第09章 晶體結(jié)構(gòu) 習(xí)題解答

第09章習(xí)題解答第09章(03156)固體物質(zhì)可以分為晶體和非晶體兩類。（ ）解：對(duì)第09章(03157)所有無(wú)機(jī)鹽都是離子晶體。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03158)任何晶體都存在晶格能，晶格能越大則物質(zhì)的熔點(diǎn)越高。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03159)所有原子晶體的熔點(diǎn)均比離子晶體的熔點(diǎn)高。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03160)在常溫常壓下，原子晶體物質(zhì)的聚集狀態(tài)只可能是固體。.（ ）解：對(duì)第09章(03161)分子晶體的物質(zhì)在任何情況下都不導(dǎo)電。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03162)分子晶體的特性之一是熔點(diǎn)均相對(duì)較低。.（ ）解：對(duì)第09章(03163)原子晶體的特性之一是熔點(diǎn)高。.（ ）解：對(duì)第09章(03164)所有層狀晶體均可作為潤(rùn)滑劑和導(dǎo)電體使用。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03165)某物質(zhì)可生成兩種或兩種以上的晶體，這種現(xiàn)象叫做類質(zhì)多晶現(xiàn)象。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03166)石墨晶體層與層之間的主要結(jié)合力為金屬鍵。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03167)無(wú)定形物質(zhì)都是由微小的晶粒組成的。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03168)自然界存在的晶體或人工制備的晶體中，所有粒子都是按照一定規(guī)律有序排列的，沒(méi)有任何缺陷。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03169)下列物質(zhì)沒(méi)有固定熔點(diǎn)的是（ ）。(A)水晶；(B)金剛砂；(C)玻璃；(D)碘。解：C第09章(03170)在分子晶體中，分子內(nèi)原子之間的結(jié)合力是（ ）。(A)共價(jià)鍵；(B)離子鍵；(C)金屬鍵；(D)范德華力。解：A第09章(03171)下列物質(zhì)中屬于分子晶體的是.（ ）。(A)金剛砂；(B)石墨；(C)溴化鉀；(D)氯化碘。解：D第09章(03172)下列物質(zhì)屬于離子晶體的是（ ）。(A)SiC；(B)Cs2O；(C)HCl；(D)CS2。解：B第09章(03173)下列晶體屬于層狀晶體的是（ ）。(A)石墨；(B)SiC；(C)SiO2；(D)干冰。解：A第09章(03174)下列物質(zhì)的晶體屬于原子晶體的是（ ）。(A)晶體硅；(B)晶體碘；(C)冰；(D)干冰。解：A第09章(03175)分子晶體通常是.（ ）。(A)良好的導(dǎo)電體； (B)相當(dāng)硬的物質(zhì)；(C)脆性物體； (D)易揮發(fā)或熔點(diǎn)不高的物質(zhì)。解：D第09章(03176)下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是（ ）。(A)Na；(B)HI；(C)MgO；(D)NaF。解：C第09章(03177)下列敘述中正確的是（ ）。(A)金剛石的硬度很大，所以原子晶體的硬度一定大于金屬；(B)原子晶體都不導(dǎo)電；(C)離子晶體的熔點(diǎn)一定低于原子晶體；(D)金屬晶體的熔點(diǎn)一定高于離子晶體。解：B第09章(03178)下列敘述中正確的是（ ）。(A)同一種物質(zhì)的固體不可能有晶體和非晶體兩種結(jié)構(gòu)；(B)晶體具有各向異性的特性，非晶體則各向同性；(C)凡是固態(tài)物質(zhì)都具有一定的熔點(diǎn)；(D)晶體都具有很大的硬度。解：B第09章(03179)下列各類物質(zhì)中，熔點(diǎn)和沸點(diǎn)較低，又難溶于水的是.（ ）。(A)原子晶體； (B)離子晶體；(C)強(qiáng)極性分子型物質(zhì)； (D)非極性分子型物質(zhì)。解：D第09章(03180)下列物質(zhì)的晶體，其晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間以分子間力結(jié)合的是.（ ）。(A)KBr；(B)CCl4；(C)MgF2；(D)SiC。解：B第09章(03181)在下列各種晶體中，其化學(xué)式與分子式一致的是.（ ）。(A)SiC；(B)NaF；(C)H2S；(D)AlCl3。解：C第09章(03182)下列化學(xué)式能表示物質(zhì)真實(shí)分子組成的是.（ ）。(A)NaCl；(B)SiO2；(C)S；(D)CO2。解：D第09章(03183)下列化學(xué)式中，不能表示分子實(shí)際組成的是.（ ）。(A)MgO；(B)NH3；(C)HCl；(D)Br2。解：A第09章(03184)下列晶體熔化時(shí)，需破壞共價(jià)鍵作用的是.（ ）。(A)HF；(B)Al；(C)KF；(D)SiO2。解：D第09章(03185)下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是（ ）。(A)NaCl；(B)N2；(C)NH3；(D)Si。解：D第09章(03186)下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最高的是.（ ）。(A)SiO2；(B)SO2；(C)NaCl；(D)SiCl4。解：A第09章(03187)下列關(guān)于離子晶體的敘述中正確的是（ ）。(A)離子晶體的熔點(diǎn)是所有晶體中熔點(diǎn)最高的一類晶體；(B)離子晶體通常均可溶于極性或非極性溶劑中；(C)離子晶體中不存在單個(gè)小分子；(D)離子晶體可以導(dǎo)電。解：C第09章(03188)下列晶體中，具有正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)（原子以sp3雜化軌道鍵合）的是（ ）。(A)石墨；(B)金剛石；(C)干冰；(D)鋁。解：B第09章(03189)下列有關(guān)原子晶體的敘述中正確的是.（ ）。(A)原子晶體只能是單質(zhì)；(B)原子晶體中存在單個(gè)分子；(C)原子晶體中原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合；(D)原子晶體中不存在雜化的原子軌道。解：C第09章(03190)下列關(guān)于分子晶體的敘述中正確的是（ ）。