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PDIC用光偵測(cè)器之量測(cè)與模擬研究生：馬大鈞指導(dǎo)教授：林浩雄博士Photodetector(PD)簡(jiǎn)介GraduateInstituteofElectronicsEngineeringNTUMBELab.N-SiDepletionRegionP-SiSiO2Anode(+)Cathode(-)Lightinjection1.接收光訊號(hào)轉(zhuǎn)為電訊號(hào)輸出2.對(duì)焦之判斷模擬表面復(fù)合速率對(duì)反應(yīng)度頻譜之影響PN接面空乏區(qū)位置(N-Si厚度)對(duì)反應(yīng)度頻譜之影響光偵測(cè)器表面之SiO2對(duì)反應(yīng)度頻譜之影響少數(shù)載子擴(kuò)散長(zhǎng)度對(duì)反應(yīng)度頻譜之影響GraduateInstituteofElectronicsEngineeringNTUMBELab.反應(yīng)度値量測(cè)系統(tǒng)

反應(yīng)度量測(cè)GraduateInstituteofElectronicsEngineeringNTUMBELab.

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