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文檔簡介
BJT三極管的開關(guān)特性分析1.1PN結(jié)的單向?qū)щ娦詀0aa0a夕d?e,s?a。 。 fllaflG0OOGvU P 4 d g■??"???F* ?o* ?事件出Ea<?????1??P型 N配1■t*型區(qū)v—至I-七茴區(qū)tM型.Q?[??001??
e。十什么緣故PN結(jié)需要一個的導(dǎo)通電壓當(dāng)外加正向偏置電壓時,有一部份降落在PN結(jié)區(qū),方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反,減弱了內(nèi)電場。于是,內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運動的阻礙減弱,擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流,可忽略漂移電流的阻礙,PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。外加的反向電壓有一部份降落在PN結(jié)區(qū),方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同,增強(qiáng)了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運動的阻礙增強(qiáng),擴(kuò)散電流大大減小?,F(xiàn)在PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流,可忽略擴(kuò)散電流,PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在必然的溫度條件下,由本征激發(fā)決定的少子濃度是必然的,故少子形成的漂移電流是恒定的,大體上與所加反向電壓的大小無關(guān),那個電流也稱為反向飽和電流??偨Y(jié):濃度差致使多子擴(kuò)散運動,擴(kuò)散形成內(nèi)電場,內(nèi)電場引發(fā)少子的漂移運動,外加正向偏置時多子擴(kuò)散運動為主,可是受PN結(jié)內(nèi)電場的反向限制,擴(kuò)散較慢。當(dāng)偏置電壓大到必然程度,就顯現(xiàn)正向?qū)?。形成正向電流。外加反向偏置時,少子漂移運動為主,可是外電場和內(nèi)電場是同向的,PN結(jié)變厚,多子的擴(kuò)散運動被阻礙,少子的漂移速度加快??墒且驗樯僮拥臄?shù)量很少,因此形成的反向漏電流很小。例:光敏二極管的啟發(fā)“反向漏電流這么小,什么緣故光敏二極管能夠工作在反偏狀態(tài)下”三極管的三種工作狀態(tài)(NPN)放大狀態(tài):特點;發(fā)射結(jié)正向偏置,集電極反向偏置;發(fā)射結(jié)加上正偏電壓導(dǎo)通后,在外加電壓的作用下,發(fā)射區(qū)(N)的多數(shù)載流子(電子)就會很容易地被大量發(fā)射進(jìn)入基區(qū)。這些載流子一旦進(jìn)入基區(qū),它們在基區(qū)(P區(qū))的性質(zhì)仍然屬于少數(shù)載流子的性質(zhì)。如前所述,集電極反偏情形下,少數(shù)載流子很容易反向穿過處于反偏狀態(tài)的PN結(jié),因此,這些載流子(電子)就會很容易向上穿過處于反偏狀態(tài)的集電結(jié)抵達(dá)集電區(qū)形成集電極電流Ic。因此咱們能夠得出一個結(jié)果,集電極電流的形成并非是必然要靠集電極的高電位。集電極電流的大小更要緊的要取決于發(fā)射區(qū)載流子對基區(qū)的發(fā)射與注入,取決于這種發(fā)射與注入的程度。這種載流子的發(fā)射注入程度幾乎與集電極電位的高低沒有什么關(guān)系。這正好能自然地說明,什么緣故三極管在放大狀態(tài)下,集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關(guān)的緣故。放大狀態(tài)下Ic并非受控于Vc,Vc的作用主若是維持集電結(jié)的反偏狀態(tài),以此來知足三極管放大態(tài)下所需要外部電路條件。關(guān)于Ic還能夠做如下結(jié)論:Ic的本質(zhì)是“少子”電流,是通過電子注入而實現(xiàn)的人為可控的集電結(jié)“漏”電流,因此它就能夠夠很容易地反向通過集電結(jié)。放大狀態(tài)下,貫穿整個管子的電子流在通過基區(qū)時,基區(qū)的空穴會結(jié)合掉一部份的電子。