小論文石墨烯

經(jīng)典word整理文檔，僅參考，雙擊此處可刪除頁眉頁腳。本資料屬于網(wǎng)絡(luò)整理，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除，謝謝！石墨烯關(guān)鍵詞：石墨烯；制備；性能；應(yīng)用；發(fā)展趨勢概述一直以來,科學(xué)家們認為,單層的石墨烯是不可穩(wěn)定能存在的。人們錯誤的認為,將石墨烯從石墨上剝離下來的力足以破壞石墨烯的結(jié)構(gòu),而且固體的熔點隨著粒子粒度的減小是要大大降低的,當(dāng)減小到幾個原子層厚時,固體將熔化。另外,在二維晶體中由于內(nèi)能的存在,使原子的振動幅度很大,因此原子的錯位將相當(dāng)嚴(yán)重的,這將導(dǎo)致原子與未與它成鍵的原子間的距離的大小和與它成鍵的原子間的距離的大小幾乎相同,因此不能保持單層的結(jié)構(gòu)。英國Manchester大學(xué)的Geim教授在理論上不可行的情況下依然進行了償試,他從2002年開始尋找石墨烯。人們通常用膠帶粘附的方法來獲得石墨的單晶面,Geim教授設(shè)想把這種方法發(fā)展到極限,他很快便制得了十個分子厚度的石墨,于是他償試著再去掉九層,并最終成功了,他的團隊成功得到了單層的石墨烯,并在2004年的《》上發(fā)表了關(guān)于石墨烯的研究成果[1]。在那篇論文中,他把石墨烯放在了硅片上,接上電極,研究了不同電位下石墨烯的帶電情況,石墨烯的發(fā)現(xiàn)在納米科技上是有劃時代的意義的。石墨烯在電子和光電器件領(lǐng)域有著重要和廣闊的應(yīng)用前景正因為如此，石.墨烯的兩位發(fā)現(xiàn)者獲得了2010年的諾貝爾物理學(xué)獎。石墨烯的結(jié)構(gòu)石墨烯是由單層碳原子緊密堆積成二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的一種碳質(zhì)新材料，是構(gòu)建其它維度碳質(zhì)材料（如零維富勒烯、一維碳納米管、三維石墨）的基本單元,如圖1所示。石墨烯是sp2雜化碳原子形成的厚度僅為單層原子的排列成蜂窩狀六角平面晶體。在單層石墨烯中，碳碳鍵長為0.142nm，厚度只有0.334nm。石墨烯是呈二維結(jié)構(gòu)的,但實際上并不是平坦的,而是波狀的。在一個兩層體系中,這種起伏不是很明顯,在多層體系中會完全消失。石墨烯中每一個碳原子與周圍石墨烯的制備方法[6][8]斯坦福大學(xué)戴宏杰課題組用化學(xué)插層裂解方法獲得不同寬度的石墨烯納米條帶10nm的石墨烯條帶可以制備出場效應(yīng)管，開關(guān)比[11]達7個數(shù)量級。石墨烯納米條帶具有量子限域效應(yīng)，被用來制作量子點，條帶之間存在選擇隧穿規(guī)律。但目前國際上制備出的石墨烯條帶裁剪尚不能精確控制，缺陷和雜質(zhì)等不可避免。這激發(fā)人們利用各種實驗手段(如STM的針尖，刻蝕，外延生長和化學(xué)合成等)制備高質(zhì)量石墨烯納米條帶。下面詳細深入的介紹一下石墨烯的制備方法。微機械分離法最普通的是微機械分離法，直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來。2004年Novoselov等用這種方法制備出了單層石墨烯，并可以在外界環(huán)境下穩(wěn)定存在。機械剝離法是最初用于制備石墨烯的物理方法。首先將高定向熱解石墨（highly-orientedpyrolyticgraphite）置于氧離子束中轟擊，去掉表面污染物。隨后有兩種制備工藝可以選擇，一是再采用膠帶反復(fù)互粘，直到膠帶紙上剩余的石墨層僅有幾個原子層厚度，最后將帶有100或300nmSiO層的硅2單晶在一定壓力下緊壓在膠帶表面，獲得層數(shù)較小的石墨烯。