(A)分子晶體中只存在分子間力；(B)分子晶體晶格結(jié)點(diǎn)上排列的分子可以是極性分子或非極性分子；(C)分子晶體中分子間力作用較弱，因此不能溶解于水；(D)分子晶體在水溶液中不導(dǎo)電。解：B第09章(03191)下列物質(zhì)按晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間作用由小至大的順序排列中，正確的是.（ ）。(A)H2S<SiO2<H2O； (B)H2O<H2S<SiO2；(C)H2S<H2O<SiO2； (D)H2O<SiO2<H2S。解：C第09章(03192)固態(tài)的NH3熔點(diǎn)高于PH3，這是因?yàn)椋?）。(A)NH3是原子晶體，PH3是分子晶體；(B)NH3的極性大于PH3；(C)NH3分子間存在氫鍵；(D)NH3分子間色散力大于PH3的色散力。解：C第09章(03193)下列物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中既有共價(jià)鍵又有大鍵和分子間力的是（ ）。(A)金剛砂；(B)碘；(C)石墨；(D)石英。解：C第09章(03194)在N2、SO2、Cu、KF、CCl4、SiO2中，固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的是________________________，熔融時(shí)能導(dǎo)電的是________________________。解：Cu；Cu和KF。第09章(03195)在CO、冰醋酸、SiO2、Sn、Fe2O3中，固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的是_______________________；水溶液能導(dǎo)電的是__________________________。解：Sn；冰醋酸。第09章(03196)CO2、SiO2、MgO、Ca的晶體類型依次分別是________、________、_______、________。解：分子晶體、原子晶體、離子晶體、金屬晶體。第09章(03197)在金屬銅、單質(zhì)碘、氟化銫和二氧化硅等物質(zhì)中，屬于離子晶體的是________，屬于分子晶體的是________，屬于原子晶體的是________，屬于金屬晶體的是________。解：氟化銫；單質(zhì)碘；二氧化硅；金屬銅。第09章(03198)下列物質(zhì):CO2、SiO2、MgO、Ca中，熔點(diǎn)最高的是________，熔點(diǎn)最低的是________。解：MgO；CO2。第09章(03199)PH3的熔點(diǎn)比SbH3的熔點(diǎn)________；這是因?yàn)開(kāi)______________________________________。解：低；它們均是分子晶體，而PH3分子間力比SbH3分子間力弱。第09章(03200)單質(zhì)銀晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子為_(kāi)_______和________；粒子間作用力為_(kāi)_______，晶體類型為_(kāi)_______。解：Ag；Ag+；金屬鍵；金屬晶體。第09章(03201)氧化鈣晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子為_(kāi)_______和________；粒子間作用力為_(kāi)_______，晶體類型為_(kāi)_______。解：Ca2+；O2-；離子鍵；離子晶體。第09章(03202)在干冰、H2O、CaO、SiO2等晶體中，其粒子間力只存在范德華力的是________；只有離子鍵的是________。解：干冰；CaO。第09章(03203)NaI、NaBr、NaCl、NaF中熔點(diǎn)最高的是________；SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4中熔點(diǎn)最低的是________。解：NaF；SiF4。第09章(03204)MgO晶體比金屬鎂的延展性________；石墨晶體比金剛石晶體的導(dǎo)電性________；SiO2晶體比SiF4晶體的硬度________；I2晶體比NaI晶體在水中的溶解度________。解：差；好；大；小。第09章(03205)NaI、SiO2、NH3、Ne四種物質(zhì)的晶體類型依次是_______________________________，它們的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)_____________________________。解：離子晶體；原子晶體；分子晶體；分子晶體；SiO2>NaI>NH3>Ne。第09章(03206)NaCl熔化主要克服________作用；單質(zhì)硅熔化主要克服________作用；水銀揮發(fā)主要克服________作用；碘升華主要克服________作用。解：正、負(fù)離子間的靜電作用（或離子鍵）；共價(jià)鍵；金屬鍵；分子間力。第09章(03207)在下列晶體SiF4、SiC、SiO2、CS2、KF、K2O、Ag中，熔化時(shí)需破壞共價(jià)鍵的有_________________________；熔化時(shí)只需克服色散力的有___________________________。解：SiC，SiO2；SiF4，CS2。第09章(03208)在SO3、H2O、CO2、NaCl和SiC的晶體中，只存在共價(jià)鍵的是________________；含有氫鍵的是________________；熔點(diǎn)最高的是________________；熔點(diǎn)最低的是_______________。解：SiC；H2O；SiC2；CO2。第09章(03209)已知石墨為層狀晶體，在同一層中，每個(gè)碳原子采用________雜化方式以共價(jià)鍵相結(jié)合，未雜化的____________軌道之間形成________鍵；層與層之間靠________相互聯(lián)結(jié)在一起。解：sp2；p；大；分子間力。第09章(03210)石墨具有金屬光澤、導(dǎo)電和傳熱性，這與其晶體中具有________有關(guān)；它可以作潤(rùn)滑劑是由于_____________________所致。解：大鍵；層與層之間有較弱的分子間作用力。第09章(03211)有A、B、C、D四種元素，它們的原子序數(shù)依次為14、8、6和42，它們的單質(zhì)屬于分子晶體的是__________；屬于原子晶體的是___________；屬于金屬晶體的是____________；既有原子晶體又有層狀晶體的是__________。解：B；A；D；C。第09章(03212)實(shí)際晶體的結(jié)構(gòu)往往并非完美無(wú)缺，這種情況稱為_(kāi)_______，它對(duì)固體的________造成影響,因而使一些固體具有某些特殊性質(zhì)而成為重要的技術(shù)材料。