標準解讀

GB/T 11068-1989 是一項中國國家標準，其全稱為《砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法》。這項標準規(guī)定了使用電容-電壓（C-V）測量技術(shù)來測定砷化鎵（GaAs）外延層中載流子濃度的方法。下面是對該標準主要內(nèi)容的概述：

標準適用范圍

本標準適用于砷化鎵半導(dǎo)體材料，特別是其外延層中的電子和空穴載流子濃度的測定。外延層是指通過氣相外延、液相外延或其他類似技術(shù)在基底材料上生長的單晶薄層。

測量原理

電容-電壓測量法基于金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)或者金屬-半導(dǎo)體（MS）結(jié)構(gòu)的電容特性。當對這種結(jié)構(gòu)施加不同電壓時，其電容值會隨之變化，而這一變化與半導(dǎo)體表面附近的載流子濃度密切相關(guān)。通過分析這些變化，可以推算出半導(dǎo)體材料的載流子濃度。

測量設(shè)備與條件

  • 高精度電容測量裝置：要求能夠準確測量微小的電容變化。
  • 電壓源：提供穩(wěn)定且可調(diào)的直流電壓或交流電壓。
  • 樣品制備：需要制備具有良好表面狀態(tài)的MIS或MS結(jié)構(gòu)的砷化鎵樣品，包括選擇合適的電極材料和絕緣層（如二氧化硅）。
  • 環(huán)境控制：測量應(yīng)在恒溫、干燥、無塵的環(huán)境下進行，以減少外界因素的干擾。

測量步驟

  1. 樣品準備：確保樣品表面干凈無污染，電極接觸良好。
  2. 預(yù)處理：可能包括退火等步驟，以改善電極接觸和消除表面態(tài)影響。
  3. 電壓掃描：在設(shè)定的溫度下，對樣品施加逐步變化的電壓，并記錄相應(yīng)的電容值。
  4. 數(shù)據(jù)分析：利用得到的C-V曲線，通過理論模型（如庫侖定律、冪律關(guān)系等）計算載流子濃度。

數(shù)據(jù)處理與校正

  • 需要考慮界面態(tài)、固定電荷等因素對測量結(jié)果的影響，并進行相應(yīng)的校正。
  • 可能還需要通過多次測量和統(tǒng)計分析來提高結(jié)果的可靠性和準確性。

標準的重要性

此標準為砷化鎵半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制、器件設(shè)計與制造提供了統(tǒng)一的測試方法，有助于確保不同實驗室間測量結(jié)果的一致性和可比性，是半導(dǎo)體研究與生產(chǎn)中的重要參考依據(jù)。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11068-2006
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 11068-1989砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法_第1頁
GB/T 11068-1989砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法_第2頁
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GB/T 11068-1989砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

PDC661.868.146*621.317.32/.33H21中華人民共和國國家標準CB11068-89砷化鏢外延層載流子濃度電容-電壓測量方法GalliumarsenideepitaxiallayerDeterminationofcarrierconcentration-Voltage-capacitancemethod1989-03-31發(fā)布1990-02-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準砷化鏢外延層載流子濃度電容-電壓測量方法GB11068-89Galiumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentration-Voltage-capacitancemethod主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了砷化緣外延層載流子濃度電容-電壓法的測量方法、本標準適用于砷化鏢外延層及體材料中載流子濃度的測量。測量范圍：1×104～5×10-cm-"。語2.1擊穿電壓當反向偏壓增加到某一值時,肖特基結(jié)就失去阻擋作用，反向電流迅速增大時的電壓值.2.2接觸面積汞探針與試樣表面的有效接觸面積。2.3壘電容半導(dǎo)體內(nèi)垂直于接觸面的空間電荷區(qū)的電容。2.4勢壘寬度起勢全作用的空間電荷區(qū)的線性寬度。2.5載流子濃度縱向分布自半導(dǎo)體表面向體內(nèi)垂直方向上載流子濃度與深度的對應(yīng)關(guān)系方法原理汞探針與砷化家表面接觸形成肖特基勢壘，當反向偏壓增大時，勢全區(qū)向砷化鏢內(nèi)部擴展。用高頻小訊號測量某一反向偏壓下的勢壘電容(F)及由反向偏壓增量“V(V)引起的勢全電容增量“C(F)。根據(jù)式(1)和式(2)計算出勢壘擴展深度(X)和其相應(yīng)的載流子濃度（w（X)。一（1°N（X）一·…（2）式中：X-勢壘擴展寬度·mN（X）載流子濃度，c

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