二是在表面離子侵蝕后，將HOPG表面與覆蓋有感光樹脂的玻璃片緊密壓實并在一定溫度下烘烤直到二者粘接在一起，此時取下HOPG，會有部分石墨在感光樹脂表面存留，再用膠帶反復(fù)粘去感光樹脂上的石墨，最后將留在樹脂表面的石墨在酒精中溶解。稀釋成懸浮有石墨烯的溶液，再用表面覆蓋有100或300nm厚SiO層的硅單晶撈取。這種方法的優(yōu)點是簡單，不易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷，易保[1]2持分子結(jié)構(gòu)；缺點是：這等同于“手工活”，費時費力，難以精確控制，其尺寸不易控制，無法可靠地制造長度足供應(yīng)用的石墨薄片樣本，難于大規(guī)模制備。金屬襯底外延法繼成功剝離石墨烯之后，為了積極探求生長高質(zhì)量大面積石墨烯，AlphaT.N’Diaye探索了在Ir基底上外延生長石墨烯的新方法[12]吸附在Ir襯底表面，在高溫（約1450℃）熱分解，獲得了高質(zhì)量的石墨烯，均勻分布在襯底表面。這種方法獲得了較高質(zhì)量的石墨烯，石墨烯層數(shù)很薄且結(jié)晶很好，然而仍然存在以下幾個缺點：首先是石墨烯單晶片的面積僅有100nm左右，其次是Ir很容易從襯底蒸發(fā)，并進一步在石墨烯表層重新結(jié)晶，這一過程嚴(yán)重影響了石墨烯的質(zhì)量，并且使得下一步將石墨烯剝離金屬襯底更加困難。為了克服以上者幾個缺點，文獻改變金屬Ir為Ru，得到的石墨烯不[13-16]但質(zhì)量很高，且石墨烯沿臺階連續(xù)分布，面積達毫米量級.[14,15]然而，金屬襯底上的石墨烯是需要從襯底剝離才能作為母材制備器件，這在應(yīng)用中存在很大的挑戰(zhàn)。催化劑法為了使得制備的大面積石墨烯可以方便從襯底剝離，人們將過渡金屬上的外延改成在其它襯底上鍍上一層金屬薄膜作為石墨烯成型的催化劑，[17-19]這種方法不但能夠促進石墨烯的形成，而且在鍍膜過程中方便圖案化石墨烯，并在隨后的過程中將金屬催化劑洗去，方便石墨烯從襯底剝離。然而這種方法獲得的石墨烯層數(shù)不能控制，很不均勻，并且多為多晶石墨烯，這就導(dǎo)致石墨烯的輸運性質(zhì)受到了很大的限制，載流子遷移率僅為3700cmVs,顯然該方法制備的石墨烯缺陷很多，晶界和缺陷對電子有非2-1-1常大的散射，使得石墨烯薄膜的應(yīng)用受到很大的限制。為此，文獻采用銅箔作為催化劑，獲得的石墨烯層數(shù)均勻，且面積達厘米[19]量級，然而載流子遷移率仍然不高僅為4050cmVs,由此可見，金屬催化2-1-1劑很難制備出高質(zhì)量完美石墨烯。取向附生法是利用生長基質(zhì)原子結(jié)構(gòu)“種”出石墨烯，首先讓碳原子在1150℃下滲入釕，然后冷卻，冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會浮到釕表面，鏡片形狀的單層的碳原子“孤島”布滿了整個基質(zhì)表面，最終它們可長成完整的一層石墨烯。第一層覆蓋80％后，第二層開始生長。底層的石墨烯會與釕產(chǎn)生強烈的交互作用，而第二層后就幾乎與釕完全分離，只剩下弱電耦合，得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人滿意。但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會影響碳層的特性。另外PeterW.Sutter等使用的基質(zhì)是稀有金屬釕?；瘜W(xué)剝離法化學(xué)剝離是一種有望實現(xiàn)石墨烯低成本宏量制備的有效方法，但所制備的石墨烯大多為單層、雙層和多層石墨烯的混合物?；趯瘜W(xué)剝離方法制備石墨烯過程的分析，中科院金屬所沈陽材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實驗室先進炭材料研究部成會明、任文才等提出了利用石墨原料的尺寸與結(jié)晶度不同來控制石墨烯層數(shù)的策略，宏量控制制備出單層、雙層和三層占優(yōu)的高質(zhì)量石墨烯。