微機(jī)原理及接口技術(shù)第7章

第七章第7章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其接口教學(xué)重點(diǎn)芯片SRAM2114和DRAM4116

芯片EPROM2764和EEPROM2817ASRAM、EPROM與CPU的連接7.1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概述除采用磁、光原理的輔存外，其它存儲(chǔ)器主要都是采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器本章介紹采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其組成主存的方法CPU寄存器CACHE主存（內(nèi)存）輔存（外存）7.1.1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)按用途分類(lèi)內(nèi)部存儲(chǔ)器（內(nèi)存、主存）外部存儲(chǔ)器（外存、輔存）按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi)半導(dǎo)體集成電路存儲(chǔ)器磁存儲(chǔ)器光存儲(chǔ)器7.1.1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)（續(xù)）按制造工藝雙極型：速度快、集成度低、功耗大MOS型：速度慢、集成度高、功耗低按使用屬性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM：可讀可寫(xiě)、斷電丟失只讀存儲(chǔ)器ROM：正常只讀、斷電不丟失詳細(xì)分類(lèi)，請(qǐng)看圖示圖7.1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器（ROM）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài)RAM（SRAM）動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）非易失RAM（NVRAM）掩膜式MROM一次性可編程ROM（PROM）紫外線(xiàn)擦除可編程ROM（EPROM）電擦除可編程ROM（EEPROM）詳細(xì)展開(kāi)，注意對(duì)比7.1.2存儲(chǔ)器的主要性能參數(shù)存儲(chǔ)容量對(duì)于M位地址總線(xiàn)、N位數(shù)據(jù)總線(xiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容量則為2M×N位芯片的存儲(chǔ)容量＝2M×N＝存儲(chǔ)單元數(shù)×存儲(chǔ)單元的位數(shù)存取速度存取時(shí)間(AccessTime)TA：?jiǎn)?dòng)一次存儲(chǔ)器操作，到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間存儲(chǔ)周期(MemoryCycle)TMC：為連續(xù)進(jìn)行兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作之間所需的最小時(shí)間間隔可靠性MTBF(MeanTimeBetweenFailures)，即平均故障間隔時(shí)間來(lái)衡量，MTBF越長(zhǎng)，可靠性越高性能／價(jià)格比7.1.3微機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)機(jī)構(gòu)采用層次結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)CPU寄存器CACHE主存（內(nèi)存）輔存（外存）用戶(hù)對(duì)存儲(chǔ)器的要求7.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)與原理本節(jié)主要介紹典型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其存儲(chǔ)原理7.2.1

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的結(jié)構(gòu)地址鎖存地址譯碼存儲(chǔ)體控制電路AB數(shù)據(jù)緩沖讀寫(xiě)電路DBOEWECS①存儲(chǔ)體存儲(chǔ)器芯片的主要部分，用來(lái)存儲(chǔ)信息②地址譯碼電路根據(jù)輸入的地址編碼來(lái)選中芯片內(nèi)某個(gè)特定的存儲(chǔ)單元③

片選和讀寫(xiě)控制邏輯選中存儲(chǔ)芯片，控制讀寫(xiě)操作①存儲(chǔ)體每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)唯一的地址，可存儲(chǔ)1位（位片結(jié)構(gòu)）或多位（字片結(jié)構(gòu)）二進(jìn)制數(shù)據(jù)一個(gè)存儲(chǔ)單元提供并行操作的位單元數(shù)稱(chēng)為存儲(chǔ)器的字長(zhǎng)

存儲(chǔ)容量與地址、數(shù)據(jù)線(xiàn)個(gè)數(shù)有關(guān)：芯片的存儲(chǔ)容量＝2M×N＝存儲(chǔ)單元數(shù)×存儲(chǔ)單元的位數(shù)

M：芯片的地址線(xiàn)根數(shù)

N：芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)根數(shù)

