實(shí)驗(yàn)2四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻課件

實(shí)驗(yàn)2四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻實(shí)驗(yàn)2四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵饬x☆掌握四探針?lè)y(cè)量電阻率和薄層電阻的原理及測(cè)量方法，針對(duì)不同幾何尺寸的樣品，掌握其修正方法;☆了解影響電阻率測(cè)量的各種因素及改進(jìn)措施;☆了解熱探針?lè)ㄅ袛喟雽?dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型以及用陽(yáng)極氧化剝層法求擴(kuò)散層中的雜質(zhì)濃度分布。實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵饬x☆掌握四探針?lè)y(cè)量電阻率和薄層實(shí)驗(yàn)原理☆電阻率的測(cè)量是半導(dǎo)體材料常規(guī)參數(shù)測(cè)量項(xiàng)目之一?！顪y(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)ā㈦娙?--電壓法、擴(kuò)展電阻法等☆四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，在半導(dǎo)體工藝中最為常用，其主要優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，精確度高，對(duì)樣品的幾何尺寸無(wú)嚴(yán)格要求?！钏奶结?lè)ǔ擞脕?lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的電阻率以外，在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中廣泛使用四探針?lè)▉?lái)測(cè)量擴(kuò)散層薄層電阻，以判斷擴(kuò)散層質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)要求。因此，薄層電阻是工藝中最常需要檢測(cè)的工藝參數(shù)之一。實(shí)驗(yàn)原理☆電阻率的測(cè)量是半導(dǎo)體材料常規(guī)參數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)原理☆半導(dǎo)體材料的電阻率在半無(wú)窮大樣品上的點(diǎn)電流源，若樣品的電阻率ρ均勻，引入點(diǎn)電流源的探針其電流強(qiáng)度為I，則所產(chǎn)生的電力線具有球面的對(duì)稱(chēng)性，即等位面為一系列以點(diǎn)電流為中心的半球面，如圖所示。在以ｒ?yàn)榘霃降陌肭蛎嫔希娏髅芏龋甑姆植际蔷鶆虻模喝鬍為ｒ處的電場(chǎng)強(qiáng)度，則：實(shí)驗(yàn)原理☆半導(dǎo)體材料的電阻率實(shí)驗(yàn)原理由電場(chǎng)強(qiáng)度和電位梯度以及球面對(duì)稱(chēng)關(guān)系，則取ｒ?yàn)闊o(wú)窮遠(yuǎn)處的電位為零，則實(shí)驗(yàn)原理由電場(chǎng)強(qiáng)度和電位梯度以及球面對(duì)稱(chēng)關(guān)系，則實(shí)驗(yàn)原理上式就是半無(wú)窮大均勻樣品上離開(kāi)點(diǎn)電流源距離為ｒ的點(diǎn)的電位與探針流過(guò)的電流和樣品電阻率的關(guān)系式，它代表了一個(gè)點(diǎn)電流源對(duì)距離ｒ處的點(diǎn)的電勢(shì)的貢獻(xiàn)。對(duì)上圖所示的情形，四根探針位于樣品中央，電流從探針1流入，從探針4流出，則可將1和4探針認(rèn)為是點(diǎn)電流源，由(2-6)式可知，2和3探針的電位為：任意位置的四探針實(shí)驗(yàn)原理上式就是半無(wú)窮大均勻樣品上離開(kāi)點(diǎn)電流源距離為ｒ的點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)原理2、3探針的電位差為：此可得出樣品的電阻率為：上式就是利用直流四探針?lè)y(cè)量電阻率的普遍公式。