解：晶體缺陷；化學(xué)性質(zhì)；物理性質(zhì)（只答性質(zhì)也可）。第09章(03213)四種主要晶體類型是什么？各舉一個(gè)實(shí)例。從以下四點(diǎn)對(duì)四種類型的晶體進(jìn)行比較：(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子，(2)晶格結(jié)點(diǎn)上粒子間的結(jié)合力，(3)熔、沸點(diǎn)高低，(4)水溶性。解：解：離子晶體：NaCl；原子晶體：金剛石；分子晶體：干冰。金屬晶體：金屬銅 （4分）(1)離子晶體：正負(fù)離子；原子晶體：原子；分子晶體：分子；金屬晶體：原子或離子。 （6分）(2)離子晶體：離子鍵；原子晶體：共價(jià)鍵；分子晶體：分子間力（氫鍵）；金屬晶體：金屬鍵。 （8分）(3)離子晶體、原子晶體、金屬晶體：高；分子晶體：低。 （9分）(4)原子晶體，金屬晶體：不溶于水（與水反應(yīng)者除外）； 離子晶體、某些分子晶體（極性分子）：溶于水。 （10分）第09章(03214)具有相同電子層結(jié)構(gòu)的單原子離子，陽(yáng)離子的半徑往往小于陰離子的半徑。.（ ）解：對(duì)第09章(03215)離子半徑是離子型化合物中相鄰離子核間距的一半。（ ）解：錯(cuò)第09章(03216)同種元素離子的半徑隨離子電荷代數(shù)值增大而減小。.（ ）解：對(duì)第09章(03217)僅依據(jù)離子晶體中正負(fù)離子半徑的相對(duì)大小即可決定晶體的晶格類型。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03218)NaCl晶體中配位數(shù)比是6：6，因此每個(gè)晶胞中含有6個(gè)Na+和6個(gè)Cl-。（ ）解：錯(cuò)第09章(03219)NaCl晶體是由Na+和Cl-組成的面心立方晶格交錯(cuò)（重疊1/2）排列而成。（）解：對(duì)第09章(03220)CsCl晶體是由Cs+和Cl-的簡(jiǎn)單立方交錯(cuò)（重疊1/8）排列而成。.（ ）解：對(duì)第09章(03221)每個(gè)CsCl晶胞中含有1個(gè)Cs+和1個(gè)Cl-。（ ）解：對(duì)第09章(03222)每個(gè)NaCl晶胞中含有4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-。（ ）解：對(duì)第09章(03223)氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)為.（ ）。(A)四面體；(B)立方體；(C)八面體；(D)單斜體。解：B第09章(03224)下列離子中半徑最大的是.（ ）。(A)Na+；(B)Mg2+；(C)S2-；(D)Cl-。解：C第09章(03225)下列離子中半徑最小的是.（ ）。(A)Ca2+；(B)Sc3+；(C)Ti3+；(D)Ti4+。解：D第09章(03226)離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比不同的最主要原因是（ ）。(A)正、負(fù)離子半徑； (B)正、負(fù)離子的電荷；(C)正、負(fù)離子的電子構(gòu)型； (D)晶格能。解：A第09章(03227)下列離子晶體中，相鄰離子間距離最大的是（ ）。(A)NaF；(B)KI；(C)KCl；(D)NaBr。解：B第09章(03228)下列離子晶體中，正、負(fù)離子的配位數(shù)都是8的是（ ）。(A)NaF；(B)ZnO；(C)CsCl；(D)MgO。解：C第09章(03229)下列離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比為6：6的是（ ）。(A)CsCl；(B)ZnO；(C)NaCl；(D)AgI。解：C第09章(03230)下列離子晶體中，正、負(fù)離子配位數(shù)比為4：4的是（ ）。(A)CsBr；(B)ZnO；(C)NaCl；(D)CsCl。解：B第09章(03231)已知BeO的r+/r-=0.221，CaO的r+/r-=0.707，則MgO的r+/r-應(yīng)為（ ）。(A)0.221<r+/r-<0.707； (B)r+/r-<0.221；(C)r+/r->0.707； (D)r+/r-=0.464。解：A第09章(03232)AB型的離子晶體，正、負(fù)離子配位數(shù)均為4，則正、負(fù)離子的半徑之比r+/r-為.（ ）。(A)0.225～0.414； (B)0.414～0.732；(C)0.732～1.00； (D)大于1.00。解：A第09章(03233)已知RbBr為NaCl型晶體，晶胞邊長(zhǎng)為0.687nm，Br-的離子半徑為0.195nm，則Rb+的離子半徑(nm)為.（ ）。(A)0.149；(B)0.297；(C)0.492；(D)0.172。解：A第09章(03234)已知下列離子晶體中正、負(fù)離子的核間距：AgCl為307pm，AgBr為322pm，KCl為314pm，NaBr為291pm由此可知KBr的正、負(fù)離子核間距為（ ）。(A)306pm；(B)329pm；(C)315pm；(D)330pm。解：B第09章(03235)已知CaF2晶體為面心立方結(jié)構(gòu)，則Ca2+和F-的配位數(shù)分別為（ ）。(A)4和8；(B)12和6；(C)6和12；(D)8和4。解：D第09章(03236)已知下列離子半徑：Tl+(140pm)、Ag+(126pm)、Zn2+(74pm)、Cl-(181pm)、S2-(184pm)，則在下列物質(zhì)中屬于CsCl型離子晶體的是（ ）。(A)AgCl；(B)Ag2S；(C)TlCl；(D)ZnCl2。解：C第09章(03237)已知O2-的離子半徑為140pm，下列化合物的核間距為：MgO(205pm)、

MgCl2(246pm)、KCl(314pm)、KI(349pm)。推算下列離子半徑：Cl-為_(kāi)_______pm，I-為_(kāi)_______pm。解：181；216。第09章(03238)NaCl晶體中Cl-的配位數(shù)為_(kāi)_______；BeO為立方ZnS型結(jié)構(gòu)，則Be2+的配位數(shù)為_(kāi)_______；CsI、CsBr均與CsCl結(jié)構(gòu)相似，則CsI中Cs+的配位數(shù)為_(kāi)_______，CsBr中Br-的配位數(shù)為_(kāi)_______。解：6；4；8；8。第09章(03239)已知下列各離子的半徑為：O2-(140pm)，S2-(184pm)，Be2+(31pm)，Mg2+(65pm)，Ca2+(99pm)，Sr2+(113pm)。試按半徑比規(guī)則推測(cè)：MgO屬________型結(jié)構(gòu)； CaS屬________型結(jié)構(gòu)；SrS屬________型結(jié)構(gòu)； BeO屬________型結(jié)構(gòu)。解：NaCl；NaCl；NaCl；ZnS。第09章(03240)對(duì)ZnS、NaCl、CsCl型離子晶體來(lái)說(shuō)，其正、負(fù)離子半徑比依次分別為_(kāi)_______，________，________；LiCl中Li+與Cl-的半徑比為0.33，它的晶體結(jié)構(gòu)為NaCl型，與半徑比規(guī)則不相符，這是因?yàn)開(kāi)_____________________________________________________。解：0.225～0.414；0.414～0.732；0.732～1.00；實(shí)際上同一離子的半徑在不同晶體中不是確定不變的,有極化的影響。第09章(03241)鈣鈦礦晶胞為立方結(jié)構(gòu)，Ca2+位于立方體頂點(diǎn)，Ti4+位于立方體中心，O2-位于立方體面心。由此可推知在每個(gè)鈣鈦礦晶胞中應(yīng)有________個(gè)Ca2+，________個(gè)Ti4+，________個(gè)

