任務6常用的電子器件測試與判斷

任務6常用的電子器件的測試與判斷

6.1半導體的基礎知識

6.2半導體二極管

6.3晶體管

6.4場效應晶體管6.1.1本征半導體1.本征半導體的晶體結構2.本征半導體中的兩種載流子3.本征半導體的熱敏特性和光敏特性4.本征半導體的摻雜特性圖1-1圖1-26.1.1本征半導體1.本征半導體的晶體結構2.本征半導體中的兩種載流子3.本征半導體的熱敏特性和光敏特性4.本征半導體的摻雜特性圖1-1圖1-26.1.2PN結1.PN結的形成2.PN結的導電特性圖1-4PN結的單向導電性6.2半導體二極管

6.2.1二極管的結構和符號圖1-6二極管的結構及符號6.2.2二極管的伏安特性1.二極管的伏安特性曲線2.溫度對二極管特性的影響

圖1-7二極管的伏安特性曲線6.2.3二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流2.最高反向工作電壓6.2.4

特殊二極管介紹

1.穩(wěn)壓二極管

2.發(fā)光二極管3光敏二極管

4.變容二極管5.激光二極管圖1-10光敏二極管的結構和符號6.2.5半導體二極管的應用1.整流2.鉗位3.限幅4.保護元器件6.2.6半導體器件的型號及二極管性能的判別1.半導體器件型號命名方法2.半導體器件手冊的查閱方法3.二極管正、負極和性能的判別圖1.15二極管的測試6.3晶體管

6.3.1晶體管的結構和類型晶體管結構上的特點包括1）基區(qū)很薄且雜質濃度很低。

2）發(fā)射區(qū)遠大于基區(qū)的摻雜濃度。3)集電結面積大于發(fā)射結面積圖1-l6晶體管的結構示意圖及電路符號6.3.2

晶體管的電流放大作用1.晶體管內部載流子的運動2.晶體管各極電流的關系圖1-l6晶體管的結構示意圖及電路符號圖l-18晶體管內部載流子與外部電流6.3.3

晶體管的共發(fā)射極特性曲線1.輸入特性

2輸出特性圖1-19晶體管的輸入特性圖1-20晶體管的輸出特性6.3.4晶體管的主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)2.反向飽和電流3.極限參數(shù)6.3.5溫度對晶體管參數(shù)的影響

1.溫度對發(fā)射結電壓的影響2.溫度對反向飽和電流的影響3.溫度對電流放大系數(shù)β的影響6.3.6選擇晶體管的注意事項（1）從晶體管工作的穩(wěn)定性和安全性考慮，要滿足下面關系（2）在溫度變化較大的場合，盡可能選用硅管。（3）用于放大電路中的放大系數(shù)β不宜太高，

(4)要根據(jù)電路信號的頻率選擇好低頻率或高頻率6.3.7晶體管的識別與檢查1.判別晶體管的管型及管腳2.晶體管各極電流的關系2.晶體管的代換方法圖1-l6晶體管的結構示意圖及電路符號6.4場效應晶體管

6.4.1場效應晶體管的特點與分類

1.場效應晶體管的特點2.場效應晶體管的分類3.場效應晶體管的作用6.4場效應晶體管

6.4.2結型場效應晶體管

1.結型場效應晶體管的結構與圖形符號2.結型場效應晶體管的工作原理3結型場效應晶體管的特性曲線圖1-25圖1-266.4場效應晶體管

6.4.3絕緣柵型場效應晶體管1.N溝道增強型MOS管的結構與工作原理2.N溝道耗盡型MOS管的結構與工作原理3結型場效應晶體管的特性曲線圖1-29增強型MOS管的結構及其圖形符號圖1-29增強型MOS管的結構及其圖形符號圖1-29增強型MOS管的結構及其圖形符號6.4場效應晶體管

6.4.4

場效應晶體管的主要參數(shù)及注意事項

1.主要參數(shù)2.注意事項圖1-36場效應晶體管管腳排列圖6.4場效應晶體管

6.4.4

場效應晶體管的主要參數(shù)及注意事項

1.主要參數(shù)2.注意事項圖1-36場效應晶體管管腳排列圖6.4場效應晶體管

6.4.5場效應晶體管的識別與檢測

1.結型場效應晶體管的識別與檢測（1）管腳識別場效應晶體管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。（2）放大能力估測2.MOS管的識別與檢測圖1-36場效應晶體管管腳排列圖6.4場效應晶體管

6.4.6

場效應晶體管與晶體管的比較

1.4.6

場效應晶體管與晶體管的比較場效應晶體管與晶體管的比較如下：1）場效應晶體管是電壓控制器件，而晶體管是電流控制器件。2)場效應晶