我們只需測(cè)出流過(guò)1、4探針的電流I以及2、3探針間的電位差V23，代入四根探針的間距，就可以求出該樣品的電阻率ρ。實(shí)際測(cè)量中，最常用的是直線型四探針，即四根探針的針尖位于同一直線上，并且間距相等，設(shè)r12=r23=r34=S，則有：實(shí)驗(yàn)原理2、3探針的電位差為：需要指出的是：這一公式是在半無(wú)限大樣品的基礎(chǔ)上導(dǎo)出的，實(shí)用中必需滿(mǎn)足樣品厚度及邊緣與探針之間的最近距離大于四倍探針間距，這樣才能使該式具有足夠的精確度。如果被測(cè)樣品不是半無(wú)窮大，而是厚度，橫向尺寸一定，進(jìn)一步的分析表明，在四探針?lè)ㄖ兄灰獙?duì)公式引入適當(dāng)?shù)男拚禂?shù)BO即可，此時(shí)：實(shí)驗(yàn)原理直線型四探針實(shí)驗(yàn)原理直線型四探針樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個(gè)邊界平行，距離為L(zhǎng)，除樣品厚度及該邊界外，其余周界均為無(wú)窮遠(yuǎn)，樣品周?chē)鸀榻^緣介質(zhì)包圍。另一種情況是極薄樣品，極薄樣品是指樣品厚度d比探針間距小很多，而橫向尺寸為無(wú)窮大的樣品，這時(shí)從探針1流入和從探針4流出的電流，其等位面近似為圓柱面高為d。任一等位面的半徑設(shè)為ｒ，類(lèi)似于上面對(duì)半無(wú)窮大樣品的推導(dǎo)，很容易得出當(dāng)r12=r23=r34=S時(shí)，極薄樣品的電阻率為：上式說(shuō)明，對(duì)于極薄樣品，在等間距探針情況下、探針間距和測(cè)量結(jié)果無(wú)關(guān)，電阻率和被測(cè)樣品的厚度d成正比。實(shí)驗(yàn)原理樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品說(shuō)明：樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個(gè)邊界垂直，探針與該邊界的最近距離為L(zhǎng)，除樣品厚度及該邊界外，其余周界為無(wú)窮遠(yuǎn)，樣品周?chē)鸀榻^緣介質(zhì)包圍。同樣需要注意的是當(dāng)片狀樣品不滿(mǎn)足極薄樣品的條件時(shí)，仍需按上式計(jì)算電阻率P。實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況☆擴(kuò)散層的薄層電阻半導(dǎo)體工藝中普遍采用四探針?lè)y(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻，由于反向PN結(jié)的隔離作用，擴(kuò)散層下的襯底可視為絕緣層，對(duì)于擴(kuò)散層厚度(即結(jié)深Xj)遠(yuǎn)小于探針間距S，而橫向尺寸無(wú)限大的樣品，則薄層電阻率為：實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況☆擴(kuò)散層的薄層電阻實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情說(shuō)明：樣品為片狀單晶，除樣品厚度外，樣品尺寸相對(duì)探針間距為無(wú)窮大，四探針垂直于樣品表面測(cè)試，或垂直于樣品側(cè)面測(cè)試。實(shí)際工作中，我們直接測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻，又稱(chēng)方塊電阻，其定義就是表面為正方形的半導(dǎo)體薄層，在電流方向所呈現(xiàn)的電阻，見(jiàn)下圖。所以：因此有:實(shí)驗(yàn)原理說(shuō)明：樣品為片狀單晶，除樣品厚度外，樣品尺寸相對(duì)探實(shí)際的擴(kuò)散片尺寸一般不很大，并且實(shí)際的擴(kuò)散片又有單面擴(kuò)散與雙面擴(kuò)散之分，因此，需要進(jìn)行修正，修正后的公式為：實(shí)驗(yàn)原理不很大樣品修正情況實(shí)際的擴(kuò)散片尺寸一般不很大，并且實(shí)際的擴(kuò)散片又有單本實(shí)驗(yàn)的測(cè)試裝置主要由四探針頭，可調(diào)的直流恒流源，電位差計(jì)和檢流計(jì)等組成。對(duì)四探針頭的要求是：導(dǎo)電性能好，質(zhì)硬耐磨。