②地址譯碼電路譯碼器A5A4A3A2A1A06301存儲(chǔ)單元64個(gè)單元行譯碼A2A1A0710列譯碼A3A4A501764個(gè)單元單譯碼雙譯碼單譯碼：使用一個(gè)譯碼電路對(duì)全部地址進(jìn)行譯碼，經(jīng)過(guò)字選擇直接選中指定的存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元按一維方向排列（一列或一行）雙譯碼：將地址分為X行和Y行兩部分，用兩個(gè)譯碼電路進(jìn)行譯碼，產(chǎn)生行選擇和列選擇線(xiàn)，交叉為指定的存儲(chǔ)單元。雙譯碼可減少譯碼線(xiàn)例題例題：用存儲(chǔ)器芯片組成內(nèi)存，在存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部存儲(chǔ)單元采用矩陣排列，主要是可以節(jié)省存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部譯碼電路。若要組成512字節(jié)的內(nèi)存，不用矩陣形式來(lái)組織這些單元就需要條譯碼線(xiàn)，采用矩陣形式來(lái)排列，譯碼線(xiàn)就可以降低到條。51248③片選和讀寫(xiě)控制邏輯片選端CS或CE有效時(shí)，可以對(duì)該芯片進(jìn)行讀寫(xiě)操作輸出OE控制讀操作。有效時(shí)，芯片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出該控制端對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的讀控制線(xiàn)寫(xiě)WE（只有RAM芯片或EEPROM芯片才有此引腳）控制寫(xiě)操作。有效時(shí)，數(shù)據(jù)進(jìn)入芯片中該控制端對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的寫(xiě)控制線(xiàn)例題例：某一SRAM芯片其容量2KB（2K*8），除電源和接地線(xiàn)之外，該芯片引出線(xiàn)的最小數(shù)目

。A、24B、26C、20D、22D7.2.26管SRAM存儲(chǔ)單元T3、T4為放大管，T1、T2為有源負(fù)載管。T5、T6是行選門(mén)控管，當(dāng)行選信號(hào)為高電平時(shí)導(dǎo)通，使觸發(fā)器A點(diǎn)與原碼數(shù)據(jù)線(xiàn)D接通，B點(diǎn)與反碼數(shù)據(jù)線(xiàn)D接通

字或行選線(xiàn) ABT5T6T1T2T3T4DD寫(xiě)“1”，A點(diǎn)為高電平，

B點(diǎn)為低電平，使T4截止，T3導(dǎo)通。當(dāng)行選信號(hào)消失后，T3和T4的互鎖將保持寫(xiě)入的狀態(tài)不變，并由電源提供其工作電流，只要不斷電，該狀態(tài)就將一直保持下去。如果要寫(xiě)“0”，則有關(guān)狀態(tài)相反

當(dāng)選中該單元讀信息時(shí)，若A點(diǎn)為高電平，B點(diǎn)為低電平，則讀出“1”，否則讀出“0”六管靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元7.2.3單管DRAM存儲(chǔ)單元Cs上充有電荷時(shí)，表示存儲(chǔ)了信息“1”，當(dāng)電容上無(wú)電荷（未充電或被放電）時(shí)，表示存儲(chǔ)了信息“0”。進(jìn)行讀操作時(shí)，若有放電電流，則讀出了“1”，否則讀出了“0”CS行選擇線(xiàn)TS數(shù)據(jù)線(xiàn)三個(gè)問(wèn)題：讀放大：讀出“1”時(shí)，輸出的高電平只有0.1V左右，使用高靈敏度的讀出放大器對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行放大讀重寫(xiě)。進(jìn)行一次讀操作后，Cs中的電荷將幾乎被放完，破壞性讀出。每次讀操作后必須利用讀出放大器進(jìn)行一次重寫(xiě)操作。動(dòng)態(tài)刷新。由于漏電，Cs中的電荷也會(huì)在2ms左右的時(shí)間內(nèi)消失，而丟失“1”信息。必須定期進(jìn)行刷新操作，方法是每隔1－2ms自動(dòng)進(jìn)行一次“空讀”操作

