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電光調(diào)制EOM1.晶體的折射率橢球
根據(jù)光的電磁理論知道,光波是一種電磁波。在各向異性介質(zhì)中,光波中的電場強(qiáng)度矢量與電位移矢量的方向是不同的。
對于任意一種晶體,我們總可以找到一個(gè)直角坐標(biāo)系(x,y,z),在此坐標(biāo)系中有
(i=x,y,z)。這樣的坐標(biāo)系(x,y,z)叫做主軸坐標(biāo)系。光波在晶體中的傳播性質(zhì)可以用一個(gè)折射率橢球來描述,當(dāng)主軸平行于晶軸時(shí),折射率橢球的表達(dá)式寫為:(1)其中(i=x,y,z),是晶體的主折射率。對于單軸晶體(如本實(shí)驗(yàn)所用的LN晶體)有nx=ny=no,nz=ne,于是單軸晶體折射率橢球方程為:(2)由此看出,單軸晶體的折射率橢球是一個(gè)旋轉(zhuǎn)對稱的橢球。在新的感應(yīng)主坐標(biāo)系(x′,y′,z′)中一般情況下有<<,于是上述結(jié)果表明,在LN晶體的z軸方向上加電場時(shí),原來的單軸晶體(nx=ny=n0,nz=ne)變成了雙軸晶體(nx′≠ny′≠nz′),折射率橢球在x′y′平面上的截線由原來的圓變成了橢圓,橢園的短軸x′(或y′)與x軸(或y軸)平行,感應(yīng)主軸的長短與Ez的大小有關(guān),這就顯示了晶體的線性電光效應(yīng)。
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3、光相位調(diào)制電光相位調(diào)制器如圖:當(dāng)入射光沿晶體光軸z方向傳播時(shí),電矢量在x′方向振動(dòng)的光波與y′方向振動(dòng)的光波傳播速度不同(這是因?yàn)閚x′≠ny′),因此通過長度為的電光晶體后要產(chǎn)生位相差:(5)其中是晶體的通光長度,d是晶體在z方向的厚度,V=Ezd是外加電壓,此式表明,由引起的位相差與加在晶體上的電壓V成正比,這種以電場方向和光傳播方向相互垂直方式工作的電光調(diào)制器稱為橫向調(diào)制器。在電光效應(yīng)中,將兩個(gè)光波產(chǎn)生位相差為π時(shí)晶體上所加的電壓稱為“半波電壓”,記為Vπ,于是所以有(6)聯(lián)立(5)(6)(7)如果外加電壓是正弦的寫為在晶體入射表面(z=0)給出入射光場表達(dá)式為則輸出(8)其中被稱為調(diào)相指數(shù)
引用貝賽爾函數(shù)恒等式可將(8)式重寫為(9)取一階近似得到
(10)由上式可用看出,經(jīng)過電光相位調(diào)制后,出現(xiàn)了兩個(gè)邊頻。調(diào)制后的光聚焦到低溫槽中的晶體,由于非均勻展寬效應(yīng),在中心頻率處產(chǎn)生燒孔。
當(dāng)光經(jīng)過長為的LN晶體后,x′和y′分量之間就產(chǎn)生位相差,即
(11)從檢偏器A(它只允許OA方向上振動(dòng)的光通過)出射的光為和在OA軸上的投影之和(12) 于是對應(yīng)的輸出光強(qiáng)為
(
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