O2-。鈣鈦礦的化學(xué)式為_(kāi)_______________。解：1；1；3；CaTiO3。第09章(03242)一般來(lái)說(shuō)，離子晶體的晶格能越大，該晶體的熱穩(wěn)定性就越低。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03243)離子晶體的晶格能越大，熔點(diǎn)越低。()解：錯(cuò)第09章(03244)對(duì)離子晶體而言，離子半徑變大，將有利于其晶格能變小。（ ）解：對(duì)第09章(03245)玻恩(Born)－哈柏(Haber)循環(huán)是從熱力學(xué)數(shù)據(jù)計(jì)算晶格能的有效方法之一。（ ）解：對(duì)第09章(03246)晶格能是由指定單質(zhì)生成一摩爾（按化學(xué)式計(jì)）的離子化合物所釋放的能量。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03247)離子所帶電荷越多，半徑越小，則離子鍵就可能越強(qiáng)，晶格能也越大。（ ）解：對(duì)第09章(03248)MgO的晶格能約等于NaCl晶格能的4倍。（ ）解：對(duì)第09章(03249)晶格能對(duì)離子晶體的下列性質(zhì)中沒(méi)有影響的是.（ ）。(A)熔點(diǎn)；(B)沸點(diǎn)；(C)顏色；(D)硬度。解：C第09章(03250)下列過(guò)程的△rH在數(shù)值上等于晶格能的是.（ ）。(A)NaBr(s)→Na+(s)+Br2(l)；(B)NaBr(s)→Na(g)+Br(g)；(C)NaBr(s)→Na+(g)+Br-(g)；(D)NaBr(s)→Na(g)+Br2(g)。解：C第09章(03251)利用玻恩－哈伯(Born-Haber)循環(huán)計(jì)算NaF的晶格能時(shí)，下列各種數(shù)據(jù)中不必要的是（ ）。(A)Na的電離能； (B)F的電負(fù)性；(C)NaF的生成熱； (D)Na的升華熱。解：B第09章(03252)下列因素對(duì)離子晶體晶格能產(chǎn)生影響最大的是（ ）。(A)正、負(fù)離子半徑； (B)正、負(fù)離子所帶電荷；(C)晶體類型； (D)正、負(fù)離子的配位數(shù)比。解：B第09章(03253)下列物質(zhì)中熔點(diǎn)最低的是（ ）。(A)NaCl；(B)KBr；(C)KCl；(D)MgO。解：B第09章(03254)MgO在工業(yè)上可用于耐火材料，這主要與下列各種性質(zhì)中有關(guān)的是（ ）。(A)鍵型； (B)晶格能；(C)電負(fù)性；(D)電離能。解：B第09章(03255)下列兩組物質(zhì)：①M(fèi)gO、CaO、SrO、BaO②KF、KCl、KBr、KI每組中熔點(diǎn)最高的分別是（ ）。(A)BaO和KI；(B)CaO和KCl；(C)SrO和KBr；(D)MgO和KF。解：D第09章(03256)比較下列物質(zhì)熔點(diǎn)，其中正確的是.（ ）。(A)MgO>BaO；(B)CO2>CS2；(C)BeCl2>CaCl2；(D)CH4>SiH4。解：A第09章(03257)下列各組物質(zhì)中熔點(diǎn)最低的一組是.（ ）。(A)NaF和SiF4； (B)NaI和SiF4；(C)NaF和SiI4； (D)NaI和SiI4。解：B第09章(03258)反應(yīng)Ca(s)+Cl2(g)→CaCl2(s)能夠自發(fā)進(jìn)行，對(duì)△rH(CaCl2，s)貢獻(xiàn)較大的是（ ）。(A)鈣的電離能較小； (B)氯的電子親合能較大；(C)Ca和Cl的電負(fù)性差較大； (D)CaCl2的晶格能較大。解：D第09章(03259)已知：K(s)K(g)，△rH(1)；K(g)K+(g)+e-，△rH(2)； Cl2(g)Cl(g)，△rH(3)；Cl(g)+e-Cl-(g)，△rH(4)； K(s)+Cl2(g)KCl(s)，△rH(5)。則下列KCl晶格能△rH（標(biāo)準(zhǔn)態(tài)下，破壞1mol離子晶體變?yōu)闅鈶B(tài)正負(fù)離子所需吸收能量）表達(dá)式中正確的是（ ）。(A)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)-△rH(5)；(B)△rH=△rH(5)-△rH(1)-△rH(2)-△rH(3)-△rH(4)；(C)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)-△rH(5)；(D)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)+△rH(5)。解：C第09章(03261)已知標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，Mg(s)的升華熱，O2(g)的解離熱(原子化能），Mg(g)的第一和第二電離能，氧的第一親合能。要用Born-Haber循環(huán)計(jì)算MgO(s)的晶格能，還必須使用的數(shù)據(jù)是.（ ）。(A)MgO(s)的生成熱；(B)O2的鍵能；(C)MgO(s)的生成熱和氧的第二電子親合能；(D)氧的第二親合能和O2的鍵能。解：C第09章(03260)已知：Ba(s)Ba(g)，△rH(1)； Ba(g)Ba2+(g)+2e-，△rH(2)；O2(g)O(g)，△rH(3)； O(g)+2e-O2-(g)，△rH(4)；Ba(s)+O2(g)BaO(s)，△rH(5)。則下列BaO(s)晶格能△rH（標(biāo)準(zhǔn)態(tài)下，破壞1mol離子晶體變?yōu)闅鈶B(tài)正負(fù)離子所需吸收能量）表達(dá)式中正確的是（ ）。(A)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)-△rH(4)-△rH(5)；(B)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)-△rH(5)；(C)△rH=△rH(5)-△rH(1)-△rH(2)-△rH(3)+△rH(4)；(D)△rH=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)-△rH(5)。