根據(jù)氫電弧放電反應(yīng)溫度高、可實現(xiàn)快速加熱及原位還原的特點，他們采用電弧加熱膨脹解理石墨以去除含氧官能團和愈合結(jié)構(gòu)缺陷，進而提高了石墨烯的質(zhì)量。較普通快速加熱方法，采用氫電弧方法制備的石墨烯的抗氧化溫度提高了近100℃，導(dǎo)電率提高了近2個數(shù)量級，可達2*10S/cm。3化學(xué)分散法化學(xué)分散法是將氧化石墨與水以1mg/mL的比例混合，用超聲波振蕩至溶液清晰無顆粒狀物質(zhì)，加入適量肼在100℃回流24h過濾、烘干即得石墨烯。SashaStankovich等利用化學(xué)分散法制得厚度為1nm左右的石墨烯。氧化石墨還原法采用氧化石墨還原法可以大量制備石墨烯，產(chǎn)量很高，氧化石墨烯[20-24]可以被氫氣還原，制備方便，制備量可以很高，制備的石墨烯面積很大，層數(shù)可控，但質(zhì)量很差。此外人們采用石墨插層的方法[11,25]通過LB方法，可以獲得大面積、層數(shù)可控的多晶石墨烯，然而這種石墨烯由于石墨烯片邊緣的物理搭接，其輸運性質(zhì)很差，且載流子遷移率很低。碳納米管展開法碳納米管作為高質(zhì)量石墨烯源，是理想的石墨烯條帶的前驅(qū)物，一般來說，要制作石墨烯條帶無外乎采用刻蝕法、化學(xué)法或聲化學(xué)法，這些方法制備的石墨烯條帶都不易控制石墨烯條帶的邊緣或?qū)挾?，且產(chǎn)量較小，產(chǎn)品率很低。為此，文獻指出，采用碳納米管氬離子濺射，打開碳納米管，則通[26]過控制時間可以得到邊緣光滑的石墨烯條帶；或者采用硫酸和高錳酸鉀處理，也具有同樣的效果。這一方法得到的石墨烯條帶具有很高應(yīng)用價值，但是條帶產(chǎn)量有限，且條帶寬度也是不可控的。碳化硅外延法通過上面的介紹，基本能夠看到，實際上高質(zhì)量石墨烯的制備仍然是制約石墨烯研究和應(yīng)用的瓶頸。有一些顯而易見的缺點始終不能有效克服，例如到目前為止，大面積生長高遷移率石墨烯的方法仍然在摸索之中。自從2004年Geim等首次制得石墨烯以來，人們逐漸認識到研究石墨烯的電學(xué)性質(zhì)涉及到兩條路線，一條是研究剝離下來獨立存在的石墨烯，一般被用來研究其基本性質(zhì)，例如非零Berry相、弱反局域化等。另外一條是外延生長[2,27-31]石墨烯，首先要解決的問題是，基底和石墨烯之間的相互作用對石墨烯中的能帶結(jié)構(gòu)或輸運性質(zhì)產(chǎn)生怎樣的影響呢？非常幸運的是，外延法生長的石墨烯和剝離的幾乎相同，外延生長的石墨烯還有可能直接用來制備電子器件，這是剝離石墨烯所不能比擬的。對于外延法生長，使用何種基底材料成為了首要問題，我們希望基底材料應(yīng)該和石墨烯的晶格相互匹配，人們嘗試了使用SiC和金屬單晶如Ru或IrSiC和石墨烯的晶格并不相互匹配，以4H-SiC為例，a=3.37?，而石墨烯的a=2.46?。研究發(fā)現(xiàn)，SiC和石墨[31,32]烯之間的平移矢量夾30角時，晶格匹配便不是問題了。o對于零帶隙的石墨烯來說，帶隙調(diào)控的重要性不言而喻，近幾年來，Zhou等通過SiC基底對石墨烯的摻雜和在束縛條件下的對稱性破缺來對帶隙進[16]行調(diào)控，這種方法簡單易行，由此可以看出選擇SiC作為外延石墨烯襯底是具有重要意義的。C.Berger等通過熱分解SiC的方法，在SiC單晶片上獲得超薄的石墨烯，其電輸運性能與碳納米管接近，載流子所表現(xiàn)的性質(zhì)與Dirac描述符合，通過選擇性地調(diào)整每層載流子的濃度，將會引起Coulomb勢的改變，最終引起了導(dǎo)帶和價帶間隙的可調(diào)控。這是繼2004年用石墨剝離法得到性質(zhì)特異的石墨烯后的又一新的突破，這一制備方法為以后石墨烯的發(fā)展帶來了新的契機。