制絨段常見不良及常規(guī)解決方法課件

制絨段常見異常及常規(guī)解決方法制絨不良樹狀結(jié)構(gòu)圖片源異常及解決方法1、指紋及劃痕指紋片源于：硅片廠家在硅片清洗過程時進(jìn)行裸手插片，或者插片時所穿戴的手套不能滿足隔汗要求（自身來料檢有時也會引入）；劃痕源于：硅片廠家在插片過程的摩擦，同時也來源于硅片廠家的硅片檢驗以及我們公司自身的來料檢驗。指紋區(qū)劃傷區(qū)表現(xiàn)形式：指紋或劃傷經(jīng)制絨后均清晰顯現(xiàn)，制絨后，指紋或劃傷區(qū)的顏色較正常區(qū)域淺，從而顯得該區(qū)域略顯發(fā)白；解決方法：指紋與劃傷在制絨良好時，均不會導(dǎo)致B2片產(chǎn)生，對B1片貢獻(xiàn)也相對較小。在上述問題產(chǎn)生時，可維持正常生產(chǎn)時，同時，收集好指紋及劃傷片的實例照片，并進(jìn)行指紋及劃傷片數(shù)目大致匯總。片源異常及解決方法2、脫膠不良脫膠不良產(chǎn)生原因：硅片廠家在進(jìn)行硅片脫膠處理時，硅片粘棒一側(cè)的粘膠（一般為AB膠）沒有去除完全，未去除完全的膠帶在后續(xù)清洗過程中部分溶解并附于硅片表面。脫膠不良的表現(xiàn)形式：脫膠不良的硅片經(jīng)制絨后，在硅片有機物殘留區(qū)，硅片出絨不全或出絨較小導(dǎo)致該區(qū)域較其他區(qū)域發(fā)白。脫膠不良產(chǎn)生時，位置固定且一般整體連續(xù)出現(xiàn)。片源異常及解決方法脫膠不良解決方法：脫膠不良在輕微時，脫膠不良區(qū)域硅片仍可正常出絨，但其絨面相對較小而較其余區(qū)域顏色淺而顯發(fā)白，僅對B1類有所貢獻(xiàn)，不會造成B2片。對該情況，可維持正常生產(chǎn)，同時，做好不良硅片數(shù)目的大致統(tǒng)計及實例照片的拍攝。脫膠不良在嚴(yán)重時，脫膠不良區(qū)將難以出絨而導(dǎo)致該區(qū)域明顯發(fā)白。此時，脫膠不良將對B2片產(chǎn)生貢獻(xiàn)。對該種情況，對制絨后的硅片可按正常返工工藝進(jìn)行返工處理；對后續(xù)待制絨硅片，可以通過適當(dāng)增加氫氧化鈉濃度的方式來加快硅片的腐蝕速率，從而減小脫膠不良帶來的負(fù)面影響。對該情況，也同樣需要做好不良硅片數(shù)目的大致統(tǒng)計及實例照片的拍攝。歷史黑名單：脫膠不良出現(xiàn)概率極低，但仍需保持警惕，已發(fā)生過脫膠不良的廠家有兩家：LDK（125M），比例較高，KMDK（156M），比例較小。片源異常及解決方法3、切割后未及時清洗，清洗劑殘留（清洗不良，硅片表面油污未得以完全去除）硅片切割后未及時清洗（圖1）；清洗劑殘留（或清洗過程未徹底去除硅片表面油污）（圖2、3）片源異常及解決方法4、線痕

線痕片大幅存在，線痕片存在的隱患為：深線痕可能導(dǎo)致更高碎片率，多線線痕可能影響外觀并對效率有輕微影響。

線痕表現(xiàn)形式：線痕可從外觀直接看出，一般為一根或數(shù)根直且細(xì)的溝壑（缺照片）。對單晶而言，線痕分為單線線痕及多線線痕，單線線痕一般因切割斷線引起，多線線痕一般為切割漿料異常引起（如回收液的大量使用）。對多晶而言，線痕除上述單線線痕及多線線痕外，還存在一種與單線線痕類似的硬點線痕，硬點線痕產(chǎn)生的方式為多晶鑄錠過程，涂層破損或其他因素引起碳原子擴散進(jìn)入硅熔體而形成局部碳化硅雜質(zhì)，碳化硅的存在導(dǎo)致硅片切割時產(chǎn)生斷線，引起硬點線痕。