ROM主要由地址譯碼器、

存儲(chǔ)矩陣、

輸出電路三部分組成。7.2.4、ROM的結(jié)構(gòu)及工作原理存儲(chǔ)容量＝2n×b（位）存儲(chǔ)單元地址4×4位ROM地址譯碼器存儲(chǔ)體存儲(chǔ)內(nèi)容7.3

典型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片靜態(tài)RAMSRAM2114SRAMHM6116動(dòng)態(tài)RAMDRAM4116DRAM2164EPROMEPROM2716EPROM2764EEPROMEEPROM2717AEEPROM2864A7.3.1靜態(tài)RAMSRAM的基本存儲(chǔ)單元是觸發(fā)器電路每個(gè)基本存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)一位許多個(gè)基本存儲(chǔ)單元形成行列存儲(chǔ)矩陣SRAM一般采用“字結(jié)構(gòu)”存儲(chǔ)矩陣：每個(gè)存儲(chǔ)單元存放多位（4、8、16等）每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)地址SRAM芯片HM6116

24個(gè)引腳11條地址線(xiàn)8條數(shù)據(jù)線(xiàn)1條電源線(xiàn)Vcc和1條接地線(xiàn)GND3條控制引腳芯片允許（選中）CE（E）

寫(xiě)允許信號(hào)WE（W）輸出允許信號(hào)OE（G）

典型的SRAM芯片HM6116芯片內(nèi)共有16384（16K）個(gè)存儲(chǔ)位單元，字長(zhǎng)8位，共2K個(gè)字，構(gòu)成2KB的內(nèi)存。