解：B第09章(03262)下列各組晶體的晶格能大小順序中正確的是.（ ）。(A)CaO>KCl>MgO>NaCl； (B)NaCl>KCl>RbCl>SrO；(C)MgO>RbCl>SrO>BaO； (D)MgO>CaO>NaCl>KCl。解：D第09章(03263)KCl、CaCl2、FeCl2、FeCl3的熔點(diǎn)大小順序正確的是（ ）。(A)CaCl2>FeCl2>FeCl3>KCl； (B)CaCl2>KCl>FeCl2>FeCl3；(C)FeCl3>FeCl2>CaCl2>KCl； (D)FeCl3>FeCl2>KCl>CaCl2。解：B第09章(03264)已知下列各晶體的晶格能(kJ·mol-1)數(shù)據(jù)： NaClKClNaFKF 771701902801則反應(yīng)NaCl(s)+KF(s)→NaF(s)+KCl(s)的△rH為.（ ）。(A)31kJ·mol-1；(B)-31kJ·mol-1；(C)1684kJ·mol-1；(D)-1684kJ·mol-1。解：B第09章(03265)MgO、CaO、SrO、BaO四種氧化物均為NaCl型晶體，其中正離子半徑由小到大的順序?yàn)開(kāi)__________________________，它們的晶格能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_______________________。解：r(Mg2+)<r(Ca2+)<r(Sr2+)<r(Ba2+)；BaO<SrO<CaO<MgO。第09章(03266)AB型離子晶體的晶格能隨離子電荷的_________而________；隨離子半徑的________而________。解：增加（減少）；增大（減小）；減?。ㄔ龃螅?；增大（減小）。第09章(03267)已知Ca2+與Na+的半徑相近，可推知CaO的晶格能比NaCl的晶格能________；CaO的熔點(diǎn)比NaCl的熔點(diǎn)________。解：大；高。第09章(03268)已知MgO、KBr、NaF均為NaCl型晶體，它們?nèi)埸c(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)_______________，這是因?yàn)開(kāi)_____________________________________________________________________________。解：MgO，NaF，KBr；它們的晶格能U由大到小的順序?yàn)镸gO>NaF>KBr。第09章(03269)已知BeO的熔點(diǎn)比LiF的熔點(diǎn)高，這是因?yàn)殡x子電荷Be2+比Li+高，離子半徑r(Be2+)比

r(Li+)________，使BeO的晶格能必然比LiF的________，所以BeO的熔點(diǎn)高于LiF。解：小；大。第09章(03270)試判斷下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)的高低（用“>”或“<”符號(hào)表示）：NaCl________RbCl，CuCl________NaCl，MgO________BaO，NaCl________MgCl2。解：>；<；>；>。第09章(03271)下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)由低到高的順序是：NaCl、MgO、CaO、KCl_____________________________________，MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2_____________________________________。解：KCl<NaCl<CaO<MgO；MgCl2<CaCl2<SrCl2<BaCl2。第09章(03272)由氣態(tài)離子Ca2+、Sr2+和F-分別生成CaF2和SrF2晶體時(shí)，其中生成CaF2晶體放出的能量較________，其熔點(diǎn)較________；而生成SrF2晶體放出的能量較________，熔點(diǎn)則較________。解：多；高；少；低。第09章(03273)一學(xué)生在敘述晶格能概念時(shí)原文如下：晶格能(U)是指在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，破壞離子晶體使之生成氣態(tài)正、負(fù)離子所放出的能量（或由氣態(tài)正、負(fù)離子形成離子晶體時(shí)吸收的能量）。晶格能越大，表示離子晶體越穩(wěn)定。晶格能可通過(guò)實(shí)驗(yàn)直接測(cè)定，或通過(guò)熱化學(xué)循環(huán)法求算，也可通過(guò)理論公式計(jì)算。晶體中離子半徑越大，晶格能也越大，且與晶體構(gòu)型無(wú)關(guān)。試指出該學(xué)生敘述中的錯(cuò)誤并加以改正。解：解：(1)破壞1mol離子晶體（或形成1mol離子晶體）； （2分）(2)吸收的能量（放出的能量）； （4分）(3)尚不能通過(guò)實(shí)驗(yàn)直接測(cè)定； （6分）(4)離子半徑越??；晶格能也越大; （8分）(5)且也與晶體構(gòu)型及離子電荷有關(guān)。 （10分）第09章(03274)已知NaF、MgO、ScN（氮化鈧）的晶體構(gòu)型都是NaCl型，它們正負(fù)離子核間距依次為231pm、210pm、233pm。試估計(jì)它們的熔點(diǎn)和硬度的大小順序，并簡(jiǎn)述理由。解：解： 熔點(diǎn)：ScN>MgO>NaF （2分）硬度：ScN>MgO>NaF （4分）理由：構(gòu)型相同的離子晶體，晶格能與核間距成反比，與離子電荷數(shù)乘積成正比。ScN、MgO、NaF三者核間距較為接近，則晶格能隨離子電荷增大而更多地增大，熔點(diǎn)、硬度也隨之增大。 （10分）第09章(03275)已知KCl(s)、NaCl(s)的晶格能為U(KCl)、U(NaCl)，K、Na的第一電離能為I1(K)、I1(Na)，且已知U(KCl)<U(NaCl)。(1)利用所給物理量符號(hào)列出計(jì)算下列反應(yīng)△rH的表示式： KCl(s)+Na(g)→NaCl(s)+K(g)(2)比較KCl(S)和NaCl(s)的熔點(diǎn)高低；(3)比較I1(K)和I1(Na)的大小。（晶格能U為反應(yīng)AB(s)→A+(g)+B-(g)的焓變)解：解：(1)△rH=U(KCl)-U(NaCl)-I1(K)+I1(Na) （6分）(2)熔點(diǎn)KCl(s)<NaCl(s) （8分）(3)I1(K)<I1(Na) （10分）第09章(03276)已知下列兩類晶體的熔點(diǎn)為：(A)NaF(993℃)，NaCl(801℃)，NaBr(747℃)，NaI(661℃)；(B)SiF4(-90.2℃)，SiCl4(-70℃)，SiBr4(5.4℃)，SiI4(120.5℃)。