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華為硬件機(jī)試題目(2016版本).(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全1。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò)性能。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)洗衣機(jī),電冰箱等家用電器都使用三孔插座,是因?yàn)槿绻唤拥?家用電器是不能工作的。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(判斷題)十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為:0x00。(4分)A.正確.錯(cuò)誤.(判斷題)硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大(4分)A.正確B.錯(cuò)誤.(單選題)一空氣平行板電容器,兩級間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋?分)A.U/3B.2U/3C.3U/4D.不變.(單選題)8086CPU內(nèi)部包括哪些單元(4分)A.ALU,EUB.ALU,BIUC.EU,BIUD.ALU,EU,BIU.(單選題)為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用那種濾波器:(4分)A.帶阻濾波器B.帶通濾波器C.低通濾波器D.高通濾波器.(單選題)關(guān)于SRAM和DRAM,下面說話正確的是:(4分)A.SRAM需要定時(shí)刷新,否則數(shù)據(jù)會丟失B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息C.SRAM的集成度高于DRAMD.只要不掉點(diǎn),DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失.(單選題)在RS232串口中,采用哪一種校驗(yàn)方式:(4分)A.CRC校驗(yàn)B.海明碼校驗(yàn)C.多種校驗(yàn)方式的組合D.奇偶校驗(yàn)14.(單選題)對于D觸發(fā)器來說,為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)A.保持時(shí)間B.恢復(fù)時(shí)間C.穩(wěn)定時(shí)間D.建立時(shí)間.(單選題)本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體(4分)A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)D二價(jià).(單選題)模擬信號數(shù)字化的過程是(4分)A.采樣->量化->編碼B.采樣->編碼->量化C.編碼>采樣->量化D.量化>編碼->采樣17.(單選題)在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是(4分)A.采用多項(xiàng)并聯(lián)的模式B.開關(guān)管內(nèi)置,提高電源的開關(guān)頻率C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容D.增大輸出濾波電感量
(4分)A.10Q,8QB.8Q,10QC.10Q,10QD.10Q,16Q.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的是:(4分)A.PCI總線是一個(gè)16位寬的總線B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的C.PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器D.PCI支持即插即用功能.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上:(4分)A.物理層、B.物理層、A.物理層、B.物理層、C.物理層、D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層、鏈路層、21.(單選題)某電路,(4分)A.高通網(wǎng)絡(luò)層鏈路層傳輸層網(wǎng)絡(luò)層對100KHz以下低頻信號干擾敏感,為減少干擾,應(yīng)采用()濾波器。B.低通C.帶阻D.帶通.(單選題)捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進(jìn)行觸發(fā)(4分)A.WidthB.EdgeC.GlitchD.State.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)A.信號占空比超標(biāo)B.信號上升緩慢C.6個(gè)信號的異常組合D.信號抖動過大.(單選題)8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是()(4分)A.98B.151C.97D.227.(單選題)晶體管能夠放大的外部條件是(4分)A.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏第二套.(單選題)以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試(4分)A.信號抖動過大B.6個(gè)信號的異常組合C.信號上升緩慢D.信號占空比超標(biāo)2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動、噪聲和衰減。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤3.(單選題)通常情況下,電磁波在介質(zhì)中的傳播速度比在真空中的傳播速度要(4分)A.快B.一樣C.慢4.1mV等于0dBmV,等于30dBuV(4分)A.對B.錯(cuò)5.(單選題)中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上:(4分)A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層C.物理層、鏈路層、傳輸層D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層6.中繼器工作在數(shù)據(jù)鏈路層上,網(wǎng)絡(luò)層工作在物理層上,路由器工作在網(wǎng)絡(luò)層上。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤7.(單選題)設(shè)計(jì)一個(gè)同步十進(jìn)制計(jì)數(shù)器,需要多少個(gè)觸發(fā)器:(4分)A.3B.4C.6D.5.(單選題)下面的邏輯工藝中,哪一種速度最快(4分)A.CMOSB.ECLC.TTLD.NMOS.(單選題)對于D觸發(fā)器來說,為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)A.恢復(fù)時(shí)間B.建立時(shí)間C.保持時(shí)間D.穩(wěn)定時(shí)間.(單選題)某數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入為8為二進(jìn)制數(shù)字信號(D7-D0),輸出為0-25.5V的模擬電壓。若數(shù)字信號的最低三位是“1”其余各位是“0”,則輸出的模擬電壓為A.1.4VB.2.8VC.0.7VD.0.35V.將兩輸入的或非門當(dāng)非門使用時(shí),另一端的揭發(fā)應(yīng)該是:A.懸空B.接低電平C.接高電平12.3-8譯碼器屬于:A.組合邏輯電路B.時(shí)序邏輯電路.兩個(gè)TTL電平輸出的信號可以采用線與的方式實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)信號相與的功能A.正確B.錯(cuò)誤.采用奇偶校驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)兩個(gè)比特的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤A.正確B.錯(cuò)誤.(單選題)關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的是:(4分)A.PCI總線是一個(gè)16位寬的總線B.PCI支持即插即用功能C.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的D.PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器.指令MOVAX,[3070H]中,源操作數(shù)的尋址方式為A.直接尋址B.寄存器間接尋址C.立即尋址D.變址尋址17.I/O設(shè)備必須通過適配器(接口)才能接到系統(tǒng)總線上和CPU進(jìn)行信息交換A.正確B.錯(cuò)誤.電容實(shí)現(xiàn)濾波的原理是電容對交流信號呈現(xiàn)低阻抗的特性,以下對電容阻抗描述正確的是A.工作頻率越低,電容值越小則電容的阻抗越小B.工作頻率越低,電容值越大則電容的阻抗越小C.工作頻率越高,電容值越小則電容的阻抗越小D.工作頻率越高,電容值越大則電容的阻抗越小.三極管是一器件,MOS管是一器件。A渚B不是B.單極型/雙極型0.雙極型/單極型20.N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電A.正確B.錯(cuò)誤21.放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤22.為了安全的操作示波器,應(yīng)該A.在接觸示波器和探頭前,先佩戴靜電手環(huán),將身份的靜電進(jìn)行泄放B.學(xué)會識別可能存在危險(xiǎn)的電氣元件C.通過合適的三管腳的電源線將示波器接地D.以上都對2
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