針尖的曲率半徑25-50μm，四根探針要固定且等距排列在一條直線上，其間距通常為1mm，探針與被測(cè)樣品間的壓力一般為20牛頓。恒流源的輸出電流要穩(wěn)定且可調(diào)，能提供從微安級(jí)到幾十毫安的電流。電位差計(jì)是采用補(bǔ)償法測(cè)微小電壓的儀器，其優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)調(diào)節(jié)平衡后，測(cè)量線路和被測(cè)線路間都無(wú)電流流過(guò)。實(shí)驗(yàn)原理本實(shí)驗(yàn)的測(cè)試裝置主要由四探針頭，可調(diào)的直流恒流1.對(duì)所給的各種樣品分別測(cè)量其電阻率。2.對(duì)同一樣品，測(cè)量五個(gè)不同的點(diǎn)，由此求出單晶斷面電阻率不鈞勻度。3.對(duì)單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散的樣品，分別測(cè)量其薄層電阻R。4.參考附錄一，用陽(yáng)極氧化剝層法求擴(kuò)散層中的雜質(zhì)濃度分布(選作)。5.參考附錄二，用冷熱探針?lè)ㄅ袛喟雽?dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型(選作)。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.對(duì)所給的各種樣品分別測(cè)量其電阻率。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.接好測(cè)量線路。2.按標(biāo)準(zhǔn)電池電位修正公式計(jì)算該溫度下的電位差，由此校好電位差計(jì)。3.將被測(cè)樣品表面用金鋼砂研磨(指單晶硅樣品)，用去離子水沖洗干凈后，再用酒精棉球擦洗干凈，晾干，這樣處理后就可以獲得新鮮磨毛的測(cè)試平面，以使探針和樣品實(shí)現(xiàn)較好的歐姆接觸，當(dāng)樣品與室溫相同后方可開(kāi)始測(cè)量。注意：操作過(guò)程中保持樣品的清潔，不要用手觸摸樣品表面。4.通過(guò)恒流源對(duì)被測(cè)樣品加以一定的電流，利用已較好的電位差計(jì)測(cè)出V23，記錄有關(guān)數(shù)據(jù)。扳動(dòng)K1和K2，測(cè)量并記錄反向的電流值和V23。5.改變測(cè)試電流，重復(fù)4。6.用千分尺及讀數(shù)顯微鏡測(cè)量樣品的幾何尺寸以及探針離開(kāi)樣品邊緣的最近距離，決定是否進(jìn)行修正。7.觀察光照對(duì)不同電阻率樣品測(cè)試結(jié)果的影響。實(shí)驗(yàn)操作步驟1.接好測(cè)量線路。實(shí)驗(yàn)操作步驟1.對(duì)所給樣品測(cè)量五個(gè)不同的點(diǎn)，計(jì)算(修正)當(dāng)I=1mA時(shí)的電阻率ρ。2.對(duì)樣品進(jìn)行不同電流但測(cè)量點(diǎn)相同情況下的測(cè)量，計(jì)算(修正)同點(diǎn)電流不同時(shí)的電阻率ρ。3.單晶斷面電阻率不均勻度E的計(jì)算公式為：式中ρmax為所測(cè)五個(gè)點(diǎn)中電阻率的最大值，ρmin為所測(cè)點(diǎn)中電阻率的最小值，ρ為斷面。測(cè)量點(diǎn)電阻率平均值，Δ=max-min，用(16)式計(jì)算所測(cè)樣品的斷面電阻率不均勻度E。4.計(jì)算擴(kuò)散情況不同的樣品的薄層電阻。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理和分析1.對(duì)所給樣品測(cè)量五個(gè)不同的點(diǎn)，計(jì)算(修正)當(dāng)I1.為增加表面復(fù)合，減少少子壽命及避免少子注入，被測(cè)表面需粗磨或噴砂處理。2.對(duì)高阻材料及光敏材料，由于光電導(dǎo)及光壓效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重影響電阻率的測(cè)量，這時(shí)測(cè)量應(yīng)在暗室進(jìn)行。3.電流要選擇適當(dāng)，電流太小影響電壓檢測(cè)精度，電流太大會(huì)引起發(fā)熱或非平衡載流子注入。4.半導(dǎo)體材料的電阻率受溫度的影響十分敏感，因此，必須在樣品達(dá)到熱平衡情況下進(jìn)行測(cè)量并記錄測(cè)量溫度。5.