試回答：(1)為什么鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比硅的鹵化物熔點(diǎn)高？(2)為什么鈉的鹵化物熔點(diǎn)遞變規(guī)律和硅的鹵化物熔點(diǎn)遞變規(guī)律不一致？解：解：(1)鈉的鹵化物為離子晶體，硅的鹵化物為分子晶體，離子晶體熔化需破壞離子鍵，分子晶體熔化只需克服分子間力，前者比后者強(qiáng)，所以鈉的鹵化物熔點(diǎn)高于硅的鹵化物。 （4分）(2)鈉的鹵化物中，從F-到I-，離子半徑遞增，變形性遞增，鍵型和晶體類型逐漸過(guò)渡，使熔點(diǎn)逐漸降低。另外，鹵化鈉同屬NaCl型晶體，離子電荷相等，正負(fù)離子核間距遞增，使晶格能遞減，所以熔點(diǎn)遞減。 （7分）硅的鹵化物為分子晶體，從SiF4到SiI4，色散力遞增，分子間力遞增，使熔點(diǎn)逐漸升高。 （10分）第09章(03277)試由下列數(shù)據(jù)計(jì)算NaF的晶格能 NaCl(s)KF(s)NaF(s)KCl(s)△fH/(kJ·mol-1U/(kJ·mol-1) 788.1802.5?703.5（晶格能指定為反應(yīng)：AB(a)→A+(g)+B-(g)的△rH）解：解：設(shè)反應(yīng): NaCl(s)+KF(s)→NaF(s)+KCl(s) （2分）則△rH=△fH(NaF，s)+△fH(KCl，s)-△fH(NaCl，s)-△fH(KF，s) =[-573.3+(-436.7)-(-411.1)-(-567.3)]kJ·mol-1 =-31.6kJ·mol-1 （6分）△rH=U(NaCl，s)+U(KF，s)-U(NaF，s)-U(KCl，s)所以U(NaF，s)=U(NaCl，s)+U(KF，s)-U(KCl，s)-△rH =[788.1+802.5-703.5+(-31.6)]kJ·mol-1 =918.7kJ·mol-1 （10分）第09章(03278)應(yīng)用下列數(shù)據(jù)，計(jì)算F的電子親合能（單位為kJ·mol-1）△fH(NaF，s)=-573.7kJ·mol-1，F(xiàn)2(g)的解離能D(F2)=158kJ·mol-1，Na(s)的升華熱△sH(Na，s)=108kJ·mol-1Na的第一電離能I1(Na)=495.8kJ·mol-1NaF的晶格能U=918.7kJ·mol-1解：解：Na(s) + F2(g)NaF(s) △sH(Na，s) D(F2) Na(g) F(g) -U I1(Na) △rH Na+(g) + F-(g) （6分）按△fH(NaF)=△sH(Na，s)+I1(Na)+D(F2)+△rH-U(NaF，s)所以△rH×158+918.7)kJ·mol-1 =-338kJ·mol-1即F的電子親合能為338kJ·mol-1（電子親合能取正值） （10分）第09章(03279)已知下列數(shù)據(jù)： K(s)→K(g) △rH(1)=90kJ·mol-1 Cl2(g)→Cl(g) △rH(2)=D(Cl2)=122kJ·mol-1 K(g)-e-→K+(g) △rH(3)=I1(K)=418.9kJ·mol-1 Cl(g)+e-→Cl-(g) △rH(4)=-348.8kJ·mol-1=-EA(Cl) KCl(s)→K+(g)+Cl-(g) △rH(5)=U(KCl，s)=703.5kJ·mol-1應(yīng)用Born-Harber循環(huán)計(jì)算K(s)+Cl2(g)→KCl(s)的△rH，并說(shuō)明反應(yīng)是放熱還是吸熱。解：解： （4分）按△fH(KCl，s)=△rH(1)+D(Cl2)+I1(K)-EA(Cl)-U(KCl，s) =(90+122+418.9-348.8-703.5)kJ·mol-1 =-421.4kJ·mol-1 （8分）焓變?yōu)樨?fù)值，是放熱反應(yīng) （10分） （式中-EA(Cl)用△rH(4)也一樣，因?yàn)檫@里電子親合能EA取正值計(jì)算）第09章(03280)試用Born-Harber循環(huán)計(jì)算MgCl2(s)的晶格能：(1)畫(huà)出Born-Harber循環(huán)圖；(2)指出計(jì)算中需要哪些數(shù)據(jù)，它們的含義是什么？(3)寫(xiě)出計(jì)算晶格能與(2)中指出的各數(shù)據(jù)的關(guān)系式。解：解： （4分）(2)上述Born-Harber循環(huán)中： △rH(1)=△fH(MgCl2，s)； △rH(2)，Mg(s)的升華熱（△sHm(MgCl2，s)）; △rHm(3)，Mg的第一、第二電離能之和(I1+I2)； △rH(4)，Cl2的解離能（D，或Cl2的鍵能E(Cl-Cl)； △rH(5)=2EA（Cl的電子親合能，電子親合能取正值）； U，晶格能（取破壞1mol晶體生成氣態(tài)正負(fù)離子所吸收的能量）。 （8分）(3)U=△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)+△rH(5)-△rH(1) =△sH(MgCl2，s)+I1+I2+D-2EA-△fH(MgCl2，s)（10分）第09章(03281)應(yīng)用下列數(shù)據(jù)，計(jì)算AlF3(s)的晶格能 Al(s)→Al(g) △rH(1)=326kJ·mol-1 Al(g)→Al3++3e- △rH(2)=5139.1kJ·mol-1 2Al(s)+3F2(g)→2AlF3(s) △rH(3)=-3020kJ·mol-1 F2(g)→2F(g) △rH(4)=158.2kJ·mol-1 F(g)+e-→F-(g) △rH(5)=-327.9kJ·mol-1解：解： （4分）因?yàn)?△rH(3)=2△rH(1)+2△rH(2)+3△rH(4)+6△rH(5) +△rH(6)所以 △rH(6)=[-3020-2×326-2×5139.1-3×158.2-6×(-327.9)]kJ·mol-1 =-12457.4kJ·mol-1 （8分） U=-△rH(6)=6228.7kJ·mol-1 （10分） （晶格能按破壞1mol晶體生成氣態(tài)正負(fù)離子所吸收的能量計(jì)）第09章(03283)根據(jù)下列數(shù)據(jù)，計(jì)算氫的電子親合能。 K(s)→K(g) △rH(1)=90kJ·mol-1 K(g)→K+(g)+e- △rH(2)=418.9kJ·mol-1 H2(g)→H(g) △rH(3)=217.5kJ·mol-1 H-(g)+K+(g)→KH(s) △rH(4)=-742kJ·mol-1 H2(g)+K(s)→KH(s) △rH(5)=-57.8kJ·mol-1解：解： （4分）按△rH(5)=△rH(1)+△rH(2)+△rH(3)+△rH(4)+△rH則△rH=[-57.8-90-418.9-217.5-(-742)]kJ·mol-1 =-42.2kJ·mol-1 （8分）即氫的電子親合能為42.2kJ·mol-1（按取正值） （10分） 第09章(03282)根據(jù)下列數(shù)據(jù)，計(jì)算氧原子接受2個(gè)電子變成O2-的總電子親合能，并注明是吸熱還是放熱過(guò)程。 