三位控制信號(hào)的組合控制6116芯片的工作方式。引腳

工作方式CEOEWED0—D7未選中（待用）HXX高阻讀出LLHDout寫(xiě)入LHLDinSRAM芯片2114存儲(chǔ)容量為1024×418個(gè)引腳：10根地址線(xiàn)A9～A04根數(shù)據(jù)線(xiàn)I/O4～I(xiàn)/O1片選CS讀寫(xiě)R/W123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4R/WA6A5A4A3A0A1A2CSGND功能SRAM2114的功能工作方式CSR/WI/O4～I(xiàn)/O1未選中讀操作寫(xiě)操作100×10高阻輸出輸入7.3.2動(dòng)態(tài)RAMDRAM的基本存儲(chǔ)單元是單個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管及其極間電容必須配備“讀出再生放大電路”進(jìn)行刷新每次同時(shí)對(duì)一行的存儲(chǔ)單元進(jìn)行刷新每個(gè)基本存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)一位許多個(gè)基本存儲(chǔ)單元形成行列存儲(chǔ)矩陣DRAM一般采用“位結(jié)構(gòu)”存儲(chǔ)體：每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一位需要8個(gè)存儲(chǔ)芯片構(gòu)成一個(gè)字節(jié)單元每個(gè)字節(jié)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)地址DRAM芯片4116存儲(chǔ)容量為16K×116個(gè)引腳：7根地址線(xiàn)A6～A01根數(shù)據(jù)輸入線(xiàn)DIN1根數(shù)據(jù)輸出線(xiàn)DOUT行地址選通RAS列地址選通CAS讀寫(xiě)控制WEVBBDINWERASA0A2A1VDDVSSCASDOUTA6A3A4A5VCC12345678161514131211109DRAM芯片2164存儲(chǔ)容量為64K×116個(gè)引腳：8根地址線(xiàn)A7～A01根數(shù)據(jù)輸入線(xiàn)DIN1根數(shù)據(jù)輸出線(xiàn)DOUT行地址選通RAS列地址選通CAS讀寫(xiě)控制WENCDINWERASA0A2A1GNDVSSCASDOUTA6A3A4A5A7123456781615141312111097.3.3EPROM頂部開(kāi)有一個(gè)圓形的石英窗口，用于紫外線(xiàn)透過(guò)擦除原有信息一般使用專(zhuān)門(mén)的編程器（燒寫(xiě)器）進(jìn)行編程編程后，應(yīng)該貼上不透光封條出廠(chǎng)未編程前，每個(gè)基本存儲(chǔ)單元都是信息1編程就是將某些單元寫(xiě)入信息0EPROM芯片2716存儲(chǔ)容量為2K×824個(gè)引腳：11根地址線(xiàn)A10～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)DO7～DO0片選/編程CE/PGM讀寫(xiě)OE編程電壓VPP功能VDDA8A9VPPOEA10CE/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2VssEPROM2716的功能工作方式CE/PGMOEVCCVPPDO7～DO0待用1×＋5V＋5V高阻讀出00＋5V＋5V輸出讀出禁止01＋5V＋5V高阻編程寫(xiě)入正脈沖1＋5V＋25V輸入編程校驗(yàn)00＋5V＋25V輸出編程禁止01＋5V＋25V高阻EPROM芯片2764存儲(chǔ)容量為8K×828個(gè)引腳：13根地址線(xiàn)A12～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)D7～D0片選CE編程PGM讀寫(xiě)OE編程電壓VPPVppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGMNCA8A9A11OEA10CED7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615EPROM芯片2725612345678910111213141516171819202122232425262728VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CEA10OEA11A9A8A13A14Vcc27256引腳圖A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CEOED7D6D5D4D3D2D1D027256邏輯圖7.3.4EEPROM用加電方法，進(jìn)行在線(xiàn)（無(wú)需拔下，直接在電路中）擦寫(xiě)（擦除和編程一次完成）有字節(jié)擦寫(xiě)、塊擦寫(xiě)和整片擦寫(xiě)方法并行EEPROM：多位同時(shí)進(jìn)行串行EEPROM：只有一位數(shù)據(jù)線(xiàn)EEPROM芯片2817A存儲(chǔ)容量為2K×828個(gè)引腳：11根地址線(xiàn)A10～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)I/O7～I(xiàn)/O0片選CE讀寫(xiě)OE、WE狀態(tài)輸出RDY/BUSY功能NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWENCA8A9NCOEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615EEPROM2817A的功能工作方式CEOEWERDY/BUSYI/O7～I(xiàn)/O0讀出維持字節(jié)寫(xiě)入0100×11×0高阻高阻0輸出高阻輸入EEPROM芯片2864A存儲(chǔ)容量為8K×828個(gè)引腳：13根地址線(xiàn)A12～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)I/O7～I(xiàn)/O0片選CE讀寫(xiě)OE、WEVccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND12345678910111213142827262524232221201918171615內(nèi)存條

內(nèi)存條是集中了多塊大容量DRAM芯片的內(nèi)存模塊。7.4半導(dǎo)體存儲(chǔ)器與CPU的連接這是本章的重點(diǎn)內(nèi)容譯碼和譯碼器存儲(chǔ)器容量擴(kuò)充技術(shù)存儲(chǔ)器芯片片選端的處理7.4.1譯碼和譯碼器譯碼：將某個(gè)特定的“編碼輸入”翻譯為唯一一個(gè)“有效輸出”的過(guò)程N(yùn)位編碼輸入2N位譯碼輸出唯一有效的輸出其余均無(wú)效譯碼器譯碼器件：采用門(mén)電路組合邏輯進(jìn)行譯碼采用集成譯碼器進(jìn)行譯碼，常用的器件有：2-4（4選1）譯碼器74LS1393-8（8選1）譯碼器74LS1384-16（16選1）譯碼器74LS154地址74LS1387.4.2存儲(chǔ)器容量擴(kuò)充技術(shù)通常單片存儲(chǔ)芯片的容量不能滿(mǎn)足系統(tǒng)要求，需要多片組合來(lái)擴(kuò)充存儲(chǔ)器的容量。存儲(chǔ)器擴(kuò)充分為位擴(kuò)充，字?jǐn)U充和字位擴(kuò)充。(1).位擴(kuò)充當(dāng)實(shí)際存儲(chǔ)器芯片每個(gè)單元的位數(shù)和系統(tǒng)需要內(nèi)存單元字長(zhǎng)不等時(shí)采用的方法。用1K*1的靜態(tài)芯片位擴(kuò)充1KB的存儲(chǔ)器，需要芯片數(shù)為8。地址線(xiàn)A0-A9分別連在一起，各芯片的片選信號(hào)CS和讀/寫(xiě)信號(hào)WE都分別連接在一起。（2）、字?jǐn)U充當(dāng)存儲(chǔ)器芯片上每個(gè)存儲(chǔ)單元的字長(zhǎng)已滿(mǎn)足要求，但存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)不夠時(shí)，需要增加存儲(chǔ)單元的數(shù)量，這就稱(chēng)為字?jǐn)U充。