對于線痕片，其引起的影響相對較小，但由于其更屬于隱性干擾，難以估量。因此，在制絨段發(fā)現(xiàn)線痕片時，除非有質(zhì)量部門的明確標(biāo)識：線痕片，讓步接收，才可正常進(jìn)行統(tǒng)一生產(chǎn)。否則，在有線痕片存在時，一律先擱置一邊，待得到采購、質(zhì)量確認(rèn)后，才統(tǒng)一進(jìn)行正常生產(chǎn)。黑名單：當(dāng)前因各廠家自身控制以及我們采購、質(zhì)量的嚴(yán)格把關(guān)，線痕片出現(xiàn)極少。

設(shè)備異常及解決辦法設(shè)備引起的制絨異常主要有如下幾個特征：1、獨立性。由于設(shè)備的損壞，尤其是制絨設(shè)備的損壞，并不會同時產(chǎn)生，因此，因設(shè)備引起的異常往往僅表現(xiàn)為某一個槽或某一條線；2、異常硅片的規(guī)律性。設(shè)備異常，如鼓泡管堵塞，加熱器損壞，其制絨出來的硅片往往呈現(xiàn)一致的特征，并且在位置方面也有規(guī)律性。根據(jù)以上兩條，可以將制絨異常懷疑點引致設(shè)備方面。設(shè)備異常及解決辦法鼓泡管堵塞引起制絨異常：一廠因鼓泡管堵塞引起的制絨異常（發(fā)生時段：2009年5月）工藝異常及常規(guī)解決辦法盡管存在片源異常、設(shè)備異常等因素干擾，但工藝本身才是制絨段異常的最主要因素。工藝異常可由預(yù)清洗及制絨共同引起：預(yù)清洗：預(yù)清洗引起的異常主要包括如下幾個方面：1、制絨后硅片未及時清洗，硅片自然風(fēng)干引起表面出絨不均；2、預(yù)清洗酒精使用時間過長，硅片表面有機物殘留；3、初拋槽中IPA不足引起硅片跳動，消泡不良引起局部掛堿；4、初拋后漂洗槽溫度過低引起掛堿印殘留；4、初拋后漂洗槽IPA不足引起硅片發(fā)生跳動。

制絨異常：制絨異?？芍苯託w總于工藝條件的偏離或與所生產(chǎn)硅片的匹配性存在較大差異。因制絨條件偏離或與待制絨硅片匹配性差異，制絨后的硅片表面將產(chǎn)生一系列不良，主要包括局部發(fā)亮、整體發(fā)亮、整體發(fā)白、邊角發(fā)白、大面積水紋印、表面白點、小雨點等。工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：1、酒精使用時間過長導(dǎo)致硅片制絨后局部白斑：該案例發(fā)生在剛引入酒精進(jìn)行預(yù)清洗的驗證階段。當(dāng)酒精清洗時間過長，在硅片與花籃接觸區(qū)域，硅片的清潔將難以保證。因該處殘余油污的存在，硅片經(jīng)制絨后，在硅片與花籃接觸處會形成月牙狀發(fā)白。如下圖所示：