Mg(s)+O2(g)→MgO(s) △rH(1)=-601.7kJ·mol-1 Mg2+(g)+O2-(g)→MgO(s) △rH(2)=-3860kJ·mol-1 Mg(s)→Mg(g) △rH(3)=150kJ·mol-1 Mg2+(g)+2e-→Mg(g) △rH(4)=-2188.4kJ·mol-1 O2(g)→2O(g) △rH(5)=500kJ·mol-1解：解： （4分）按△rH(1)=△rH(2)+△rH(3)+(-△rH(4))+△rH(5)+△rH則△rH=[-601.7-(-3860)-150+(-2188.4)-×500]kJ·mol-1 =669.9kJ·mol-1 （8分）氧原子接受2個(gè)電子變成O2-的總電子親合能為吸熱過(guò)程。（10分） 第09章(03284)單原子陰離子的電子構(gòu)型都與其同周期的相應(yīng)稀有氣體原子的電子構(gòu)型相同。（）解：對(duì)第09章(03285)通常像Ag+、Cd2+、Hg2+等18電子構(gòu)型的離子，其極化力較大，極化率也較大。因此，當(dāng)它們與變形性較強(qiáng)的陰離子構(gòu)成晶體時(shí)，常有明顯的極化作用，而使鍵型、晶型發(fā)生改變。.（ ）解：對(duì)第09章(03286)Ag+為18電子構(gòu)型，極化率和極化力都較大，因此鹵化銀(AgX)中化學(xué)鍵都已過(guò)渡為共價(jià)鍵。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03287)由于離子極化作用，有可能使物質(zhì)的顏色變深。.（ ）解：對(duì)第09章(03288)在金屬與非金屬所生成的化合物中，離子間極化作用強(qiáng)，有可能使其溶解度降低，成為難溶于水的化合物。（ ）解：對(duì)第09章(03289)在NaCl、AgCl、BaCl2、MgCl2中，鍵的離子性程度由高到低的順序是NaCl>BaCl2>MgCl2>AgCl。.（ ）解：對(duì)第09章(03290)在離子極化過(guò)程中，通常正離子的主要作用是.（ ）。(A)使負(fù)離子極化； (B)被負(fù)離子極化；(C)形成正離子時(shí)放熱； (D)正離子形成時(shí)吸收了負(fù)離子形成時(shí)放出的能量。解：A第09章(03291)下列離子極化率最大的是（ ）。(A)K+；(B)Rb+；(C)Br-；(D)I-。解：D第09章(03292)下列各種類型的離子中，極化能力最強(qiáng)的是.（ ）。(A)電荷多半徑大的離子； (B)正電荷多半徑小的離子；(C)電荷少半徑大的離子； (D)電荷少半徑小的離子。解：B第09章(03293)離子極化作用的本質(zhì)是.（ ）。(A)離子的取向作用； (B)正負(fù)離子的靜電作用；(C)弱的化學(xué)鍵作用； (D)范德華力作用。解：B第09章(03294)下列因素與離子的極化作用無(wú)關(guān)的是（ ）。(A)離子半徑； (B)離子電荷；(C)離子的電子構(gòu)型； (D)電離能。解：D第09章(03295)下列離子中極化力最強(qiáng)的是.（ ）。(A)Al3+；(B)Na+；(C)Mg2+；(D)K+。解：A第09章(03301)下列各組離子中極化力由大到小的順序正確的是.（ ）。(A)Si4+>Mg2+>Al3+>Na+； (B)Si4+>Al3+>Mg2+>Na+；(C)Si4+>Na+>Mg2+>Al3+； (D)Na+>Mg2+>Al3+>Si4+。解：B第09章(03296)下列離子中極化力最強(qiáng)的是.（ ）。(A)Mn2+；(B)Fe3+；(C)Ni2+；(D)Cu+。解：B第09章(03297)下列離子中變形性最大的是（ ）。(A)F-；(B)Cl-；(C)Br-；(D)I-。解：D第09章(03298)下列離子中變形性最小的是.（ ）。(A)F-；(B)S2-；(C)O2-；(D)Br-。解：A第09章(03299)對(duì)下列各種類型的正離子來(lái)說(shuō)，在討論離子極化作用時(shí)，應(yīng)考慮正離子變形性的是.（ ）。(A)正離子的半徑較??； (B)正離子的電荷較高；(C)具有8電子構(gòu)型的正離子； (D)具有18電子構(gòu)型的正離子。解：D第09章(03300)下列各組離子中變形性大小順序正確的是（ ）。(A)Cl->Br->I-； (B)Cl->O22->S2-；(C)Pb2+>Fe2+>Cd2+； (D)O22->Mg2+>Al3+。解：D第09章(03305)PbCl2為白色固體，PbI2為黃色固體，這是由于（ ）。(A)Pb2+和Cl-均為無(wú)色，形成的PbCl2為白色；(B)Pb2+為無(wú)色，I-為黃色，形成的PbI2為黃色；(C)PbCl2中離子的極化作用比PbI2的強(qiáng)；(D)PbI2中離子的極化作用比PbCl2的強(qiáng)。解：D第09章(03302)下列離子中極化力和變形性均較大的是.（ ）。(A)Mg2+；(B)Mn2+；(C)Hg2+；(D)Al3+。解：C第09章(03303)下列各種電子構(gòu)型的正離子，其極化力和變形性均較小的是.（ ）。(A)8電子構(gòu)型； (B)9～17電子構(gòu)型；(C)18電子構(gòu)型； (D)18+2電子構(gòu)型。解：A第09章(03304)下列離子中極化力和變形性均較大的是.（ ）。(A)Al3+；(B)Fe2+；(C)Cd2+；(D)Ni2+。解：C第09章(03306)HgCl2為白色固體，HgI2為橙紅色固體，這是由于.（ ）。(A)Hg2+和Cl-均為無(wú)色，形成的HgCl2為白色固體；(B)Hg2+為無(wú)色，I-為有色，形成的HgI2為有色固體；(C)HgCl2中離子的極化作用比HgI2的較強(qiáng)；(D)HgI2中離子的極化作用比HgCl2的較強(qiáng)。解：D第09章(03307)下列物質(zhì)顏色變化可用離子極化來(lái)說(shuō)明之，其中由淺到深的順序正確的是.（ ）。(A)ZnI2，CdI2，HgI2； (B)PbS，PbO，Pb(OH)2；(C)AgCl，Ag2S，Ag2O； (D)Bi2S，Sb2S3，As2S3。解：A第09章(03311)從離子極化觀點(diǎn)考慮，可以判斷下列物質(zhì)熔點(diǎn)的相對(duì)高低：ZnCl2比CaCl2________；FeCl2比FeCl3________；BeO比MgO________；NaCl比CuCl________。解：低；高；低；高。第09章(03308)下列物質(zhì)顏色變化可用離子極化來(lái)說(shuō)明之，其中由淺到深的順序錯(cuò)誤的是.（ ）。(A)AgI，AgBr，AgCl； (B)ZnS，CdS，HgS；(C)PbCl2，PbBr2，PbI2； (D)HgCl2，HgBr2，HgI2。解：A第09章(03309)對(duì)下列各組物質(zhì)在水中的溶解度作比較，其中正確的是.