GaNLED芯片工藝簡介

GaNLED芯片工藝簡介2015-09-18LED白光LED的前程LED芯片的實物照片LED發(fā)光管是怎樣練成的襯底材料生長或購買襯底LED結(jié)構(gòu)MOCVD生長芯片加工芯片切割器件封裝Sapphire藍(lán)寶石2-inch襯底片

氮化物L(fēng)ED發(fā)光管的器件結(jié)構(gòu)及發(fā)光機理electrons電子空穴復(fù)合發(fā)光P歐姆接觸N歐姆接觸藍(lán)寶石或碳化硅MOCVD外延藍(lán)寶石緩沖層N-GaNp-GaNMQWMOCVD機臺第一步清洗有機物金屬離子第二步n區(qū)光刻

爆光機刻蝕Cl2+Bcl3+ArPlasmalabSystem133去膠3#液p電極蒸發(fā)蒸發(fā)機臺P電極光刻P電極腐蝕KI+I2去膠丙酮+酒精P電極合金O2合金爐N電極光刻N電極蒸發(fā)N剝離N退火N2P壓焊點光刻P壓焊點蒸發(fā)P壓焊點剝離鈍化層沉積氣體，功率PECVD機臺鈍化層光刻鈍化層刻蝕鈍化層去膠丙酮中道終測檢驗LED芯片制作LED芯片制作---LASER/裂片LASER/裂片生產(chǎn)流程:減薄劃片LED芯片制作LED芯片制作---LASER/裂片LASER/裂片目的：將２寸的Ｗafer通過高溫劃片，再用裂片機進行剁成若干個所要的小chip.裂片擴膜劃片,裂片工作流程圖劃片前晶片背面劃片后背面劃片后,側(cè)視圖裂片后,側(cè)視圖擴膜后,正視圖測試分檢測試機LED芯片制作LED芯片制作---分選分選目的:根據(jù)型號規(guī)格要求把同一Wafer上相同型號規(guī)格的晶片分到同一BIN上．分選的流程１．通過網(wǎng)絡(luò)讀出分類好的Mapping圖２．核對Mapping圖３.通過做晶粒教導(dǎo)，INK點設(shè)定、自動對位等步驟，設(shè)置工藝參數(shù)，（比如設(shè)定雙胞胎、電極刮傷、發(fā)光區(qū)沾污的合理的分?jǐn)?shù)值），然后就可以正常的進行分選。

LED:What’sinside?electrodessemiconductorchipepoxydomebondwires“silvercup”reflectorDesignGrowthProcessingPackaging

CharacterizationApackagedLEDDifferentpartsofanLEDProcessflow:交通燈全彩顯示Photometryisjustlikeradiometryexceptthateverythingisweightedbythespectralresponseoftheeye光學(xué)知識Solidangle:sr=2(1-cos(θ/2))立體角:如何理解光通量(Lumen)和發(fā)光強度(Mcd)470nmLED:3000mcd(20mA)P*62.139(lm