標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》相比于《GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整:

  1. 技術(shù)指標(biāo)的提升:新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)砷化鎵單晶的純度、結(jié)晶質(zhì)量、微結(jié)構(gòu)缺陷等關(guān)鍵性能指標(biāo)提出了更嚴(yán)格的要求,反映了隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求的提高,對(duì)材料質(zhì)量的更高追求。

  2. 檢測(cè)方法的改進(jìn):引入了更為精確和先進(jìn)的檢測(cè)技術(shù)和分析方法,如使用高分辨率X射線(xiàn)衍射(HRXRD)和二次離子質(zhì)譜(SIMS)等現(xiàn)代分析手段,以更準(zhǔn)確地評(píng)估單晶的結(jié)構(gòu)完整性和雜質(zhì)含量,提高了檢測(cè)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性。

  3. 生產(chǎn)流程的優(yōu)化:標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)液封直拉法制備過(guò)程中的工藝參數(shù),如溫度控制、提拉速率、氣氛保護(hù)等給出了更詳細(xì)和科學(xué)的指導(dǎo),旨在促進(jìn)生產(chǎn)效率的提升和成本的降低,同時(shí)保證產(chǎn)品質(zhì)量。

  4. 環(huán)保與安全要求:2007版標(biāo)準(zhǔn)加強(qiáng)了對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中環(huán)境保護(hù)和操作人員安全健康的關(guān)注,新增或修訂了有關(guān)廢棄物處理、有害物質(zhì)管控及操作規(guī)范等內(nèi)容,體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展和安全生產(chǎn)的理念。

  5. 術(shù)語(yǔ)和定義的更新:為適應(yīng)技術(shù)發(fā)展,新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)部分專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增,確保了標(biāo)準(zhǔn)語(yǔ)言的準(zhǔn)確性和時(shí)代性,便于行業(yè)內(nèi)外人士更好地理解和應(yīng)用。

  6. 適用范圍的明確:對(duì)標(biāo)準(zhǔn)適用的產(chǎn)品類(lèi)型、尺寸范圍及應(yīng)用領(lǐng)域做了更清晰的界定,有助于生產(chǎn)廠家和用戶(hù)準(zhǔn)確把握標(biāo)準(zhǔn)的適用邊界。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實(shí)施
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GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片_第1頁(yè)
GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛29.045

犎83

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜11093—2007

代替GB/T11093—1989

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

犔犻狇狌犻犱犲狀犮犪狆狊狌犾犪狋犲犱犮狕狅犮犺狉犪犾狊犽犻犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱

犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊

20070911發(fā)布20080201實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅/犜11093—2007

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T11093—1989《液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T11093—1989相比,主要有如下變動(dòng):

———單晶和切割片的牌號(hào)按照GB/T14844《半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法》進(jìn)行了修訂;

———增加了76.2mm(3in)、100mm、125mm和150mm規(guī)格的產(chǎn)品;

———增加了摻入碳等雜質(zhì)元素的產(chǎn)品;

———去掉了40mm規(guī)格的產(chǎn)品;

———取消了按位錯(cuò)密度對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行分級(jí)。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起,代替GB/T11093—1989。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京有色金屬研究總院。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張峰翊、鄭安生。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T11093—1989。

書(shū)

犌犅/犜11093—2007

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了液封直拉法砷化鎵單晶及切割片的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝運(yùn)輸貯

存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于液封直拉法制備的砷化鎵單晶及其切割片。產(chǎn)品供制作微波器件、集成電路、光電器

件、傳感元件和紅外線(xiàn)窗口等元器件用材料。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T4326非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T8760砷化鎵單晶位錯(cuò)密度測(cè)量方法

GB/T13387電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GJB1927砷化鎵單晶材料測(cè)試方法

3要求

3.1產(chǎn)品分類(lèi)

產(chǎn)品按導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率分為半絕緣型(SI型),低阻導(dǎo)電型(n型和p型)。

3.2牌號(hào)

3.2.1單晶的牌號(hào)表示為

LECGaAs□()<>

用密勒指數(shù)表示的晶向

導(dǎo)電類(lèi)型,擴(kuò)號(hào)內(nèi)元素符號(hào)為摻雜劑,如果有兩個(gè)或兩個(gè)以上的摻雜劑,

中間用“+”連接

砷化鎵材料的分子式

表示砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法為液封直拉法

若單晶不強(qiáng)調(diào)生產(chǎn)方法或不摻雜時(shí),其相應(yīng)牌號(hào)部分可以省略。

示例:

LECGaAsSI<100>表

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