那個進(jìn)程是個動態(tài)進(jìn)程,“空穴”不斷地與“電子”中和,同時“空穴”又不斷地會在外部電源作用下取得補(bǔ)充。在那個動態(tài)進(jìn)程中,空穴的等效總數(shù)量是不變的。基區(qū)空穴的總數(shù)量要緊取決于摻“雜”度和基區(qū)的厚薄,只要晶體管結(jié)構(gòu)確信,基區(qū)空穴的總定額就確信,其相應(yīng)的動態(tài)總量就確信。若是基區(qū)做得薄,攙雜度低,基區(qū)的空穴數(shù)就會少,那么空穴對電子的截流量就小,這就相當(dāng)于流向集電極的電子越多。很明顯只要晶體管三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確信,流向集電極的電子與被基極吸收掉的電子的比例也就確信。因此,為了獲大較大的電流放大倍數(shù),在制作三極管時往往要把基區(qū)做得很薄,而且其攙雜度也要操縱得很低。飽和狀態(tài):特點:發(fā)射極和集電極正向偏置;大致點位關(guān)系如以下圖所示。當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置(VBE>0,VBC>0)當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置(VBE>0,VBC>0)時,調(diào)劑RB,使IB=VCC/RC,圖用T開關(guān)作用C圖中町T為NPN型曜管)那么BJT工作在上圖中的C點,集電極電流iC已接近于最大值VCC/RC,由于iC受到RC的限制,它已不可能像放大區(qū)那樣隨著18的增加而成比例地增加了,現(xiàn)在集電極電流達(dá)到飽和,對應(yīng)的基極電流稱為基極臨界飽和電流IBS(),而集電極電流稱為集電極飽和電流ICS(VCC/RC)。爾后,若是再增加基極電流,那么飽和程度加深,但集電極電流大體上維持在ICS再也不增加,集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES二。那個電壓稱為BJT的飽和壓降,它也大體上不隨18增加而改變。由于VCES很小,集電極回路中的c、e極之間近似于短路,相當(dāng)于開關(guān)閉合一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱為飽和。由于BJT飽和后管壓降均為,而發(fā)射結(jié)偏壓為,因此飽和后集電結(jié)為正向偏置,即BJT飽和時集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于正向偏置,這是判定BJT工作在飽和狀態(tài)的重要依據(jù)。以下圖示出了NPN型BJT飽和時各電極電壓的典型數(shù)據(jù)。截至狀態(tài):外部偏置過小,沒有達(dá)到發(fā)射結(jié)的門電壓值,發(fā)射區(qū)沒有載流子“電子”向基區(qū)的發(fā)射注入。BJT開關(guān)在TDD操縱電路中的應(yīng)用對三極管放大作用的明白得,切記一點:能量可不能無緣無端的產(chǎn)生,因此,三極管必然可不能產(chǎn)生能量。它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號的能量算了。但三極管厲害的地址在于:它能夠通過小電流操縱大電流。Vc,⑶t圉也)假設(shè)三極管是個大壩,那個大壩奇怪的地址是,有兩個閥門,一個大閥門,一個小閥門小閥門能夠用人力打開,大閥門很重,人力是打不開的,只能通過小閥門的水力打開。因此,平常的工作流程即是,每當(dāng)放水的時候,人們就打開小閥門,很小的水流涓涓流出,這涓涓細(xì)流沖擊大閥門的開關(guān),大閥門隨之打開,洶涌的江水滔滔流下。若是不斷地改變小閥門開啟的大小,那么大閥門也相應(yīng)地不斷改變,假假設(shè)能嚴(yán)格地按比例改變,那么,完美的操縱就完成了。在那個地址,Ube確實是小水流,Uce確實是大水流,人確實是輸入信號。固然,若是把水流比為電流的話,會更確切,因為三極管畢竟是一個電流操縱元件。若是水流處于可調(diào)劑的狀態(tài),這種情形確實是三極管中的線性放大區(qū)。若是那個小的閥門開啟的還不夠,不能打開大閥門,這種情形確實是三極管中的截止區(qū)。若是小的閥門開啟的太大了,以至于大閥門里放出的水流已經(jīng)到了它極限的流量,這種情形確實是三極管中的飽和區(qū)??墒悄汴P(guān)小小閥門的話,能夠讓三極管工作狀態(tài)從飽和區(qū)返回到線性區(qū)。若是有水流存在一個水庫中,水位太高(相應(yīng)與Uce太大),致使不開閥門江水就自己沖開了,這確實是二極管的反向擊穿。