通過這種加熱方法得到的石墨烯盡管面積較小，但其輸運性質(zhì)很好，載流子遷移率達到了27000cmVs，載流子擴散常數(shù)0.3m/s，彈性平均自由2-1-12程600nm，相相干長度在4k時為1.1m，在58K時，為500nm。為了克服超高真空狀態(tài)下，石墨烯的島狀生長，Hupalo等將熱分解法[33]進行了擴展，在超高真空狀態(tài)下，當(dāng)溫度升高到1300℃-1350℃時，每隔幾度就等溫30秒，經(jīng)過數(shù)次等溫，得到了面積較大的石墨烯薄膜，層數(shù)相對較為均勻。Emtsev等[34]1bar，也得到了相同的結(jié)果。應(yīng)該指出的是，這種改進的方法獲得的石墨烯結(jié)構(gòu)受到基底SiC臺階的限制，只是在理論上可以獲得大面積的石墨烯結(jié)構(gòu)，實質(zhì)上獲得的面積也僅能達微米量級。一條以商品化碳化硅顆粒為原料，通過高溫裂解規(guī)模制備高品質(zhì)無支持（Freestanding）石墨烯材料的新途徑。通過對原料碳化硅粒子、裂解溫度、速率以及氣氛的控制，可以實現(xiàn)對石墨烯結(jié)構(gòu)和尺寸的調(diào)控。這是一種非常新穎、對實現(xiàn)石墨烯的實際應(yīng)用非常重要的制備方法。石墨烯的性能及應(yīng)用它不僅是已知材料中最薄的一種，還非常牢固堅硬；作為單質(zhì)，它在室溫下傳遞電子的速度比已知導(dǎo)體都快。石墨烯在原子尺度上結(jié)構(gòu)非常特殊，必須用相對論量子物理學(xué)才能描繪。石墨烯結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定，迄今為止，研究者仍未發(fā)現(xiàn)石墨烯中有碳原子缺失的情況。石墨烯中各碳原子之間的連接非常柔韌，當(dāng)施加外部機械力時，碳原子面就彎曲變形，從而使碳原子不必重新排列來適應(yīng)外力，也就保持了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。這種穩(wěn)定的晶格結(jié)構(gòu)使碳原子具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性。石墨烯中的電子在軌道中移動時，不會因晶格缺陷或引入外來原子而發(fā)生散射。由于原子間作用力十分強，在常溫下，即使周圍碳原子發(fā)生擠撞，石墨烯中電子受到的干擾也非常小。這讓它在透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用中獨具優(yōu)勢，而這類薄膜在液晶顯示以及太陽能電池等領(lǐng)域至關(guān)重要。另外，石墨烯在高靈敏度傳感器和高性能儲能器件方面也已經(jīng)展示出誘人的應(yīng)用前景。石墨烯最大的特性是其中電子的運動速度達到了光速的1/300了電子在一般導(dǎo)體中的運動速度。這使得石墨烯中的電子，或更準(zhǔn)確地，應(yīng)稱為“載荷子”，的性質(zhì)和相對論的中微子非常相似。為了進一步說明石墨烯中的載荷子的特殊性質(zhì)，我們先對相對論量子力學(xué)或稱量子電動力學(xué)做一些了解。經(jīng)典物理學(xué)中，一個能量較低的電子遇到勢壘的時候，如果能量不足以讓它爬升到勢壘的頂端，那它就只能待在這一側(cè)；在量子力學(xué)中，電子在某種程度上是可以看作是分布在空間各處的波。當(dāng)它遇到勢壘的時候，有可能以某種方式穿透過去，這種可能性是零到一之間的一個數(shù)；而當(dāng)石墨烯中電子波以極快的速度運動到勢壘前時，就需要用量子電動力學(xué)來解釋。量子電動力學(xué)作出了一個更加令人吃驚的預(yù)言：電子波能百分百地出現(xiàn)在勢壘的另一側(cè)。以下實驗證實了量子電動力學(xué)的預(yù)言：事先在一片石墨烯晶體上人為施加一個電壓（相當(dāng)于一個勢壘），然后測定石墨烯的電導(dǎo)率。