由于正向探針有少子注入及探針移動(dòng)的存在，所以在測(cè)量中總是進(jìn)行正反兩個(gè)電流方向的測(cè)量，然后取其平均以減小誤差。實(shí)驗(yàn)注意問(wèn)題1.為增加表面復(fù)合，減少少子壽命及避免少子注入，1．分析電阻率誤差的來(lái)源，指出和的區(qū)別及條件各是什么?2.為什么要用四探針進(jìn)行測(cè)量，如果只用兩根探針既作電流探針又作電壓探針，這樣是否能夠?qū)悠愤M(jìn)行較為準(zhǔn)確的測(cè)量?為什么?實(shí)驗(yàn)思考題1．分析電阻率誤差的來(lái)源，指出和的區(qū)別及條件⑴孫以材編著：<<半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)>>，冶金工業(yè)出版社1984。⑵成都電訊工程學(xué)院謝孟賢、劉國(guó)維編：<<半導(dǎo)體工藝原理>>上冊(cè)，國(guó)防工業(yè)出版社，1980。⑶復(fù)旦大學(xué)，孫恒慧、包宗明主編：<<半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)>>，高等教育出版社，1985。⑷廈門(mén)大學(xué)物理系半導(dǎo)體物理教研室編：<<半導(dǎo)體器件工藝原理>>，人民教育出版社，1977。實(shí)驗(yàn)參考資料⑴孫以材編著：<<半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)>>，冶金工業(yè)出實(shí)驗(yàn)2四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻實(shí)驗(yàn)2四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率和薄層電阻實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵饬x☆掌握四探針?lè)y(cè)量電阻率和薄層電阻的原理及測(cè)量方法，針對(duì)不同幾何尺寸的樣品，掌握其修正方法;☆了解影響電阻率測(cè)量的各種因素及改進(jìn)措施;☆了解熱探針?lè)ㄅ袛喟雽?dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型以及用陽(yáng)極氧化剝層法求擴(kuò)散層中的雜質(zhì)濃度分布。實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵饬x☆掌握四探針?lè)y(cè)量電阻率和薄層實(shí)驗(yàn)原理☆電阻率的測(cè)量是半導(dǎo)體材料常規(guī)參數(shù)測(cè)量項(xiàng)目之一?！顪y(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)?、電?--電壓法、擴(kuò)展電阻法等☆四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，在半導(dǎo)體工藝中最為常用，其主要優(yōu)點(diǎn)在于設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，精確度高，對(duì)樣品的幾何尺寸無(wú)嚴(yán)格要求?！钏奶结?lè)ǔ擞脕?lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的電阻率以外，在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中廣泛使用四探針?lè)▉?lái)測(cè)量擴(kuò)散層薄層電阻，以判斷擴(kuò)散層質(zhì)量是否符合設(shè)計(jì)要求。因此，薄層電阻是工藝中最常需要檢測(cè)的工藝參數(shù)之一。實(shí)驗(yàn)原理☆電阻率的測(cè)量是半導(dǎo)體材料常規(guī)參數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)原理☆半導(dǎo)體材料的電阻率在半無(wú)窮大樣品上的點(diǎn)電流源，若樣品的電阻率ρ均勻，引入點(diǎn)電流源的探針其電流強(qiáng)度為I，則所產(chǎn)生的電力線具有球面的對(duì)稱(chēng)性，即等位面為一系列以點(diǎn)電流為中心的半球面，如圖所示。