PN結(jié)的擊穿又有熱擊穿和電擊穿。當(dāng)反向電流和反向電壓的乘積超過PN結(jié)允許的耗散功率直至PN結(jié)過熱而燒毀這種現(xiàn)象確實是熱擊穿。電擊穿的進(jìn)程是可逆的當(dāng)加在PN結(jié)兩頭的反向電壓降低后,管子仍能夠恢恢復(fù)先的狀態(tài)。電擊穿又分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類,一樣兩種擊穿同時存在。電壓低于5-6V的穩(wěn)壓管,齊納擊穿為主,電壓高于5-6V的穩(wěn)壓管,雪崩擊穿為主。電壓在5-6V之間的穩(wěn)壓管,兩種擊穿程度相近,溫度系數(shù)最好,這確實是什么緣故許多電路利用5-6V穩(wěn)壓管的緣故。在模擬電路中,一樣閥門是半開的,通過操縱其開啟大小來決定輸出水流的大小。沒有信號的時候,水流也會流,因此,不工作的時候,也會有功耗。而在數(shù)字電路中,閥門那么處于開或是關(guān)兩個狀態(tài)。當(dāng)不工作的時候,閥門是完全關(guān)閉的,沒有功耗。比如用單片機(jī)外界三極管驅(qū)動數(shù)碼管時,確實會對單片機(jī)管腳輸出電流進(jìn)行必然程度的放大,從而使電流足夠大到能夠驅(qū)動數(shù)碼管。但現(xiàn)在三極管并非工作在其特性曲線的放大區(qū),而是工作在開關(guān)狀態(tài)(飽和區(qū))。當(dāng)單片機(jī)管腳沒有輸出時,三極管工作在截止區(qū),輸出電流約等于0。在制造三極管時,要把發(fā)射區(qū)的N型半導(dǎo)體電子濃度做的專門大,基區(qū)P型半導(dǎo)體做的很薄,當(dāng)基極的電壓大于發(fā)射極電壓(硅管要大,鍺管要大)而小于集電極電壓時,這時發(fā)射區(qū)的電子進(jìn)入基區(qū),進(jìn)行復(fù)合,形成Ie;但由于發(fā)射區(qū)的電子濃度專門大,基區(qū)又很薄,電子就會穿過反向偏置的集電結(jié)到集電區(qū)的N型半導(dǎo)體里,形成Ic;基區(qū)的空穴被復(fù)合后,基極的電壓又會進(jìn)行補(bǔ)給,形成Ib。理論經(jīng)歷法:當(dāng)BJT的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置(VBE<0,VBC<0),只有很小的反向漏電流IEBO和ICBO別離流過兩個結(jié),故iB*0,iC*0,VCE*VCC,對應(yīng)于以下圖中的A點。這時集電極回路中的c、e極之間近似于開路,相當(dāng)于開關(guān)斷開一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱為截止。當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置(VBE>0,VBC>0)時,調(diào)齊I」RB,使IB=VCC/RC3B么BJT工作在上圖中的C點,集電極電流iC已接近于最大值VCC/RC,由于iC受到RC的限制,它已不可能像放大區(qū)那樣隨著18的增加而成比例地增加了,現(xiàn)在集電極電流達(dá)到飽和,對應(yīng)的基極電流稱為基極臨界飽和電流IBS(),而集電極電流稱為集電極飽和電流ICS(VCC/RC)。爾后,若是再增加基極電流,那么飽和程度加深,但集電極電流大體上維持在ICS再也不增加,集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES=。那個電壓稱為BJT的飽和壓降,它也大體上不隨18增加而改變。由于VCES很小,集電極回路中的c、e極之
間近似于短路,相當(dāng)于開關(guān)閉合一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱為飽和。由于BJT飽和后管壓降均為,而發(fā)射結(jié)偏壓為,因此飽和后集電結(jié)為正向偏置,即BJT飽和時集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于正向偏置,這是判定BJT工作在飽和狀態(tài)的重要依據(jù)。以下圖示出了NPN型BJT飽和時各電極電壓的典型數(shù)據(jù)。由此可見BJT相當(dāng)于一個由基極電流所操縱的無觸點開關(guān)。三極管處于放大狀態(tài)仍是開關(guān)狀態(tài)要看給三極管基極加的電流Ib(偏流),隨那個電流轉(zhuǎn)變,三極管工作狀態(tài)由截止-線性區(qū)-飽
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