
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
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晶體管元件認(rèn)識(shí)及測(cè)量2、用數(shù)字萬用表鑒別晶體三極管(1)晶體管的管腳和類型的識(shí)別:①先判斷基級(jí)②判別類型③集電極和發(fā)射極的判斷(2)晶體管性能好壞的檢查eeecbcbbbecNPNcPNP90153DD01B3AX31B2763LM324CD4100Ib(μA)OVBE(V)0.220VCE=0V0.40.6VCE≥1V4080603、運(yùn)用晶體管特性曲線求參數(shù)
(1)晶體二極管正反向V-I特性A、正向特性B、反向特性C、反向擊穿特性vDovziDvBR(2)晶體三極管輸入特性曲線硅管輸入特性曲線Ib(μA)OVBE(V)0.0520VCE=0V0.100.15VCE≥1V4080600.20鍺管輸入特性曲線QIC(mA)VCE(V)OUCE(V)ΔIBΔIC(3)晶體三極管輸出特性曲線A、工作區(qū)域飽和區(qū):VCE小到一定程度,而是放大區(qū):截止區(qū):IB=0而IC≠0
過損耗區(qū):不大于其中如何一項(xiàng)安全工作區(qū):小于其中如何一項(xiàng)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)IC(mA)VCEOOUCE(V)過損耗區(qū)安全工作區(qū)B、主要參數(shù)電流放大系數(shù):集電極-基極反向飽和電流(發(fā)射極開路)集電極-發(fā)射極反向飽和電流(基極開路)集電極最大允許電流集電極最大允許功率損耗反向擊穿電壓(集電極開路)(發(fā)射極開路)(基極開路)uAICEOuAICBOIBICV(BR)EBOV(BR)CBOV(BR)CEOICEO=常數(shù)OVBE(V)102030243561ICE(mA)7060508040VCEO=常數(shù)ICEO、VCEO特性曲線4、三極管輸出特性曲線及其逐點(diǎn)測(cè)量法示意圖AAvvRBECRCEBOICIB0IB1IB2IB3UCEO5、三極管特性圖示儀組成方框圖tIbY軸放大器RC功耗限制電阻RB集電極掃描信號(hào)RF取樣電阻階梯波信號(hào)X軸放大器OtUS示波管UCEOICUCOIbteUR(Ic)bRLcUsaOtUSIb1Ib2Ib0Ib36、圖示法測(cè)三極管輸出特性基本原理OICIb0Ib1Ib2Ib3t3t2t1tIbt47、XJ4810型半導(dǎo)體管特性圖示儀
輔助聚焦X軸選擇Y軸選擇聚焦電源指示亮度電源開關(guān)顯示開關(guān)Y軸位移X軸選擇電容平衡輔助電容平衡功耗電阻選擇掃描電壓范圍保險(xiǎn)絲掃描電壓%極性選擇極性調(diào)零級(jí)/簇單簇按開關(guān)串聯(lián)電阻開關(guān)階梯信號(hào)選擇測(cè)試選擇重復(fù)/關(guān)開關(guān)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、用萬用表鑒別晶體三極管的性能(1)先判斷晶體管的基極;(2)判斷晶體管的集電極;(3)判斷晶體管的類型;(4)利用數(shù)字萬用表測(cè)晶體管hfe值。將實(shí)驗(yàn)結(jié)果記錄于下列表中.晶體管型號(hào)類型判斷管腳判斷晶體管hfe值901490152、用XJ4810型晶體管特性圖示儀測(cè)量晶體管的特性曲線與參數(shù)(1)測(cè)穩(wěn)壓管2CW4正反向伏安特性,在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線,并記錄穩(wěn)定電壓VZ。(2)晶體三極管輸出特性測(cè)量①測(cè)出9014共發(fā)射極連接的輸出特性曲線族,并用方格紙記下曲線分別估算線性區(qū)的β值。②分別求出當(dāng)VCE=3V時(shí),IC=5mA情況下管子的β值。(3)晶體三極管輸入特性測(cè)量①測(cè)出3AX31和9014兩管共發(fā)射極連接的輸入特性曲線,在方格紙上記下圖示儀所顯示的特性曲線族。②從輸入特性曲線上求取IB=20uA時(shí),9014、3AX31的VBE值。(4)晶體三極管反向擊穿電壓V(BR)CEO的測(cè)量測(cè)出3AX31和9014兩管(取ICEO=2mA)的V(BR)CEO將擊穿曲線記錄于方格紙上,并求取V(BR)
CEO的值。(5)晶體管穿透電流的測(cè)量(VCEO=10V)測(cè)出3AX31的ICEO曲線,用方格紙記錄圖示儀的ICEO曲線。3AX81(PNP)半導(dǎo)體管測(cè)試條件輸出特性輸入特性ICEO(基極開路)BVCBO(基極開路)峰值電壓范圍0~10V0-100V極性正(-)功耗電阻250Ω-2KΩX軸VCE:1V/度VBE0.05V/度VCE:10V/度Y軸IC:1mA/度基極電流IC:10μA/度階梯信號(hào)重復(fù)極性正(-)階梯選擇10μA/級(jí)注意事項(xiàng)1、注意晶體管引腳。2、集電極掃描電壓不能加的太高,一般小功率管在幾十伏。以免擊穿晶體管。3、基極電流不能太大,一般小功率管在微安級(jí)。4、注意晶體三極管導(dǎo)電類型實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求1、整理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),畫出被測(cè)各類特性曲線(共7條曲線)。2、從實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析鍺、硅管的不同點(diǎn)。評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)整齊度,規(guī)范化5+10分用數(shù)字萬用表測(cè)判別管腳,10分穩(wěn)壓管曲線及穩(wěn)壓值,15分9013輸出特性曲線及β
,15分3AX81、9013輸入特性曲線及VBEO,15分9013V(BR)CEO
,5分3AX81ICEO,
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