1K*8的芯片擴(kuò)充組成4KB，需要4片4片芯片的地址范圍為：

000H-3FFH，400H-7FFH，800H-BFFH，C00H-FFFH（3）、字位擴(kuò)充需要同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充和字?jǐn)U充才能滿(mǎn)足系統(tǒng)存儲(chǔ)容量要求的方法稱(chēng)為字位擴(kuò)充。要構(gòu)成128KB的內(nèi)存，需要64K*1的芯片片，先位擴(kuò)充，再字?jǐn)U充。例：組成8K字節(jié)的存儲(chǔ)器，需要256*4位的存儲(chǔ)芯片

片。16647.4.3存儲(chǔ)器芯片片選端的處理當(dāng)多個(gè)存儲(chǔ)器芯片組成存儲(chǔ)器時(shí)，CPU對(duì)某一存儲(chǔ)單元的尋址要經(jīng)過(guò)兩個(gè)選擇：一是通過(guò)片選選擇存儲(chǔ)芯片。二是通過(guò)片內(nèi)尋址從該芯片中選擇某一存儲(chǔ)單元。片內(nèi)尋址是經(jīng)片內(nèi)的地址譯碼電路實(shí)現(xiàn)的。片選是由地址的高位部分提供，通過(guò)存儲(chǔ)器外部的有關(guān)電路產(chǎn)生的。（1）、線(xiàn)選法地址的高位直接作為各個(gè)芯片的片選信號(hào)，在尋址時(shí)只有一位有效來(lái)使片選信號(hào)有效的方法稱(chēng)為線(xiàn)選擇法。只用少數(shù)幾根高位地址線(xiàn)進(jìn)行芯片的譯碼，且每根負(fù)責(zé)選中一個(gè)芯片（組）雖構(gòu)成簡(jiǎn)單，但地址空間嚴(yán)重浪費(fèi)6116（2K*8）實(shí)現(xiàn)8KB的內(nèi)存各芯片的尋址范圍：7000H-77FFH，6800H-6FFFH，5800H-5FFFH，3800-3FFFH（2）、部分譯碼法用部分高位地址進(jìn)行譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)只有部分高位地址線(xiàn)參與對(duì)存儲(chǔ)芯片的譯碼。

這樣，每個(gè)存儲(chǔ)單元將對(duì)應(yīng)多個(gè)地址，導(dǎo)致“地址重疊”，這種情況要在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中避免。優(yōu)點(diǎn)：可簡(jiǎn)化譯碼電路的設(shè)計(jì)缺點(diǎn)：但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費(fèi)（3）、完全譯碼法全部高位地址譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)。優(yōu)點(diǎn)：充分利用了CPU的地址引腳，適用于大容量?jī)?nèi)存系統(tǒng)和需要擴(kuò)充內(nèi)存容量的系統(tǒng)。缺點(diǎn)：電路復(fù)雜產(chǎn)生片選信號(hào)的譯碼電路可采用很多方式7.5