一般認為，增加了額外的勢壘，電阻也會隨之增加，但事實并非如此，因為所有的粒子都發(fā)生了量子隧道效應(yīng)，通過率達100%。這也解釋了石墨烯的超強導(dǎo)電性：相對論性的載荷子可以在其中完全自由地穿行。另外，研究也發(fā)現(xiàn)，盡管只有單層原子厚度，但石墨烯有相當(dāng)?shù)牟煌该鞫龋嚎梢晕沾蠹s2.3%的可見光。而這也是石墨烯中載荷子相對論性的體現(xiàn)。美國哥倫比亞大學(xué)兩名華裔科學(xué)家最近發(fā)現(xiàn)，鉛筆石墨中一種叫做石墨烯的二維碳原子晶體，竟然比鉆石還堅硬，強度比世界上最好的鋼鐵還要高上100倍。這種物質(zhì)為“太空電梯”超韌纜線的制造打開了一扇“阿里巴巴”之門，讓科學(xué)家夢寐以求的2.3萬英里長（約合37000千米）太空電梯可能成為現(xiàn)實。此外，石墨烯單電子晶體管可在室溫下工作。而作為熱導(dǎo)體，石墨烯比目前任何其他材料的導(dǎo)熱效果都好。下面詳細介紹一下石墨烯的具體應(yīng)用。透明電極工業(yè)上已經(jīng)商業(yè)化的透明薄膜材料是氧化銦錫(ITO)，由于銦元素在地球上的含量有限，價格昂貴，尤其是毒性很大，使它的應(yīng)用受到限制。作為炭質(zhì)材料的新星，石墨烯由于擁有低維度和在低密度的條件下能形成滲透電導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)的特點被認為是氧化銦錫的替代材料，石墨烯以制備工藝簡單、成本低的優(yōu)點為其商業(yè)化鋪平了道路。Mullen[35]研究組通過浸漬涂布法沉積被熱退火還原的石墨烯，薄膜電阻為900Ω，透光率為70％，薄膜被做成了染料太陽能電池的正極，太陽能電池的能量轉(zhuǎn)化效率為0.26％。2009年，該研究組采用乙炔做還原氣和碳源，采用高溫還原方法制備了高電導(dǎo)率(1425S/cm)的石墨烯，為石墨烯作為導(dǎo)電玻璃的替代材料提供了可能。傳感器電化學(xué)生物傳感器技術(shù)結(jié)合了信息技術(shù)和生物技術(shù)，涉及化學(xué)、生物學(xué)、物理學(xué)和電子學(xué)等交叉學(xué)科。石墨烯出現(xiàn)以后，研究者發(fā)現(xiàn)石墨烯為電子傳輸提供了二維環(huán)境和在邊緣部分快速多相電子轉(zhuǎn)移，這使它成為電化學(xué)生物傳感器的理想材料。Chen等采用低溫?zé)嵬嘶鸬姆椒ㄖ苽涞氖玔36]烯作為傳感器的電極材料，在室溫下可以檢測到低濃度NO，認為如果2進一步提高石墨烯的質(zhì)量，則會提高傳感器對氣體檢測的靈敏度。石墨烯在傳感器方面表現(xiàn)出不同于其它材料的潛能，使越來越多的醫(yī)學(xué)家關(guān)注它，目前石墨烯還被用于醫(yī)學(xué)上檢測多巴胺、葡萄糖等。超級電容器超級電容器是一個高效儲存和傳遞能量的體系，它具有功率密度大，容量大，使用壽命長，經(jīng)濟環(huán)保等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種電源供應(yīng)場所。石墨烯擁有高的比表面積和高的電導(dǎo)率，不像多孔碳材料電極要依賴孔的分布，這使它成為最有潛力的電極材料。Chen等以石墨烯為電極材料制備的超級電容器功率密度為10kW/kg，能量密度為285Wh/kg，最大比電容為205F/g1200次循環(huán)充放電測試后還保留90％的比電容，擁有較長的循環(huán)壽命。石墨烯在超級電容器方面的潛在應(yīng)用受到更多的研究者關(guān)注。能源存儲眾所周知，材料吸附氫氣量和其比表面積成正比，石墨烯擁有質(zhì)量輕、高化學(xué)穩(wěn)定性和高比表面積的優(yōu)點，使其成為儲氫材料的最佳候選者。希臘大學(xué)Froudakis等設(shè)計了新型3D碳材料，孔徑尺寸可調(diào)，他們將其稱為[37]石墨烯柱。當(dāng)這種新型碳材料摻雜了鋰原子時，石墨烯柱的儲氫量可達到6.1％(wt)。