裝置和光刻膠剝離機(jī)？2022/12/26118光刻區(qū)光刻的本質(zhì)是把（臨時(shí)）電路圖形復(fù)制到覆蓋于硅片表面的光光刻工藝模塊示意圖光刻工藝模塊示意圖119刻蝕區(qū)刻蝕是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。一旦材料被錯(cuò)誤刻蝕去掉，在刻蝕過(guò)程中所犯的錯(cuò)誤將難以糾正，只能報(bào)廢硅片，帶來(lái)經(jīng)濟(jì)損失。主要設(shè)備：等離子體刻蝕機(jī)（濕法、干法）等離子去膠機(jī)濕法清洗設(shè)備2022/12/26120刻蝕區(qū)刻蝕是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。20干法等離子體刻蝕機(jī)示意圖干法等離子體刻蝕機(jī)示意圖121離子注入?yún)^(qū)離子注入機(jī)是亞微米工藝中常見(jiàn)的摻雜工具。主要設(shè)備：離子注入機(jī)等離子去膠機(jī)濕法清洗設(shè)備2022/12/26122離子注入?yún)^(qū)離子注入機(jī)是亞微米工藝中常見(jiàn)的摻雜工具。2022/集成電路工藝概述課件123薄膜生長(zhǎng)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層和金屬層的淀積。薄膜生長(zhǎng)中所采用的溫度低于擴(kuò)散區(qū)中設(shè)備的工作溫度。主要設(shè)備（中低真空環(huán)境）CVDPVDSOG、RTP、濕法清洗設(shè)備薄膜生長(zhǎng)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層和金屬層的淀積。薄124CVD多腔集成設(shè)備和工藝腔的示意圖CVD多腔集成設(shè)備和工藝腔的示意圖125拋光區(qū)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝的目的是使硅片表面平坦化。通過(guò)將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。主要設(shè)備：拋光機(jī)刷片機(jī)（waferscrubber）、清洗裝置、測(cè)量裝置2022/12/26126拋光區(qū)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝的目的是使硅片表面平坦化。集成電路工藝概述課件127典故典故128威廉·肖克利（WilliamShockely）“晶體管之父”（1910-1989）1947，點(diǎn)接觸晶體管；1950，面結(jié)型晶體管肖克利實(shí)驗(yàn)室（1955-1968），圣克拉拉谷(硅谷)1956，諾貝爾物理獎(jiǎng)1957，八判逆1958，斯坦福大學(xué)1963，斯坦福大學(xué)70年代，人種學(xué)和優(yōu)生學(xué)？？肖克利博士非凡的商業(yè)眼光，成就了硅谷；肖克利博士拙劣的企業(yè)才能，創(chuàng)造了硅谷?！疤觳排c廢物”硅谷的第一公民，硅谷第一棄兒。威廉·肖克利（WilliamShockely）“晶體管之父129“八叛逆”（TheTraitorousEight）1955年，“晶體管之父”威廉·肖克利，離開(kāi)貝爾實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)建肖克利實(shí)驗(yàn)室。他吸引了很多富有才華的年輕科學(xué)家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪異行為引起員工的不滿。其中八人決定一同辭職，他們是羅伯特·諾依斯、戈登·摩爾、朱利亞斯·布蘭克、尤金·克萊爾、金·赫爾尼、杰·拉斯特、謝爾頓·羅伯茨和維克多·格里尼克。被肖克利稱為“八叛逆”。八人接受位于紐約的仙童攝影器材公司的資助，于1957年，創(chuàng)辦了仙童半導(dǎo)體公司。喬布斯：“仙童半導(dǎo)體公司就象個(gè)成熟了的蒲公英，你一吹它，這種創(chuàng)業(yè)精神的種子就隨風(fēng)四處飄揚(yáng)了。”“硅谷人才搖籃”“八叛逆”（TheTraitorousEight）195130八叛逆在FairchildSemiconductor，1959年從左至右GordonMoore,SheldonRoberts,EugeneKleiner,

RobertNoyce,VictorGrinich,JuliusBlank,JeanHoerni

JayLast1968，INTEL杰里·桑德斯（J.Sanders）AMD查爾斯·斯波克（C.

Sporck）NSC八叛逆在FairchildSemiconductor，191312011年，臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)地根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC

Insights調(diào)查統(tǒng)計(jì)，2011年全球半導(dǎo)體晶圓總月產(chǎn)能達(dá)13,617.8千片8寸約當(dāng)晶圓。其中臺(tái)灣晶圓月產(chǎn)能達(dá)2,858.3千片8寸約當(dāng)晶圓，占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)能達(dá)21%，躍居第1大生產(chǎn)國(guó)；原本是全球最大晶圓生產(chǎn)國(guó)的日本，月產(chǎn)能達(dá)2,683.6千片8寸約當(dāng)晶圓，市占率達(dá)19.7%，位居第2大生產(chǎn)國(guó)；韓國(guó)則以2,293.5千片8寸約當(dāng)晶圓月產(chǎn)能，位居第3大生產(chǎn)國(guó)，市占率達(dá)16.8%；美國(guó)月產(chǎn)能達(dá)1,995.1千片8寸約當(dāng)晶圓，市占率降至14.7%，是全球第4大生產(chǎn)國(guó)。臺(tái)積電聯(lián)電2011年，臺(tái)灣成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)地根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC132芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程第1章半導(dǎo)體工業(yè)芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程第1章半導(dǎo)體工業(yè)1331.1一個(gè)工業(yè)的誕生1906，LeeDeforest，真空三極管，電信號(hào)處理工業(yè)（1947，ENIAC）1947.12.23，貝爾實(shí)驗(yàn)室的Johnbardeen，WalterBrattin和WilliamShockley，晶體管1.1一個(gè)工業(yè)的誕生1906，LeeDeforest，1341.2固態(tài)時(shí)代晶體管二級(jí)管電容器電阻器分立器件1.2固態(tài)時(shí)代晶體管1351.3集成電路1959，TI的JackKilby，鍺，集成電路1959，F(xiàn)airchild的RobertNoyce，硅，集成電路兩者共享集成電路專利。1.3集成電路1959，TI的JackKilby，鍺，集1361.4工藝和產(chǎn)品趨勢(shì)工藝和結(jié)構(gòu)摩爾定律1.4工藝和產(chǎn)品趨勢(shì)工藝和結(jié)構(gòu)1371.5特征圖形尺寸的縮小特征圖形尺寸CD1.5特征圖形尺寸的縮小特征圖形尺寸1381.6芯片和晶圓尺寸的增大ChipWafer1.6芯片和晶圓尺寸的增大Chip1391.7缺陷密度的減小缺陷尺寸缺陷密度1.7缺陷密度的減小缺陷尺寸1401.8內(nèi)部連線水平的提高多層連線1.8內(nèi)部連線水平的提高多層連線1411.9SIA的發(fā)展方向未來(lái)技術(shù)路線圖1.9SIA的發(fā)展方向未來(lái)技術(shù)路線圖1421.10芯片成本工藝產(chǎn)品成本價(jià)格性能1.10芯片成本工藝1431.11半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展附加值最高的工業(yè)1.11半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展附加值最高的工業(yè)1441.12半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成半導(dǎo)體和系統(tǒng)（或產(chǎn)品）三類芯片供應(yīng)商IDMFoundryFabless1.12半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成半導(dǎo)體和系統(tǒng)（或產(chǎn)品）1451.6