判定方法：因酒精清洗不良引起的月牙狀白斑與片源臟污引起的白斑并不相同。因片源自身引起的白斑一般表現(xiàn)為發(fā)白嚴(yán)重，并且區(qū)域較大，位置固定性較差。因酒精清洗異常引起的白斑主要集中在齒位附近，并且相對輕微。解決方法：因酒精清洗異常引起清洗不良而導(dǎo)致的制絨月牙狀白斑，輕微的形成B1片，嚴(yán)重的則產(chǎn)生B2片。因此，在出現(xiàn)上述問題時，需及時對酒精清洗槽進(jìn)行換液處理。排凈廢液，并洗槽后，再次配入新液。已完成驗證：正常24小時內(nèi)未發(fā)現(xiàn)異常。酒精清洗不良引起的制絨后月牙狀白斑工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：2、在初拋槽（2#槽）或初拋后漂洗槽（3#槽）發(fā)生跳片：表現(xiàn)方式：硅片在預(yù)清洗過程中發(fā)生跳片一般都因IPA不足，導(dǎo)致清洗過程不能有效消泡而使硅片跳動。跳片后果：硅片發(fā)生跳動除引起碎片外，即便未破碎的硅片也將因硅片間的相互接觸而導(dǎo)致表面清洗不良，進(jìn)而引起制絨表面出絨不均而產(chǎn)生明顯色差。解決方法：硅片跳動主要因IPA不足引起，當(dāng)硅片在有跳片預(yù)兆時，就應(yīng)及時往相應(yīng)槽體一定量IPA（2#或3#槽），一般以2L為單位。對于已發(fā)生較嚴(yán)重跳片的情形，盡量將硅片提至請水槽，并對硅片進(jìn)行相應(yīng)處理（漂洗，硅片分離重新插入花籃等）。工藝異常及常規(guī)解決辦法預(yù)清洗異常及解決辦法：4、硅片預(yù)清洗過程掛堿或清洗工藝不匹配導(dǎo)致硅片表面臟污未能去除：掛堿：掛堿僅在初拋預(yù)清洗工藝中出現(xiàn)，產(chǎn)生原因有二：1、初拋液中IPA不足，或者初拋液使用至后期，初拋液中硅酸鈉含量大幅升高導(dǎo)致溶液粘度增大；2、初拋后的漂洗槽（3#）溫度過低，硅片清洗后的表面殘留物未完全去除。掛堿現(xiàn)象：初拋掛堿，將導(dǎo)致硅片經(jīng)制絨后表面有較明顯的掛堿印記，如下圖所示：掛堿印的危害：掛堿印的存在會導(dǎo)致B1甚至B2類不良片的出現(xiàn)。掛堿印的解決：1、首先觀察各槽溫度是否均在工藝控制范圍內(nèi)；2、在各槽實際溫度均在控制范圍內(nèi)的前提下，對2#初拋槽及3#漂洗槽內(nèi)各補入2LIPA，完成IPA補加后，對后續(xù)清洗第一籃硅片進(jìn)行跟蹤觀察，查看問題是否得到解決；3、若上述調(diào)整無效，對初拋預(yù)清洗段進(jìn)行換液處理。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：1、小雨點小雨點因制絨過程IPA不足引起，IPA不足除引起小雨點外，也使跳片的概率上升，因此，需予以及時解決。制絨小雨點制絨小雨點表現(xiàn)形式：硅片表面分布有很細(xì)小白點，并且小白點形狀呈現(xiàn)為從上而下逐漸變大，與雨點形狀相似，故稱為小雨點。小雨點產(chǎn)生原因為IPA不足導(dǎo)致的消泡不良，根據(jù)消泡不良程度，表面小雨點含量發(fā)生相應(yīng)改變。解決方法：小雨點一般不會導(dǎo)致B2片，輕微的連B1片也不會產(chǎn)生，因此，對于已產(chǎn)生的小雨點片可以正常釋放。對產(chǎn)生小雨點的制絨液進(jìn)行下一籃生產(chǎn)時，IPA的補加需較正常工藝多0.5L。完成該調(diào)整后，若后續(xù)制絨良好，即可恢復(fù)正常連續(xù)生產(chǎn)。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：2、花籃印產(chǎn)生花籃印的原因有兩種，一為花籃本身潔凈度問題；二為制絨工藝有偏差，硅片花籃接觸區(qū)制絨差異顯示，產(chǎn)生花籃印?；ɑ@印示意圖花籃?。夯ɑ@印既可為一兩個齒位，也為全部六個齒位?；ɑ@印的存在會造成B1片，對已制絨的片子可正常釋放，并做不良統(tǒng)計?；ɑ@自身引起的花籃印一般出現(xiàn)在新花籃，以及舊花籃很長一段時間閑置未用。因花籃自身引起的花籃印，硅片的絨面一般均良好。對該情形，需按花籃清洗工藝進(jìn)行花籃清洗，清洗完后先做小批量驗證，驗證合格即可正常生產(chǎn)。因制絨不良導(dǎo)致的花籃印，硅片表面除花籃印外，伴有其他異常，需根據(jù)其他相應(yīng)異常進(jìn)行工藝調(diào)整。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：3、發(fā)亮（發(fā)亮分大面積發(fā)亮及局部發(fā)亮）局部發(fā)亮：局部發(fā)亮硅片局部發(fā)亮：在制絨正常時，硅片局部發(fā)亮一般因硅片去重偏小引起（進(jìn)行該方面判斷時，可結(jié)合硅片制絨去重數(shù)據(jù)）。當(dāng)出現(xiàn)硅片局部發(fā)亮?xí)r，輕微時將產(chǎn)生B1片，嚴(yán)重時將產(chǎn)生B2片。解決方法：1、當(dāng)硅片局部發(fā)亮嚴(yán)重，且硅片去重相對較小時，按正常返工工藝進(jìn)行返工處理，返工后去重偏大，做好超薄標(biāo)識，并在PE后暫停；2、當(dāng)硅片局部發(fā)亮主要發(fā)生在多籃制絨后，如大于5籃，直接換液進(jìn)行再生產(chǎn)；3、當(dāng)硅片制絨連續(xù)發(fā)亮，申請停線，或申請工程調(diào)試。調(diào)試主旨：適當(dāng)增加硅片制絨去重。增加氫氧化鈉濃度，或者適當(dāng)降低IPA濃度。工藝異常及常規(guī)解決辦法制絨異常及解決辦法：4、發(fā)白：硅片制絨發(fā)白一般因硅片腐蝕不足引起（需注意發(fā)白片與白斑片的區(qū)別，發(fā)白片顏色較白斑片淺，在金相顯微鏡下，白斑片幾乎不出絨，發(fā)白片會有連續(xù)性較差的絨面。發(fā)白片一般為正面發(fā)白或邊角發(fā)白，白斑則區(qū)域地分布于硅片內(nèi)）。整體發(fā)白片發(fā)白片：發(fā)白片為制絨不足引起，因不同硅片廠家表面狀況略有不同，同一配比下，某些廠家硅片會出現(xiàn)整體或者邊角發(fā)白。發(fā)白片一般均會造成B2片。因此，對于發(fā)白片，一般均需采用返工工藝進(jìn)行返工處理。調(diào)試方法：發(fā)白（整體或邊角）主要為腐蝕不足引起，調(diào)試主旨為加快硅片腐蝕速率，增加硅片腐蝕量。具體做法為：1、逐步增加初配液中氫氧化鈉濃度，在制絨過程中可通過增加過程補加實現(xiàn)；2、適當(dāng)提高制絨溫度。工藝異常及常規(guī)解決辦法5、水紋?。核y印主要發(fā)生在156M上，在125M上出現(xiàn)比例極少。當(dāng)前產(chǎn)生機理尚未完全查明，在繼續(xù)查證中。水紋印水紋?。核y印主要出現(xiàn)在156M硅片上，且在多籃后更易產(chǎn)生。通過IPA調(diào)整實驗，增加IPA，水紋印將由大面積變?yōu)樾∶娣e，但水紋印仍然會繼續(xù)存在。解決方法：水紋印一般不會造成B類片，但在水紋嚴(yán)重的情況下仍可能造成B1類色差片，因此需要注意跟蹤觀察。在水紋產(chǎn)生的情況下，可通過適當(dāng)多增加點IPA予以緩解。多晶制絨異常常規(guī)解決