等用鈣原子(Ca)摻雜石墨烯，利用第一性原理和從頭算[38]起的方法得到石墨烯被Ca原子摻雜后儲氫量約為8.4％(wt)；他們還發(fā)現(xiàn)氫分子的鍵能適合在室溫下吸/放氫，Ca會留在石墨烯表面，有利于循環(huán)使用。Ataca的研究結(jié)果又一次推動石墨烯儲氫向前邁進一步。復(fù)合材料石墨烯獨特的物理、化學(xué)和機械性能為復(fù)合材料的開發(fā)提供了原動力，可望開辟諸多新穎的應(yīng)用領(lǐng)域，諸如新型導(dǎo)電高分子材料、多功能聚合物復(fù)合材料和高強度多孔陶瓷材料等。an等利用石墨烯的高比表面積和高Y[39]的電子遷移率，制備了以石墨烯為支撐材料的聚苯胺石墨烯復(fù)合物，該復(fù)合物擁有高的比電容(1046F/g)遠遠大于純聚苯胺的比電客115F/g。石墨烯的加入提高了復(fù)合材料的多功能性和復(fù)合材料的加工性能等，為復(fù)合材料提供了更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域。生物醫(yī)藥應(yīng)用由于石墨烯具有單原子層結(jié)構(gòu),其比表面積很大,非常適合用作藥物載體。Dai等首先制備了具有生物相容性的聚乙二醇功能化的石墨烯,使石墨烯具有[40]很好的水溶性,并且能夠在血漿等生理環(huán)境下保持穩(wěn)定分散;然后利用π相互作用首次成功地將抗腫瘤藥物喜樹堿衍生物(SN38)烯在生物醫(yī)藥方面的應(yīng)用研究。石墨烯的表征方法石墨烯表征方法的建立是對其結(jié)構(gòu)進行快速有效表征、控制制備及應(yīng)用的前提和基礎(chǔ)。石墨烯的表征方法有：原子力顯微鏡、光學(xué)顯微鏡、Raman光譜及總色差方法。原子力顯微鏡（AFM）由于單層石墨烯厚度只有0.335nm，在掃描電鏡（SEM）中很難觀察到，原子力顯微鏡是確定石墨烯結(jié)構(gòu)最直接的辦法。光學(xué)顯微鏡單層石墨烯附著在表面覆蓋著一定厚度（300nm）的SiO層Si晶片上，2可以在光學(xué)顯微鏡下觀測到。這是因為單層石墨層和襯底對光線產(chǎn)生的干涉有一定得對比度。受空氣-石墨層-SiO層間的界面影響。2Raman光譜Roman光譜的形狀、寬度和位置與其測試的物體層數(shù)有關(guān)，為測量石墨烯層數(shù)提供了一個高效率、無破壞的表征手段。石墨烯和石墨本體一樣在1580cm(G峰)和2700cm(2峰)2個位置有比較明顯的吸收峰，相比石墨本體，石墨烯在1580cm處的吸收峰強度較低，而在2700cm處的吸收峰強度較高，并且不同層數(shù)的石墨烯在2700cm處的吸收峰位置略有移動。總色差方法成會明、任文才等在反射率計算的基礎(chǔ)上，引入色度學(xué)空間概念，提出了的石墨烯的精細結(jié)構(gòu)特征。國內(nèi)石墨烯研究進展發(fā)現(xiàn)，相信不久的將來就可以投入大批量、低成本的工業(yè)化生產(chǎn)。質(zhì)量石墨烯，并通過（單分子或多分子層）膜組裝技術(shù)制成大面積的透明導(dǎo)電膜，對石墨烯的大規(guī)模應(yīng)用具有重要意義。2008年12月7日在南開大學(xué)舉行了“石墨烯/單層石墨研討會”，就石墨烯/單層石墨研究現(xiàn)狀和發(fā)展方向(制備、表征、性質(zhì)及應(yīng)用探索)進行了深入探討，使我國在該領(lǐng)域向更高的學(xué)術(shù)和研究水平邁進。2009成功將其應(yīng)用于有機場效應(yīng)晶體管電極。還是在2009電性能好且成本低，有望應(yīng)用于超級電容器和復(fù)合功能材料等領(lǐng)域。此外，中科院蘭州化物所也于2010年5月制備出石墨烯薄膜，滿足了實際應(yīng)用中低能耗、低成本和高產(chǎn)量的要求。2006～2008液晶顯示、有機光伏電池以及超級電容器等領(lǐng)