（ ）。(A)CuS>FeS>CaS； (B)CdCl2>ZnCl2>HgCl2；(C)PbI2>PbCl2>PbF2； (D)Ag2O>Ag2S。解：D第09章(03310)指出下列離子的外層電子構(gòu)型的類型：Ba2+________e-；Mn2+________e-；Sn2+________e-；Cd2+________e-。解：2；9～17；18+2；18。第09章(03312)Cu+和Na+的離子半徑相近，推測(cè)CuCl在水中的溶解度比NaCl________；CuBr的熔點(diǎn)比NaBr________。解：?。坏?。第09章(03313)MgCl2、NaCl、SiCl4、AlCl3中離子極化作用由小到大的順序是________________________，熔點(diǎn)由低到高的順序是____________________________。解：NaCl<MgCl2<AlCl3<SiCl4；SiCl4<AlCl3<MgCl2<NaCl。第09章(03314)下列離子：Mg2+、K+、Fe3+、Ca2+的極化力大小順序?yàn)開(kāi)_____________________，它們的氫氧化物脫水由易到難的順序?yàn)開(kāi)______________________________。解：Fe3+>Mg2+>Ca2+>K+；Fe(OH)3>Mg(OH)2>Ca(OH)2>KOH。第09章(03315)預(yù)測(cè)BeCl2的熔點(diǎn)比MgCl2的熔點(diǎn)________，這是因?yàn)锽e2+的離子半徑比Mg2+的離子半徑________，Be2+的極化力比Mg2+的________，從而使BeCl2晶型向________轉(zhuǎn)化更為顯著所致。解：低；小；強(qiáng)；分子晶體。第09章(03316)用離子極化理論推測(cè)AuCl3的熱穩(wěn)定性比AuCl的熱穩(wěn)定性________，PbCl2的熱穩(wěn)定性比PbCl4的熱穩(wěn)定性________。解：差（弱、低）；好（強(qiáng)、高）。第09章(03317)下列離子Rb+、Mn2+、I-、Zn2+、Bi3+、Ag+、Pb2+、S2-、Li+中：屬于8電子構(gòu)型的有________________________________；屬于18電子構(gòu)型的有________________________________；屬于18+2電子構(gòu)型的有________________________________；屬于9～17電子構(gòu)型的有________________________________。解：Rb+、I-、S2-；Ag+、Zn2+；Bi3+、Pb2+；Mn2+。第09章(03318)在離子晶體中，由于離子極化作用可使鍵型由離子鍵向________轉(zhuǎn)化；化合物的晶體類型也會(huì)由離子晶體向________轉(zhuǎn)化；通常表現(xiàn)出使化合物的熔、沸點(diǎn)________；水中溶解度有可能________。解：共價(jià)鍵；分子晶體；降低；減小。第09章(03319)欲比較或說(shuō)明物質(zhì)的下列性質(zhì)，各應(yīng)選用何種物理量或概念？(1)離子化合物的熱穩(wěn)定性；(2)AB型離子晶體的配位數(shù)；(3)KF和KBr的熔點(diǎn)差異；(4)Na+和Cu+極化力的差異；(5)BaS和HgS在水中溶解度的差異。解：解： (1)晶格能 （2分）(2)離子半徑和半徑比規(guī)則 （4分）(3)離子極化或晶格能 （6分）(4)離子的電子層結(jié)構(gòu) （8分）(5)離子極化 （10分）第09章(03320)下列敘述是否正確？如有錯(cuò)誤，試予以改正。(1)晶格能、半徑比規(guī)則都用來(lái)衡量離子鍵的強(qiáng)弱；(2)離子極化的結(jié)果使化學(xué)鍵的鍵長(zhǎng)增長(zhǎng)；(3)具有18電子構(gòu)型的離子極化力和變形性都較強(qiáng)。解：解： (1)錯(cuò)誤，晶格能可以，半徑比規(guī)則不可以； （4分）(2)錯(cuò)誤，鍵長(zhǎng)縮短； （8分）(3)正確。 （10分）第09章(03321)對(duì)于AgI晶體，理論上按r+/r-=0.583，應(yīng)屬于NaCl型結(jié)構(gòu)。實(shí)際研究得知為ZnS型結(jié)構(gòu)。請(qǐng)作簡(jiǎn)要解釋。解：解：AgI中Ag+為18電子構(gòu)型離子，極化力和變形性均較明顯。 （2分）I-的離子半徑較大，變形性較大； （4分）在AgI中，正負(fù)離子相互極化作用較強(qiáng)，導(dǎo)致核間距變短，配位數(shù)由6轉(zhuǎn)變?yōu)?，即由NaCl型轉(zhuǎn)變?yōu)閆nS型結(jié)構(gòu)。 （10分）第09章(03322)金屬晶體中存在可以自由運(yùn)動(dòng)的電子，所以金屬鍵是一種非定域鍵。.（ ）解：對(duì)第09章(03323)在金屬晶體中，可以把金屬原子看成相互接觸的等徑圓球。則相鄰兩個(gè)原子核間距離（可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)定）就是金屬原子半徑。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03324)常溫常壓下，所有金屬單質(zhì)都是金屬晶體。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03325)金屬單質(zhì)的光澤、傳導(dǎo)性、密度、硬度等物理性質(zhì)，都可以用金屬晶體中存在自由電子來(lái)解釋。.（ ）解：錯(cuò)第09章(03326)由于金屬晶體中晶格結(jié)點(diǎn)上的金屬原子或陽(yáng)離子的振動(dòng)會(huì)妨礙自由電子的流動(dòng)，所以金屬也有一定的電阻。隨著溫度的升高，原子或離子的振動(dòng)加劇。所以金屬的電阻一般隨溫度的升高而增大。.（ ）解：對(duì)第09章(03327)金屬晶體中不存在定域的共價(jià)鍵，以致每個(gè)原子周圍配位原子的數(shù)目不受價(jià)電子數(shù)的限制，只要空間許可，就能堆積著較多的原子。.（ ）解：對(duì)第09章(03328)能帶理論實(shí)質(zhì)上是價(jià)鍵理論對(duì)金屬晶體的具體應(yīng)用。（ ）解：錯(cuò)第09章(03336)Ag為面心立方最密堆積結(jié)構(gòu)，它的配位數(shù)為（ ）。(A)4；(B)6；(C)8；(D)12。解：D第09章(03329)能帶理論是分子軌道理論在研究晶體結(jié)構(gòu)中的應(yīng)用。（ ）解：對(duì)第09章(03330)金屬的延展性是由于金屬晶體中存在自由電子，在外力作用下各層的原子或離子發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，破壞了金屬鍵的結(jié)合力所造成的。（