在以ｒ?yàn)榘霃降陌肭蛎嫔?，電流密度ｊ的分布是均勻的：若E為ｒ處的電場(chǎng)強(qiáng)度，則：實(shí)驗(yàn)原理☆半導(dǎo)體材料的電阻率實(shí)驗(yàn)原理由電場(chǎng)強(qiáng)度和電位梯度以及球面對(duì)稱(chēng)關(guān)系，則?。?yàn)闊o(wú)窮遠(yuǎn)處的電位為零，則實(shí)驗(yàn)原理由電場(chǎng)強(qiáng)度和電位梯度以及球面對(duì)稱(chēng)關(guān)系，則實(shí)驗(yàn)原理上式就是半無(wú)窮大均勻樣品上離開(kāi)點(diǎn)電流源距離為ｒ的點(diǎn)的電位與探針流過(guò)的電流和樣品電阻率的關(guān)系式，它代表了一個(gè)點(diǎn)電流源對(duì)距離ｒ處的點(diǎn)的電勢(shì)的貢獻(xiàn)。對(duì)上圖所示的情形，四根探針位于樣品中央，電流從探針1流入，從探針4流出，則可將1和4探針認(rèn)為是點(diǎn)電流源，由(2-6)式可知，2和3探針的電位為：任意位置的四探針實(shí)驗(yàn)原理上式就是半無(wú)窮大均勻樣品上離開(kāi)點(diǎn)電流源距離為ｒ的點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)原理2、3探針的電位差為：此可得出樣品的電阻率為：上式就是利用直流四探針?lè)y(cè)量電阻率的普遍公式。我們只需測(cè)出流過(guò)1、4探針的電流I以及2、3探針間的電位差V23，代入四根探針的間距，就可以求出該樣品的電阻率ρ。實(shí)際測(cè)量中，最常用的是直線型四探針，即四根探針的針尖位于同一直線上，并且間距相等，設(shè)r12=r23=r34=S，則有：實(shí)驗(yàn)原理2、3探針的電位差為：需要指出的是：這一公式是在半無(wú)限大樣品的基礎(chǔ)上導(dǎo)出的，實(shí)用中必需滿(mǎn)足樣品厚度及邊緣與探針之間的最近距離大于四倍探針間距，這樣才能使該式具有足夠的精確度。如果被測(cè)樣品不是半無(wú)窮大，而是厚度，橫向尺寸一定，進(jìn)一步的分析表明，在四探針?lè)ㄖ兄灰獙?duì)公式引入適當(dāng)?shù)男拚禂?shù)BO即可，此時(shí)：實(shí)驗(yàn)原理直線型四探針實(shí)驗(yàn)原理直線型四探針樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個(gè)邊界平行，距離為L(zhǎng)，除樣品厚度及該邊界外，其余周界均為無(wú)窮遠(yuǎn)，樣品周?chē)鸀榻^緣介質(zhì)包圍。另一種情況是極薄樣品，極薄樣品是指樣品厚度d比探針間距小很多，而橫向尺寸為無(wú)窮大的樣品，這時(shí)從探針1流入和從探針4流出的電流，其等位面近似為圓柱面高為d。任一等位面的半徑設(shè)為ｒ，類(lèi)似于上面對(duì)半無(wú)窮大樣品的推導(dǎo)，很容易得出當(dāng)r12=r23=r34=S時(shí)，極薄樣品的電阻率為：上式說(shuō)明，對(duì)于極薄樣品，在等間距探針情況下、探針間距和測(cè)量結(jié)果無(wú)關(guān)，電阻率和被測(cè)樣品的厚度d成正比。實(shí)驗(yàn)原理樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品說(shuō)明：樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個(gè)邊界垂直，探針與該邊界的最近距離為L(zhǎng)，除樣品厚度及該邊界外，其余周界為無(wú)窮遠(yuǎn)，樣品周?chē)鸀榻^緣介質(zhì)包圍。同樣需要注意的是當(dāng)片狀樣品不滿(mǎn)足極薄樣品的條件時(shí)，仍需按上式計(jì)算電阻率P。實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況☆擴(kuò)散層的薄層電阻半導(dǎo)體工藝中普遍采用四探針?lè)y(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻，由于反向PN結(jié)的隔離作用，擴(kuò)散層下的襯底可視為絕緣層，對(duì)于擴(kuò)散層厚度(即結(jié)深Xj)遠(yuǎn)小于探針間距S，而橫向尺寸無(wú)限大的樣品，則薄層電阻率為：實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情況☆擴(kuò)散層的薄層電阻實(shí)驗(yàn)原理極薄樣品，等間距探針情說(shuō)明：樣品為片狀單晶，除樣品厚度外，樣品尺寸相對(duì)探針間距為無(wú)窮大，四探針垂直于樣品表面測(cè)試，或垂直于樣品側(cè)面測(cè)試。