擴散前的表面處理課件

硅片擴散前的表面準備

SUNTECHPOWERCO.,LTD.）

2003年7月目錄化學清洗用主要設備的操作規(guī)程（清洗機，甩干機）

概述化學腐蝕液的配制工藝過程和工藝條件（操作示范）各化學清洗液的濃度檢測，調(diào)整注意事項概述形成起伏不平的絨面，增加硅片對太陽光的吸收去除硅片表面的機械損傷層清除表面油污和金屬雜質(zhì)硅片表面處理的目的：概述：硅片表面的機械損傷層（二）多線切割概述：硅片表面的機械損傷層

（三）機械損傷層硅片機械損傷層（10微米）概述：金屬雜質(zhì)對電池性能的影響化學腐蝕液的配制多晶硅片的清洗腐蝕九槽清洗機123456789溶液組成300克/升NaOH80℃純水純水純水40克/升HF純水65克/升HCl純水純水噴淋作用清除表面油污,去除機械損傷層清洗硅片表面殘留NaOH清除硅片表面殘留Na2SiO3和SiO2層清洗硅片表面殘留HF清除硅片表面金屬雜質(zhì)清洗硅片表面殘留HCl充分潔凈硅片表面注：純水是電阻率為18MΩ·cm的去離子水化學腐蝕液的配制單晶硅片的清洗和制絨九槽清洗機超聲波清洗單晶硅片的表面油污比較嚴重，需要在60℃清洗劑的水溶液中，利用超聲波震蕩清洗15分鐘。123456789溶液組成100克/升NaOH80℃純水20克/升NaOH&酒精80℃純水40克/升HF純水65克/升HCl純水純水噴淋作用清除表面油污,去除機械損傷層清洗硅片表面殘留NaOH在硅片表面形成類“金字塔“狀絨面清洗硅片表面殘留制絨液清除硅片表面殘留Na2SiO3和SiO2層清洗硅片表面殘留HF清除硅片表面金屬雜質(zhì)清洗硅片表面殘留HCl充分潔凈硅片表面化學腐蝕的原理

熱的NaOH溶液去除硅片表面機械損傷層：

HF去除硅片表面氧化層：

HCl去除硅片表面金屬雜質(zhì)：

鹽酸具有酸和絡合劑的雙重作用，氯離子能與Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd

2+、Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡合物。

清洗液濃度的檢測與調(diào)整滴定管的使用以及滴定技術滴定管是滴定時準確測量溶液體積的容器，分酸式和堿式兩種。酸式滴定管的下部帶有磨口玻璃活塞，用于裝酸性、氧化性、稀鹽類溶液；堿式滴定管的下端用橡皮管連接一個帶尖嘴的小玻璃管，橡皮管內(nèi)有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。清洗液濃度的檢測與調(diào)整（一）氫氧化鈉（NaOH）濃度的檢測NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH

：MHCl×VHCl其中MHCl已知，VNaOH=10毫升，VHCl通過測量可知，則未知的氫氧化鈉溶液濃度MNaOH可以由計算得到。MNaOH=0.11×MHCl×VHCl（克/升）清洗液濃度的檢測與調(diào)整（二）鹽酸（HCl）濃度的檢測NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH

：MHCl×VHCl其中MNaOH已知為80克/升，VHCl=10毫升，VNaOH通過測量可知，則未知的鹽酸溶液濃度MHCl可以由計算得到。M

HCl

=

7.3×V

NaOH清洗液的組成和更換

1號槽氫氧化鈉（NaOH）5號槽氫氟酸（HF）7號槽鹽酸（HCl）去除磷硅玻璃氫氟酸（HF）標準濃度300克/升40克/升65克/升21克/升允許范圍280~330克/升30~45克/升55~70克/升15~25克/升檢測周期8小時8小時8小時8小時更換頻率每清洗15000片硅片，更換3/4；整體更換：每周一次。每30000片硅片，溶液整體更換每清洗30000片硅片，溶液整體更換每清洗30000片硅片，溶液整體更換清洗液的組成和更換（續(xù)）

1號槽

氫氧化鈉（NaOH）5號槽

氫氟酸（HF）7號槽

鹽酸（HCl）去除磷硅玻璃

氫氟酸（HF）更換溶液時

加入試劑量整體更換：82瓶

更換3/4：62瓶25瓶40瓶13瓶槽的尺寸底面積：39dm2

槽深：4.7dm

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm備注125硅片每300片加入1瓶；103硅片每500片加入1瓶

注意事項安全NaOH、