PC系列微機(jī)的內(nèi)存組織

8086CPU有20位地址線(xiàn)，可直接尋址1M字節(jié)的內(nèi)存地址空間。8086CPU的16位微機(jī)系統(tǒng)，要求內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)能實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存的一次訪(fǎng)存操作既可以處理一個(gè)16位字，當(dāng)然也可以只處理一個(gè)字節(jié)。

但是內(nèi)存組織是按字節(jié)順序排列

.7.5.1內(nèi)存分體結(jié)構(gòu)8086系統(tǒng)中1M字節(jié)的內(nèi)存地址空間實(shí)際上分成兩個(gè)512K字節(jié)的存儲(chǔ)體——“偶地址存儲(chǔ)體”和“奇地址存儲(chǔ)體”。偶地址存儲(chǔ)體連接8086低8位數(shù)據(jù)總線(xiàn)D7—D0，奇地址存儲(chǔ)體連接8086高8位數(shù)據(jù)總線(xiàn)D15—D8。地址總線(xiàn)的Al9—A1與兩個(gè)存儲(chǔ)體中的地址線(xiàn)Al8—A0直接連接。最低位地址線(xiàn)A0和8086的“總線(xiàn)高允許”BHE信號(hào)則用來(lái)選擇存儲(chǔ)體。BHE與A0的組合控制BHEA0操作涉及的數(shù)據(jù)線(xiàn)00讀/寫(xiě)從偶數(shù)地址開(kāi)始的一個(gè)字

D15－D0

01讀/寫(xiě)奇數(shù)地址的一個(gè)字節(jié)

D15－D8

0110讀/寫(xiě)從奇數(shù)地址開(kāi)始一個(gè)字先讀/寫(xiě)奇地址字節(jié)后讀/寫(xiě)偶地址字節(jié)

D15－D8D7－D0

10讀/寫(xiě)偶數(shù)地址的一個(gè)字節(jié)

D7－D0

11無(wú)效

當(dāng)16位字的訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存地址為偶數(shù)地址時(shí)，A0為低電平而自動(dòng)選中偶地址存儲(chǔ)體，并由地址Al9—A1選中其中的一個(gè)字節(jié)；同時(shí)，CPU將自動(dòng)置BHE為低電平，選中奇地址存儲(chǔ)體，同樣由地址Al9—A1選中其中的一個(gè)字節(jié)，顯然該字節(jié)的地址等于所給偶數(shù)地址加1。這樣，分屬于兩個(gè)存儲(chǔ)體但地址碼連續(xù)的兩個(gè)字節(jié)將分別通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的高8位和低8位同時(shí)傳送，從而在一個(gè)總線(xiàn)周期中完成16位字的訪(fǎng)存操作，這也是標(biāo)準(zhǔn)工作情況。

內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)的兩種情況標(biāo)準(zhǔn)工作情況若訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存地址為奇地址時(shí)，A0為高電平，無(wú)法自動(dòng)選中偶地址存儲(chǔ)體，則CPU只能使用兩個(gè)總線(xiàn)周期分兩步完成所要求的訪(fǎng)存操作：第一步，將BHE置低電平，在奇地址存儲(chǔ)體中選中指定的一個(gè)字節(jié)，通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的高8位傳送，在一個(gè)總線(xiàn)周期中完成第一字節(jié)的訪(fǎng)存操作。第二步，將所給奇數(shù)地址加1成為偶數(shù)地址，將BHE置高電平,A0置低電平，選中偶地址存儲(chǔ)體中的指定字節(jié)，通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的低8位傳送，在第二個(gè)總線(xiàn)周期中完成第二字節(jié)的訪(fǎng)存操作。這種情況需要使用兩個(gè)總線(xiàn)周期才能完成16位字的訪(fǎng)存操作。非標(biāo)準(zhǔn)工作情況P1471、系統(tǒng)內(nèi)存（SM）2、擴(kuò)展內(nèi)存(XMS)（不做要求）3、擴(kuò)充內(nèi)存(EMS)（不做要求）7.5.2內(nèi)存空間分布1．系統(tǒng)內(nèi)存（SystemMemory）