實(shí)際工作中，我們直接測(cè)量擴(kuò)散層的薄層電阻，又稱(chēng)方塊電阻，其定義就是表面為正方形的半導(dǎo)體薄層，在電流方向所呈現(xiàn)的電阻，見(jiàn)下圖。所以：因此有:實(shí)驗(yàn)原理說(shuō)明：樣品為片狀單晶，除樣品厚度外，樣品尺寸相對(duì)探實(shí)際的擴(kuò)散片尺寸一般不很大，并且實(shí)際的擴(kuò)散片又有單面擴(kuò)散與雙面擴(kuò)散之分，因此，需要進(jìn)行修正，修正后的公式為：實(shí)驗(yàn)原理不很大樣品修正情況實(shí)際的擴(kuò)散片尺寸一般不很大，并且實(shí)際的擴(kuò)散片又有單本實(shí)驗(yàn)的測(cè)試裝置主要由四探針頭，可調(diào)的直流恒流源，電位差計(jì)和檢流計(jì)等組成。對(duì)四探針頭的要求是：導(dǎo)電性能好，質(zhì)硬耐磨。針尖的曲率半徑25-50μm，四根探針要固定且等距排列在一條直線上，其間距通常為1mm，探針與被測(cè)樣品間的壓力一般為20牛頓。恒流源的輸出電流要穩(wěn)定且可調(diào)，能提供從微安級(jí)到幾十毫安的電流。電位差計(jì)是采用補(bǔ)償法測(cè)微小電壓的儀器，其優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)調(diào)節(jié)平衡后，測(cè)量線路和被測(cè)線路間都無(wú)電流流過(guò)。實(shí)驗(yàn)原理本實(shí)驗(yàn)的測(cè)試裝置主要由四探針頭，可調(diào)的直流恒流1.對(duì)所給的各種樣品分別測(cè)量其電阻率。2.對(duì)同一樣品，測(cè)量五個(gè)不同的點(diǎn)，由此求出單晶斷面電阻率不鈞勻度。3.對(duì)單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散的樣品，分別測(cè)量其薄層電阻R。4.參考附錄一，用陽(yáng)極氧化剝層法求擴(kuò)散層中的雜質(zhì)濃度分布(選作)。5.參考附錄二，用冷熱探針?lè)ㄅ袛喟雽?dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型(選作)。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.對(duì)所給的各種樣品分別測(cè)量其電阻率。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.接好測(cè)量線路。2.按標(biāo)準(zhǔn)電池電位修正公式計(jì)算該溫度下的電位差，由此校好電位差計(jì)。3.將被測(cè)樣品表面用金鋼砂研磨(指單晶硅樣品)，用去離子水沖洗干凈后，再用酒精棉球擦洗干凈，晾干，這樣處理后就可以獲得新鮮磨毛的測(cè)試平面，以使探針和樣品實(shí)現(xiàn)較好的歐姆接觸，當(dāng)樣品與室溫相同后方可開(kāi)始測(cè)量。注意：操作過(guò)程中保持樣品的清潔，不要用手觸摸樣品表面。4.通過(guò)恒流源對(duì)被測(cè)樣品加以一定的電流，利用已較好的電位差計(jì)測(cè)出V23，記錄有關(guān)數(shù)據(jù)。扳動(dòng)K1和K2，測(cè)量并記錄反向的電流值和V23。5.改變測(cè)試電流，重復(fù)4。6.用千分尺及讀數(shù)顯微鏡測(cè)量樣品的幾何尺寸以及探針離開(kāi)樣品邊緣的最近距離，決定是否進(jìn)行修正。7.觀察光照對(duì)不同電阻率樣品測(cè)試結(jié)果的影響。實(shí)驗(yàn)操作步驟1.接好測(cè)量線路。實(shí)驗(yàn)操作步驟1.對(duì)所給樣品測(cè)量五個(gè)不同的點(diǎn)，計(jì)算(修正)當(dāng)I=1mA時(shí)的電阻率ρ。2.對(duì)樣品進(jìn)行不同電流但測(cè)量點(diǎn)相同情況下的測(cè)量，計(jì)算(修正)同點(diǎn)電流不同時(shí)的電阻率ρ。3.單晶斷面電阻率不