標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》是中國一項(xiàng)關(guān)于液封直拉法制備砷化鎵單晶及其切割片的標(biāo)準(zhǔn)。此標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了砷化鎵單晶的制備方法、技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存條件,旨在確保砷化鎵材料的質(zhì)量可控性和一致性,適用于使用液封直拉技術(shù)生長的砷化鎵單晶及其切割片。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容要點(diǎn)包括:

  1. 范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的產(chǎn)品范圍,即通過液封直拉法制得的砷化鎵單晶及其切割片,為相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)和檢驗(yàn)提供了依據(jù)。

  2. 術(shù)語和定義:對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了解釋和界定,幫助讀者理解標(biāo)準(zhǔn)的具體內(nèi)容。

  3. 分類與標(biāo)記:規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的分類方法和產(chǎn)品標(biāo)記規(guī)則,便于識(shí)別和區(qū)分不同規(guī)格、級(jí)別的產(chǎn)品。

  4. 技術(shù)要求

    • 材料要求:對(duì)用于生長砷化鎵單晶的原料純度、雜質(zhì)含量等有具體規(guī)定。
    • 生長工藝:描述了液封直拉法制備過程中關(guān)鍵參數(shù)如溫度、拉速、氣氛控制等的技術(shù)要求。
    • 物理性能:規(guī)定了砷化鎵單晶的尺寸、形狀、晶體質(zhì)量(如位錯(cuò)密度)、電學(xué)性質(zhì)(如電阻率)等指標(biāo)。
    • 切割片質(zhì)量:包括切割片的平整度、厚度公差、表面潔凈度等要求。
  5. 試驗(yàn)方法:詳細(xì)說明了如何通過各種檢測手段來驗(yàn)證砷化鎵單晶及其切割片是否滿足上述技術(shù)要求,如X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)、四探針法測量電阻率等。

  6. 檢驗(yàn)規(guī)則:規(guī)定了產(chǎn)品出廠前應(yīng)進(jìn)行的檢驗(yàn)類型(如全檢、抽檢)、抽樣方案及不合格品的處理方式。

  7. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:要求產(chǎn)品在包裝上需清晰標(biāo)注相關(guān)信息,并對(duì)包裝材料、方式、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境做出具體規(guī)定,以防止產(chǎn)品在流轉(zhuǎn)過程中受損。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 11093-2007
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-03-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 11093-1989液封直拉法砷化鎵單晶及切割片_第1頁
GB/T 11093-1989液封直拉法砷化鎵單晶及切割片_第2頁
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文檔簡介

UDC661.868.146-415H81中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB11093-89液封直拉法砷化掠單晶及切割片Liquidencapsulatedczochralski-growngalliumarsenidesinglecrystalsandAs-cutslices1989-03-31發(fā)布1990-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)液封直拉法砷化家單晶及切割片GB11093-89Liauidencapaulatcdczochralsiki-rownealltumarcnidesinglecrystalsandAs-cutsliccs主題內(nèi)客與適用范圖本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了波封直拉法砷化鏢單品及切割片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于液封直拉法制備的砷化家單品及其切割片。產(chǎn)品供制作光電器件、微波器件和傳感元件等元器件用。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB4326非非本征半導(dǎo)體單品蛋爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法GB8759化化合物半導(dǎo)體單品晶向×射線衍射測量方法GB8760神化家單品位錯(cuò)密度測量方法產(chǎn)品分類3.1導(dǎo)電類型產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為N型和P型,按電阻率分為低阻導(dǎo)電型和高阻半絕緣型。以摻雜劑、教流子濃度和遷移率分類,按位錯(cuò)密度分級(jí)。3.2牌號(hào)單晶及切割片的牌號(hào)分別表示為LECMGAAS阿拉伯?dāng)?shù)字與羅馬數(shù)字組合表示產(chǎn)品的等級(jí)與等次北化學(xué)元素符號(hào)表示摻雜劑。有兩種摻雜劑時(shí),元素符號(hào)之間用“十”連接表表示液封直拉法砷化鏢單品中國

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