系統(tǒng)內(nèi)存對(duì)應(yīng)的地址范圍是00000H—FFFFFH，可分成：常規(guī)內(nèi)存保留內(nèi)存兩部分。常規(guī)內(nèi)存常規(guī)內(nèi)存。這是系統(tǒng)內(nèi)存中地址從00000H—9FFFFH的640KB的RAM區(qū)，又稱(chēng)為“基本內(nèi)存”、傳統(tǒng)內(nèi)存”、“實(shí)存”。該內(nèi)存區(qū)主要用來(lái)存放操作系統(tǒng)的核心程序、系統(tǒng)工作參數(shù)和一些應(yīng)用程序。其最底端的00000H—003FFH為中斷向量表。保留內(nèi)存

A0000H—BFFFFH為128KB的視頻緩沖區(qū)，用于緩存顯示的視頻圖形和文本信息。

C0000H—DFFFFH為128KB的ROM擴(kuò)充區(qū)，用于視頻圖像ROM、擴(kuò)充卡緩存和存放EMS頁(yè)面幀等。

E0000H—EFFFFH為64KB的保留區(qū)

F0000H—FFFFFH為64KB的系統(tǒng)ROM區(qū)，存放開(kāi)機(jī)引導(dǎo)程序、診斷程序和系統(tǒng)BIOS。保留內(nèi)存，對(duì)應(yīng)地址從A0000H—FFFFFH，共384KB，由ROM或FlashROM及RAM組成。習(xí)題1、內(nèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的

裝置，用來(lái)存放

和

。2、Intel4116RAM芯片容量為2K8，訪(fǎng)問(wèn)該芯片須用

根地址線(xiàn)。3存貯器分為

、

、

、

。存儲(chǔ)程序數(shù)據(jù)11內(nèi)部寄存器高速緩存內(nèi)存外存4、8086CPU寫(xiě)入一個(gè)規(guī)則字，數(shù)據(jù)線(xiàn)的高8位寫(xiě)入

存儲(chǔ)體，低8位寫(xiě)入

存儲(chǔ)體。5、對(duì)6116進(jìn)行讀操作，6116引腳=

，=

，=

。奇偶0106、隨機(jī)存貯器即RAM是指（）

A.存貯單元中所存信息是隨機(jī)的。

B.存貯單元中的地址是隨機(jī)的。

C.用戶(hù)的程序和數(shù)據(jù)可隨機(jī)的放在內(nèi)存的任何地方。

D.存貯器中存取操作與時(shí)間存貯單元物理位置順序無(wú)關(guān)。D7、動(dòng)態(tài)存貯器刷新，下面哪種說(shuō)法正確（）

A.刷新可在CPU執(zhí)行程序過(guò)程中進(jìn)行

B.刷新在外電路控制下，定時(shí)刷新，但刷新時(shí)，信息不讀出

C.在正常存貯器讀操作時(shí)也會(huì)發(fā)生刷新，可防止刷新影響讀出信息，故讀操作時(shí)，應(yīng)關(guān)閉電路工作。

D.刷新過(guò)程一定伴隨著信息輸出，無(wú)法控制，故刷新時(shí)不要進(jìn)行讀出操作。B8、用4K×8的存貯芯片，構(gòu)成64K×8的存貯器，需使用多少4K×8的存貯芯片，正確答案為（）

A.128片B.16片C.8片D.32片B9、動(dòng)態(tài)RAM芯片容量為16K×1位，要構(gòu)成32K字節(jié)的RAM存貯器，需要該芯（）

A.4片B.8片C.16片D.32片10