當(dāng)前多晶制絨尚處于起步階段，制絨水平整體不高。既有能力下，制絨段默認(rèn)的不良主要分為如下三種：1、制絨去重偏大或去重偏小；2、制絨后表面產(chǎn)生較嚴(yán)重暗紋；3、過程酸液泄露導(dǎo)致硅片表面局部未出絨或出絨不完全。多晶制絨異常常規(guī)解決1、制絨去重偏大或偏小異常解決多晶制絨SPC控制限為0.45-0.70g（規(guī)格限為0.45-0.90g），當(dāng)硅片制絨去重小于0.45g或者去重大于0.70g，默認(rèn)為制絨去重異常。

去重偏小：硅片制絨去重小于0.45g。硅片制絨去重偏小可能造成的危害為：硅片經(jīng)制絨處理，硅片表面損傷去除未完全，導(dǎo)致加工制得的電池片低效。解決方法：當(dāng)硅片制絨去重小于0.45但大于等于0.40g時，超級釋放該批硅片，同時對該批硅片不需做任何特殊處理，同時要求制絨段操作員工適當(dāng)增加制絨時間，一般以20sec為單位進(jìn)行。當(dāng)硅片制絨去重小于0.40g，進(jìn)行制絨返工，返工時間為120sec。去重偏大：硅片制絨去重大于0.70g。硅片制絨去重偏大可能造成的危害為：硅片變薄，導(dǎo)致硅片經(jīng)后續(xù)加工，硅片碎片率較正常硅片增加。解決方法：硅片制絨去重偏大一般均發(fā)生在制絨初配液后前幾籃。對于硅片制絨去重偏大的解決一般僅通過調(diào)整制絨時間就可以。調(diào)整方法為：根據(jù)制絨實際去重，適當(dāng)降低制絨時間，一般以20sec為單位進(jìn)行。對于已完成制絨的硅片，當(dāng)制絨去重小于等于1.1g，均可進(jìn)行直接釋放處理。多晶制絨異常常規(guī)解決2、制絨后